防误擦写保护电路及车载控制系统的制作方法

1.本实用新型涉及车载系统技术领域，具体涉及到一种防误擦写保护电路及车载控制系统。


背景技术：

2.在车载系统中，例如，车载控制系统中，需要芯片处理器外挂存储器来存放通讯驱动程序软件，而不同车载系统中的芯片处理器不同，不同品牌的存储器也存在特性差异，导致在芯片处理器的上电过程中以及出现掉电时均会出现不可控的flash command(闪存指令)，该flash command会对存储器所存储的内容进行改写，从而影响正常的使用。针对这一问题，目前普遍是通过软件控制逻辑电路去控制上电和掉电逻辑来避免产生该问题，但是在芯片处理器的掉电过程中，逻辑电路可能不会正常工作，导致存储器的内容被改写，无法对存储器进行保护。


技术实现要素：

3.本实用新型提供一种防误擦写保护电路及车载控制系统，可以在控制模块出现掉电时对控制模块进行复位，从而避免存储器中的内容被误擦写。
4.第一方面，本实用新型提供一种防误擦写保护电路，其包括控制模块、存储模块、第一复位模块以及第二复位模块；所述存储模块与所述控制模块连接；所述第一复位模块与所述控制模块连接，用于在所述控制模块出现掉电时，对所述控制模块进行复位；所述第二复位模块与所述控制模块连接，用于在所述第一复位模块出现故障时，对所述控制模块进行复位。
5.进一步地，所述第二复位模块包括复位芯片，所述复位芯片包括第一引脚、第二引脚以及第三引脚；所述第一引脚作为所述复位芯片的复位引脚与所述控制模块连接，用于检测所述控制模块的工作电压；所述第二引脚作为所述复位芯片的供电引脚与供电电路连接；所述第三引脚接地。
6.进一步地，所述第二复位模块还包括第一电阻；所述第一引脚通过所述第一电阻与所述控制模块连接。
7.进一步地，所述第一复位模块包括第一三极管和参考电压电路；所述第一三极管的集电极与所述控制模块连接，其基极与所述参考电压电路连接，其发射极接地。
8.进一步地，所述参考电压电路包括第二电阻和第三电阻；所述第二电阻和所述第三电阻互相并联且均与所述基极连接。
9.进一步地，所述参考电压电路还包括第四电阻和第五电阻；所述第四电阻的一端与所述第二电阻和所述第三电阻所组成的并联电路连接，所述第四电阻的另一端分别与所述基极以及所述第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端接地。
10.进一步地，所述第一三极管为npn型三极管。
11.进一步地，所述存储模块为flash芯片。
12.进一步地，所述控制模块为控制芯片，所述控制芯片的复位引脚分别与所述第一复位模块和所述第二复位模块连接。
13.第二方面，本实用新型还提供一种车载控制系统，所述车载控制系统包括上述任一项所述的防误擦写保护电路。
14.本实用新型公开的防误擦写保护电路及车载控制系统，当控制模块出现掉电故障时，由第一复位模块对控制模块进行复位，当第一复位模块出现故障时，由第二复位模块对控制模块进行复位，从而确保控制模块出现掉电故障时，可以对控制模块进行复位，确保了存储器所存储的内容不会被误擦写。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是本实用新型实施例提供的防误擦写保护电路的方框示意图；
17.图2是本实用新型实施例提供的防误擦写保护电路的电路图。
具体实施方式
18.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
19.应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
20.还应当理解，在此本实用新型说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本实用新型。如在本实用新型说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本实用新型说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
21.另外，本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式以及产品使用状态的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。此外，在附图中，结构相似或相同的结构是以相同标号表示。
