专利名称：：光信息记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明特别是关于可藉由DVD-R等之短波长领域之激光来记录及再生之热模式的改写型之光信息记录介质。记录、再生文字，图形等之图像或影像或声音等之数据的手段，作为对应于波长770～830nm之激光之记录及再生之记录材料例如使用具有含五次甲基系花青色素之记录层的光盘CD-R已为人所知，但是目前使用可以更短波长例如620～690nm之红色激光进行高密度记录及再生之DVD-R(Digital，video，discrecorddouble或digitalversatilediscrecorddouble)等作为介质使用。作为这种DVD-R，在特愿平9-251487号说明书中公开了具有使用特定三次甲基系花青色素之记录层的光信息记录介质。但是对于上述说明书所示具有与吲哚环键合之具有苯环或萘环之三次甲基系花青色素，当其苯环或萘环之取代基为不包括硝基之氢原子等时，具有含该色素之色素层之光干涉层的吸收光谱如图1所示，基於色素分子间之相互作用及缔合作用之吸收的次波峰b之吸光度h2相对于因色素分子之谱带隙能所产生之吸收而形成色素分子本身之吸收的主波峰a之吸光度h1来说过大，因此由这些主波峰a及次波峰b所构成之光谱不会形成尖锐状，且显示该尖锐度之光谱之半值宽度d(由主波峰a及次波峰b所构成之光谱对於h1/2之吸光度的宽度)也无法缩小。如上述，光谱无法形成尖锐状时，对於光干涉层照射激光形成沟纹时之记录灵敏度，即光干涉层之单位膜厚之吸光度无法增加，因此必须使色素层厚度增加，记录功率增加，或降低记录速度，且记录时因沟纹与沟纹之间所易产生之蓄热使沟纹变形易引起所称的热干涉，因而影响调制度或振动(Jitter)等之特性。本发明之第1目的系提供具有对於DVD之记录用之短波长激光可改善色素分子之吸收波峰与其分子缔合之缔合波峰比的光干涉层的光信息记录介质。本发明之第2目的系提供对於DVD之短波长激光可得到记录灵敏度良好，较薄膜厚之光干涉层的光信息记录介质。本发明之第3目的系提供对於DVD之记录用之短波长激光而言，调制度或振动等特性优异之光信息记录介质。本发明之第4目的系提供对於DVD之记录用之短波长激光而言，记录功率低，可高速记录的光信息记录介质。本发明人等为了解决上述问题而精心研究的结果发现特别是对於DVD之记录用之短波长激光在色素层上具有与吲哚环键合之苯环或萘环上具有硝基之取代基之三次甲基系花青色素之光干涉层系如图1所示，次波峰对主波峰较低，且能使由主波峰及次波峰所构成之光谱形成尖锐状，从而完成本发明。因此，本发明系提供一种光信息记录介质，系(1)在基板上具有含色素层之光干涉层的光信息记录介质，该色素层含有以下述一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素，该光干涉层可用选自波长620nm～690nm波长领域之激光来进行记录及再生。〔化1〕～[化5]中之任一个，化2化3化4化5A’系表示下列一般式[化6]～[化9]中之任一个，化6化7化8化9A与A’系可相同或不同(但M，n为取代基的数目，分别为1或复数的整数)，R，R’系表示选自取代或非取代之烷基，羧基，烷氧基羰基，烷基羧基，烷氧基，烷基羟基，芳烷基，烯基，烷基酰胺基，烷基胺基，烷基磺酰胺基，烷基胺基甲酰基，烷基胺磺酰基，羟基，卤原子，烷基烷氧基，卤化烷基，烷基磺酰基，与金属离子或烷基键合之烷基羧基或烷基磺酰基，苯基，苄基，烷基苯基及苯氧基烷基(可用烷基，羧基，羟基，卤原子等之金属离子以外之取代基取代苯环部分及/或烷基部分之氢原子，前述苯基，苄基，烷基苯基之该部分也相同)之群的取代基，可相同或不同，X-系表示选自卤原子，PF6-，SbF6-，磷酸，高氯酸，硼氟化氢酸，苯磺酸，甲苯磺酸，烷基磺酸，苯羧酸，烷基羧酸，三氟甲基羧酸，高碘酸，SCN-，四苯硼酸及钨酸的阴离子群的阴离子]又本发明系(2)提供上述(1)之光信息记录介质，其中色素层除了上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素外，还含有其他的色素，且全色素中至少含有50重量％之该一般式[化1]之三次甲基系花青色素。