光记录介质的制作方法

专利名称：：光记录介质的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种可通过光束照射记录、擦除或重放信息的光信息记录介质。更具体地，涉及一种可重写的相变型光记录介质，如光盘、光卡或光带等，该记录介质可以擦除所记录的信息并可重写，且可以高速度高密度记录信息信号。下面描述常规的可重写的相变型光记录介质。常规的光记录介质具有以碲为主要成分的记录层。在记录时，用聚焦的脉冲激光束照射处于晶态的记录层，使其部分熔化，熔化部分由于热扩散急剧冷却并凝固，形成非晶态的记录标记。该记录标记的反射率小于晶态的反射率，可被光学地重放为已记录的信号。在擦除时，用激光束照射记录标记，将其加热到低于记录层熔点但高于结晶相变点的温度，使记录标记结晶，以回复到原始的未记录状态。用作这些可重写的相变型光记录介质的记录层的材料包括如合金Ge2Sb2Te5(N.Yamada等，Proc.Int.Symp.onOpticalMemory，1987，P61-66)。采用这些碲合金作为记录层的光记录介质具有高的结晶速度，可用一个圆形光束仅仅通过调节照射功率的大小进行高速度的重写。采用这种记录层的光记录介质，例如具有四层结构，即包括在由聚碳酸酯模压成型的透明衬底上依次设置的第一介电层、记录层、第二介电层和金属反射层。介电层用来防止在记录时记录层发生变形或穿孔。反射层用来在重放时通过其光学干涉效应增加信号对比度。与记录层接触的介质层所采用的公知的材料包括如硫化物如ZnS(西内等，第35回应用物理学会关系联合讲演会预稿集28P-EQ-3，P842，1988)、或内部应力小的材料如ZnS和SiO2的混合物膜(胡桃泽利光等，第35回应用物理学会关系联合讲演会预稿集28P-ZQ-3，P839，1988)。上述常规的可重写的相变型光记录介质具有下列问题如果包含硫化物如ZnS的层用作与记录层接触的层，则会出现下列问题，即，由于记录层的可擦除性劣化，难以在高线性速度和高密度的记录条件下确保足够的可擦除性能，且在重复记录时，因信号幅度减小和擦除性能劣化而导致重放信号的不稳定性增加。而且，常规的结构还有下列问题。首先，如果光记录介质保存一段长的时间(下称存档性能)，记录标记会消失，介电层会与记录层分离，导致胀裂的发生。其次，当已记录有信号且已长时间保存的光记录介质在其记录有信号的轨道上重写时(下称重写分格性能)，信号的不稳定性会增加，导致错误的发生。总之，这种光记录介质的保存持久性能不好。例如，国际公开WO96/17344号公报中公开了一种设置与记录层相接触的碳的结构。更具体地，第二介电层中包含碳，或向碳中添加有金属或半金属的混合物。在这种情况，通过使记录层保持为在晶态时的记录层的吸光量大于非晶态时来减小记录标记的尺寸偏差。但是，这种光记录介质结构具有上述的反复重写性能和保存持久性能不足的问题。日本专利特开平3-100936中公开了一种光记录介质，依次具有衬底、介电层、记录层、碳层和介电层，并声称由于碳层可吸收光而提高了灵敏性。但是，这种结构的缺点在于上述的反复重写性能和保存持久性能仍得不到解决。日本专利特开平2-139283公开了一种光记录介质，包括衬底、透明层(ZnS或ZnS+C)、碳层(≤10nm)、记录层(Ge2Sb2Te5)、碳层(≤10nm)、以及反射层。但是，这种结构的缺点在于，在高密度边缘记录的情况下，上述的反复重写性能和保存持久性能仍得不到解决。本发明的目的在于提供一种可重写的相变型光记录介质，因反复重写造成的劣化如不稳定性增加、对比度减小、胀裂等情形减少。本发明的另一目的在于提供一种可重写的光记录介质，其保存持久性能如存档性能和重写分隔性能优良。本发明的目的在于提供一种光记录介质；在其衬底上至少依次层叠有第一介电层、与记录层相接触的第一边界层、和记录层，通过向记录层照射光束可以记录、擦除和重放信息，且信息的记录和擦除是通过记录层的晶态和非晶态之间的可逆相变实现的，其中所述第一边界层主要包括从下列物质中选出的至少一个，即，(1)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氧化物，(2)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的碳化物，(3)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氮化物，以及(4)碳，或碳和氧和/或氮的复合物；而且，所述记录层包括由下式(I)表示的组分，即，[(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-y-zSbyAz(I)式中，A是周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族的元素但Ge、Sb和Te除外，且x、y和z满足下列关系0.2≤x≤0.8、0.01≤y≤0.08、z＝0，或0.2≤x≤0.8、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2。另外，本发明还提供一种光记录介质；在其衬底上至少依次层叠有第一介电层、与记录层相接触的第一边界层、记录层和与记录层相接触的第二边界层，通过向记录层照射光束可以记录、擦除和重放信息，且信息的记录和擦除是通过记录层的晶态和非晶态之间的可逆相变实现的，其中所述第一和第二边界层主要包括从下列物质中选出的至少一个，即，(1)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氧化物，(2)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的碳化物，(3)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氮化物，以及(4)碳，或碳和氧和/或氮的复合物；而且，所述记录层包括由下式(II)表示的组分，即，[(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-y-zSbyAz(II)式中，A是周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族的元素但Ge、Sb和Te除外，且x、y和z满足下列关系0.2≤x≤0.95、0.01≤y≤0.08、z＝0，或0.2≤x≤0.95、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2。图1是用俄歇电子能谱仪得到的试样A的深度方向分布图，试样AGe-Sb-Te(记录层7nm)/C(第一边界层2nm)/ZnS-SiO2(第一保护层93nm)/衬底；图2是用俄歇电子能谱仪得到的试样B的深度方向分布图，试样BGe-Sb-Te(记录层7nm)/C(第一边界层5nm)/ZnS-SiO2(第一保护层93nm)/衬底；图3是试样A中的碳的KLL俄歇电子能谱曲线；图4是试样B中的碳的KLL俄歇电子能谱曲线；图5是通过分解图1的碳的深度图谱得到的三种组分的曲线图，即从Ge-Sb-Te层和碳层的边界获得的谱线、从法线方向的碳层的中心获得的谱线、和从碳层和ZnS-SiO2层的边界获得的谱线；图6是通过分解图2的碳的深度图谱得到的三种组分的曲线图，即从Ge-Sb-Te层和碳层的边界获得的谱线、从法线方向的碳层的中心获得的谱线、和从碳层和ZnS-SiO2层的边界获得的谱线；作为本发明试图解决的问题，在反重复写时的性能劣化如不稳定性增加、对比度下降等的起因被认为是第一介电层的组分流入记录层。而且，重写时不稳定性增加的直接原因是可擦除性能的劣化。擦除性能劣化的原因被认为是当记录标记(非晶态相)长时间保存时，其状态例如原子排列发生变化，或介电层与记录层发生了反应。本发明人进行了深入地研究并发现如果在第一介电层和记录层之间设置后述的边界层，因反复重写造成的劣化可改善，而且因重写分格性能造成的信号不稳定性也可改善。优选地，将本发明用在以≤0.7μm的最小标记长度和≥5m/s的线性速度进行标记长度记录的光记录介质上。在这种高密度和高线性速度记录中，信号不稳定性增加，对比度大大下降，对光记录介质的记录性能造成不利的影响。所以，本发明的改进效果是很明显的。本发明的光记录介质的典型层结构是，例如，在透明衬底上依次层叠第一介电层、第一边界层、记录层、第二介电层和反射层，但并不局限于这种层结构。下面描述本发明的光记录介质的各层。适合用作第一介电层的材料是包括ZnS和SiO2的混合物。由于此材料残余应力小，在反复重写时不太可能发生胀裂。包括ZnS、SiO2和碳的混合物是更优选的，因为这种层中的残余应力更小，且即使在反复记录和擦除时记录灵敏性、载噪比(C/N)和擦除率也不会劣化。第一介电层的厚度根据光学条件确定，优选为5～500nm。如果厚度超出这个范围，有可能萌生裂纹；如果小于该范围，衬底有可能被反复重写热损坏从而使重写性能下降。第一介电层的厚度为10～200nm是特别优选的。在本发明中，必须在上述第一介电层和记录层之间形成边界层。该边界层称作第一边界层。第一边界层形成为与记录层相接触。而且，在本发明中，在与第一边界层相反的一侧优选形成与记录层相接触的另一边界层。该另一边界层称作第二边界层。本发明的第一边界层和第二边界层主要包括从以下选择的一种物质(1)元素周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氧化物；(2)元素周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的碳化物；(3)元素周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氮化物；以及(4)碳、或碳与氧和/或氮的化合物。这些层“主要包括”指这些层的全部组分中包括至少≥50摩尔％，优选为≥60摩尔％的该物质”。本发明中的从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)可以是从B、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、W、Re、Ir、Tl和Pb中选择的至少一个。第一边界层和第二边界层可以由相同的材料构成，也可各由不同的材料构成。第一边界层可防止因反复重写造成的不稳定性的增加和重放信号幅度的减小。其原因被认为是第一边界层用作防止第一介电层的组分向记录层扩散的阻挡层。而且还可以改善因重写分格性能造成的信号不稳定性的增加。其原因被认为是即使光记录介质保存一段长的时间，也可防止状态的变化如记录层中的原子排列的变化，并防止介电层和记录层之间的反应。而且，如果设置第二边界层，可进一步增强上述效果。优选地，本发明的边界层中的氧含量、碳含量或氮含量小于化学计量比，因为由于高的粘结强度，边界层和记录层之间不太可能在其界面上发生分层。优选地，为了增加边界层和记录层之间的键合效果和记录层的结晶化效果，应增加边界层中的属于第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素的浓度。另一方面，考虑到边界层的热和化学稳定，优选地，这些层包含较多的氧、碳或氮。所以，作为边界层法线方向上的元素浓度分布，优选地，在与记录层接触的一侧，第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素较高，即氧、碳或氮的浓度较低；而在与记录层相反的一侧，第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素较低，即氧、碳或氮的浓度较高，因为这种浓度分布可以有效地满足记录层和边界层之间的高结合强度和高的膜热和化学稳定性。优选地，第一边界层和/或第二边界层的材料是从铝、硅、钛、铬、锗和锆中选择的任一元素的氧化物、碳化物、或氮化物，因为其可擦除性能优良，且在长期保存时不易造成层间分离。尤其优选从下面几类中选出的材料，即由下式(III)表示的氧化铝、下式(IV)表示的碳化硅、下式(VI)表示的氮化钛、下式(V)表示的氮化铬、下式(VII)表示的氮化锗。Al3O3-p(0≤p≤2.0)(III)如果p＝0，边界层和记录层之间结合力不够，且在长期保存和反复记录时会发生分层和胀裂。如果p＞2.0，由于边界层和记录层之间可能会发生反应，可能会发生擦除性能的下降和信号幅度的减小，而且还会在反复记录时发生胀裂。优选地，p应为0.5～1.8，因为此时几乎不会发生胀裂。SiCq(0.3＜q＜1)(IV)如果q≥1，边界层和记录层之间结合力不够，且在长期保存和反复记录时会发生分层和胀裂。如果q≤0.3，由于边界层和记录层之间可能会发生反应，可能会发生擦除性能的下降和信号幅度的减小，而且还会在反复记录时发生胀裂。优选地，q应为0.3～1，因为此时几乎不会发生胀裂。TiNr(0.5＜r＜1)(V)如果r≥1，边界层和记录层之间结合力不够，且在长期保存和反复记录时会发生分层和胀裂。如果r＜0.5，由于边界层和记录层之间可能会发生反应，可能会发生擦除性能的下降和信号幅度的减小，而且还会在反复记录时发生胀裂。优选地，p应为0.5～1，因为此时几乎不会发生胀裂。CrNs(0.8＜s＜1)(VI)如果S≥1，边界层和记录层之间结合力不够，且在长期保存和反复记录时会发生分层和胀裂。