可调性媒体管理1.交叉引用2.本专利申请案主张2020年6月16日由里维拉(rivera)等人申请的标题为“可调性媒体管理(adjustablemediamanagement)”的第16/902,845号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案转让给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。
技术领域：
：3.
技术领域：
：涉及可调性媒体管理。
背景技术：
：：4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一个，常常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器，例如feram，可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在也是这样。例如dram的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储的状态。技术实现要素：6.描述了一种设备。在一些实例中，所述设备可包含第一存储器单元块；第二存储器单元块；和控制器，其与所述第一存储器单元块和所述第二存储器单元块耦合，其中所述控制器可操作以致使所述设备：根据第一速率对所述第一存储器单元块和所述第二存储器单元块执行媒体管理操作；至少部分地基于对所述第一存储器单元块执行的一或多个编程操作，将所述第一速率调整到第二速率；和至少部分地基于将所述第一速率调整到所述第二速率，以所述第二速率对所述第一存储器单元块和所述第二存储器单元块执行所述媒体管理操作。7.描述了一种设备。在一些实例中，所述设备可包含存储器组件，其包括第一存储器单元块和第二存储器单元块；媒体管理组件，其与所述存储器组件耦合且被配置成以可变速率对所述第一存储器单元块和所述第二存储器单元块执行媒体管理操作；和存储器健康组件，其与所述媒体管理组件耦合且被配置成至少部分地基于对所述第一存储器单元块执行的一或多个编程操作，将所述媒体管理操作的所述可变速率从第一速率调整到第二速率。8.描述了一种设备。在一些实例中，所述设备可包含第一存储器单元块；第二存储器单元块；和控制器，其与所述第一存储器单元块和所述第二存储器单元块耦合，其中所述控制器可操作以：起始对所述第一存储器单元块中的存储器单元执行多个存取操作；至少部分地基于起始执行所述多个存取操作，确定对所述第一存储器单元块执行的存取操作的数量；至少部分地基于所述存取操作数量满足阈值，将对存储于所述第一存储器单元块中的所述存储器单元处的数据执行的媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率；作为所述媒体管理操作的部分，起始至少部分地基于调整所述速率而以所述第二速率读取存储于所述第一存储器单元块中的所述存储器单元处的所述数据；和作为所述媒体管理操作的部分，起始以所述第二速率将从所述第一存储器单元块读取的所述数据写入到所述第二存储器单元块。附图说明9.图1说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的计算系统的实例。10.图2说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的存储器系统的实例。11.图3a和3b说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的实例时序图。12.图4说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的实例过程流程图。13.图5示出根据本公开的方面的支持可调性媒体管理的存储器装置的框图。14.图6到9示出说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的一或多种方法的流程图。具体实施方式15.存储器装置可执行用于媒体管理算法的操作，例如耗损均衡操作、刷新操作、垃圾收集操作或擦除操作等等。存储器装置可包含可划分成一或多个块的存储器单元阵列。存储器单元块可具有含有有效数据的一些页和含有无效数据的一些页。为避免等待擦除块中具有无效数据的所有页并重复使用所述块，可调用算法(在下文可被称为“媒体管理”或“垃圾收集”)以允许擦除所述块并且释放空间以作为自由块用于后续写入操作。垃圾收集可为媒体管理操作集，其包含例如：选择含有有效和无效数据的块；选择所述块中含有有效数据的页；将所述有效数据复制到新位置(例如，另一块中的自由页)；将先前选择的页中的数据标记为无效；和擦除所选块。16.在其它不同垃圾收集操作期间，选择块并且使其经历静态(例如，预定、预配置的)速率下的垃圾收集。因为在媒体管理操作期间存取存储器单元，并且因为存储器单元具有基于存取操作数量的有限生命周期，所以静态速率可被设计成平衡存储器装置的性能和生命周期。然而，如果执行媒体管理操作的速率经选择为相对高的，那么存储器装置可经历高性能但相对短的生命周期。相反地，如果执行媒体管理操作的速率经选择为相对低的，那么存储器装置可经历低性能但相对长的生命周期。因此，具有执行媒体管理操作的动态(例如，可变)速率的存储器装置可改进存储器装置性能和生命周期。17.在本文中描述用于以动态速率执行媒体管理操作的存储器装置。这类存储器装置可包含一或多个组件，其被配置成跟踪存储器装置的总体“健康状况”(例如，各种操作参数，例如程序或擦除循环数量、存储器装置实施的存储器单元的类型等)。基于存储器装置的健康状况，可调整执行媒体管理操作的速率。举例来说，存储器装置可被配置成监测所执行的存取操作(例如，读取操作、写入操作、媒体管理操作)的数量。基于所述数量满足阈值，可调整媒体管理操作的速率。另外或替代地，存储器装置可根据作为对存储器装置执行的存取操作的数量的函数(例如线性函数、指数函数、阶跃函数、分段函数，或其它基于存取操作数量的函数)的动态速率执行媒体管理操作。随时间动态地调整速率可允许存储器装置在存储器装置的初始阶段期间相对积极地(例如，快速)执行媒体管理操作以使性能最大化。随着存储器装置老化，速率可按比例缩放以延长其生命周期。18.首先在如参考图1和2所描述的存储器系统和裸片的上下文中描述本公开的特征。在如参考图3a、3b和4所描述的时序图和过程流程图的上下文中描述本公开的特征。参考如参考图5‑9所描述的涉及可调性媒体管理的设备图和流程图进一步说明且描述本公开的这些和其它特征。19.图1是根据本公开的一些实例的包含存储器系统110的计算环境100的实例。存储器系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)，或这类的组合。20.存储器系统110可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储装置(ufs)驱动器以及硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so‑dimm)和非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。21.计算环境100可包含耦合到一或多个存储器系统或子系统110的主机系统105。在一些实例中，主机系统105耦合到不同类型的存储器系统110。图1说明耦合到一个存储器系统110的主机系统105的一个实例。主机系统105使用存储器系统110例如将数据写入到存储器系统110以及从存储器系统110读取数据。如本文中所使用，“耦合到”或“与……耦合”通常是指组件或装置之间的连接，所述连接可以是间接通信连接或直接通信连接(例如不具有中介组件或装置)，无论有线或无线，包含例如电连接、光学连接、磁连接等连接。22.主机系统105可以是计算装置，例如台式计算机、手提式计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、具有物联网(iot)功能的装置、嵌入式计算机(例如，交通工具、工业设备或联网商业装置中包含的嵌入式计算机)，或包含存储器和处理装置的这类计算装置。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤通道、串行连接的scsi(sas)等。