技术特征：
1.一种半导体存储器件，包括：多个输入-输出引脚，所述多个输入-输出引脚被配置为与存储器控制器通信；命令控制逻辑，所述命令控制逻辑被配置为：基于通过所述多个输入-输出引脚之中的控制引脚从所述存储器控制器传送的命令信号和控制信号，来控制所述半导体存储器件的操作；温度测量电路，所述温度测量电路被配置为：测量所述半导体存储器件的工作温度，以生成与所述工作温度对应的温度码；以及操作限制控制器，所述操作限制控制器被配置为：当基于所述温度码确定所述工作温度超过风险温度时，控制所述半导体存储器件的内部操作，而不管从所述存储器控制器传送的所述命令信号和所述控制信号如何，从而降低所述半导体存储器件的功耗。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，控制所述半导体存储器件进入掉电模式，而不管从所述存储器控制器传送的掉电命令如何。3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，复位所述半导体存储器件，而不管从所述存储器控制器传送的复位信号如何。4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，向所述存储器控制器传送包括错误的第一数据，而不管读取数据如何。5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，向所述存储器控制器传送操作限制信息。6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述操作限制控制器包括：比较电路，所述比较电路被配置为基于所述温度码生成操作限制信号；以及控制信号生成器，所述控制信号生成器被配置为响应于所述操作限制信号的激活而生成信号以控制所述半导体存储器件的所述内部操作。7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述比较电路还被配置为：响应于周期性激活的使能信号来确定是否激活所述操作限制信号。8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述比较电路进一步被配置为：在所述工作温度超过所述风险温度的时间点激活所述操作限制信号，并且在固定的操作限制时间之后去激活所述操作限制信号，而不管所述工作温度如何。9.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述比较电路进一步被配置为：在所述工作温度超过所述风险温度的第一时间点激活所述操作限制信号，并且在所述工作温度降低到所述风险温度以下的第二时间点去激活所述操作限制信号。10.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述比较电路进一步被配置为：在所述工作温度超过所述风险温度的第一时间点激活所述操作限制信号，并且在所述工作温度降低到限制结束温度以下的第二时间点去激活所述操作限制信号，所述限制结束温度低于所述风险温度。11.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：响应于所述操作限制信号的激活控制所述半导体存储器件进入掉电模式，以及响应于
所述操作限制信号的去激活控制所述半导体存储器件退出所述掉电模式。12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：选择器，所述选择器被配置为：向所述命令控制逻辑传送虚拟时钟使能信号和虚拟芯片选择信号，来代替通过所述控制引脚从所述存储器控制器传送的时钟使能信号和芯片选择信号，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，生成对应于掉电命令的所述虚拟时钟使能信号和所述虚拟芯片选择信号。13.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：选择器，所述选择器被配置为：向所述命令控制逻辑传送虚拟命令-地址信号，来代替通过所述控制引脚从所述存储器控制器传送的多个命令-地址信号中的一部分命令-地址信号，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，生成对应于掉电命令的所述虚拟命令-地址信号。14.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：选择器，所述选择器被配置为：向所述命令控制逻辑传送虚拟复位信号和虚拟芯片选择信号，来代替通过所述控制引脚从所述存储器控制器传送的复位信号和芯片选择信号，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，生成与复位操作对应的所述虚拟复位信号和所述虚拟芯片选择信号。15.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：数据错误生成器，所述数据错误生成器被配置为：响应于操作限制信号的激活，将部分数据引脚下拉至接地电压或将所述部分数据引脚上拉至电源电压，其中，所述多个输入-输出引脚包括所述部分数据引脚，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，激活所述操作限制信号。16.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述温度测量电路包括设置在所述半导体存储器件的半导体裸片中的片上温度传感器。17.一种存储器系统，包括：存储器控制器；以及半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：多个输入-输出引脚，所述多个输入-输出引脚被配置为与所述存储器控制器通信；命令控制逻辑，所述命令控制逻辑被配置为：基于通过所述多个输入-输出引脚之中的控制引脚从所述存储器控制器传送的命令信号和控制信号，来控制所述半导体存储器件的操作；温度测量电路，所述温度测量电路被配置为：测量所述半导体存储器件的工作温度，以生成与所述工作温度对应的温度码；以及操作限制控制器，所述操作限制控制器被配置为：当基于所述温度码确定所述工作温度超过风险温度时，控制所述半导体存储器件的内部操作，而不管从所述存储器控制器传送的所述命令信号和所述控制信号如何，从而降低所述半导体存储器件的功耗。18.根据权利要求17所述的存储器系统，其中，所述存储器控制器被配置为：基于从设
置在所述半导体存储器件外部的外部温度测量电路提供的温度信息来控制温度调节操作，以调整所述半导体存储器件的所述工作温度，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：基于所述温度码控制所述半导体存储器件的所述内部操作，而不管所述温度调节操作如何。19.根据权利要求17所述的存储器系统，其中，所述操作限制控制器进一步被配置为：当所述工作温度超过所述风险温度时，控制所述半导体存储器件进入掉电模式，而不管从所述存储器控制器传送的掉电命令如何。20.一种控制半导体存储器件的方法，所述方法包括：由所述半导体存储器件的温度测量电路通过测量所述半导体存储器件的工作温度生成与所述工作温度对应的温度码；基于所述温度码确定所述工作温度是否超过风险温度；以及当所述工作温度超过所述风险温度时，控制所述半导体存储器件的内部操作，而不管从存储器控制器传送的命令信号和控制信号如何，从而降低所述半导体存储器件的功耗。
技术总结
提供了一种半导体存储器件、包括其的存储器系统和控制其的方法。所述半导体存储器件包括：被配置为与存储器控制器通信的多个输入-输出引脚、命令控制逻辑、温度测量电路和操作限制控制器。所述命令控制逻辑基于通过所述多个输入-输出引脚之中的控制引脚从所述存储器控制器传送的命令信号和控制信号，来控制所述半导体存储器件的操作。所述温度测量电路测量所述半导体存储器件的工作温度，以生成与所述工作温度对应的温度码。当基于所述温度码确定所述工作温度超过风险温度时，所述操作限制控制器控制所述半导体存储器件的内部操作，而不管从所述存储器控制器传送的所述命令信号和所述控制信号如何，从而降低所述半导体存储器件的功耗。件的功耗。件的功耗。
技术研发人员：周成勋 李载濬 崔一韩
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.06.27
技术公布日：2023/3/17