如果s＜0.8，由于边界层和记录层之间可能会发生反应，可能会发生擦除性能的下降和信号幅度的减小，而且还会在反复记录时发生胀裂。优选地，p应为0.8～1，因为此时几乎不会发生胀裂。GeNt(0.2＜t＜1)(VII)如果t≥1，边界层和记录层之间结合力不够，且在长期保存和反复记录时会发生分层和胀裂。如果pt＜0.2，由于边界层和记录层之间可能会发生反应，可能会发生擦除性能的下降和信号幅度的减小，而且还会在反复记录时发生胀裂。优选地，p应为0.2～1，因为此时几乎不会发生胀裂。而且，如果第一边界层中锗存子数为mr，氮原子数为nr，第二边界层中锗原子数为mo，氮原子数为no，优选地满足以下关系5mo/no＞mr/nr＞mo/no。考虑到为了不发生分层，锗原子数m和氮原子数n之间的关系优选为m＞n。更优选地，0.6m＞n，因为此时在反复记录时不会发生胀裂。如果0.01m＞n，重写性就会下降。锗原子可以部分地被另一种元素替代而保持同样的性能。出于经济上的考虑，最好用价格低廉的元素如铬来替代。由于记录层很薄，与其接触的层即第一和第一边界层的物理性能、材料、状态等都会严重影响记录层的结晶速度和化学上亚稳的非晶态的保存稳定性。如果在与记录层接触的层中采用了硫化物，则不适于进行高线性速度和高密度的记录因为记录层的结晶化速度降低。如果采用了与记录层接触的本发明的第一和第二边界层，则适于进行高线性速度和高密度的记录，因为记录层的结晶化速度提高。尤其是第一和第二边界层都提供时，可以大大提高结晶化速度。从不发生分层和光学条件的角度考虑，第一边界层的厚度优选为0.5～10nm。如果厚度超过10nm，该层可能会从第一介电层和记录层上分离。如果厚度小于0.5nm，则难以通过蒸发以均匀膜厚淀积该层，且可能得不到第一边界层的效果。从不发生分层和光学条件的角度考虑，第二边界层的厚度优选为0.5～50nm，但并不局限于该范围。如果厚度超过50nm，可能会发生分离。如果厚度小于50nm，则难以通过蒸发以均匀膜厚淀积该层，且可能得不到第二边界层的效果。如果碳层用作第一和第二边界层，考虑到碳膜的汽相淀积速率和重复性，优选地厚为0.5～4nm。选择第二边界层的优选厚度范围的原因如下。图1是用俄歇电子能谱仪(PHI-670，PERKINELMER社制造)得到的试样A的深度方向分布图，试样AGe-Sb-Te(记录层7nm)/C(第一边界层2nm)/ZnS-SiO2(第一保护层93nm)/衬底；图2是用俄歇电子能谱仪(PHI-670，PERKINELMER社制造)得到的试样B的深度方向分布图，试样BGe-Sb-Te(记录层7nm)/C(第一边界层5nm)/ZnS-SiO2(第一保护层93nm)/衬底。以用氩离子溅射蚀刻试样表面的时间为横轴，而与距试样表面的深度即层厚对应的从各元素检验到的俄歇电子的峰值强度为纵轴。也即，示出了不同深度的元素比。图3是溅射时间分别为1.0分钟、1.8分钟和3.2分钟时试样A中的碳的KLL俄歇电子能谱曲线，分别对应于从Ge-Sb-Te层和碳层的边界获得的谱线、从法线方向的碳层的中心获得的谱线、和从碳层和ZnS-SiO2层的边界获得的谱线；图4是溅射时间分别为1.4分钟、3.8分钟和6.4分钟时试样B中的碳的KLL俄歇电子能谱曲线，分别对应于从Ge-Sb-Te层和碳层的边界获得的谱线、从法线方向的碳层的中心获得的谱线、和从碳层和ZnS-SiO2层的边界获得的谱线。从图3和图4所示，这三条谱线在形式上各不相同。图3和图4的从法线方向的碳层的中心获得的谱线可被认为是石墨的谱线。从Ge-Sb-Te层和碳层的边界获得的谱线在266eV时显示出归因于碳化物的峰值，由此可看出碳与ZnS-SiO2层在化学上是结合的。从碳层和ZnS-SiO2层的边界获得的谱线在从Ge-Sb-Te层和碳层的边界获得的谱线和从法线方向的碳层的中心获得的谱线之间，由此可看出在碳和Ge-Sb-Te之间存在接近化学键合的交互作用。图5和图6分别是通过分解图1和图2碳的深度图谱得到的三种组分的曲线图，即从Ge-Sb-Te层和碳层的边界获得的谱线、从法线方向的碳层的中心获得的谱线、和从碳层和ZnS-SiO2层的边界获得的谱线。比较图5和图6可以看出，与试样A相比，尤其是从碳层中心获得的谱线分量上，试样B的碳层比较厚，即石墨分量较大。从上述结果可以认为，由于边界层和与其接触的记录层和介电层以化学键或接近化学键的相互作用较强地结合，在反复记录时几乎不会发生分层。而且在长期保存时也不会发生分层，这被认为是由于长期保存稳定性得到了提高。但是如果边界层的厚度更大，由于这意味着在记录层的法向的中心附近存在的不太强的层的厚度增加，在反复记录时这部分容易被破坏造成胀裂。如果不设置第二边界层，本发明的记录层的组分必须在下式(I)表示的范围内[(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-y-zSbyAz(I)式中，A是周期中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族的元素但Ge、Sb和Te除外，且x、y和z满足下列关系0.2≤x≤0.8、0.01≤y≤0.08、z＝0，或0.2≤x≤0.8、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2。如果x＜0.2，晶态相和非晶态之间的对比度太小，得不到足够的信号强度。如果x＞0.8，结晶化速度减小从而降低了可擦除性能，使得线速度≥5m/s、最小标记长度≤0.7μm的直接记录变得困难，如果z＝0且y＜0.01，非晶态稳定性下降且存档性能很差。如果y＞0.08，初次擦除性能变差，重写分格性能变差。如果z＞0.2，结晶化速度减小，降低可擦除性能，使得线速度≥5m/s、最小标记长度≤0.7μm的直接记录变得困难，且由于相的分离而大大降低重复性能。而且重写分格性能会变差。如果z＝0，非晶态稳定性下降，存档性能也变差。在本发明中，如果设置了第二边界层，为使记录层的结晶化速度加快，且非晶态的稳定性变化，记录层的组分必须在下式(II)表示的范围内[(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-y-zSbyAz(II)式中，A是周期中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族的元素但Ge、Sb和Te除外，且x、y和z满足下列关系0.2≤x≤0.95、0.01≤y≤0.08、z＝0，或0.2≤x≤0.95、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2。如果x＜0.2，晶态相和非晶态之间的对比度太小，得不到足够的信号强度。如果x＞0.95，结晶化速度减小从而降低了可擦除性能，使得线速度≥5m/s、最小标记长度≤0.7μm的直接记录变得困难，如果z＝0且y＜0.01，非晶态稳定性下降且存档性能很差。如果y＞0.08，初次擦除性能变差，重写分格性能变差。如果z＞0.2，结晶化速度减小，降低可擦除性能，使得线速度≥5m/s、最小标记长度≤0.7μm的直接记录变得困难，且由于相的分离而大大降低重复性能。而且重写分格性能会变差。如果z＝0，非晶态稳定性下降，存档性能也变差。在DVDSpecificationsforRewritableDisc/Part1.PhysicalSpecificationsVer.1.0中描述的光记录介质和评估方法中，可以清楚地看到记录层的上述成分范围与记录性能的关系的趋势。在上面，更优选地元素A是从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)，即可以是从B、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、W、Re、Ir、Tl和Pb中选择的至少一个。优选地，本发明记录层的厚度为5～40nm。如果记录层的厚度小于上述范围，反复重写的记录性能变差。如果记录层的厚度大于上述范围，会因反复重写而朝着记录层移动导致信号不稳定性增加。尤其采用标记长度记录时，在坑位记录(pitpositionrecording)相比，可能会因记录和擦除发生记录层的移动。为防止这一点，在记录时记录层必须更加深冷。优选地，记录层的厚度为7～35nm，更优选为7～25nm。本发明的第二介电层的材料可以与第一介电层的材料相同，也可不同。优选地，第二介电层的厚度为2～50nm。如果第二介电层的厚度小于上述范围，会产生裂纹等缺陷造成反复记录持久性的下降。如果第二介电层的厚度大于上述范围，记录层的冷却程度下降。第二介电层的厚度严重影响记录层的冷却。为了获得更好的擦除性能和重复持久性，尤其是在标记长度记录中获得好的记录性能和擦除性能，第二介电层的厚度优选为≤30nm。优选地，第二介电层由不透明材料构成，以吸收用作记录和擦除的有效热能的光。例如，优选包括ZnS、SiO2和碳的混合物。该混合物之所以优选，是因为膜中的残余应力小以及记录灵敏性、载噪比(C/N)、擦除速度等在反复记录和擦除不大可能会劣化。在本发明中，如果根据需要设置了反射层，则可以提高记录灵敏性和重放的信号的强度。反射层的材料可以是可射光的金属、合金或包括金属和金属化合物的混合物。优选的材料包括具有高反射率的金属如Al、Au、Ag和Cu、主要由其组成的合金、Al和Si等的氮化物和氧化物、以及诸如硫族化合物的金属化合物。诸如Al、Au和Ag的金属和主要向其组成的合金是特别优选的，因为它们可获得高的反射率和高的热传导性。尤其考虑到材料成本时，主要由Al或Ag组成的合金是优选的。反射层的厚度通常为10～300nm。考虑到高的记录灵敏性和大的重放信号的强度，30～200nm是优选的。下面描述本发明的制造光记录介质的方法。在衬底上形成第一介电层、第一边界层、记录层、第二边界层、第二介电层、反射层等的方法可以是真空中的成膜法，例如真空蒸发、离子镀或溅射等。尤其优选溅射，因为其组分和层厚可以容易地控制。如果第一和第二边界层由氧、氮或碳等的化合物组成，反应溅射优选采用氧、氮或氢气。通过用例如石英振子膜厚测量仪调整淀积状态，可以容易地控制例如记录层的厚度。形成反射层后，只要不严重损害本发明的效果，可以形成ZnS、SiO2或ZnS-SiO2的介电层、或由例如紫外线硬化树脂构成的保护层，以防止缺陷或变形。下面结合实施例描述本发明。(分析和测量方法)用ICP发射谱仪(Seiko电子工业(株)制)确定每一反射层或记录层的成分。在成膜过程中，每一记录层、介电层或反射层的厚度用石英振子膜厚测量仪检测。通过用扫描电子显微镜或透射电子显微镜观察断面来测量各层的厚度。用X射线光电谱仪(SSX-110，SSI制)和卢瑟福背散射测量仪(AN-2500，日新HighVoltage(株)制)测试每一第一或第二边界层的组分。在记录前用波长830nm的半导体激光束照射溅射形成有各层的光记录介质的整个表面上的全部记录层，使其结晶和初始化。然后，用光头以标记长度记录方式在槽中重写100,000次8/16调制随机图形，半导体激光的波长为660nm，物镜数值孔径为0.6，线速度为6m/s。此处使用的记录激光具有普通的多通路波形。窗口宽度为34ns(最短标记长度为0.63μm)。记录功率和擦除功率设为最佳值。用时间间隔分析仪测量信号的不稳定值(跳动值)。用谐振仪观测信号波形幅度的减小和胀裂的出现。(实施例1)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成95nm厚的第一介电层。然后，溅射碳靶以形成2nm厚的碳组成的第一边界层。然后，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge17.1Sb27.6Te55.3{即〔(Ge0.5Te0.5)0.349Sb0.4Te0.6)0.651〕0.979Sb0.021}组成的20nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZbS-SiO2形成16nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成150nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.09ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.5×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.0×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.1×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.40ns(窗口宽度的10％)。而且，对同样的光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时。放置前和放置后的位的出错率分别为1.5×10-5和2.0×10-5，几乎没有变化，且二者都未发现分层引起的胀裂。(实施例2)除了反射层由Al98.0Hf1.8Pd0.2组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。按实施例1所述进行测量，得到了几乎相同的结果。