物理主机接口可用于在主机系统105与存储器系统110之间发射数据。当存储器系统110通过pcie接口与主机系统105耦合时，主机系统105可进一步利用nvm高速(nvme)接口来存取存储器组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供用于在存储器系统110与主机系统105之间传送控制、地址、数据和其它信号的接口。23.存储器装置可以包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可以是但不限于随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。24.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含“与非”(nand)型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的改变来进行位存储。另外，与许多基于闪存的存储器相反，交叉点非易失性存储器可进行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。25.虽然描述了例如3d交叉点类型和nand类型的非易失性存储器组件，但存储器装置130可以基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(feram)、磁性随机存取存储器(mram)、“或非”(nor)快闪存储器，以及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。26.一种类型的存储器单元，例如单层级单元(slc)可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级单元(mlc)、三层级单元(tlc)和四层级单元(qlc)可每单元存储多个位。在一些实例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，如slc、mlc、tlc、qlc或这些的任何组合。在一些实例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分、mlc部分、tlc部分、qlc部分或plc部分。存储器装置130的存储器单元可分组为页或码字，所述页或码字可指代用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，nand)，页可分组以形成块。一些类型的存储器(例如3d交叉点)可将跨裸片和通道的页分组以形成管理单元(mu)。27.存储器子系统控制器115(为简单起见，控制器115)可与存储器装置130通信以执行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据，以及其它这类操作。存储器子系统控制器115可包含例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或此类的组合的硬件。硬件可包含具有执行本文中所描述的操作的专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统。存储器子系统控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)，或其它合适的处理器。28.存储器子系统控制器115可以包含处理器120(例如，处理装置)，其被配置成执行存储在本地存储器125中的指令。在所说明实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器125包含嵌入式存储器，其被配置成存储用于执行各种过程、操作、逻辑流以及控制存储器系统110的操作的例程的指令，包含控制存储器系统110与主机系统105之间的通信。29.在一些实例中，本地存储器125可以包含存储器寄存器，其存储存储器指针、提取的数据等。本地存储器125还可以包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实例中，存储器系统110无法包含存储器子系统控制器115，而是替代地可以依赖于外部控制(例如，通过外部主机提供，或通过与存储器子系统分开的处理器或控制器提供)。30.一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统105接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换为指令或适当命令以实现对存储器装置130的所需存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作，以及与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、名字空间)与物理地址(例如，物理mu地址、物理块地址)之间的地址转译。存储器子系统控制器115可另外包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统105通信。主机接口电路系统可以将从主机系统接收到的命令转换成存取存储器装置130的命令指令，以及将与存储器装置130相关联的响应转换成用于主机系统105的信息。31.存储器系统110还可包含未说明的额外电路系统或组件。在一些实例中，存储器系统110可以包含高速缓存器或缓冲器(例如，dram)以及地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，所述地址电路系统可以从存储器子系统控制器115接收地址并对所述地址进行解码以存取存储器装置130。32.在一些实例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实例中，存储器装置130可以是本地管理的存储器装置，其为与本地媒体控制器135组合的原始存储器装置，所述本地媒体控制器135对同一存储器装置封装内的存储器装置130执行存储器管理操作。33.存储器系统110包含媒体管理组件150，其可对存储器装置140执行媒体管理操作并且/或调整对存储器装置140执行媒体管理操作的速率。在一些实例中，可基于如由媒体管理组件150确定的一或多个准则(例如，性能准则)来调整媒体管理操作的速率。举例来说，媒体管理组件150可确定在存储器装置140的早期阶段期间更积极地(例如，更快速)执行垃圾收集操作并且可在存储器装置140的后期阶段期间较不积极地(例如，较慢地)执行垃圾收集操作。以此方式调整垃圾收集操作的速率可在存储器装置140的早期阶段期间实现相对高性能，同时延长其生命周期。34.在一些实例中，存储器子系统控制器115包含媒体管理组件150的至少一部分。举例来说，存储器子系统控制器115可包含处理器120(例如，处理装置)，其被配置成执行存储于本地存储器125中的指令以用于执行本文所描述的操作。在一些实例中，媒体管理组件150是主机系统105、应用程序或操作系统的部分。下文描述关于媒体管理组件150的操作的另外细节。35.图2说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的存储器系统200的实例。存储器系统200可包含与存储器装置210(例如，通信)耦合的主机装置205。存储器装置210可包含存储器阵列215(例如，第一存储器阵列、第一存储器单元块)和存储器阵列220(例如，第二存储器阵列、第二存储器单元块)。存储器阵列215和存储器阵列220可与媒体管理组件225耦合，所述媒体管理组件225被配置成对存储器阵列执行媒体管理操作(例如，垃圾收集操作)。在一些实例中，媒体管理组件225可为参考图1所描述的媒体管理组件150的实例并且可包含计数器230和存储器健康组件235。存储器健康组件235可包含一或多个子组件，例如计数器240、高速缓存器大小组件245、错误确定组件250和读取重试组件255。媒体管理组件225可被配置成调整执行媒体管理操作的速率，这可提高移除脏(例如，过期)数据的速率，同时延长存储器装置210的生命周期。36.