1.一种非易失性存储装置的写入数据的方法，其中，所述非易失性存储装置包括多个单元串，所述多个单元串中的每一个单元串包括沿垂直方向布置的多个存储单元，所述方法包括：
将编程目标页划分为多个子页，其中，编程目标页与多个字线中的一个字线连接，所述多个子页中的每一个子页包括彼此物理上间隔开的存储单元；
对所述多个子页顺序地执行编程操作；
对包括所述多个子页的编程目标页同时执行编程验证操作。
2.如权利要求1所述的方法，其中，顺序地执行编程操作的步骤包括：
设置编程电压；
选择所述多个子页中的一个子页；
将编程电压施加到与所选择的一个子页连接的位线。
3.如权利要求2所述的方法，其中，重复选择所述多个子页中的一个子页的步骤和将编程电压施加到与所选择的一个子页连接的位线的步骤，直到所述多个子页中的所有子页被编程为止。
4.如权利要求2所述的方法，还包括：
确定编程验证操作的结果；
当基于编程验证操作的结果确定编程目标页的至少一部分与失败的编程状态相应时，将编程电压重置为重置的编程电压；
基于重置的编程电压，对所述多个子页顺序地重新执行编程操作。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个单元串中的每一个单元串包括：
串选择晶体管，与位线和串选择线连接；
所述多个存储单元，沿垂直方向布置在串选择晶体管与共源极线之间，其中，所述多个存储单元分别与所述多个字线连接；
沟道结构，穿透沿垂直方向堆叠的串选择线和所述多个字线，其中，沟道结构包括电阻膜、包围电阻膜的沟道层、以及包围沟道层的绝缘膜。
6.如权利要求1所述的方法，其中：
编程目标页与第一至第n位线连接，其中，n是大于或等于2的自然数，
所述多个子页包括第一至第m子页，其中，m是大于或等于2的自然数，
包括在第一子页中的存储单元分别与第一至第n位线中的第k×(m+1)位线连接，其中，k是大于或等于0且小于n/m的自然数。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个子页的数量是基于所述非易失性存储装置的峰值限制电流被确定的。
8.一种非易失性存储装置的擦除数据的方法，其中，所述非易失性存储装置包括多个单元串，所述多个单元串中的每一个单元串包括沿垂直方向布置的多个存储单元，所述方法包括：
将擦除目标块划分为多个子块，其中，擦除目标块与多个字线中的至少一个字线连接，所述多个子块中的每一个子块包括彼此物理上间隔开的存储单元；
对所述多个子块顺序地执行擦除操作；
对包括所述多个子块的擦除目标块同时执行擦除验证操作。
9.如权利要求8所述的方法，其中，顺序地执行擦除操作的步骤包括：
设置擦除电压；
选择所述多个子块中的一个子块；
将擦除电压施加到与所选择的一个子块连接的位线。
10.如权利要求9所述的方法，其中，重复选择所述多个子块中的一个子块的步骤和将擦除电压施加到与所选择的一个子块连接的位线的步骤，直到所述多个子块中的所有子块被擦除为止。
11.如权利要求9所述的方法，还包括：
确定擦除验证操作的结果；
当基于擦除验证操作的结果确定擦除目标块的至少一部分与失败的擦除状态相应时，将擦除电压重置为重置的擦除电压；
基于重置的擦除电压，对所述多个子块顺序地重新执行擦除操作。
12.如权利要求8所述的方法，其中，所述多个单元串中的每一个单元串包括：
串选择晶体管，与位线和串选择线连接；
所述多个存储单元，沿垂直方向布置在串选择晶体管与共源极线之间，其中，所述多个存储单元分别与所述多个字线连接；
沟道结构，穿透沿垂直方向堆叠的串选择线和所述多个字线，其中，沟道结构包括电阻膜、包围电阻膜的沟道层、以及包围沟道层的绝缘膜。
13.如权利要求8所述的方法，其中：
擦除目标块与第一至第n位线连接，其中，n是大于或等于2的自然数，
所诉多个子块包括第一至第p子块，其中，p是大于或等于2的自然数，
包括在第一子块中的存储单元分别与第一至第n位线中的第l×(p+1)位线连接，其中，l是大于或等于0且小于n/p的自然数。
14.如权利要求8所述的方法，其中，所述多个子块的数量是基于所述非易失性存储装置的峰值限制电流被确定的。
15.一种非易失性存储装置，包括：
存储单元阵列，包括沿垂直方向形成的多个单元串，
其中，所述多个单元串中的每一个单元串包括：
串选择晶体管，与位线和串选择线连接；
多个存储单元，沿垂直方向布置在串选择晶体管与共源极线之间，其中，所述多个存储单元分别与多个字线连接；
沟道结构，穿透沿垂直方向堆叠的串选择线和所述多个字线，其中，沟道结构包括电阻膜、包围电阻膜的沟道层、以及包围沟道层的绝缘膜。
16.如权利要求15所述的非易失性存储装置，还包括：
控制电路，被配置为通过以下操作来执行数据写入操作：将编程目标页划分为多个子页、对所述多个子页顺序地执行编程操作、并且对包括所述多个子页的编程目标页同时执行编程验证操作，
其中，编程目标页与所述多个字线中的一个字线连接，并且所述多个子页中的每一个子页包括彼此物理上间隔开的存储单元。
17.如权利要求16所述的非易失性存储装置，其中：
控制电路还被配置为通过以下操作来执行数据擦除操作：将擦除目标块划分为多个子块、对所述多个子块顺序地执行擦除操作、并且对包括所述多个子块的擦除目标块同时执行擦除验证操作，
擦除目标块与所述多个字线中的至少一个字线连接，
所述多个子块中的每一个子块包括彼此物理上间隔开的存储单元。
18.如权利要求17所述的非易失性存储装置，其中，所述多个子页的数量等于所述多个子块的数量。
19.如权利要求17所述的非易失性存储装置，其中，所述多个子页的数量与所述多个子块的数量不同。
20.如权利要求17所述的非易失性存储装置，其中，所述多个子页的数量和所述多个子块的数量是基于所述非易失性存储装置的峰值限制电流被确定的。