技术总结
一种数据存储方法及电路、装置、可读存储介质，所述数据存储方法包括：根据待存储数据的值，确定预充电电压大小；根据所述预充电电压大小，对存储单元进行预充电，控制所述存储单元中的RRAM变化到对应的阻态；所述阻态包括高阻态和低阻态；下拉第一位线或第二位线，使得所述存储单元中的第一存储节点和第二存储节点分别写入第一值和第二值。采用上述方案，可以使存储单元存储更多数据。可以使存储单元存储更多数据。可以使存储单元存储更多数据。
技术研发人员：王颖倩
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2019.10.23
技术公布日：2021/4/23