(实施例3)除了记录层由(Ge2Sb2Te5)0.99Nb0.11{即〔(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.990Nb0.010}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.41ns(窗口宽度的10％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.5×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.0×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为2.1×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.83ns(窗口宽度的11％)。若分别用Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Y、Zr、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、La、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Tl或Pb等取代Nb，可以得以几乎相同的结果。(实施例4)除了含20mol％的ZnS靶和碳靶同时溅射，以形成由〔(ZnS)80(SiO2)20〕90C10组成的第二介电层以外，与上述实例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.75ns(窗口宽度的11％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.5×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.8×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为2.1×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.05ns(窗口宽度的9％)。而且，对同样的光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时。放置前和放置后的位的出错率分别为2.5×10-5和2.8×10-5，几乎没有变化，且二者都未发现分层引起的胀裂。(实施例5)除了在记录层和第二介电层之间形成由碳组成的2nm厚的第二边界层；且记录层由Ge16.2Sb30.6Te53.2{即〔(Ge0.5Te0.5)0.345(Sb0.4Te0.6)0.665〕0.941Sb0.059}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.05ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光盘记录一次时，位的出错率为0.8×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.0×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为0.8×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.55ns(窗口宽度的7.5％)。而且，对同样的光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时。放置前和放置后的位的出错率分别为1.0×10-5和1.2×10-5，几乎没有变化，且二者都未发现分层引起的胀裂。(实施例6)除了在氩∶氧＝9∶1的混合气体中以0.2Pa的压强下溅射碳靶，以在记录层和第二介电层之间形成由碳和氧组成的2nm厚的第二边界层以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.39ns(窗口宽度的10％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光盘记录一次时，位的出错率为1.0×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.0×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为0.9×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.71ns(窗口宽度的8％)。而且，对同样的光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时。放置前和放置后的位的出错率分别为2.2×10-5和2.5×10-5，几乎没有变化，且二者都未发现分层引起的胀裂。(实施例7)除了在氩∶氧∶氮＝8∶1∶1的混合气体中以0.2Pa的压强下溅射碳靶，以在记录层和第二介电层之间形成由碳、氧和氮组成的2nm厚的第二边界层以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.41ns(窗口宽度的10％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光盘记录一次时，位的出错率为2.5×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为2.5×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.72ns(窗口宽度的8％)。(实施例8)除了由碳组成的第一边界层的厚度为0.5nm以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.77ns(窗口宽度的11％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.0×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为2.0×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.75ns(窗口宽度的8％)。(实施例9)除了由碳组成的第一边界层的厚度为1.0nm以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.10ns(窗口宽度的9.1％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光记录介质记录一次时，位的出错率为3.0×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为1.0×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.82ns(窗口宽度的8.2％)。(实施例10)除了由碳组成的第一边界层的厚度为1.5nm以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.05ns(窗口宽度的8.9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.0×10-5。将记录后的光盘在空气中，(未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为2.0×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.65ns(窗口宽度的7.7％)。(实施例11)除了由碳组成的第一边界层的厚度为5.0nm以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写1,000次之后，观察其信号波形，观察到了胀裂现象。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.0×10-5。将记录后的光盘在空气(未进行加湿等的湿度调节)中，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为3.5×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.90ns(窗口宽度的8.5％)。(实施例12)除了记录层由Ge35.7Sb12.6Te51.7{即〔(Ge0.5Te0.5)0.728(Sb0.4Te0.6)0.272〕0.981Sb0.019}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.1×10-5。将记录后的光盘在空气(未进行加湿等的湿度调节)中，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.4×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为2.1×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.73ns(窗口宽度的8.0％)。(实施例13)除了记录层由Ge29.5Sb18.5Te52.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.611(Sb0.4Te0.6)0.389〕0.965Sb0.035}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.5×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.6×105，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为2.2×10-5。此时的信号不稳定值很好，为2.79ns(窗口宽度的8.2％)。(比较例1)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成95nm厚的第一介电层。然后，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge17.1Sb27.6Te55.3{即〔(Ge0.5Te0.5)0.349(Sb0.4Te0.6)0.651〕0.979Sb0.021}组成的20nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZnS-SiO2形成16nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成150nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。进行了与实施例1同样的测量。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为4.77ns(窗口宽度的14％)，是一个较大的值。其信号幅度为重写10次后的信号幅度的70％，对比度低。该光记录介质记录一次时，位的出错率为4.0×10-5。与实施例1同样地，将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.0×10-5，几乎没有变化。然而，对该部分重写一次时，损坏如此严重致使位出错率不能测量。出错是由于信号不稳定性造成的，此时的信号不稳定值为约6.13ns(窗口宽度的18％)。(比较例2)除了在记录层和第二介电层之间形成由碳组成的2nm厚的第二边界层以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。进行了与实施例1同样的测量。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为5.09ns(窗口宽度的15％)，是一个较大的值。其信号幅度为重写10次后的信号幅度的65％，对比度低。该光记录介质记录一次时，位的出错率为1.8×10-5。与实施例1同样地，将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.4×10-5，几乎没有变化。然而，对该部分重写一次时，损坏如此严重致使位出错率不能测量。出错是由于信号不稳定性造成的，此时的信号不稳定值为约6.46ns(窗口宽度的19％)。(比较例3)除了不形成第二介电层，且在记录层和反射层之间形成由碳组成的18nm厚的碳层之外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质，该碳层是在氩气气氛中0.2Pa下溅射碳靶形成的。进行了与实施例1同样的测量。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为5.11ns(窗口宽度的15％)，是一个较大的值。其信号幅度为重写10次后的信号幅度的60％，对比度低。将记录后的光盘在90℃，80％相对湿度下放置140小时，观察到因记录层和第二介电层之间的分层造成的胀裂。