技术特征：
技术总结
本发明公开了一种用于嵌入式非易失性存储器的电流比较读电路，包括第一MOS和第二MOS的第一连接端和第四连接端连接电源,第一MOS和第二MOS的第二连接端分别连接第三MOS和第四MOS的第二连接端，第三MOS第一连接端连接存储单元，存储单元另一端连接地，第四MOS第一连接端连接恒流源，恒流源另一端连接地，第三MOS和第四MOS的第四连接端连接地，第一MOS和第二MOS的第三连接端作为该电流比较读电路的第一信号连接端,第三MOS和第四MOS的第三连接端作为该电流比较读电路的第二信号连接端。本发明在不增大面积的条件下，能降低eflash IP读出功耗。
技术研发人员：詹泽红
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2019.04.30
技术公布日：2019.08.06