一种自适应M.2SSD电压的测试方法与流程

文档序号:37800560发布日期:2024-04-30 17:10阅读:13来源:国知局
一种自适应M.2 SSD电压的测试方法与流程

本发明涉及硬盘电压测试,具体为一种自适应m.2ssd电压的测试方法。


背景技术:

1、固态硬盘(solid state disk或solid state drive,简称ssd),又称固态驱动器,是用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘;其中m.2接口是一种新的主机接口方案,可以兼容多种通信协议,如sata、pcie、usb、hsic、uart、smbus等。

2、在pci express m.2specification revision 4.0发布后,对m.2ssd的边带io引入了新的电平,在revision 3.0的3.3v基础上,还允许盘支持1.8v以降低功耗,增加pcb布局空间。而当前市场上的产品存在以下几个问题:当前针对m.2ssd的测试平台,不支持m.2ssd边带io电压的切换,对m.2的边带io电压固定为3.3v;且已有电路对电压的切换方式比较单一,或手动或自动,无法二者兼容,也无法通过上位机进行控制。目前已有电路输出仅为固定一种,无法完成兼容性测试,同时已有电路对电压自动切换的方式,存在延迟大,时序冲突等问题,不满足m.2边带io的时序要求;鉴于此,我们提出了一种自适应m.2ssd电压的测试方法。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种自适应m.2ssd电压的测试方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种自适应m.2ssd电压的测试方法,所述测试方法包括以下步骤:

3、步骤s1、测试平台上电,载入寄存器r1和寄存器r2的初始值;

4、步骤s2、对测试模式进行选择,所述测试模式包括自动切换模式、上位机控制模式以及手动切换模式;

5、步骤s3、对m.2ssd进行电压进行测试。

6、可选的,所述s2中自动切换模式中包括如下步骤:

7、步骤s211、关闭链路一和链路二选择工作模式,默认为自动切换模式;

8、步骤s212、m.2ssd插入插槽,系统自动识别;

9、步骤s213、m.2ssd插入时,触发自适应io电压模块中断;

10、步骤s214、自适应io电压模块进入中断程序,检测vio_cfg电平状态;

11、步骤s215、自适应io电压模块将vio_cfg电平状态写入寄存器r1;

12、步骤s216、自适应io电压模块将vio_cfg电平状态取反写入寄存器r2;

13、步骤s217、自适应模块对寄存器r1以及寄存器r2状态与vio_cfg进行比较验证,判读[r1,r2]=[vio_cfg,/vio_cfg]是否为真,如为否,则为验证失败;

14、步骤s218、验证失败时,寄存器r1和寄存器r2恢复默认值,重新进入步骤s213,失败次数累计到3次后,系统报警并退出测试;

15、步骤s219、验证成功后,自适应io电压模块由寄存器[r1:r2]值确定链路一和链路二的通断;

16、步骤s2110、自适应io电压模块上报链路状态;

17、步骤s2111、当m.2ssd拔出时,触发自适应io电压模块中断,寄存器恢复初始值;

18、步骤s2112、当m.2ssd再次插入时,重复步骤s212-s2110;

19、步骤s2113、测试完成并退出系统。

20、可选的,所述步骤s214包括:

21、当vio_cfg为低时,需要提供1.8v电源;

22、当vio_cfg为高时,需要提供3.3v电源。

23、可选的,所述s2中上位机控制模式中包括如下步骤:

24、步骤s221、测试平台上电,载入各寄存器初始值,选择工作模式为上位机控制模式;

25、步骤s222、m.2ssd插入插槽,此模式下,m.2ssd插入时,不会触发自适应io电压模块中断;

26、步骤s223、操作人员将配置状态写入寄存器r1和寄存器r2;

27、步骤s224、自适应模块对寄存器r1和寄存器r2状态验证,验证r1&r2是否=0;

28、步骤s225、自适应io电压模块上报链路状态;

29、步骤s226、当m.2ssd拔出时,触发自适应io电压模块中断,寄存器恢复初始值;

30、步骤s227、当m.2ssd再次插入时,重复步骤s222-s225。

31、可选的,所述步骤s224进一步的包括:

32、如不为0,验证失败,r1,r2恢复默认值,系统提示用户配置错误并回退至步骤s223;

33、如为0,验证成功,提示配置情况,让用户确认。

34、可选的,所述自适应io电压模块由寄存器[r1:r2]值确定链路一和链路二的通断。

35、可选的,所述s2中手动切换模式下包括如下步骤:

36、步骤s231、测试平台上电,载入各寄存器初始值,选择工作模式为上位机控制模式;

37、步骤s232、m.2ssd插入插槽,m.2ssd插入时,不会触发自适应io电压模块中断;操作人员手动切换开关,选择边带电压值,触发自适应io电压模块中断;

38、步骤s233、自适应io电压模块进入中断程序,检测开关状态;

39、步骤s234、将开关状态写入寄存器r1和寄存器r2;

40、步骤s235、自适应模块对寄存器r1和寄存器r2与开关状态进行比较验证;

41、步骤s236、验证失败时,寄存器r1和寄存器r2恢复默认值,重新进入步骤s231;

42、步骤s237、验证成功后,自适应io电压模块由寄存器r1和寄存器r2值确定链路一和链路二的通断;

43、步骤s238、自适应io电压模块上报链路状态;

44、步骤s239、当m.2ssd拔出时,触发自适应io电压模块中断,寄存器恢复初始值;

45、步骤s2310、当m.2ssd再次插入时,重复步骤s233-s238。

46、可选的,所述步骤s236进一步的包括:失败次数累计到3次后,系统报警并退出测试。

47、与现有技术相比,本发明提供了一种自适应m.2ssd电压的测试方法,具备以下有益效果:

48、该自适应m.2ssd电压的测试方法,多种模式切换m.2ssd的边带电压,包括自动切换,上位机控制,手动切换;可以对m.2ssd进行边带电压的兼容性测试;电压切换时延低,成本低,无全开全闭风险。



技术特征:

1.一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述测试方法包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述s2中自动切换模式中包括如下步骤:

3.根据权利要求2所述的一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述步骤s214包括:

4.根据权利要求1所述的一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述s2中上位机控制模式中包括如下步骤:

5.根据权利要求4所述的一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述步骤s224进一步的包括:

6.根据权利要求5所述的一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述自适应io电压模块由寄存器[r1:r2]值确定链路一和链路二的通断。

7.根据权利要求1所述的一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述s2中手动切换模式下包括如下步骤:

8.根据权利要求7所述的一种自适应m.2ssd电压的测试方法,其特征在于:所述步骤s236进一步的包括:失败次数累计到3次后,系统报警并退出测试。


技术总结
本发明涉及硬盘电压测试技术领域,且公开了一种自适应M.2SSD电压的测试方法,所述自适应M.2SSD电压的测试方法包括如下步骤:步骤S1、测试平台上电,载入寄存器R1和寄存器R2的初始值;步骤S2、对测试模式进行选择,所述测试模式包括自动切换模式、上位机控制模式以及手动切换模式;步骤S3、对M.2SSD进行电压进行测试,该自适应M.2SSD电压的测试方法,多种模式切换M.2SSD的边带电压,包括自动切换,上位机控制,手动切换;可以对M.2SSD进行边带电压的兼容性测试;电压切换时延低,成本低,无全开全闭风险。

技术研发人员:杜甲印
受保护的技术使用者:鸾起科技(苏州)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/4/29
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