(比较例4)除了不形成第二介电层，且在记录层和反射层之间形成由碳组成的18nm厚的碳层之外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质，该碳层是在氩∶氧为9∶1的混合气氛中0.2Pa下溅射碳靶形成的。进行了与实施例1同样的测量。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为4.75ns(窗口宽度的14％)，是一个较大的值。其信号幅度为重写10次后的信号幅度的65％，对比度低。将记录后的光盘在90℃，80％相对湿度下放置140小时，观察到因记录层和第二介电层之间的分层造成的胀裂。(比较例5)除了记录层由Ge2Sb2Te5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.556}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为4.08ns(窗口宽度的12％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.5×10-5。将该光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时，然后，测量了同一部位的位出错率，发现为9.0×10-3，损坏严重。观察了重放的波形，发现幅度减小。这就认为是非晶态部分只有部分结晶化。即使记录层由Ge1Sb2Te4{即〔(Ge0.5Te0.5)0.287(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.714}组成，光盘在90℃，80％相对湿度下放置140小时也会被损坏，位出错率为5.0×10-3～2.0×10-2，表现出非常差的存档性能。(比较例6)除了记录层由Ge14.0Sb36.0Te50.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.318(Sb0.4Te0.6)0.682〕0.880Sb0.120}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写10次后测量了信号不稳定值，发现至少为6.83ns(窗口宽度的20％)，其原因，被认为是低的擦除性能造成的。(比较例7)除了记录层由Ge42.0Sb9.0Te49.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.878(Sb0.4Te0.6)0.122〕0.957Sb0.043}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写10次后测量了信号不稳定值，发现至少为6.81ns(窗口宽度的20％)，其原因，被认为是低的擦除性能造成的。(比较例8)除了记录层由Ge6.0Sb38.0Te56.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.126(Sb0.4Te0.6)0.874〕0.953Sb0.047}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写10次后测量了信号不稳定值，发现至少为6.11ns(窗口宽度的18％)，其原因，被认为是低的擦除性能造成的。(比较例9)除了记录层由(Ge2Te2Te5)0.70Nb0.30{即〔(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.7Nb0.3}组成以外，与上述实施例1相同地制作了光记录介质。重写10次后测量了信号不稳定值，发现至少为6.80ns(窗口宽度的20％)，其原因，被认为是低的擦除性能造成的。(实施例14)除了记录层由Ge33.9Sb15.6Te50.5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.710(Sb0.4Te0.6)0.290〕0.955Sb0.045}组成，且第一介电层、碳层、记录层、碳层、第二介电层和反射层的厚度分别为100nm、2nm、15nm、2nm、18nm和150nm以外，与上述实施例5相同地制作了六层结构的光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.0×10-5。将记录后的光盘在空气(未进行加湿等的湿度调节)中，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.8×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为1.0×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.4ns(窗口宽度的10％)。(实施例15)除了记录层由Ge34.6Sb13.5Te51.9{即〔(Ge0.5Te0.5)0.706(Sb0.4Te0.6)0.294〕0.980Sb0.020}组成以外，与上述实施例13相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为7.05×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.0×10-4，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为1.27×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.4ns(窗口宽度的10％)。(实施例16)除了记录层由Ge37.0Sb11.0Te52.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.747(Sb0.4Te0.6)0.253〕0.990Sb0.010}组成以外，与上述实施例13相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.785×10-4。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率为3.15×10-4，不存在实用问题。。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为4.14×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.9ns(窗口宽度的11.3％)。(实施例17)除了记录层由Ge40.4Sb8.4Te51.2{即〔(Ge0.5Te0.5)0.818(Sb0.4Te0.6)0.182〕0.988Sb0.012}组成以外，与上述实施例13相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.57×10-3。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.9×10-3。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为1.39×10-3，说明重写后没有恶化。此时的信号不稳定值很好，为4.9ns(窗口宽度的13.1％)。(比较例10)除了记录层由Ge2Sb2Te5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.556}组成以外，与上述实施例5相同地制作了六层结构的光记录介质。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.5×10-5。将该光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时，然后，试图测量同一部位的位出错率，因损坏严重而未能成功。观察了重放的波形，发现幅度减小。这就认为是非晶态部分只有部分结晶化。即使记录层由Ge1Sb2Te4{即〔(Ge0.5Te0.5)0.286(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.714}组成，在90℃，80％相对湿度下放置140小时也会被损坏，位出错率为5.0×10-3，甚至更大而不能测量，表现出非常差的存档性能。(比较例11)除了记录层由Ge0.5Te0.5{即〔(Ge0.5Te0.5)1.00(Sb0.4Te0.6)0.00〕1.00Sb0.00}组成以外，与上述实施例13相同地制作了六层结构的光记录介质。对光记录介质记录一次，试图测量位出错率但失败了，原因在于不稳定值高达20％。(实施例18)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成95nm厚的第一介电层。然后，在含氮气50％的氩气氛溅射铬靶以形成2nm厚的由氮和铬组成的第一边界层。然后，在与第一介电层同样的条件下，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge17.1Sb27.6Te55.3{即〔(Ge0.5Te0.5)0.349(Sb0.4Te0.6)0.651〕0.979Sb0.021}组成的20nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZbS-SiO2形成15nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成110nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。测量了光盘的第一边界层在法线方向上的成分分布，在与记录层的界面的附近铬和氮的原子比Cr∶N为8∶2，而与第一介电层的界面的附近为8∶3。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.06ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.5×10-5。将记录后的光盘在大气中80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.0×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.1×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.42ns(窗口宽度的10％)。而且，用目视确认未发现分层引起的胀裂。(实施例19)除了第一边界层厚度为10nm以外，与上述实施例18相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.16ns(窗口宽度的9.3％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.8×10-5。将记录后的光盘在大气中80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.3×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.8×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.57ns(窗口宽度的10.5％)。而且，用目视确认未发现分层引起的胀裂。测量了第一边界层在法线方向上的成分分布，在与记录层的界面的附近铬和氮的原子比Cr∶N为8∶2，而与第一介电层的界面的附近为8∶3。(实施例20)除了第一边界层厚度为20nm以外，与上述实施例18相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.19ns(窗口宽度的9.4％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.5×10-5。将记录后的光盘在大气中80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.8×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.67ns(窗口宽度的10.8％)。而且，用目视确认未发现分层引起的胀裂。测量了第一边界层在法线方向上的成分分布，在与记录层的界面的附近铬和氮的原子比Cr∶N为8∶3.5，而与第一介电层的界面的附近为8∶3。(实施例21)除了用锗而不是铬来形成第一边界层，与上述实施例18相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.03ns(窗口宽度的8.9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.3×10-5。将记录后的光盘在大气中80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.3×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.3×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.33ns(窗口宽度的9.8％)。