主机装置205可以是使用存储器来执行过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，所述装置如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、手提式计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接装置、整车控制器或某一其它固定或便携式电子装置以及其它实例。37.存储器装置210可以是独立装置或可操作以提供可供系统200使用或参考的物理存储器地址/空间的组件。在一些实例中，存储器装置210可配置以与一或多个不同类型的主机装置205一起工作。主机装置205与存储器装置210之间的信令可为可操作的以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案、用于传送信号的各种引脚配置、用于主机装置205和存储器装置210的物理封装的各种形状因数、主机装置205与存储器装置210之间的时钟信令和同步、定时惯例，或其它因素。38.存储器装置210可用来存储用于主机装置205的组件的数据。在一些实例中，存储器装置210可充当主机装置205的从属类型装置(例如，对主机装置205提供的命令作出响应并且执行所述命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。在一些实例中，主机装置205可被配置成起始媒体管理操作，例如垃圾收集操作。39.存储器装置210可包含一或多个存储器阵列，例如存储器阵列215和存储器阵列220。在一些实例中，存储器阵列215可包含一或多个存储器单元，例如一或多个nand存储器单元。存储器阵列215的存储器单元可为单层级单元(slc)或多层级单元(mlc，例如三层级单元(tlc)、四层级单元(qlc)等)。40.在一些实例中，存储器阵列215可包含用于存储与从主机装置205接收的存取命令相关联的数据的一或多个slc。举例来说，主机装置205可将写入命令发射到存储器装置210，且相关联的数据可写入到存储器阵列215的一或多个存储器单元。另外或替代地，主机装置205可将读取命令发射到存储器装置210，且可从存储器阵列215的一或多个存储器单元读取相关联的数据。与mlc相比，数据可以相对快速的速度(例如，快速写入速度)从slc读取或写入到slc。因此，在存储器阵列215中包含一或多个slc可提高存储器装置210的总体性能。41.另外或替代地，存储器阵列220可包含用于在媒体管理操作期间存储从存储器阵列215移动的数据的一或多个mlc。举例来说，在垃圾收集操作期间，可从存储器阵列215的一或多个slc读取无效数据，将无效数据写入到存储器阵列220的一或多个mlc，以及从相应slc擦除无效数据。因为mlc与slc相比可提供更高效存储，所以在存储器阵列220中包含一或多个mlc可提高存储器装置210的存储容量。42.在一些情况下，存储到存储器阵列215的数据可变得无效。举例来说，数据页可在初始写入操作期间写入到存储器阵列215。在稍后时间，与同一页相关联的数据可写入到存储器阵列215，这可使初始数据(例如，与初始写入操作相关联的数据)无效。在此类实例中，可为有利的是执行媒体管理操作，例如垃圾收集操作，以从存储器阵列215移除无效数据，从而使得相关联存储器单元可用于后续写入操作。有效数据可移动到存储器阵列220，这可增加存储器阵列215的存储器单元的可用数量。如本文中所论述，存储器装置210可被配置成以可变速率执行媒体管理操作，这可使存储器阵列215的存储器单元变得可用的速率达到最大，同时延长存储器装置210的生命周期。43.存储器阵列220可包含一或多个存储器单元，例如一或多个nand存储器单元。存储器阵列220的存储器单元可为mlc，例如tlc或qlc。在垃圾收集操作期间，无效数据可从存储器阵列215复制到存储器阵列220。因为无效数据可无限期地存储到存储器阵列220(例如，在存储器装置210的生命周期内)，所以存储器阵列220的存储器单元可具有更高存储容量(相对于存储器阵列215的存储器单元)来存储相对大数量的无效数据。44.媒体管理组件225可被配置成对存储器阵列215执行媒体管理操作和/或调整执行媒体管理操作的速率。可基于一或多个命令(例如，从主机装置205接收的命令)起始和/或调整媒体管理操作。在一些实例中，可基于如由媒体管理组件225确定的一或多个准则(例如，性能准则)来调整媒体管理操作的速率。举例来说媒体管理组件225可确定在存储器装置210的早期阶段期间更积极地(例如，更快速)执行垃圾收集操作并且可在存储器装置210的后期阶段期间较不积极地(例如，较慢地)执行垃圾收集操作。以此方式调整垃圾收集操作的速率可在存储器装置210的早期阶段期间实现相对高性能，同时延长其生命周期。45.媒体管理组件225可包含被配置成确定(例如，跟踪)存储器装置210空闲的持续时间的计数器230。在一些实例中，存储器装置210可基于不存在从主机装置205接收的命令(例如，存取命令)而处于空闲状态。举例来说，存储器装置210可当在阈值持续时间内未接收到一或多个命令时处于空闲状态。因此，计数器230可当从主机装置205接收到命令时起始并且可跟踪(例如，计数)时间直到接收到下一命令。当存储器装置210在阈值持续时间内未从主机装置205接收到命令时，可能不需要积极地(例如，快速)执行垃圾收集。因此，基于存储器装置210空闲的持续时间，可调整执行媒体管理操作的速率。46.媒体管理组件225可包含存储器健康组件235，其被配置成识别存储器装置210的可允许调整媒体管理操作的速率的某些条件。举例来说，存储器健康组件235可包含用于跟踪对存储器阵列215执行的存取操作的数量的计数器240、用于确定(存储器阵列215或存储器阵列220的)可用存储器单元的数量的高速缓存器大小组件245、用于确定与存储器阵列215或存储器阵列220的数据相关联的错误数量的错误确定组件250，以及用于确定与读取操作相关联的错误并且执行后续读取(例如，重读)的读取重试组件255。基于存储器健康组件235的子组件识别的存储器装置210的条件，可调整对存储器装置210执行的媒体管理操作的速率。47.如本文中所论述，存储器健康组件235可包含被配置成跟踪对存储器装置210执行的操作数量的计数器240。举例来说，每当对存储器阵列215、存储器阵列220或这两者执行程序或擦除操作时，计数器240可递增。如本文中所论述，例如编程操作、擦除操作、读取操作、写入操作和/或媒体管理操作的操作可统称为存取操作。可基于计数器240的值满足阈值数量，调整执行媒体管理操作的速率。举例来说，可能需要基于存储器装置210经历相对大数量的存取操作和/或媒体管理操作而调整(例如，降低)速率。48.在一些实例中，计数器240可周期性地复位，使得在持续时间内跟踪对存储器装置210执行的操作数量。举例来说，可为有利的是基于存储器装置210在特定持续时间内经历相对大数量的存取操作而调整速率。计数器240的阈值和/或计数器240复位的持续时间可为基于存储器装置210的各种设计考虑因素而为可配置的。49.存储器健康组件235可包含高速缓存器大小组件245，其被配置成确定存储器阵列215和/或存储器阵列220的可用存储器单元的数量。举例来说，高速缓存器大小组件245可周期性地评估存储器阵列215和/或存储器阵列220)多少个存储器单元(存储器单元页、存储器单元块等)可用。当评估存储器阵列215时，高速缓存器大小组件245可(例如，向存储器健康组件235和/或媒体管理组件225)指示可用存储器单元的数量何时满足阈值或不可用存储器单元的数量何时低于阈值。50.在一些实例中，当可用存储器单元的数量满足阈值时，存储器阵列215可含有符合要求数量的可用存储器单元，且可调整(例如，降低)执行媒体管理操作的速率。另外或替代地，当不可用存储器单元的数量低于阈值时，存储器阵列215可含有不符合要求的数量的可用存储器单元，且可调整(例如，提高)执行媒体管理操作的速率。51.在其它实例中，当评估存储器阵列220时，高速缓存器大小组件245可(例如，向存储器健康组件235和/或媒体管理组件225)指示可用存储器单元的数量何时满足阈值或不可用存储器单元的数量何时低于阈值。举例来说，当可用存储器单元的数量满足阈值时，存储器阵列220可含有符合要求的数量的可用存储器单元，且可调整(或可保持)执行媒体管理操作的速率。