(3)系提供如上述(1)或(2)之光信息记录介质，其中光干涉层含有金属配位化合物。本发明之光干涉层可藉由波长620nm～690nm之波长领域之激光进行记录及再生，此光干涉层可用於DVD-R。本发明之光干涉层系指由有机色素材料所构成之色素层，其他有机材料或无机材料所构成之层所成，包括含有能以激光照射形成沟纹之单一层或多层之色素层的记录层；除了此记录层外也包括为调整光信息记录介质之光学物性之目的调整折射率，膜厚的例如由树脂材料所构成之加强层；进而，在基板与色素层间，当色素层为多层时其间所设置之中间层等。光干涉层为这些记录层等之统称。上述之色素层含有上述一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素，该色素可举出例如有在一般式中A为任意选自上述一般式[化2]～[化5]之一般式，A’为任意选自上述一般式[化6]～[化9]之一般式，且两者各自选择后分别组合的化合物。例如一般式[化2]与一般式[化6]～[化9]之各组合，其他一般式[化3]～[化5]也相同。A，A’之取代基(NO2)m，(NO2)n之m，n至少为1、复数的整数即为2以上的整数。这些色素可单独使用或多个并用。具有含三次甲基系花青色素(与吲哚环结合之苯环或萘环上具有硝基取代基者)之光干涉层上照射激光时，对於激光波长之吸光度的光谱使用图1之符号表示时，能使主波A与次波b之吸光度比h2/h1为0.8以下，且由主波峰A与次波峰b所构成之光谱之半值宽度d为100nm以下。使用其他之取代基如氢原子等取代上述一般式[化1]中之A，A’之取代基的硝基时，上述之吸光度比h2/h1至少为0.8以上，无法降至0.8以下，上述之光谱之半值宽度d至少为100nm以上无法降至100nm以下。如上述，三次甲基系花青色素之吲哚环所键合之苯环或萘环上导入硝基使次波峰缩小，由主波峰及次波峰所构成之光谱形成尖锐(Sharp)，增加光干涉层之单位膜厚之吸光度，提高记录效率，换言之提高记录灵敏度。记录灵敏度提高时，即使光干涉层之膜厚比以往更薄，例如最多70nm厚，即70nm以下也能使调制度符合现在的规格，同时因膜厚较薄也能抑制记录时之沟纹间的蓄热，可抑制因该蓄热使沟纹变形，即所谓的热干涉现象，且振动特性良好。记录灵敏度良好，调制度或振动等特性良好时，可降低记录功率，或提高记录速度。本发明之光干涉层上可设置并用除了上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素的其他色素之一种或多种之相同的色素层或其他的色素层，全色素中使上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素至少混合50重量％，即形成混合50重量％以上之混合系时，调制度或振动的特性比不混合上述其他色素时稍差，但仍能满足上述规格。上述其他色素例如有下列一般式[化10]表示之三次甲基系花青色素。～[化14]中任一个]，化11化12化13化14B’系表示下列一般式[化15]～[化18]中任一个，化15化16化17化18B与B’可相同或不同(但D1，D2系分别选自氢原子，烷基，烷氧基，羟基，卤原子，羧基，烷氧基羰基，烷基羧基，烷基羟基，芳烷基，烯基，烷基酰胺基，烷基胺基，烷基磺酰胺基，烷基氨基甲酰基，烷基胺磺酰基，烷基磺酰基，苯基，氰基，酯基，硝基，酰基，烯丙基，芳基，芳氧基，烷基硫基，芳基硫基，苯基偶氮基，吡啶偶氮基，烷羰基胺基，磺酰胺基，胺基，烷基磺基，硫代氰基，巯基，氯磺酸基，烷基偶氮次甲基，烷胺基磺基，乙烯基及磺基所成群的取代基，可相同或不同，p，q为取代基的数目，系分别表示1或多数的整数(但不包括D1，D2同时仅选择硝基的情况))。R，R’系与上述一般式[化1]相同]。