而且，用目视确认未发现分层引起的胀裂。测量了第一边界层在法线方向上的成分分布，在与记录层的界面的附近铬和氮的原子比Cr∶N为7∶2，而与第一介电层的界面的附近为7∶3。(实施例22)除了第一边界层厚度为8nm以外，与上述实施例21相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为2.99ns(窗口宽度的8.8％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.4×10-5。将记录后的光盘在大气中80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.4×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.1×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.34ns(窗口宽度的9.8％)。而且，用目视确认未发现分层引起的胀裂。测量了第一边界层在法线方向上的成分分布，在与记录层的界面的附近铬和氮的原子比Cr∶N为7∶2，而与第一介电层的界面的附近为7∶3。(实施例23)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成95nm厚的第一介电层。然后，在含氮气40％的氩气氛中，溅射其上有铬颗粒的锗靶以形成8nm厚的由锗、氮和铬组成的第一边界层。然后，在与第一介电层同样的条件下，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge17.1Sb27.6Te55.3组成的19nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZbS-SiO2形成15nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成110nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.06ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.3×10-5。将记录后的光盘在大气中80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.3×105，没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.0×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.39ns(窗口宽度的10％)。而且，用目视确认未发现分层引起的胀裂。测量了光记录介质的第一边界层在法线方向上的成分分布，在与记录层的界面的附近锗、铬和氮的原子比Ge∶Cr∶N为20∶5∶3，而与第一介电层的界面的附近为20∶5∶5。(实施例24)除了记录层由Ge19.1Sb26.9Te54.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.396(Sb0.4Te0.6)0.604〕0.964Sb0.036}组成以外，与上述实施例23相同地制作了光记录介质。对记录性能进行了测量，得到与实施例23几乎相同的结果。(实施例25)除了记录层由Ge21.0Sb25.2Te53.8{即〔(Ge0.5Te0.5)0.434(Sb0.4Te0.6)0.566〕0.967Sb0.033}组成以外，与上述实施例23相同地制作了光记录介质。对记录性能进行了测量，得到与实施例23几乎相同的结果。(实施例26)除了记录层由Ge15.5Sb28.8Te55.7{即〔(Ge0.5Te0.5)0.316(Sb0.4Te0.6)0.684〕0.980Sb0.020}组成以外，与上述实施例23相同地制作了光记录介质。对记录性能进行了测量，得到与实施例23几乎相同的结果。(实施例27)除了记录层由Ge18.0Sb26.8Te54.8Nb0.4(即{〔(Ge0.5Te0.5)0.371(Sb0.4Te0.6)0.629〕0.977Sb0.023}0.996Nb0.004)组成以外，与上述实施例23相同地制作了光记录介质。对记录性能进行了测量，得到与实施例23几乎相同的结果。(实施例28)除了记录层由Ge17.9Sb264Te55.1Ag0.6(即{〔(Ge0.5Te0.5)0.366(Sb0.4Te0.6)0.634〕0.984Sb0.016}0.994Ag0.006)组成以外，与上述实施例23相同地制作了光记录介质。对记录性能进行了测量，得到与实施例23几乎相同的结果。(实施例29)除了记录层第一边界层由铝、钛或锆而不是铬组成以外，与上述实施例18相同地制作了光记录介质。对记录性能进行了测量，得到与实施例18几乎相同的结果。即，重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为窗口宽度的9％，都是实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，都未观察到胀裂现象。这些光记录介质记录一次时，位的出错率分别为2.5×10-5、2.8×10-5、2.9×10-5。(实施例30)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成93nm厚的第一介电层。然后，在含氮50％的氩气氛溅射铬靶以形成2nm厚的第一边界层。然后，在与第一介电层同样的条件下，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge33.9Sb25.6Te50.5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.710(Sb0.4Te0.6)0.290〕0.955Sb0.045}组成的20nm厚的记录层。然后，在含氮40％、氩60％的氩气氛中溅射铬靶以形成2nm厚的第二边界层。接着，溅射与第一介电层同样的ZbS-SiO2形成13nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成110nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。该光记录介质记录一次时，位的出错率为3.9×10-5。将记录后的光盘在大气中80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为4.8×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率为2.0×10-4，可以确认在实用中没问题。此时的信号不稳定值很好，为3.4ns(窗口宽度的10％)。(实施例31)除了记录层由Ge34.1Sb15.3Te50.6{即〔(Ge0.5Te0.5)0.713(Sb0.4Te0.6)0.287〕0.958Sb0.042}组成以外，与上述实施例30相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为6.8×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.3×10-4，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为4.9×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.6ns(窗口宽度的10.6％)。(实施例32)除了记录层由Ge36.2Sb13.0Te50.8{即〔(Ge0.5Te0.5)0.747(Sb0.4Te0.6)0.253〕0.968Sb0.032}组成以外，与上述实施例30相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.9×10-4。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率为4.9×10-4，不存在实用问题。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为4.4×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为4.0ns(窗口宽度的11.8％)。(实施例33)除了记录层由Ge39.6Sb10.2Te50.2{即〔(Ge0.5Te0.5)0.818(Sb0.4Te0.6)0.182〕0.969Sb0.031}组成以外，与上述实施例30相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.5×10-3。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.9×10-3。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为2.2×10-3，说明重写后没有恶化。此时的信号不稳定值很好，为4.3ns(窗口宽度的12.6％)。(实施例34)除了记录层由Ge27.0Sb20.0Te53.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.555(Sb0.4Te0.6)0.445〕0.973Sb0.027}组成以外，与上述实施例30相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.9×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为4.1×10-4。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为6.7×10-5，说明重写后没有恶化。此时的信号不稳定值很好，为3.2ns(窗口宽度的9.4％)。(比较例12)除了记录层由Ge2Sb2Te5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.556}组成以外，与上述实施例30相同地制作了六层结构的光记录介质。该光记录介质记录一次时，位的出错率为3.0×10-5。将该光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时，然后，试图测量同一部位的位出错率，因损坏严重而未能成功。观察了重放的波形，发现幅度减小。这就认为是非晶态部分只有部分结晶化。即使记录层由Ge1Sb2Te4{即〔(Ge0.5Te0.5)0.286(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.714}组成，光盘在90℃，80％相对湿度下放置140小时也会被损坏，位出错率为4.1×10-3，甚至更大而不能测量，表现出非常差的存档性能。(比较例13)除了记录层由Ge0.5Te0.5{即〔(Ge0.5Te0.5)1.00(Sb0.4Te0.6)0.00〕1.00Sb0.00}组成以外，与上述实施例30相同地制作了六层结构的光记录介质。对光盘记录一次，试图测量位出错率但失败了，原因在于不稳定值高达20％。(实施例35)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成95nm厚的第一介电层。然后，在含氮8.2％的氩气氛溅射钛靶以形成2nm厚的由TiN0.87组成的第一边界层。然后，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge17.1Sb27.6Te55.3组成的19nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZbS-SiO2形成15nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成110nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.02ns(窗口宽度的8.9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为1.5×10-5。将记录后的光盘在空气中，在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为3.1×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.38ns(窗口宽度的9.9％)。目视观察确认未发生分层。而且，还制作了在记录层和第二介电层之间形成有由TiN0.87组成的2nm厚的第二边界层的光记录介质，并评价了其记录性能。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为2.95ns(窗口宽度的8.7％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为1.3×10-5。