另外或替代地，当不可用存储器单元的数量低于阈值时，存储器阵列220可含有不符合要求的数量的可用存储器单元，且可调整(例如，降低)执行媒体管理操作的速率。52.当评估存储器阵列215和/或存储器阵列220的可用存储器单元的数量时，高速缓存器大小组件可在确定是否调整媒体管理操作的速率时考虑每一存储器阵列的可用存储器单元的数量。53.存储器健康组件235可包含错误确定组件250，其被配置成确定与存储器阵列215和/或存储器阵列220的数据相关联的错误数量。举例来说，当从存储器阵列215读取数据时，错误确定组件250可确定数据是否包含任何错误。错误确定组件250可跟踪错误数量，并且在发生阈值数量的错误后，即刻可起始对媒体管理操作的速率的调整。54.在另一实例中，当数据(例如，无效数据)写入到存储器阵列220时，错误确定组件250可确定数据是否包含任何错误。错误确定组件250可跟踪错误数量，并且在发生阈值数量的错误后，即刻可起始对媒体管理操作的速率的调整。举例来说，当检测到与存储器阵列215或存储器阵列220相关联的相对大的错误数量时，可降低速率。55.存储器健康组件235可包含读取重试组件255，其被配置成执行读取重试操作。读取重试操作可指其中从存储器阵列215读取数据的操作。在读取数据后，即刻可检测到(例如，通过读取重试组件255和/或错误确定组件250)错误并且可再次读取(例如，从存储器阵列215重新读取)数据。在一些实例中，重新读取数据可解决在初始读取操作期间发生的任何错误。可跟踪读取重试操作的发生，并且在一些实例中，可使得调整媒体管理操作的速率。举例来说，当执行了阈值数量的读取重试操作时，可调整(例如，降低)执行媒体管理操作的速率。56.本文所描述的存储器健康组件235的子组件可由如所描述的单个组件(例如，存储器控制器)或个别组件执行。可串行或并行地执行组件中的每一个的操作，且任一个操作均可引起媒体管理操作的速率调整。举例来说，可基于第一组件的操作调整速率(例如，从第一速率调整第一速率第二速率)，并且可基于第二组件(例如，不同组件)的操作进一步调整所述速率(例如，从第二速率调整到第三速率)。57.图3a说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的时序图300‑a的实例。时序图300‑a可说明动态地调整执行媒体管理操作的速率305‑a。举例来说，时序图300‑a可说明如参考图2所描述存储器健康组件235(或存储器健康组件235的一或多个子组件)调整媒体管理操作的速率产生的结果。时序图300‑a可说明基于对相关联存储器装置执行的存取操作数量递增地(例如，作为阶跃函数)调整速率305‑a。时序图300‑a也可说明基于对相关联存储器装置执行的存取操作数量在一或多个执行个体处连续地(例如，作为分段函数)调整速率305‑b。58.时序图300‑a可说明相对于执行媒体管理操作的静态速率310‑a递增地调整速率305‑a。通过递增地(例如，动态地)调整速率305‑a，可改进存储器装置的总体性能，同时延长其生命周期。虽然时序图300‑a说明基于存取操作数量递增地调整速率305‑a，但可以任何方式基于如本文中所描述的相关联存储器装置的多种特性调整速率305‑a。59.在t1期间，存储器装置(例如，参考图2所描述的存储器装置210)可以第一速率执行媒体管理操作。第一速率可持续一持续时间，并且可为预配置的(例如，设置为初始速率设置)或可基于如参考图2所描述的存储器装置的一或多个条件。第一速率可相对高，并且可表示存储器装置已经历相对少的存取操作，例如编程操作、擦除操作或编程/擦除循环，或其任何组合。通过当存储器装置已经历相对少的存取操作时以相对高的速率执行媒体管理操作，可改进存储器装置的总体性能。60.在t1期间的时间，可将媒体管理操作的速率305‑a从第一速率调整到第二速率(例如，中间速率)。举例来说，存储器装置可经历阈值数量(例如，250、500，或存储器装置支持的存取操作的总数目的阈值百分比(例如，总数目的10％))的存取操作315(例如，编程操作、擦除操作、编程/擦除循环)且可相应地向下调整速率。在一些实例中，可基于参考图2所描述的其它条件调整速率305‑a。在一些实例中，可降低速率305‑a以使存取任一个存储器单元的次数为最小。因为在媒体管理操作期间存取存储器单元，并且因为存储器单元具有基于存取操作数量的有限生命周期，所以降低执行媒体管理操作的速率305‑a可延长相关联存储器装置的生命周期。61.在t2期间，存储器装置(例如，参考图2所描述的存储器装置210)可继续在一持续时间以第一速率执行媒体管理操作。如本文中所论述，第二速率可低于(例如，慢于)第一速率，并且可延长存储器装置的生命周期。在t2期间的时间，可将媒体管理操作的速率305‑a从第二速率调整到第三速率(例如，低于第一速率和第二速率的速率)。举例来说，存储器装置可经历阈值数量(例如，750、1000、1250，或存储器装置支持的存取操作的总数目的阈值百分比(例如，总数目的25％))的存取操作320(例如，编程操作、擦除操作、编程/擦除循环)并且可相应地向下调整速率。62.可基于满足了阈值数量的存取操作，或基于参考图2所描述的其它条件，调整速率305‑a。在一些实例中，可降低速率305‑a以使归因于媒体管理操作存取任一个存储器单元的次数为最小。如本文中所论述，基于对存储器装置执行的存取操作数量降低速率305‑a可延长相关联存储器装置的生命周期。63.在t3期间(并且在未示出的后续时间时间间隔期间)，存储器装置可继续以第三速率执行媒体管理操作和/或可基于执行的存取操作数量进一步降低速率305‑a。举例来说，存储器装置可经历阈值数量(例如，2000、2500、3000，或存储器装置支持的存取操作总数目的阈值百分比(例如，总数目的50％))的存取操作325(例如，编程操作、擦除操作)并且可相应地向下调整速率。图3a中所说明的存取操作的数量可表示对存储器单元、存储器块或存储器阵列执行的存取操作数量。另外或替代地，存储器阵列可以任一个速率执行媒体管理操作的持续时间可为可变的，且t1、t2和/或t3中的任一个与所说明的持续时间相比可持续更长或更短持续时间。64.图3b说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的时序图300‑b的实例。时序图300‑b可说明调整执行媒体管理操作的可调速率305‑b。举例来说，时序图300‑b可说明从存储器健康组件235(或存储器健康组件235的一或多个子组件)调整参考图2所描述的媒体管理操作的速率产生的结果。时序图300‑b可说明基于对相关联存储器装置执行的存取操作数量连续地(例如，作为分段函数)调整速率305‑b。虽然时序图300‑b说明基于存取操作数量连续地调整速率305‑b，但可以任何方式基于如本文中所描述的相关联存储器装置的多种特性调整速率305‑b。65.时序图300‑b可说明相对于执行媒体管理操作的静态速率310‑b连续地调整速率305‑b。通过连续地(例如，动态地)调整速率，可改进存储器装置的总体性能，同时延长其生命周期。虽然时序图300‑b说明基于存取操作数量连续地调整速率305‑b，但可以任何方式基于如本文中所描述的相关联存储器装置的多种特性调整速率305‑b。66.在t1期间，存储器装置(例如，参考图2所描述的存储器装置210)可开始以第一速率(例如，以第一递减速率)执行媒体管理操作。第一速率可为预配置的(例如，设置为初始速率设置)或可基于如参考图2所描述的存储器装置的一或多个条件。第一速率可相对高，并且可表示存储器装置已经历相对少的存取操作。通过当存储器装置已经历相对少的存取操作时以相对高的速率执行媒体管理操作，可改进存储器装置的总体性能。67.在t1期间，可基于对相关联存储器装置执行的存取操作的数量持续降低媒体管理操作的速率305‑b。在一些实例中，存储器装置可被配置成持续跟踪执行的存取操作的数量并且持续调整媒体管理操作的速率305‑b。举例来说，可在每一存取操作之后，或在执行阈值数量的存取操作之后调整速率305‑b。调整速率310‑b可延长相关联存储器装置的生命周期。68.在t2期间，存储器装置(例如，参考图2所描述的存储器装置210)可继续向下调整(例如，降低)媒体管理操作的速率。在t2期间媒体管理操作的速率(例如，第二递减速率)可低于(例如，慢于)在t1期间的速率(例如，第一速率)，并且可延长存储器装置的生命周期。