此一般式[化10]中，B为任意选自上述一般式[化11]～[化14]之一，B’为任意选自上述一般式[化15]～[化18]之一，且两者所选择后分别所有组合的化合物。例如有一般式[化11]与一般式[化15]～[化18]之各组合，而其他一般式[化12]～[化14]也相同。B，B’之取代基(D1)p，(D2)q之p，q至少为1，多数的整数，即2以上的整数。上述一般式[化1]，[化11]所表示之色素的合成法可利用TheChemistryofSyntheticDyesVol14所记载的方法。上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素或其他的色素可只使用这些色素，但为了提高耐光性时，色素层或其他层中可含有作为光稳定化剂之金属配位化合物。这种金属配位化合物例如有下述一般式[化19]表示之化合物。化19表示)，化20卤原予，苯基，烷基，氰基，硫化烷基，烷基磺酰基，r，s系表示1～4的整数，R4为烷基，Y系表示N或P，M系表示Cu，Co或Ni等之金属。上述一般式[化19]之具体化合物除了後述之实施例所示者外，例如有下述[化21]，[化22]的化合物。化21化22制造本发明之光信息记录介质时，系调制上述一般式[化1]表示之花青色素，或这些色素与上述一般式[化10]表示之花青色素之其他色素予以溶解的混合色素(其中前者混合50重量％以上较理想)，或将上述一般式[化19]表示之金属配位化合物溶解於上述色素的溶液，然後涂布於透光性的基板上。这些之色素溶液可使用氯仿，二氯乙烷，氟化醇等之氟系溶剂，甲基乙基酮，二甲基甲酰胺，甲醇，甲苯，环己酮，乙酰基丙酮，二丙酮醇，甲基溶纤素等之溶纤素类，二噁烷等。此时花青色素之混合比例理想为1重量％～10重量％。本发明用之基板例如有玻璃或环氧树脂，甲基丙烯酸树脂，聚碳酸酯树脂，聚酯树脂，聚氯化乙烯树脂，聚烯烃树脂等之塑料。此基板上可形成轨道沟或沟纹，也可为具有位址信号所需之信号者。使用旋转涂布法将上述花青色素溶液涂布於基板上较理想。此时乾燥後之涂布层其厚度也可使用以往使用的厚度。本发明之光干涉层可含有上述金属配位化合物以外之单态氧消失剂，光吸收剂，游离基捕捉剂等之其他的化合物。除了上述光干涉层外可设置反射层，此反射层上可具有保护层，进而，在基板面(激光之入射侧)也可具有保护层。反射层可举出例如有藉由蒸镀，溅镀等所形成之Au，Al，Ag，Cu，Pt，这些之其他合金，这些以外添加微量成分之合金等之金属膜等之高反射率材料膜，保护层可举出例如以保护光信息记录介质及提高耐候性等，且以旋转涂布法等涂布紫外线硬化型树脂等之放射线硬化型树脂之溶液，经放射线硬化之涂布层。如上述可得到在基板上设置含有色素层之光干涉层、反射层、更进一步设置保护层等之光盘。也可以将至少含有该光干涉层之其他相同构成或其他构成之光盘予以贴合，或使基板相对粘贴。此贴合之材料，方法例如可使用紫外线硬化树脂，阳离子性硬化树脂，两面粘结片，热熔融法，旋转涂布法，分散法(挤压法)，网版印刷法，辊涂方式等。依据以下实施例详细说明，使用轨迹距为0.74μm(可为0.80μm)，仅具有颤动(wobble)信号(也可同时具有预置沟纹信号)之聚碳酸酯基板，光干涉层的色素层使用属於上述一般式[化1]之化合物的，①上述一般式[化2]与一般式[化6]之组合所成的色素、②特别是m，n同时为1的色素；③R，R’为相同，以碳数8为中心之无支链之烷基或苯基烷基(低级烷基)的色素、④特别是X-为高氯酸之阴离子的色素之各色素之假吲哚(ィンドレニン)系之三次甲基系花青色素，调制各色素的溶液，及属於①～④之各色素与属於上述一般式[化19]，且R3为[化20]之金属络合物的溶液，又这些色素溶液中再添加属於上述一般式[化10]之化合物的，⑤由上述一般式[化11]与一般式[化16]之组合所成之色素、⑥特别是D1，D2同时为氢原子之色素、⑦R，R2不相同，且碳数3，4等之低级烷基之色素；⑧特别是X-为碘之阴离子之色素之各假吲哚色素，调制的属於上述⑤～⑧之各色素的溶液。