将记录后的光盘在90℃和80％的相对湿度下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为1.9×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.11ns(窗口宽度的9.2％)。目视观察确认未发生分层。(实施例36)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成93nm厚的第一介电层。然后，溅射其上有硅片的碳化钛靶以形成2nm厚的由SiC0.33组成的第一边界层。然后，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge17.1Sb27.6Te55.3{即〔(Ge0.5Te0.5)0.349(Sb0.4Te0.6)0.651〕0.979Sb0.021}组成的19nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZbS-SiO2形成15nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成110nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.05ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.2×10-5。将记录后的光盘在空气中，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.8×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.6×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.39ns(窗口宽度的10％)。目视观察确认未发生分层。(实施例37)除了记录层由Ge17.1Sb29.8Te53.1{即〔(Ge0.5Te0.5)0.363(Sb0.4Te0.6)0.637〕0.942Sb0.058}组成，且在记录层和第二介电层之间形成有与第一边界层相似的由SiC0.33组成的2nm厚的第二边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写50,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.06ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.2×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.0×10-5。此时的信号不稳定值很好，为窗口宽度的10％。目视观察确认未发生分层。(实施例38)除了记录层由Ge20.1Sb25.5Te54.4{即〔(Ge0.5Te0.5)0.413(Sb0.4Te0.6)0.587〕0.974Sb0.026}组成，且在含40％氧和60％氩的混合气氛中溅射Zr靶，以形成由ZrO0.3组成的2nm厚的第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.05ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.9×10-5。将记录后的光盘在空气中，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为4.1×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为4.9×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.39ns(窗口宽度的10％)。目视观察确认未发生分层。(实施例39)除了记录层由Ge18.3Sb28.3Te53.4{即〔(Ge0.5Te0.5)0.385(Sb0.4Te0.6)0.615〕0.951Sb0.049}组成，且在记录层和第二介电层之间形成与第一边界层相同的、由ZrO0.3组成的2nm厚的第二边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写50,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.08ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为3.0×10-5。将记录后的光盘在空气中，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.3×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为3.9×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.40ns(窗口宽度的10％)。目视观察确认未发生分层。(比较例14)除了不形成第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为4.09ns，窗口宽度的12％。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，降到约80％，对比度低。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.9×10-5。将记录后的光盘在空气中，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为4.1×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率太大而不能测量。(实施例40)除了在含氧16.7％、氩63.3％的混合气氛中溅射铝靶以形成2nm厚的由Al2O2.50(p＝0.50)组成的第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为2.43ns(窗口宽度的7.1％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为9.9×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置70小时，此时测量了同一位置的位出错率，为9.9×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为1.8×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.25ns(窗口宽度的9.6％)。目视观察确认未发生分层。(实施例41)除了在含氧15.6％、氩84.4％的混合气氛中溅射铝靶以形成2nm厚的由Al2O2.12(p＝0.88)组成的第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为2.45ns(窗口宽度的7.2％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为1.7×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置70小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.7×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为1.8×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.20ns(窗口宽度的9.4％)。目视观察确认未发生分层。(实施例42)除了在含氧14.9％、氩85.1％的混合气氛中溅射铝靶以形成2nm厚的由Al2O1.87(p＝1.13)组成的第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为2.44ns(窗口宽度的7.2％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为3.3×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置70小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.3×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为1.3×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.3ns(窗口宽度的9.7％)。目视观察确认未发生分层。(实施例43)除了在含氧11.1％、氩88.9％的混合气氛中溅射铝靶以形成2nm厚的由Al2O1.28(p＝1.72)组成的第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为2.44ns(窗口宽度的7.2％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为1.0×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置70小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.0×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率几乎没有变化，为1.9×10-5。此时的信号不稳定值很好，为3.31ns(窗口宽度的9.7％)。目视观察确认未发生分层。(实施例44)除了在含氧7.0％、氩93.0％的混合气氛中溅射铝靶以形成2nm厚的由Al2O0.81(p＝2.19)组成的第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.14ns(窗口宽度的9.2％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为6.6×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置4小时，此时测量了同一位置的位出错率，为6.6×10-5，没有变化。目视观察确认未发生分层。(实施例45)除了在氩气氛中溅射Al2O3靶以形成2nm厚的由Al2O2.96(p＝0.04)组成的第一边界层以外，与上述实施例36相同地制作了光记录介质。重写10,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.00ns(窗口宽度的8.8％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为6.0×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置70小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.0×10-5，但部分地观察到了分层。(实施例46)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成95nm厚的第一介电层。然后，在含氧11.1％、氩88.9％的混合气氛中溅射铝靶以形成2nm厚的由Al2O1.28(p＝1.72)组成的第一边界层。然后，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Ge33.9Sb15.6Te50.5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.710(Sb0.4Te0.6)0.290〕0.955Sb0.045}组成的19nm厚的记录层。然后，在含氧11.1％、氩88.9％的混合气氛中溅射铝靶以形成2nm厚的由Al2O1.28(p＝1.72)组成的第一边界层。接着，溅射与第一介电层同样的ZnS-SiO2形成3nm厚的第二介电层。在其上溅射Al97.5Cr2.5合金以形成110nm厚的反射层。将此盘片取出真空室，在反射层上旋涂一层丙烯酸紫外线硬化树脂(SD-101，大日本INK(株)制)，并照射紫外线硬化形成3μm厚的树脂层。然后，用丝网印制机施加缓慢反应紫外线硬化树脂并用紫外线照射，以制得光盘片，将该盘片与另一个同样制得的盘片粘合在一起，得到本发明的光记录介质。该光记录介质记录一次时，位的出错率为1.9×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.7×105，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率1.0×10-4，可以确认在实用中没有问题。此时的信号不稳定值很好，为3.3ns(窗口宽度的9.7％)。目视观察确认未发生分层。