存储装置的制作方法

本发明的实施方式涉及存储装置。

背景技术：

1、已知使用了可变电阻元件(例如磁阻效应元件(magnetoresistance effectelement))来作为存储元件的存储装置。为了提高存储装置的特性，进行了与存储装置有关的各种各样的技术的研究和开发。

技术实现思路

1、本发明要解决的课题在于提供提高了动作特性的存储装置。

2、本实施方式的存储装置包括：存储单元，连接于第1信号线与第2信号线之间；第1布线，经由第1开关连接于所述第1信号线；第2布线，经由第2开关连接于所述第2信号线；以及第1预充电电路，连接于所述第1布线，在对所述存储单元的写入序列中，所述第1预充电电路对经由接通状态的所述第1开关连接的所述第1信号线和所述第1布线进行充电，根据所述第1信号线与所述第2信号线之间的电位差，所述存储单元被激活，从被充电的所述第1信号线和所述第1布线产生的写入电流经由被激活的所述存储单元而从所述第1布线向所述第2布线流动。

技术特征：

1.一种存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的存储装置，

3.根据权利要求2所述的存储装置，

4.根据权利要求1所述的存储装置，

5.根据权利要求4所述的存储装置，

6.根据权利要求4所述的存储装置，

7.根据权利要求4所述的存储装置，

8.根据权利要求1所述的存储装置，

9.根据权利要求8所述的存储装置，

10.根据权利要求1所述的存储装置，

11.根据权利要求10所述的存储装置，

12.根据权利要求1所述的存储装置，

13.根据权利要求1所述的存储装置，

14.根据权利要求1所述的存储装置，

15.根据权利要求1所述的存储装置，

16.根据权利要求15所述的存储装置，

17.根据权利要求1所述的存储装置，

18.根据权利要求1所述的存储装置，

19.根据权利要求18所述的存储装置，

技术总结
本公开涉及提高了动作特性的存储装置。实施方式的存储装置包括：存储单元(MC)，连接于第1和第2信号线(WL)、(BL)之间；第1布线(DXL)，连接于第1信号线(WL)；第2布线(DYL)，连接于第2信号线(BL)；以及预充电电路(142X)，连接于第1布线(DXL)。在写入序列中，预充电电路(142X)对第1信号线(WL)和第1布线(DXL)进行充电，根据第1信号线(WL)与第2信号线(BL)之间的电位差，存储单元MC被激活，从被充电的第1信号线(WL)和第1布线(DXL)这两方的寄生电容产生的写入电流(IWR‑AP)经由被激活的存储单元(MC)，从第1布线(DXL)向第2布线(DYL)流动。

技术研发人员：岛田游,泷泽亮介,片山明
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24