在一些实例中，在t2期间，媒体管理操作递减的速率可不同于在t1期间的速率。举例来说，在t2期间，执行媒体管理操作的速率相对于在t1期间的速率可更快或更慢地增加。可基于满足了阈值数量的存取操作，或基于参考图2所描述的其它条件连续调整速率。在一些实例中，可降低速率以使归因于媒体管理操作存取任一个存储器单元的次数为最小。如本文中所论述，基于对存储器装置执行的存取操作数量降低速率可延长相关联存储器装置的生命周期。69.在t3期间(并且在未示出的后续时间时间间隔期间)，存储器装置可继续基于执行的存取操作数量调整媒体管理操作的速率。图3b中所说明的存取操作数量可表示对存储器单元、存储器块或存储器阵列执行的存取操作数量。另外或替代地，在任一时间期间的速率和/或存储器装置调整速率的方式可变化。举例来说，图3b中示出的速率310‑b仅出于说明性目的，并且替代地，可为曲线(例如，指数式衰减、抛物线式衰减)的或在此后的再次递减之前，可为静态的直到达到阈值。70.图4说明根据本文所公开的实例的支持可调性媒体管理的实例过程流程图400。过程流程图400说明如参考图2、3a和3b所描述将媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率的实例。可对包含控制器415、第一块420(例如，第一存储器单元块)和第二块425(例如，第二存储器单元块)的存储器装置410执行媒体管理操作。存储器装置410可与主机装置405耦合。在一些实例中，控制器415可执行如参考图2所描述与媒体管理组件225相关联的一或多个操作。71.在430处，存储器装置410可任选地从主机装置405接收一或多个存取命令。存取命令可用于从第一块420读取数据或将数据写入到第一块420。举例来说，存取命令可用于将数据写入到第一块420的一或多个slc。72.在435处，可任选地对第一块420执行与存取命令相关联的一或多个存取操作。如本文所描述，存取命令可用于从第一块420读取数据或将数据写入到第一块420。举例来说，数据可写入到第一块420的一或多个slc。73.在440处，可以第一速率执行媒体管理操作。如本文所描述，媒体管理操作(例如，垃圾收集操作)可引起从第一块420读取过期或无效数据并且将所述数据写入到第二块425。随后可从第一块420擦除所述数据，因此释放相关联存储器单元以供后续写入操作使用。执行媒体管理操作的速率可指选择存储器单元(或存储器单元群组)用于媒体管理操作的速率。举例来说，数据可从第一块420的至少一个slc读取数据，将数据写入到第二块425的mlc，以及从第一块420的slc擦除数据。可选择后续存储器单元用于第一速率下的媒体管理操作。74.在445处，可任选地确定第一块420和/或第二块425的数据中的错误。在一些实例中，当从主机装置405接收到存取命令(例如，在430处)时，可从第一块420的一或多个存储器单元读取数据。此数据可含有错误，可在445处识别所述错误。在一些实例中，当识别了错误(或多个错误)时，控制器415可调整执行媒体管理操作的速率。另外或替代地，当数据写入到第二块425时，可将错误引入到所述数据中。当识别了这类错误时，控制器415可调整执行媒体管理操作的速率。75.在450处，存储器装置410可任选地从主机装置405接收一或多个额外存取命令。存取命令可用于从第一块420读取数据或将数据写入到第一块420。举例来说，存取命令可用于将数据写入到第一块420的一或多个slc。76.在455处，可任选地对第一块420执行与存取命令相关联的一或多个存取操作。如本文所描述，存取命令可用于从第一块420读取数据或将数据写入到第一块420。举例来说，数据可写入到第一块420的一或多个slc。77.在460处，控制器415可任选地确定对存储器装置410执行的存取命令数量。如本文中所论述，存取命令可指对第一块420执行的读取命令或写入命令，或可指对第一块420和第二块425执行的媒体管理操作。此外，在460处，控制器415可确定在425、440或450处执行的存取命令数量。在一些实例中，如果数量满足阈值，那么可调整执行媒体管理操作的速率。78.在465处，控制器415可任选地确定存储器装置410是否在空闲状态中操作。空闲状态可指存储器装置410不从主机装置405接收存取命令的持续时间。定义空闲状态的持续时间可为可调整的，并且可基于存储器装置410的一或多个设计参数。在一些实例中，可基于存储器装置410在空闲状态中操作，调整存储器装置410执行媒体管理操作的速率。79.在470处，控制器415可将存储器装置410执行媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率。在一些实例中，第二速率可慢于第一速率。所述调整可基于本文中所论述的多种考虑因素而出现，所述考虑因素例如存取操作数量、与第一块420或第二块425的数据相关联的错误数量，和/或存储器装置410是否在空闲状态中操作。通过调整存储器装置410执行媒体管理操作的速率，可提高其总体性能并且可长期其生命周期。80.在475处，媒体管理操作可以第二速率(例如，不同于第一速率的速率)执行。媒体管理操作(例如，垃圾收集操作)可引起从第一块420读取过期或无效数据以及将所述数据写入到第二块425。随后可从第一块420擦除数据，因此释放相关联存储器单元以供后续写入操作使用。举例来说，可从第一块420的至少一个slc读取数据，将数据写入到第二块425的mlc，并且从第一块420的slc擦除数据。可选择后续存储器单元以用于第二速率下的媒体管理操作。81.图5示出根据本公开的方面的支持可调性媒体管理的存储器装置505的框图500。存储器装置505可为参考图1到4所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置505可包含执行组件510、调整组件515、确定组件520、接收组件525、识别组件530和存取组件535。这些模块中的每一个可与彼此(例如，经由一或多个总线)直接或间接通信。82.执行组件510可根据第一速率对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作。在一些实例中，执行组件510可基于将第一速率调整到第二速率，以第二速率对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作。在一些实例中，执行组件510可对第一存储器单元块中的存储器单元执行存取操作集。83.调整组件515可基于对第一存储器单元块执行一或多个编程操作，将第一速率调整到第二速率。在一些实例中，调整组件515可基于存取操作数量满足阈值，将对存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据执行的媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率。在一些实例中，调整组件515可基于第二编程命令集超过第二阈值，将执行媒体管理操作的第二速率调整到第三速率。84.确定组件520可基于起始存取操作集的执行而确定对第一存储器单元块执行的存取操作的数量。在一些实例中，确定组件520可确定对第一存储器单元块执行的编程操作数量超过阈值，其中在编程操作数量超过阈值之后将第一速率调整到第二速率。在一些实例中，确定组件520可基于在第二持续时间内不存在用于第一存储器单元块的命令而确定存储器单元的至少第一块处于空闲状态，其中将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率是基于存储器单元的至少第一块在阈值持续时间内在空闲状态中操作而发生。85.在一些实例中，确定组件520可确定第二编程命令集的数量超过第二阈值。在一些实例中，确定组件520可基于接收到第一读取命令而确定与第一数据相关联的一或多个错误。在一些实例中，确定组件520可确定对存储器单元的至少第一块执行的写入操作数量。86.在一些实例中，确定组件520可基于识别第一块的大小并确定对第一块执行的写入操作数量而确定第一存储器单元块中的可用存储器单元的数量，其中将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率是基于第一块中的可用存储器单元数量。