(实施例47)除了记录层由Ge34.1Sb15.3Te50.6{即〔(Ge0.5Te0.5)0.706(Sb0.4Te0.6)0.294〕0.965Sb0.035}组成以外，与上述实施例46相同地制作了六层结构的光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.7×10-4。将记录后的光盘在空气中(未进行加湿等的湿度调节)80℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.0×10-4，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为1.7×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.3ns(窗口宽度的9.7％)。(实施例48)除了记录层由Ge36.2Sb13.0Te50.8{即〔(Ge0.5Te0.5)0.747(Sb0.4Te0.6)0.253〕0.968Sb0.032}组成以外，与上述实施例46相同地制作了六层结构的光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.7×10-4。将记录后的光盘在空气中(未进行加湿等的湿度调节)80℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率为3.1×10-4，不存在实用问题。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为4.14×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，3.8ns(窗口宽度的11.2％)。(实施例49)除了记录层由Ge39.6Sb10.2Te50.2{即〔(Ge0.5Te0.5)0.818(Sb0.4Te0.6)0.182〕0.969Sb0.031}组成以外，与上述实施例46相同地制作了六层结构的光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.5×10-3。将记录后的光盘在空气中(未进行加湿等的湿度调节)80℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.8×10-3。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为1.3×10-3，说明重写后没有恶化。此时的信号不稳定值很好，为4.4ns(窗口宽度的12.9％)。(实施例50)除了记录层由Ge27.0Sb20.0Te53.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.555(Sb0.4Te0.6)0.445〕0.973Sb0.027}组成以外，与上述实施例46相同地制作了六层结构的光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为3.5×10-5。将记录后的光盘在空气中(未进行加湿等的湿度调节)80℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为4.1×10-4。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为6.5×10-5，说明重写后没有恶化。此时的信号不稳定值很好，为3.1ns(窗口宽度的9.1％)。(比较例15)除了记录层由Ge2Sb2Te5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.556}组成以外，与上述实施例46相同地制作了六层结构的光记录介质。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.7×10-5。将该光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时，然后，试图测量同一部位的位出错率，因损坏严重而未能成功。观察了重放的波形，发现幅度减小。这就认为是非晶态部分只有部分结晶化。即使记录层由Ge1Sb2Te4{即〔(Ge0.5Te0.5)0.286(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.714}组成，光盘在90℃，80％相对湿度下放置140小时也会被损坏，位出错率为5.3×10-3，甚至更大而不能测量，表现出非常差的存档性能。(比较例16)除了记录层由Ge0.5Te0.5{即〔(Ge0.5Te0.5)1.00(Sb0.4Te0.6)0.00〕1.00Sb0.00}组成以外，与上述实施例46相同地制作了六层结构的光记录介质。对光盘记录一次，试图测量位出错率但失败了，原因在于不稳定值高达20％。(实施例51)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成92nm厚的第一介电层。然后，在氮气气氛中溅射碳靶以形成2nm厚的由碳和氮组成的第一边界层。然后，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Nb0.4Ge17.0Sb27.9Te54.7组成的19nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZnS-SiO2形成16nm厚的第二介电层。在其上溅射Al-Hf-Pd合金以形成120nm厚的反射层。得到本发明的光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.06ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.5×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为3.0×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率4.0×10-4，几乎没有变化。此时的信号不稳定值很好，为3.38ns(窗口宽度的10％)。(实施例52)除了用Al-Cr合金而不是Al-Hf-Pd合金以外，与实施例51相同地制作了光记录介质，其记录性能与实施例51中所述的相似。(实施例53)除了记录层由Ge17.1Sb28.0Te54.9{即〔(Ge0.5Te0.5)0.351(Sb0.4Te0.6)0.649〕0.968Sb0.032}组成以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。其记录性能与实施例51中所述的相似。(实施例54)除了在含氧10％、氩90％的混合气氛而不是氮气氛中溅射碳靶以形成2nm厚的由碳和氧组成的第一边界层以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.05ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为1.0×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、80℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.0×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率1.2×10-4，几乎没有变化。此时的信号不稳定值很好，为3.41ns(窗口宽度的10％)。(实施例55)除了在含氧10％、氮10％、氩80％的混合气氛而不是氮气氛中溅射碳靶以形成2nm厚的由碳和氧组成的第一边界层以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.23ns(窗口宽度的9.5％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.0×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、80℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.0×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率2.1×10-5，几乎没有变化。此时的信号不稳定值很好，为3.33ns(窗口宽度的9.8％)。(实施例56)以30rpm的转速旋转聚碳酸脂的衬底进行溅射，该衬底螺旋槽间距为1.48μm(凸部宽0.74μm，槽宽0.74μm)、厚0.6nm、直径12cm。首先，将真空容器抽空到1×10-3Pa，在0.2Pa的氩气氛中溅射含20mol％SiO2的ZnS，在衬底上形成92nm厚的第一介电层。然后，在氮气氛中溅射碳靶以形成2nm厚的由碳和氮组成的第一边界层。然后，溅射包括Ge、Sb和Te的合金靶材，以获得由Nb0.4Ge17.0Sb27.9Te54.7{即〔(Ge0.5Te0.5)0.351(Sb0.4Te0.6)0.649〕0.968Sb0.028Nb0.004}组成的19nm厚的记录层。接着，溅射与第一介电层同样的ZnS-SiO2形成14nm厚的第二介电层。在其上溅射Al-Cr合金以形成120nm厚的反射层。得到本发明的光记录介质。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.07ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.4×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.9×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率3.9×10-5，几乎没有变化。此时的信号不稳定值很好，为3.37ns(窗口宽度的9.9％)。当把包括碳和氧的层或包括碳、氮和氧的层用作第一边界层时，记录性能几乎完全相同。(实施例57)除了在含氧10％、氩90％的混合气氛而不是氮气氛中溅射碳靶以形成2nm厚的由碳和氧组成的第二边界层以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。进行了与实施例51同样的测量。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.07ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.6×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.8×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率3.8×10-5，几乎没有变化。此时的信号不稳定值很好，为3.37ns(窗口宽度的9.9％)。当把包括碳和氧的层或包括碳、氮和氧的层用作第一边界层时，记录性能几乎完全相同。(实施例58)除了在含氧10％、氮10％、氩80％的混合气氛而不是氮气氛中溅射碳靶以形成2nm厚的由碳、氮和氧组成的第二边界层以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。进行了与实施例1同样的测量。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.06ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.3×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、90℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.4×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率3.3×10-5，几乎没有变化。此时的信号不稳定值很好，为3.33ns(窗口宽度的9.8％)。当把包括碳和氧的层或包括碳、氮和氧的层用作第一边界层时，记录性能几乎完全相同。(实施例59)除了在氩气氛而不是氮气氛中溅射碳靶以形成2nm厚的由碳组成的第二边界层以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。进行了与实施例1同样的测量。重写100,000次之后，测量信号不稳定值，发现为3.06ns(窗口宽度的9％)，是一个实用中足够小的值。其信号幅度与重写10次后的信号幅度相比，几乎没有变化，二者都未观察到胀裂现象。该光记录介质记录一次时，位的出错率为2.1×10-5。将记录后的光盘在相对湿度80％、80℃下放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.2×10-5，没有变化。接着，对该部位重写一次，位出错率3.0×10-5，几乎没有变化。此时的信号不稳定值很好，为3.16ns(窗口宽度的9.3％)。当把包括碳和氧的层或包括碳、氮和氧的层用作第一边界层时，记录性能几乎完全相同。