技术特征：
1.一种用于存储器中计算cim的存储器件，包括：存储阵列，包括被布置成行和列的阵列的多个存储单元，所述存储单元包括第一组存储单元和第二组存储单元；多条字线，所述阵列的每一行具有对应的字线，所述阵列的行的每个存储单元耦合到所述对应的字线；多条位线，所述阵列的每一列具有对应的位线，所述阵列的列的每个存储单元耦合到所述对应的位线；以及控制电路，被配置为响应于组使能信号来选择所述第一组存储单元和/或所述第二组存储单元。2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：第一读出放大器，耦合到所述第一组存储单元的位线；以及第二读出放大器，耦合到所述第二组存储单元的位线。3.根据权利要求2所述的存储器件，还包括：多路复用器mux，连接到所述第一读出放大器和所述第二读出放大器。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，每个所述存储单元包括一个晶体管和一个电容器，以形成单晶体管单电容器1t-1c存储单元。5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述1t-1c存储单元的晶体管包括：栅极端子，连接到其相应的字线。6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述1t-1c存储单元的晶体管包括：第一源极/漏极s/d端子，连接到其相应的位线；以及第二源极/漏极s/d端子，连接到所述1t-1c存储单元的电容器的第一端子。7.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述存储阵列包括被配置为接收vdd电压的电源输入端子，并且其中，所述1t-1c存储单元的电容器的第二端子被连接以接收半vdd电压。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述存储单元还包括第三组存储单元和第四组存储单元。9.一种存储器中计算cim器件，包括：多个存储单元，被配置为存储权重信号，所述存储单元被布置成行和列的阵列，包括第一组存储单元和第二组存储单元；多条字线，所述阵列的每一行具有对应的字线，所述阵列的行的每个存储单元耦合到所述对应的字线；多条位线，所述阵列的每一列具有对应的位线，所述阵列的列的每个存储单元耦合到所述对应的位线；读出放大器，耦合到位线并且被配置为放大位线的信号以进行读取操作；控制电路，连接到位线并且被配置为响应于组使能信号来选择所述第一组存储单元或所述第二组存储单元；输入端子，被配置为接收cim输入信号；以及乘法电路，被配置为将所述权重信号与所述cim输入信号相乘以生成多个部分乘积。10.一种用于存储器中计算cim器件的方法，包括：
提供存储阵列，该存储阵列具有被布置成行和列的阵列的多个存储单元，所述存储单元包括第一组存储单元和第二组存储单元；提供多条字线，所述阵列的每一行具有对应的字线，所述阵列的行的每个存储单元耦合到所述对应的字线；提供多条位线，所述阵列的每一列具有对应的位线，所述阵列的列的每个存储单元耦合到所述对应的位线；接收组使能信号；响应于所述组使能信号对所述第一组存储单元执行第一操作；以及响应于所述组使能信号对所述第二组存储单元执行第二操作。
技术总结
本公开涉及存储器中计算(CIM)存储阵列。一种用于CIM的存储器件，其具有存储阵列，该存储阵列包括被布置成行和列的阵列的多个存储单元。存储单元具有第一组存储单元和第二组存储单元。阵列的每一行具有对应的字线，其中阵列的行的每个存储单元耦合到对应的字线。阵列的每一列具有对应的位线，其中阵列的列的每个存储单元耦合到对应的位线。控制电路被配置为响应于组使能信号选择第一组存储单元或第二组存储单元。组存储单元。组存储单元。
技术研发人员：张延安 陈昱霖 李嘉富
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/10/3