上述①～④的色素溶液占色素整体之60～70重量份。使用这些溶液藉由旋转涂布法可形成乾燥膜厚为50～70nm之光干涉层的色素层。此时光干涉层之吸收光谱如图1所示之吸收波峰之吸光度比h2/h1充其量为0.8，换言之可在0.8以下，理想为0.6～0.75，由主波峰a及次波峰b所构成之光谱的半值宽度d最大为100nm，即100nm以下，理想为80nm～100nm。然後设置用溅射之Au或Al之反射层，其上藉由旋转涂布法形成由紫外线硬化树脂所构成之保护层，更进一步藉由旋转涂布法之由紫外线硬化树脂所构成之粘著剂粘贴聚碳酸酯基板，得到贴合型光盘。上述制得之光盘上照射620～690nm之激光进行记录时，可提高调制度，振动等之特性，且与除了使用上述⑤～⑧的色素取代属於上述一般式[化1]之①～⑤的色素外其余相同地制得之光盘比较时，记录功率可降低，或为相同记录功率时也可提高记录速度。实施例1藉由射出成型法形成在表面上有宽0.32μM，深度100nm，间距0.74μM之螺旋状群组的由厚度0.6mm，外径(直径)120mmφ之聚碳酸酯所构成之透明的基板。其次以重量比95∶5混合下述[化23]所示之三次甲基系花青色素NK-2084(日本感光色素研究所制)及以下述[化24]表示之金属络合物之光稳定化剂，将此混合物溶解於氟化醇例如2，2，3，3-四氟-1-丙醇(东京化成公司制，以下简称TFP)成为3重量％，将该溶液以旋转涂布於基板表面，形成由膜厚60nm之感光色素膜所构成之光干涉层。化23化24以可见紫外分光光度计/U-4000((株)日立制作所制)测定该光干涉层之吸收光谱[吸光度(AbS)之波长400～800nm之波长依存性]得到如图2之光谱。次波峰对主波峰之吸光度比(与图1之吸光度比h2/h1对应)为0.74，光谱之半值宽度(与由主波峰及次波峰所构成之光谱对图1之h1/h2之宽度d对应)为96nm。在此光干涉层上由基板之44mmφ～117mmφ之全领域藉由溅镀法作成膜厚80nm之AU膜，形成反射层。此反射层上旋转涂布紫外线硬化树脂SD-211(大日本油墨化学工业公司制)，该涂膜上照射紫外线使之硬化形成膜厚5μM之保护膜。进而，将紫外线硬化树脂SD-318(大日本油墨化学工业公司制)滴入基板之保护膜及未形成该保护膜之光干涉层上，然後将相同方法所形成之其他基板置於其上，藉由旋转涂布法使树脂扩散至其间隙後，再由重叠之基板侧照射紫外线硬化之，在基板之32mmφ～120mmφ之领域内形成由树脂所构成之厚度25μM的粘著层，贴合重叠之基板，制成贴合型之光盘。依据NA(开口率(numericalaperture))＝0.6激光波长＝635nm之DDU-1000(Pulsetex公司之记录机以线速3.5M/秒记录於上述制得之光盘上，再以横河电机公司制时间间隔分析仪/TA-320测定振动。依据DVDSpecificationforRead-onlyDisc之规格时，DatatoC1ockJitter系指以通道位速度＝26.6mbps(38.23nSEc)为基准时钟脉冲，将二值资料边缘信号的偏差值σ形成规格化者。关於Jitter之评价基准系以最小沟纹长为0.4μm，对於线速3.5M/秒之EFM信号进行调制。以时钟脉冲规格化时，进而，为了使信号错误而不会反调制时，9％为其限度，理想为8.5％以下，换言之最高也不超过8.5％较理想。又使用波长650nm之激光测定记录後之调制度I14/ItopItop为HF(EFM)信号之最大反射光量，几乎与I14之最大反射光量一致。I14系被记录之组群内之被记录之最长沟纹中，被衍射返回对物镜之光量及在非沟纹部之反射返回透镜之光量差所构成之光学调制成分的信号。对於上述制得之光盘进行W.O.M.(Weather-ometer)之耐光试验。其测定条件系使用东洋精机制作所制Atolasweather-ometerC135A，在温度30℃，湿度70～80％RH之气氛下，使氙光源之6.5kw之光通过光盘之主面照射80小时，求出试验前後之上述调制度(I14/Itop)，并进行比较。