22.参见图1至图2，图1展示了本实用新型提供的防误擦写保护电路100的方框示意图，图2是防误擦写保护电路100的电路图。如图1所示，所述防误擦写保护电路100包括控制模块10、存储模块40、第一复位模块20以及第二复位模块30；所述存储模块40与所述控制模块10连接；所述第一复位模块20与所述控制模块10连接，用于在所述控制模块10出现掉电时，对所述控制模块10进行复位；所述第二复位模块30与所述控制模块10连接，用于所述第
一复位模块20出现故障时，对所述控制模块10进行复位。
23.其中，在车载系统中，控制模块10可以是某个功能电路的控制芯片，用于控制该功能电路的正常运行，存储模块40与控制模块10连接，用于存储驱动程序运行软件，控制模块10可以读取存储模块40中的驱动程序来运行相应的功能。上电是指控制模块10从获得电压到电压上升至工作电压的过程，掉电是指控制模块10因断电、失电或者电的质量打不到标准而不能正常工作，当控制模块10在上电过程中或者工作过程中出现掉电时，第一复位模块20可以对控制模块10进行复位，确保控制模块10在出现故障时不会对存储模块40的数据进行擦写，当第一复位模块20在因控制模块10的掉电故障而不能工作时，第二复位模块30可以对控制模块10进行复位，用于确保控制模块10不会对存储模块40的数据进行擦写。例如，第二复位模块30可以通过检测控制模块10的工作电压来判断是否需要对控制模块10进行复位，若控制模块10的工作电压为3.3v，则当控制模块10的工作电压低于3.3v且低于预定的检测电压时，例如2.93v，则第二复位模块30输出0电平至控制模块10，使得控制模块10停止工作并复位，确保控制模块10没有异常指令时序输出，从而可以确保存储模块40不会受到影响。
24.参见图2，在一实施例中，所述第二复位模块30包括复位芯片31，所述复位芯片31包括第一引脚、第二引脚以及第三引脚；所述第一引脚作为所述复位芯片31的复位引脚与所述控制模块10连接，用于检测所述控制模块10的工作电压；所述第二引脚作为所述复位芯片31的供电引脚与供电电路200连接；所述第三引脚接地。
25.在进一步的实施例中，所述第二复位模块30还包括第一电阻r1；所述第一引脚通过所述第一电阻r1与所述控制模块10连接。
26.其中，第二复位模块30可以包括一个复位芯片31，该复位芯片31包括第一引脚、第二引脚以及第三引脚，其中，第一引脚作为复位引脚用于检测控制模块10的工作电压是否低于预定电压，若控制模块10的工作电压低于预定电压，则复位芯片31输出0电平至控制模块10，使得控制模块10复位。
27.在一实施例中，所述第一复位模块20包括第一三极管q1和参考电压电路21；所述第一三极管q1的集电极与所述控制模块10连接，其基极与所述参考电压电路21连接，其发射极接地。
28.在进一步的实施例中，所述参考电压电路21包括第二电阻r2和第三电阻r3；所述第二电阻r2和所述第三电阻r3互相并联且均与所述基极连接。
29.在进一步的实施例中，所述参考电压电路21还包括第四电阻r4和第五电阻r5；所述第四电阻r4的一端与所述第二电阻r2和所述第三电阻r3所组成的并联电路连接，所述第四电阻r4的另一端分别与所述基极以及所述第五电阻r5的一端连接，所述第五电阻r5的另一端接地。
30.其中，当控制模块10出现掉电故障时，第一三极管q1导通，输出0电平至控制模块10，使得控制模块10复位，第二电阻r2至第四电阻r4用于提供参考电压，确认第一三极管q1导通的电压，另外，第一三极管q1可以是npn型三极管。
31.在一实施例中，所述存储模块40为flash芯片。
32.其中，存储模块40可以是flash芯片，便于存储驱动程序。
33.在一实施例中，所述控制模块10为控制芯片，所述控制芯片的复位引脚分别与所
述第一复位模块20和所述第二复位模块30连接。
34.其中，控制芯片可以包括多个功能引脚，其中一个功能引脚为复位引脚，用于分别与第一复位模块20和第二复位模块30连接。
35.本实用新型还公开了共一种车载控制系统，其包括上述任一项实施例所述的防误擦写保护电路100。
36.本实用新型公开的防误擦写保护电路及车载控制系统，可以在控制模块的上电过程或者工作过程中出现掉电故障时，由第一复位模块对控制模块进行复位，在第一复位模块出现故障时，由第二复位模块对控制模块进行复位，从而确保控制模块可以对控制模块进行复位，进而保护存储模块。
37.以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。