用于确定Flash存储器的基准电流的方法及装置、Flash存储器与流程

本申请涉及芯片测试，例如涉及一种用于确定flash存储器的基准电流的方法及装置、flash存储器。

背景技术：

1、目前，配置有flash存储器的芯片在soc(system on chip，系统级芯片)上具有广泛应用，flash存储器的擦写循环能力为芯片性能的重要考量方向。如何衡量flash存储器的擦写循环能力成为当前亟需解决的技术难题。

2、为了准确衡量flash存储器的擦写循环能力，相关技术公开了一种用于flash存储器擦写循环性能的判定方法，包括：获得flash存储器每两千次循环使用后单比特的电流值；将电流值与标准基准电流输入比较器；经比较器判定电流值符合标准基准电流关联的比特判定条件时，确定单比特有效，经比较器判定电流值不符合标准基准电流关联的比特判定条件时，确定flash存储器擦写循环性能老化且芯片失效。

3、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：

4、由于芯片加工过程存在工艺波动且产线存在缺陷异常跳高等问题，导致现有的芯片测试程序无法将异常芯片筛选出来，倘若采用相关技术采用的判定方法，会造成出现单比特失效就判定芯片失效的情况出现，缩短芯片的使用寿命。

5、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

2、本公开实施例提供了一种用于确定flash存储器的基准电流的方法及装置、flash存储器，以避免出现单比特失效的情况，有利于提高flash存储器擦写性能验证的有效性，延长芯片的使用寿命。

3、在一些实施例中，所述方法包括：获得flash存储器上电运行阶段每一单比特所对应的第一电流；根据第一电流对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器中接近失效的目标单比特；将目标单比特的基准电流调整为独立基准电流。

4、在一些实施例中，根据第一电流对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器中接近失效的目标单比特，包括：计算第一电流与标准基准电流的差值，获得第一电流偏差值；将第一电流偏差值的绝对值单比特所对应的初始电流作比值，获得第一电流偏差率；根据第一电流偏差率对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器中接近失效的目标单比特。

5、在一些实施例中，根据第一电流偏差率对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器中接近失效的目标单比特，包括：在第一电流偏差率小于或者等于偏差率临界值的情况下，确定单比特接近失效；将flash存储器中接近失效的单比特作为目标单比特。

6、在一些实施例中，将目标单比特的基准电流调整为独立基准电流，包括：确定标准基准电流；对标准基准电流进行反向补偿处理，以获得独立基准电流。

7、在一些实施例中，对标准基准电流进行反向补偿处理，以获得独立基准电流，包括：计算第一电流与标准基准电流的差值，获得第一电流偏差值；确定反向补偿量；基于第一电流偏差值，利用反向补偿量对标准基准电流进行反向补偿处理，以获得独立基准电流。

8、在一些实施例中，反向补偿量包括第一反向补偿量和第二反向补偿量；基于第一电流偏差值，利用反向补偿量对标准基准电流进行反向补偿处理，以获得独立基准电流，包括：在第一电流偏差值大于零的情况下，将标准基准电流与第一反向补偿量的差值作为独立基准电流；和/或，在第一电流偏差值小于零的情况下，将标准基准电流与第二反向补偿量的和值作为独立基准电流；其中，第一反向补偿量大于或者等于第二反向补偿量。

9、在一些实施例中，还包括：将目标单比特的基准电流调整为独立基准电流后，获得flash存储器运行的第一循环次数；在第一循环次数大于预设次数的情况下，获得flash存储器上电运行阶段每一单比特所对应的第二电流；根据第二电流对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器的失效情况。

10、在一些实施例中，根据第二电流对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器的失效情况，包括：在单比特为正常单比特的情况下，计算第二电流与标准基准电流的差值，获得第二电流偏差值；根据第二电流偏差值对每一正常单比特进行失效验证，确定flash存储器的失效情况；和/或，在单比特为目标单比特的情况下，计算第二电流与独立基准电流的差值，获得第三电流偏差值；根据第三电流偏差值对每一目标单比特进行失效验证，确定flash存储器的失效情况。

11、在一些实施例中，所述装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，所述处理器被配置为在运行所述程序指令时，执行如前述的用于确定flash存储器的基准电流的方法。

12、在一些实施例中，所述flash存储器，包括：flash存储器主体；如前述的用于确定flash存储器的基准电流的装置，安装于所述flash存储器主体。

13、本公开实施例提供的用于确定flash存储器的基准电流的方法及装置、flash存储器，可以实现以下技术效果：

14、本公开实施例获得flash存储器上电运行阶段每一单比特所对应的第一电流后，根据第一电流对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器中接近失效的目标单比特，并将目标单比特的基准电流调整为独立基准电流，以基于独立基准电流对flash存储器进行失效验证。本公开实施例可以将接近失效的目标单比特的基准电流调整为对擦除或者写入有利的方向的电流，使得目标单比特的失效验证结果接近有效，避免出现单比特失效的情况，有利于提高flash存储器擦写性能验证的有效性，延长芯片的使用寿命。

15、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

技术特征：

1.一种用于确定flash存储器的基准电流的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据第一电流对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器中接近失效的目标单比特，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据第一电流偏差率对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器中接近失效的目标单比特，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将目标单比特的基准电流调整为独立基准电流，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对标准基准电流进行反向补偿处理，以获得独立基准电流，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，反向补偿量包括第一反向补偿量和第二反向补偿量；基于第一电流偏差值，利用反向补偿量对标准基准电流进行反向补偿处理，以获得独立基准电流，包括：

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，根据第二电流对每一单比特进行失效验证，确定flash存储器的失效情况，包括：

9.一种用于确定flash存储器的基准电流的装置，包括处理器和存储有程序指令的存储器，其特征在于，所述处理器被配置为在运行所述程序指令时，执行如权利要求1至8任一项所述的用于确定flash存储器的基准电流的方法。

10.一种flash存储器，其特征在于，包括：

技术总结
本申请涉及芯片测试技术领域，公开一种用于确定Flash存储器的基准电流的方法，包括：获得Flash存储器上电运行阶段每一单比特所对应的第一电流；根据第一电流对每一单比特进行失效验证，确定Flash存储器中接近失效的目标单比特；将目标单比特的基准电流调整为独立基准电流。该方法能够避免出现单比特失效的情况，有利于提高Flash存储器擦写性能验证的有效性，延长芯片的使用寿命。本申请还公开一种用于确定Flash存储器的基准电流的装置及Flash存储器。

技术研发人员：李凯亮
受保护的技术使用者：紫光同芯微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24