上述各测定值的结果如表1所示。表中表示现在通用的规格值。此实施例系使用上述一般式[化1]中，A，A’同时为具有一个硝基之苯环，R，R’同为相同之碳数8之烷基之三次甲基系花青色素的例子，可藉由波长635nm之激光记录及藉由波长650nm之激光再生，调制度高，且Jitter也不高。由耐光试验前後之调制度得知耐光性良好。实施例2除了使用上述一般式[化1]之下述[化25]之三次甲基系花青色素取代实施例1之三次甲基系花青色素NK-2084外，其余同实施例1的方法制作由色素层所构成之光干涉层及进行下述步骤制作光盘，同实施例1的方法测定光干涉层的结果如图3，表1所示，对於光盘则同实施例1进行记录，测定结果如表1所示。此实施例之光盘虽与实施例1所用的色素在上述一般式[化1]中R，R’为同样的苯基乙基方面有所不同，但可藉由波长635nm之激光进行记录及可藉由波长650nm之激光进行再生，Jitter不高，调制度也稍微优於实施例1。化25实施例3除了以重量化60∶35∶5使用实施例1之三次甲基系花青色素NK-2084，以下述[化26]表示之三次甲基系花青色素NK-4370(日本感光色素研究所制)及金属配位化合物外，与实施例1相同制作由色素层所构成之光干涉层及进行後述步骤制作光盘，同实施例1测定光干涉层结果如图4，表1所示，对於光盘则同实施例1进行记录，测定结果如表1所示。化26此实施例之光盘系使用混合(重量比60∶35)属於上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素NK-2084和属於上述一般式[化10]之上述三次甲基系花青色素NK-4370的例子，可藉由波长635nm之激光记录以波长650nm之激光进行再生，Jitter高於实施例1，2，调制度也较差，皆无法符合规格值。实施例4除了实用实施例2之上述[化25]所示之三次甲基系花青色素及不使用上述[化24]之金属配位化合物外，其余同实施例2制作由色素层所构成之光干涉层及进行後述的步骤制作光盘，同实施例1测定光干涉层的结果如表1所示(光干涉层之吸收光谱，依据此吸收光谱之计算值h2/h1，d几乎与图2一致)，对於光盘则同实施例1进行记录，测定的结果如表1所示。此实施例之光盘系未并用金属配位化合物之光稳定剂之例子，可藉由波长635nm之激光来记录及藉由波长650nm之激光进行再生，Jitter不高，调制度优於实施例1，2，但耐光试验结果稍差。比较例1除了使用偶氮色素(Altorich公司制，型号36，482，DisperseRed13)取代实施例1之三次甲基系花青色素NK-2084，及不使用上述[化24]之金属配位化合物外，其余同实施例1制作由色素层所构成之光干涉层及进行後述之步骤制作光盘，同实施例1测定光干涉层的结果如图5，表1所示，对於光盘则同实施例1进行记录，测定的结果如表1所示。此比较例之光盘系使用不属於上述一般式[化1]且也不属於花青色素之偶氮色素，且未并用作为光稳定化剂之金属络合物之例子，而次波峰/主波峰之吸光度比，由主波峰及次波峰所构成之光谱的半值宽度皆大於上述实施例，又Jitter在规格外，耐光试验结果也差。由以上结果得知实施例与比较例比较时，其次波峰/主波峰之吸光度比及半值宽度有明显差异，且实施例之光干涉层之吸收波峰比比较例更尖锐，此事实可充分反映Jitter特性。在实施例中并用作为光稳定化剂之金属错合物时，明显提高耐光性。由这些结果得知上述本案发明可限定「Jitter为8.5以下，调制度为70％以上(不并用属於上述一般式[化1]之色素时，而并用时为66％以上)」，另外可限定「光干涉层其可见紫外分光光度计之最大吸收波峰(主波峰)波长及第二大吸收波峰(次波峰)波长在500～655nm之范围内」。上述本案发明限定为「一般式[化1]」，「一般式[化10]」，「一般式[化19]」之各种组合之一部分，或限定为理想之实施例所举之色素或金属络合物之一部分或全部，更进一步可追加上述之限定事项。