在一些实例中，确定组件520可确定对存储器单元的至少第一块执行的擦除操作数量，其中将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率是基于对第一块执行的擦除操作数量。在一些实例中，确定组件520可确定在阈值持续时间内尚未对第一块的任何存储器单元执行存取操作，其中将媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率是基于满足了阈值持续时间而发生的。87.接收组件525可在第一持续时间内接收到用于将数据写入到第一存储器单元块的第一编程命令集。在一些实例中，接收组件525可在将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率之后接收第二编程命令集。在一些实例中，当以第一速率执行媒体管理操作时，接收组件525可接收用于第一存储器单元块或第二存储器单元块的至少一个存储器单元的第一读取命令。88.在一些实例中，接收组件525可基于确定与第一数据相关联的一或多个错误，接收到用于存储于第一存储器单元块处的第一数据的第二读取命令。在一些实例中，接收组件525可接收到用于slc集中的第一slc的读取命令。89.识别组件530可识别第一存储器单元块的大小。90.作为媒体管理操作的部分，存取组件535可基于调整速率以第二速率读取存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据。在一些实例中，作为媒体管理操作的部分，存取组件535可以第二速率将从第一存储器单元块读取的数据写入到第二存储器单元块。在一些实例中，存取组件535可基于接收到读取命令，读取第一slc。在一些实例中，存取组件535可基于读取第一slc，将数据从第一slc写入到第一tlc。在一些实例中，存取组件535可基于将数据从第一slc写入到第一tlc而擦除第一slc。91.在一些实例中，作为媒体管理操作的部分，存取组件535可基于起始存取操作集的执行，以第一速率读取存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据。在一些实例中，作为媒体管理操作的部分，存取组件535可在将媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率之前，以第一速率将从第一存储器单元块读取的数据写入到第二存储器单元块。在一些实例中，作为媒体管理操作的部分，存取组件535可基于将数据写入到第二存储器单元块，以第二速率擦除从第一存储器单元块读取的数据。92.图6示出说明根据本公开的方面的支持可调性媒体管理的一或多种方法600的流程图。可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施方法600的操作。举例来说，可由参考图5所描述的存储器装置执行方法600的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。93.在605处，存储器装置可根据第一速率，对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作。可根据本文中所描述的方法执行605的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的执行组件执行605的操作的方面。94.在610处，存储器装置可基于对第一存储器单元块执行的一或多个编程操作将第一速率调整到第二速率。可根据本文中所描述的方法执行610的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的调整组件执行610的操作的方面。95.在615处，存储器装置可基于将第一速率调整到第二速率而以第二速率对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作。可根据本文中所描述的方法执行615的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的执行组件执行615的操作的方面。96.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法600。所述设备可包含用于以下操作的特征、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：根据第一速率对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作；基于对第一存储器单元块执行的一或多个编程操作，将第一速率调整到第二速率；和基于将第一速率调整到第二速率，以第二速率对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作。97.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定对第一存储器单元块执行的编程操作的数量超过阈值，其中在编程操作数量超过阈值之后，可将第一速率调整到第二速率。98.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：在第一持续时间内接收到用于将数据写入到第一存储器单元块的第一编程命令集；和基于在第二持续时间内不存在用于第一存储器单元块的命令，确定至少第一存储器单元块处于空闲状态，其中将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率是基于至少第一存储器单元块在阈值持续时间内在空闲状态中操作而发生。99.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：在将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率之后，接收到第二编程命令集；确定第二编程命令集的数量超过第二阈值；和基于第二编程命令集超过第二阈值，将执行媒体管理操作的第二速率调整到第三速率。100.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：当以第一速率执行所述媒体管理操作时，接收到用于第一存储器单元块或第二存储器单元块中的至少一个存储器单元的第一读取命令；基于接收到第一读取命令，确定与第一数据相关联的一或多个错误；和基于确定与第一数据相关联的一或多个错误，接收到用于存储于第一存储器单元块处的第一数据的第二读取命令。101.在本文所描述的方法600和设备的一些实例中，将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率可基于接收到用于第一数据的第二读取命令。102.在本文所描述的方法600和设备的一些实例中，将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率是在接收到用于第一数据的阈值数量的第二读取命令之后发生。103.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：识别第一存储器单元块的大小；确定对第一存储器单元块执行的写入操作的数量；和基于识别第一块的大小并确定对第一块执行的写入操作数量，确定第一存储器单元块中的可用存储器单元的数量，其中将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率可基于第一块中的可用存储器单元数量。104.本文所描述的方法600和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定对第一存储器单元块执行的擦除操作的数量，其中将执行媒体管理操作的第一速率调整到第二速率可基于对第一块执行的擦除操作的数量。105.在本文所描述的方法600和设备的一些实例中，执行媒体管理操作的第一速率可大于执行媒体管理操作的第二速率。106.本文所描述的方法600和设备的一些实例本文所描述的可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：接收到用于slc集中的第一slc的读取命令；基于接收到读取命令，读取第一slc；基于读取第一slc，将数据从第一slc写入到第一tlc；和基于将数据从第一slc写入到第一tlc而擦除第一slc。