被移动至磁盘12所需轨道之上并且被定位在那里。由于通过磁盘12的转动在盘表面和盘面对表面43之间生成的空气流C，磁头33浮动。在HDD操作期间，保持滑块42的ABS 43面对着盘表面，且在磁盘12和ABS 43之间维持有空间。如图2中所示，磁头33以这样的倾斜浮动，使得位于头部44的记录头58处的部分最接近磁盘12的表面。在这种状态下，通过读取头54从磁盘12读取记录的信息，并且通过记录头58在磁盘12中写入信息。
[0054]当写入信息时，如图3和5中所示，从功率源94将直流电流供应到主磁极60、自旋转矩振荡器65和尾屏蔽62，从自旋转矩振荡器65生成高频磁场，并且将高频磁场施加到磁盘12的磁记录层103。进一步,从功率源98将交流电流供应到记录圈78,以通过记录圈78激励主磁极60并且在主磁极60正下方沿垂直于磁盘12的记录层103的方向上施加记录磁场。相应地，以所需轨道宽度将信息记录在磁记录层103中。高频磁场被叠加在记录磁场上，其使得能够在具有高矫顽力和高磁各向异性能量的材料中进行磁记录。电流从主磁极60流动到尾屏蔽62，以解决在主磁极60之内的磁域的干扰，并且引入有效磁路；于是，从主磁极60的远端生成的磁场的强度增加。
[0055]进一步，将在写间隙之内的磁场的一部分垂直地施加到自旋转矩振荡器65的膜表面，且在主磁极60和尾屏蔽62之间:特别地，沿着通过主磁极60、自旋转矩振荡器65、第一突出70和尾屏蔽62的磁路。在写间隙之内的剩余磁场的一部分沿着通过主磁极60、第二突出(磁部)72和尾屏蔽62的发散磁路集中。换而言之，在写间隙之内的磁场的一部分没有被施加到自旋转矩振荡器65，而是被沿着与自旋转矩振荡器65分离的发散磁路施加。因此，在写间隙之内的施加到自旋转矩振荡器65的磁场被减少，而没有显著减少从磁芯的写间隙部施加到磁盘12的磁场的强度，该磁芯包括主磁极60和尾屏蔽62。相应地，甚至当从磁芯的写间隙WG施加到磁盘12的磁场很强的时候，也能够减少在写间隙之内的并且被施加到自旋转矩振荡器65的磁场的强度，从而改善自旋转矩振荡器65的振荡。根据此，相比于传统的记录头，磁记录头和磁盘装置具有改善的误差率并且能够高密度记录。
[0056]图7和8示出，与根据对比实例I的磁记录头相对比，根据实施例的磁记录头的效果。根据对比实例I的磁记录头是这样的记录头，它没有提供形成磁部的第二突出，而是在主磁极60和写屏蔽之间提供有高频振荡器。图7示出在写间隙之内的磁场和头磁场强度的关系，该写间隙之内的磁场被垂直施加到自旋转矩振荡器的膜表面，该头磁场强度从主磁极60的远端部被施加至磁盘12的垂直记录层。
[0057]如图7中所示，在根据对比实例的磁记录头中，在写间隙之内的磁场随头磁场成比例变化。换而言之，在写间隙之内的施加到高频振荡器的磁场根据在头磁场的增加而增加。
[0058]为了将微波施加到记录介质的记录层，有必要将高频振荡器65置于有利的振荡状态中。为了此目的，通常优选在写间隙之内的磁场为I(T)(特斯拉)或更低。在对比实例I的磁记录头中，为了使在写间隙之内的磁场不多于1(τ)，在向高频振荡器供应功率之前，头磁场被降至1.2(τ)或更低；结果，原记录状态恶化，并且由于微波效应影响，记录能力的增加水平很低。
[0059]相反，根据实施例的磁记录头将在写间隙之内的磁场减少至I(T)或更低，同时保持头磁场强度处于1.3 (T)或者更多；从而能够使高频振荡器有利地振荡，并且达到优于根据对比实例I的记录头的记录能力。
[0060]图8示出记录电流Iw和误差率之间的关系。在图8中，根据对比实例2的磁记录头为未提供有高频振荡器的磁记录头。在图8中，纵轴示出误差率；降低的误差率为改善的误差率。
[0061]在根据上述对比实例I的磁记录头中，与对应于无功率分配到高频振荡器的误差率相比，对应于有功率分配到高频振荡器的误差率更为改善；然而，这样的改善很小。换而言之，在对比实例I的磁记录头中，尽管得益于从高频振荡器的微波生成，误差率被改善，但记录密度仅被轻度改善。
