1.一种半导体存储装置，具备：
存储器芯片，包含第1及第2存储单元、与所述第1及第2存储单元分别电连接的第1及第2位线、以及与所述第1及第2位线分别电连接的第1及第2接合金属；以及
电路芯片，与所述存储器芯片接合，且包含衬底、设置在所述衬底的第1及第2感测放大器、以及与所述第1及第2感测放大器分别电连接且与所述第1及第2接合金属分别对向的第3及第4接合金属；
所述第1及第2接合金属分别与所述第3及第4接合金属电连接，
所述第1感测放大器包含第1工作区域、及与所述第1工作区域不同的第2工作区域，在所述第1工作区域，设置电连接于所述第3接合金属与所述第2工作区域之间的第1晶体管，
所述第2感测放大器包含在第1方向上与所述第1工作区域相邻的第3工作区域、及在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第2工作区域相邻且与所述第3工作区域不同的第4工作区域，在所述第3工作区域，设置电连接于所述第4接合金属与所述第4工作区域之间的第2晶体管，
在俯视时，所述第3及第4接合金属分别与所述第1及第3工作区域重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
在俯视时，所述第3接合金属与所述第4接合金属分别与所述第2工作区域及所述第4工作区域的两者不重叠。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述第1工作区域与所述第3工作区域连续地设置，
在所述第1工作区域及所述第3工作区域，还设置串联连接于所述第1晶体管与所述第2晶体管之间的第3晶体管及第4晶体管，所述第1晶体管与所述第3晶体管之间的节点与所述第3接合金属电连接，所述第2晶体管与所述第4晶体管之间的节点与所述第4接合金属电连接。
4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，还具备：
字线，所连接于述第1及第2存储单元的各栅极；以及
控制器，执行删除动作；
在所述删除动作中，所述控制器对所述字线施加第1电压，对所述第3晶体管与所述第4晶体管之间的节点施加高于所述第1电压的删除电压，对所述第3晶体管与所述第4晶体管的各栅极施加高于所述删除电压的第2电压。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述第1工作区域与所述第3工作区域之间绝缘。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述存储器芯片包含相互分离地积层的多个第1导电体层、分别贯通所述多个导电体层的第1及第2柱、以及与所述第1及第2柱分别连接的第2及第3导电体层，
所述第1柱与所述第1导电体层的交叉部分作为存储单元发挥功能，所述第2及第3导电体层分别用作所述第1及第2位线。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中
所述第1接合金属、所述第2接合金属、所述第3接合金属、以及所述第4接合金属分别包含铜。