107.图7示出说明根据本公开的方面的支持可调性媒体管理的一或多种方法700的流程图。方法700的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，可由如参考图5所描述的存储器装置执行方法700的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。108.在705处，存储器装置可根据第一速率，对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作。可根据本文中所描述的方法执行705的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的执行组件执行705的操作的方面。109.在710处，所述存储器装置可确定对第一存储器单元块执行的编程操作的数量超过阈值，其中在编程操作数量超过阈值之后，将第一速率调整到第二速率。可根据本文中所描述的方法执行710的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的确定组件执行710的操作的方面。110.在715处，存储器装置可基于对第一存储器单元块执行的一或多个编程操作将第一速率调整到第二速率。可根据本文中所描述的方法执行715的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的调整组件执行715的操作的方面。111.在720处，存储器装置可基于将第一速率调整到第二速率而以第二速率对第一存储器单元块和第二存储器单元块执行媒体管理操作。可根据本文中所描述的方法执行720的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的执行组件执行720的操作的方面。112.图8示出说明根据本公开的方面的支持可调性媒体管理的一或多种方法800的流程图。方法800的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法800的操作可由如参考图5所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。113.在805处，存储器装置可对第一存储器单元块中的存储器单元执行存取操作集。可根据本文中所描述的方法执行805的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的执行组件执行805的操作的方面。114.在810处，存储器装置可基于起始存取操作集的执行而确定对第一存储器单元块执行的存取操作的数量。可根据本文中所描述的方法执行810的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的确定组件执行810的操作的方面。115.在815处，存储器装置可基于存取操作数量满足阈值，将对存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据执行的媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率。可根据本文中所描述的方法执行815的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的调整组件执行815的操作的方面。116.在820处，作为媒体管理操作的部分，存储器装置可基于调整速率以第二速率读取存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据。可根据本文中所描述的方法执行820的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的存取组件执行820的操作的方面。117.在825处，作为媒体管理操作的部分，存储器装置可以第二速率将从第一存储器单元块读取的数据写入到第二存储器单元块。可根据本文中所描述的方法执行825的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的存取组件执行825的操作的方面。118.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法800。所述设备可包含用于以下操作的特征、装置或指令(例如，非暂时性计算机可读媒体存储的可由处理器执行的指令)：对第一存储器单元块中的存储器单元执行存取操作集；基于起始存取操作集的执行而确定对第一存储器单元块执行的存取操作的数量；基于存取操作数量满足阈值，将对存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据执行的媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率；作为媒体管理操作的部分，基于调整速率以第二速率读取存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据；和作为媒体管理操作的部分，以第二速率将从第一存储器单元块读取的数据写入到第二存储器单元块。119.本文所描述的方法800和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：作为媒体管理操作的部分，基于起始存取操作集的执行，以第一速率读取存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据；和作为媒体管理操作的部分，在将媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率之前，以第一速率将从第一存储器单元块读取的数据写入到第二存储器单元块。120.本文所描述的方法800和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：确定在阈值持续时间内可能尚未对第一块的任何存储器单元执行存取操作，其中将媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率是基于满足了阈值持续时间而发生的。121.本文所描述的方法800和设备的一些实例可另外包含用于以下操作的操作、特征、装置或指令：基于将数据写入到第二存储器单元块，以第二速率擦除从第一存储器单元块读取的数据。122.图9示出说明根据本公开的方面的支持可调性媒体管理的一或多种方法900的流程图。可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施方法900的操作。举例来说，可由参考图5所描述的存储器装置执行方法900的操作。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。123.在905处，存储器装置可对第一存储器单元块中的存储器单元执行存取操作集。可根据本文中所描述的方法执行905的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的执行组件执行905的操作的方面。124.在910处，作为媒体管理操作的部分，存储器装置可基于起始存取操作集的执行，以第一速率读取存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据。可根据本文中所描述的方法执行910的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的存取组件执行910的操作的方面。125.在915处，作为媒体管理操作的部分，存储器装置可在将媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率之前，以第一速率将从第一存储器单元块读取的数据写入到第二存储器单元块。可根据本文中所描述的方法执行915的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的存取组件执行915的操作的方面。126.在920处，存储器装置可基于起始存取操作集的执行而确定对第一存储器单元块执行的存取操作的数量。