本发明系提供一种光信息记录介质，其特徵系可设置对於DVD之记录用之短波长激光可改善色素之主波峰与次波峰之吸光度比，且使用这些波峰所构成之光谱之半值宽度缩小形成尖锐之波峰之光干涉层，藉此达到记录灵敏度佳，较薄膜厚之光涉层，且调制度或Jitter等之特性优，记录功率低，可进行高速记录。附图之简单说明[图1]系表示本发明之由含有不属於上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素(属於上述一般式[化10]之色素)之色素层所构成之光干涉层之吸收光谱图。系表示本发明之由含有属於上述一般式[化1]之一例之色素之色素层所构成之光干涉层的吸收光谱图。系表示本发明之由含有属於上述一般式[化1]之其他例之色素之色素层所构成之光干涉层的吸收光谱图。系表示本发明之由并用属於上述一般式[化1]之色素(与图3相同的色素)与属於上述一般式[化10]之色素之色素层所构成之光干涉层的吸收光谱图。系表示由含有偶氮色素之色素层所构成之光干涉层之吸收光谱图。<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="666">吸收波峰之吸光度比(与图1之h2/h1对应)光谱之半值宽度(nm)(与图1，d对应)Jitter(％)调制度I14/Itop(％)耐光试验前耐光试验后规格值--小于9大于60大于60实施例10.74968.07065实施例20.77988.07268实施例30.79998.56662实施例40.77988.07420比较例10.9713015.07015</table></tables>权利要求1.一种光信息记录介质，系在基板上具有含色素层之光干涉层的光信息记录介质，其特徵为该色素层含有以下述一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素，该光干涉层可藉由选自波长620nm～690nm波长领域之激光进行记录及再生，化1[其中A系表示下列一般式[化2]～[化5]中之任一个，化2化3化4化5A’系表示下列一般式[化6]～[化9]中之任一个，化6化7化8化9A与A’系可相同或不同(但m，n为取代基的数目，分别为1或复数的整数)，R，R’系表示选自取代或非取代之烷基，羧基，烷氧基羰基，烷基羧基，烷氧基，烷基羟基，芳烷基，烯基，烷基酰胺基，烷基胺基，烷基磺酰胺基，烷基氨基甲酰基，烷基胺磺酰基，羟基，卤原子，烷基烷氧基，卤化烷基，烷基磺酰基，与金属离子或烷基键合之烷基羧基或烷基磺酰基，苯基，苄基，烷基苯基及苯氧基烷基(可以烷基，羧基，羟基，卤原子等之金属离子以外之取代基取代苯环部分及/或烷基部分之氢原子，前述苯基，苄基，烷基苯基之该部分也相同)之群的取代基，可相同或不同，X--系表示选自卤原子，PF6-，SbF6-，磷酸，高氯酸，硼氟化氢酸，苯磺酸，甲苯磺酸，烷基磺酸，苯羧酸，烷基羧酸，三氟甲基羧酸，高碘酸，SCN-，四苯硼酸及钨酸的阴离子群的阴离子]。2.如权利要求1所述的光信息记录介质，其中色素层除了上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素外，还含有其他的色素，且全色素中至少含有50重量％的该一般式[化1]之三次甲基系花青色素。3.如权利要求1或2所述的光信息记录介质，其中光干涉层系含有金属配位化合物。全文摘要本发明系提供一种光信息记录介质,系在基板上具有含色素层之光干涉层的光信息记录介质,该色素层含有以一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素,且该光干涉层可藉由选自波长620nm～690nm波长领域之激光进行记录及再生。文档编号G11B7/247GK1242569SQ99110608公开日2000年1月26日申请日期1999年7月19日优先权日1998年7月17日发明者田岛俊明,藤井彻,富泽祐寿,浜田惠美子申请人:太阳诱电株式会社