[0062]根据对比实例2的磁记录头(没有高频振荡器)的误差率与对比实例I中的磁记录头处于没有功率分配到高频振荡器的状态的误差率相比，大体上相同。
[0063]相反，在根据实施例的磁记录头中，该高频振荡器有利地振荡，并且与对比实例I和2的磁记录头的误差率相比，其误差率更为改善。从而，根据一些实施例，记录密度得以改善。
[0064]如上所述，根据实施例，在写间隙之内的磁场被优化，以便给予自旋转矩振荡器(高频辅助元件)有利的磁化振荡；记录介质的记录层为有利的反磁化状态，并且磁记录头和HDD有可能具有改善的误差率并且能够高密度记录。
[0065]接着，将描述根据其它实施例的HDD的磁记录头。在下述其它实施例中，相同的附图标记被附加到与上述第一实施例相同的部分，并且省略其描述。从而，将仅特别描述与第一实施例不同的部分。
[0066](第二实施例)
[0067]图9为从主磁极60侧观察的根据第二实施例的HDD中的磁记录头的远端部的前视图。根据该实施例，形成磁部的第二突出72以梯形形状形成，其在轨道宽度方向上的该形状符合主磁极60的锥形部60a的形状。第二突出72在ABS 43侧的下端与尾屏蔽62的前侧端表面62b相接触。甚至当使用具有这样形状的磁部时，高频振荡器可处于良好振荡状态并且改善误差率。
[0068](第三实施例)
[0069]图10为沿着轨道中心的截面图，其示出根据第三实施例的HDD中的磁记录头的远端部。根据该实施例，形成磁部的第二突出72被形成为，与第一突出70朝向主磁极60延伸相比，朝向主磁极60更加突出。这里，第二突出72的突出端的主磁极60侧没有与自旋转矩振荡器65的振荡层65c对准而定位。相反，第二突出72被定位在其中设置有振荡层65c的平面(大体上垂直于记录介质的记录层)和前侧端表面62b之间。
[0070]根据上述磁记录头配置，能够进一步减少在写间隙之内的施加到自旋转矩振荡器65的磁场；从而，自旋转矩振荡器65更容易地振荡，并且进一步改善误差率。
[0071](第四实施例)
[0072]图11为沿着轨道中心的截面图，其示出根据第四实施例的HDD中的磁记录头的远端部。根据该实施例，由软磁材料制成的磁性元件80被布置在主磁极60和尾屏蔽62之间，并且分别面对主磁极60的屏蔽侧端表面60c和尾屏蔽62的前侧端表面62b。另外,磁性元件80面对主磁极60，但是不与主磁极60相接触，并且面对尾屏蔽62，但是不与尾屏蔽62相接触。简而言之，磁性元件80不与主磁极60和尾屏蔽62相接触。至少磁性元件80的在ABS侧的下端被定位在写间隙WG之内。进一步，在该实施例中，磁性元件80的主磁极60侧没有与自旋转矩振荡器65的振荡层65c对准而定位。相反，磁性元件80被定位在其中设置有振荡层65c的平面和前侧端表面62b之间。备选地，将磁性元件80定位在其中设置有振荡层65c的平面和屏蔽侧端表面60c之间，使得磁性元件80的尾屏蔽62侧没有与自旋转矩振荡器65的振荡层65c对准。在磁性兀件80与第一突出70和自旋转矩振荡器65之间设置非磁部74。
[0073]同样在如此构成的磁记录头中，沿着通过主磁极60、磁性元件80和尾屏蔽62的发散磁路施加在写间隙之内的磁场的一部分，从而减少在写间隙之内的施加到自旋转矩振荡器65的磁场。根据此实施例，自旋转矩振荡器65更容易振荡，促进稳定的高频辅助；结果，改善误差率并且得到用于HDD的高密度记录。
[0074](第五实施例)
[0075]图12为沿着轨道中心的截面图，其示出根据第五实施例的HDD中的磁记录头的远端部。根据该实施例，将由软磁材料形成的磁性元件80布置得与主磁极60相接触。这里，磁性元件80与主磁极60整体形成,作为从主磁极60的屏蔽侧端表面60c向尾屏蔽62侧的突出。磁性元件80在ABS43侧的下端被定位在写间隙WG之内。磁性元件80相隔一空间面对尾屏蔽62的前侧端表面62b。进一步，磁性元件80从自旋转矩振荡器65的振荡层65c正上方的位置向主磁极60侧偏离而定位。非磁部74被设置在磁性兀件80和自旋转矩