可根据本文中所描述的方法执行920的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的确定组件执行920的操作的方面。127.在925处，存储器装置可基于存取操作数量满足阈值，将对存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据执行的媒体管理操作的速率从第一速率调整到第二速率。可根据本文中所描述的方法执行925的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的调整组件执行925的操作的方面。128.在930处，作为媒体管理操作的部分，存储器装置可基于调整速率以第二速率读取存储于第一存储器单元块中的存储器单元处的数据。可根据本文中所描述的方法执行930的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的存取组件执行930的操作的方面。129.在935处，作为媒体管理操作的部分，存储器装置可以第二速率将从第一存储器单元块读取的数据写入到第二存储器单元块。可根据本文中所描述的方法执行935的操作。在一些实例中，可由参考图5所描述的存取组件执行935的操作的方面。130.应注意，上文所描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合来自方法中的两个或更多个的部分。131.描述了一种设备。所述设备可包含存储器组件，其包含第一存储器单元块和第二存储器单元块；媒体管理组件，其与所述存储器组件耦合且被配置成以可变速率对所述第一存储器单元块和所述第二存储器单元块执行媒体管理操作；和存储器健康组件，其与所述媒体管理组件耦合且被配置成基于对所述第一存储器单元块执行的一或多个编程操作，将所述媒体管理操作的所述可变速率从第一速率调整到第二速率。132.所述设备的一些实例可包含计数器，其与存储器组件和存储器健康组件耦合且被配置成跟踪第一存储器单元块处于空闲状态的持续时间，其中存储器健康组件可被配置成在第一存储器单元块可能已空闲达阈值持续时间之后，将所述媒体管理操作的所述可变速率从第一速率调整到第二速率。133.在一些实例中，存储器健康组件可包含用于计数器的操作、特征、装置或指令，所述计数器被配置成跟踪对第一存储器单元块执行的存取操作的数量，其中存储器健康组件可被配置成基于所述数量满足阈值，将媒体管理操作的可变速率从第一速率调整到第二速率。134.在一些实例中，存储器健康组件可包含用于高速缓存器大小组件的操作、特征、装置或指令，所述高速缓存器大小组件被配置成确定所述第一块中可基于对所述第一存储器单元块执行的所述存取操作数量可用的存储器单元数量，其中所述存储器健康组件可被配置成基于所述可用存储器单元数量低于阈值，将所述媒体管理操作的所述可变速率从所述第一速率调整到所述第二速率。135.在一些实例中，存储器健康组件可包含用于错误确定组件的操作、特征、装置或指令，所述错误确定组件被配置成确定与所述第一存储器单元块的数据或所述第二存储器单元块的数据相关联的错误数量，其中所述存储器健康组件被配置成确定与第一存储器单元块的数据相关联的错误数量，其中所述存储器健康组件可被配置成基于错误数量满足阈值的发生，将媒体管理操作的可变速率从第一速率调整到第二速率。136.在一些实例中，存储器健康组件可包含用于读取重试组件的操作、特征、装置或指令，所述读取重试组件被配置成当所述媒体管理组件以所述第一速率执行所述媒体管理操作时，起始用于所述第一存储器单元块或所述第二存储器单元块中的至少一个存储器单元的第一读取操作；至少部分地基于起始所述第一读取操作，确定与所述第一数据相关联的一或多个错误；和至少部分地基于确定与所述第一数据相关联的所述一或多个错误，起始用于存储于所述第一存储器单元块处的所述第一数据的第二读取操作。137.在一些实例中，执行所述媒体管理操作的所述第二速率可小于执行所述媒体管理操作的所述第一速率。138.在一些实例中，第一存储器单元块包含单层级单元(slc)集，且第二存储器单元块包含三层级单元(tlc)集。139.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信令说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员应理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。140.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持电子在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含如开关、晶体管或其它组件的中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。141.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。142.本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底为半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sos)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。143.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂，例如简并，半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分离。如果沟道是n型的(即，大部分载体为电子)，那么fet可被称为n型fet。如果沟道是p型的(即，大部分载体为电洞)，那么fet可被称为p型fet。通道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制通道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致通道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“解除激活”。144.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。详细描述包含具体细节，以提供对所描述技术的理解。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。145.在附图中，类似组件或特征可以具有相同的参考标记。另外，可通过在参考标记之后跟着短划线及在类似组件当中进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一个，与第二参考标记无关。146.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。147.结合本文中公开内容所描述的各种说明性块和模块可使用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。a处理器还可被实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它此配置)。148.本文中所描述的技术可在硬件、通过处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以传输。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布以使得功能的部分在不同物理位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文所用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。149.提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文所述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。当前第1页12当前第1页12