(比较例17)除了未形成第一边界层以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。进行了与实施例1同样的测量。重写100,000次后，不稳定值为4.76nm(14％)，其信号幅度为重写10次后的信号幅度的70％，对比度较低。记录一次后的出错率为4.0×10-5。如实施例51所述的那样，将光记录介质在80℃、80％相对湿度下放置100小时。然后测量同一部位的位出错率，发现为3.0×10-5，几乎没有变化。但是，对该部分重写一次后，发现损坏十分严重以致于不能测量位出错率。损坏的原因是信号不稳定值高达6.13ns(窗口宽度的18％)。(比较例18)除了未形成第一边界层，且在含氧气5％、氩气95％的混合气氛中在0.2Pa溅射碳靶以形成18nm厚的由碳和氧组成的第二介电层以外，与上述实施例51相同地制作了光记录介质。进行了与实施例51同样的测量。重复20,000次后，信号幅度为重写10次后的信号幅度的80％，对比度较低。将光记录介质在80℃、80％相对湿度下放置100小时，发现在光记录介质中发生了层间分离。(实施例60)除了记录层由Ge33.9Sb15.6Te50.5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.710(Sb0.4Te0.6)0.290〕0.955Sb0.045}组成以外，与上述实施例56相同地制作了六层结构的光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.8×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为4.5×10-5，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为1.8×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.5ns(窗口宽度的10.3％)。(实施例61)除了记录层由Ge34.1Sb15.3Te50.6{即〔(Ge0.5Te0.5)0.713(Sb0.4Te0.6)0.287〕0.958Sb0.042}组成以外，与上述实施例56相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.8×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为1.2×10-4，几乎没有变化。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为4.2×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.6ns(窗口宽度的10.6％)。(实施例62)除了记录层由Ge36.2Sb13.0Te50.8{即〔(Ge0.5Te0.5)0.747(Sb0.4Te0.6)0.253〕0.968Sb0.032}组成以外，与上述实施例56相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为2.5×10-4。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率为3.2×10-4，不存在实用问题。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为4.4×10-4，不存在实用问题。此时的信号不稳定值很好，为3.9ns(窗口宽度的11.5％)。(实施例63)除了记录层由Ge39.6Sb10.2Te50.2{即〔(Ge0.5Te0.5)0.818(Sb0.4Te0.6)0.182〕0.969Sb0.031组成以外，与上述实施例56相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为1.7×10-3。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为2.0×10-3。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为2.0×10-3，说明重写后没有恶化。此时的信号不稳定值很好，为4.4ns(窗口宽度的12.9％)。(实施例64)除了记录层由Ge27.0Sb20.0Te53.0{即〔(Ge0.5Te0.5)0.555(Sb0.4Te0.6)0.445〕0.973Sb0.027}组成以外，与上述实施例56相同地制作了光记录介质。光记录介质记录一次时，位的出错率为3.7×10-5。将记录后的光盘干燥(在空气中，未进行加湿等的湿度调节)，并在80℃放置100小时，此时测量了同一位置的位出错率，为4.3×10-4。接着，对该部位重写一次，可以确认位出错率为7.1×10-5，说明重写后没有恶化。此时的信号不稳定值很好，为3.1ns(窗口宽度的9.1％)。(比较例19)除了记录层由Ge2Sb2Te5{即〔(Ge0.5Te0.5)0.444(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.556}组成以外，与上述实施例56相同地制作了六层结构的光记录介质。该光记录介质记录一次时，位的出错率为3.1×10-5。将该光记录介质在90℃和80％的相对湿度下放置140小时，然后，试图测量同一部位的位出错率，因损坏严重而未能成功。观察了重放的波形，发现幅度减小。这就认为是非晶态部分只有部分结晶化。即使记录层由Ge1Sb2Te4{即〔(Ge0.5Te0.5)0.286(Sb0.4Te0.6)0.556〕0.714}组成，光盘在90℃，80％相对湿度下放置140小时也会被损坏，位出错率为5.9×10-3，甚至更大而不能测量，表现出非常差的存档性能。(比较例20)除了记录层由Ge0.5Te0.5{即〔(Ge0.5Te0.5)1.00(Sb0.4Te0.6)0.00〕1.00Sb0.00}组成以外，与上述实施例56相同地制作了六层结构的光记录介质。对光盘记录一次，试图测量位出错率但失败了，原因在于不稳定值高达20％。本发明的光记录介质可具有以下效果(1)即使反复进行重写，也很少发生信号不稳定性增加、对比度下降、胀裂等现象；(2)在记录后即使长期放置光记录介质，仍可保持良好的重写稳定性；(3)在记录后即使长期放置光记录介质，也不会发生胀裂、记录标记模糊等现象。本发明的光记录介质不容易在反复重写时损坏，适合用作得有持久性优良的可重写的相变型光记录介质。权利要求1.一种光记录介质，在其衬底上至少依次层叠有第一介电层、与记录层相接触的第一边界层、和记录层，通过向记录层照射光束可以记录、擦除和重放信息，且信息的记录和擦除是通过记录层的晶态和非晶态之间的可逆相变实现的，其中所述第一边界层主要包括从下列物质中选出的至少一个，即，(1)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氧化物，(2)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的碳化物，(3)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氮化物，以及(4)碳，或碳和氧和/或氮的复合物；而且，所述记录层包括由下式(I)表示的组分，即，[(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-y-zSbyAz(I)式中，A是周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族的元素但Ge、Sb和Te除外，且x、y和z满足下列关系0.2≤x≤0.8、0.01≤y≤0.08、z＝0，或0.2≤x≤0.8、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2。2.一种光记录介质，在其衬底上至少依次层叠有第一介电层、与记录层相接触的第一边界层、记录层和与记录层相接触的第二边界层，通过向记录层照射光束可以记录、擦除和重放信息，且信息的记录和擦除是通过记录层的晶态和非晶态之间的可逆相变实现的，其中所述第一和第二边界层主要包括从下列物质中选出的至少一个，即，(1)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氧化物，(2)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的碳化物，(3)周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氮化物，以及(4)碳，或碳和氧和/或氮的复合物；而且，所述记录层包括由下式(II)表示的组分，即，[(Ge0.5Te0.5)x(Sb0.4Te0.6)1-x]1-y-zSbyAz(II)式中，A是周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族的元素但Ge、Sb和Te除外，且x、y和z满足下列关系0.2≤x≤0.95、0.01≤y≤0.08、z＝0，或0.2≤x≤0.95、0≤y≤0.08、0＜z≤0.2。3.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中所述周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族的元素是选自铝、硅、钛、铬、锗和锆的元素。4.如权利要求3所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层主要包括从碳、氧化铝、碳化硅、氮化钛、氮化铬和氮化锗中选择的任一种物质。5.如权利要求4所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层主要包括碳。6.如权利要求4所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层主要包括用下式(III)表示的氧化铝，即，Al2O3-p(0＜p≤2.0)(III)。7.如权利要求4所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层主要包括用下式(IV)表示的碳化硅，即，SiCq(0.3＜q＜1)(IV)。8.如权利要求4所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层主要包括用下式(V)表示的氮化钛，即，TiNr(0.5＜r＜1)(V)。9.如权利要求4所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层主要包括用下式(V)表示的氮化铬，即，CrNs(0.8＜s＜1)(VI)。10.如权利要求4所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层主要包括由下式(VII)表示的氮化锗，即，GeNt(0.2＜t＜1)(VII)。11.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素(碳除外)的氧化物、碳化物或氮化物中的氧含量、碳含量或氮含量小于化学计量比。12.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中第一边界层和/或第二边界层的成分是不均匀的，在其靠近记录层的位置处，属于周期表中从第二到第六周期的IIIA族到VIB族中的元素的含量较高。13.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中第一边界层的厚度为0.5～10nm。14.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中第一边界层主要包括碳且其厚度为0.5～4nm。15.如权利要求2所述的光记录介质，其中第二边界层的厚度为0.5～40nm。16.如权利要求2所述的光记录介质，其中第二边界层主要包括碳且其厚度为0.5～4nm。17.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中第一介电层至少包含ZnS和SiO2。18.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中还设置有反射层。19.如权利要求1或2所述的光记录介质，其中该光记录介质用于最小标记长度≤0.7μm、线速度≥5m/s的标记长度记录。全文摘要本发明提供一种相变型光记录介质,在其衬底中至少依次层叠有第一介电层、与记录层接触的第一边界层和记录层。第一边界层主要包括从周期表中从第二到第六周期的ⅢA族到ⅥB族的元素的氧化物、碳化物或氮化物,碳,或碳和氧和/或氮的复合物中选择的一种物质。记录层也具有特定的成分。本发明的光记录介质在反复重写时性能很少劣化,具有优良的保存持久性能。文档编号G11B7/258GK1256487SQ99123530公开日2000年6月14日申请日期1999年11月10日优先权日1998年11月10日发明者野中敏央,薙野邦久,新井猛,中久喜英夫申请人:东丽株式会社