技术特征：
1.一种数据存储方法，其特征在于，包括：根据待存储数据的值，确定预充电电压大小；根据所述预充电电压大小，对存储单元进行预充电，控制所述存储单元中的rram变化到对应的阻态；所述阻态包括高阻态和低阻态；下拉第一位线或第二位线，使得所述存储单元中的第一存储节点和第二存储节点分别写入第一值和第二值。2.如权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，当所述存储单元中的第一存储节点和所述第二存储节点分别写入第一值和第二值后，所述存储单元的存储状态包括：低阻态rram下的第一值、低阻态rram下的第二值、高阻态rram下的第一值、高阻态rram下的第二值。3.如权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，所述存储单元所存储的数据包括以下任一种：00、01、10、11。4.如权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，所述根据所述预充电电压大小，对存储单元进行预充电，控制所述存储单元中的rram变化到对应的阻态，包括：当所述预充电电压为预设高电压，且流经所述rram后，所述rram的阻态为低阻态；当所述预充电电压为预设低电压，且流经所述rram后，所述rram的阻态为高阻态。5.如权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，当所述存储单元存储的数据为第一存储值时，第一位线电流的数值为预设高电流数值，第二位线电流的数值为零；当所述存储单元存储的数据为第二存储值时，第一位线电流的数值为零，第二位线电流的数值为预设高电流数值；当所述存储单元存储的数据为第三存储值时，第一位线电流的数值为预设低电流数值，第二位线电流的数值为零；当所述存储单元存储的数据为第四存储值时，第一位线电流的数值为零，第二位线电流的数值为预设低电流数值。6.如权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，当读取所述存储单元所存储的数据时，所述rram的阻态在读取过程中不变化。7.一种数据存储装置，其特征在于，包括：确定单元，用于根据待存储数据的值，确定预充电电压大小；充电单元，用于根据所述预充电电压大小，对存储单元进行预充电，控制所述存储单元中的rram变化到对应的阻态；所述阻态包括高阻态和低阻态；写入单元，用于下拉第一位线或第二位线，使得所述存储单元中的第一存储节点和第二存储节点分别写入第一值和第二值。8.如权利要求7所述的数据存储装置，其特征在于，所述存储单元的存储状态包括：低阻态rram下的第一值、低阻态rram下的第二值、高阻态rram下的第一值、高阻态rram下的第二值。9.如权利要求7所述的数据存储装置，其特征在于，所述存储单元所存储的数据包括以下任一种：00、01、10、11。10.如权利要求7所述的数据存储装置，其特征在于，所述充电单元，用于：当所述预充
电电压为预设高电压，且流经所述rram后，所述rram的阻态为低阻态；当所述预充电电压为预设低电压，且流经所述rram后，所述rram的阻态为高阻态。11.如权利要求7所述的数据存储装置，其特征在于，所述写入单元，用于下拉第一位线或第二位线，使得所述存储单元中的第一存储节点和第二存储节点分别写入第一值和第二值，当所述存储单元存储的数据为第一存储值时，第一位线电流的数值为预设高电流数值，第二位线电流的数值为零；当所述存储单元存储的数据为第二存储值时，第一位线电流的数值为零，第二位线电流的数值为预设高电流数值；当所述存储单元存储的数据为第三存储值时，第一位线电流的数值为预设低电流数值，第二位线电流的数值为零；当所述存储单元存储的数据为第四存储值时，第一位线电流的数值为零，第二位线电流的数值为预设低电流数值。12.如权利要求7所述的数据存储装置，其特征在于，还包括：读取单元，用于读取所述存储单元所存储的数据，当读取所述存储单元所存储的数据时，所述rram的阻态在读取过程中不变化。13.一种数据存储电路，其特征在于，包括：sram存储单元以及与所述sram存储单元一一对应的rram单元，其中：所述sram存储单元，与所述rram单元连接，适于存储数据；所述rram单元，与所述sram存储单元连接，适于根据预充电电压的大小变化到对应的阻态；所述阻态包括高阻态和低阻态。14.如权利要求13所述的数据存储电路，其特征在于，所述rram单元包括：第一rram，其中：所述第一rram，第一端接所述sram存储单元，第二端接地。15.如权利要求13所述的数据存储电路，其特征在于，所述sram存储单元为6t sram。16.一种可读存储介质，可读存储介质为非易失性存储介质或非瞬态存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令运行时执行权利要求1至6中任一项所述的数据存储方法的步骤。17.一种数据存储装置，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机指令，其特征在于，所述处理器运行所述计算机指令时执行权利要求1至6任一项所述的数据存储方法的步骤。