磁带处理的制作方法
【专利说明】
【背景技术】
[0001]磁带数据存储装置使用磁带上的数字记录来存储数字信息。通常，磁带被用于离线、归档的数据存储，其中磁带是所存储的数据的主副本。一般而言，磁带是成本有效的并且具有长的归档稳定性，诸如三十年或更多。
[0002]通常，磁带封装在磁带盒或磁带匣中。磁带驱动装置将数据写入到这些磁带并且从这些磁带读取数据。自动装载器和磁带库存储磁带并且自动化磁带处理。
【附图说明】
[0003]图1是图示了依照本申请的技术的示例的数据存储系统的一个示例的图解。
[0004]图2是图示了依照本申请的技术的示例的磁带系统的一个示例的图解。
[0005]图3是图示了依照本申请的技术的示例的磁带的一个示例的图解。
[0006]图4是图示了依照本申请的技术的示例的磁带处理系统和磁带系统的一个示例的图解。
【具体实施方式】
[0007]在以下详细描述中，对形成其部分的附图做出参考，并且在所述附图中通过图示的方式示出其中可以实践本申请的技术的特定实施例。在这方面，参考所描述的(多个)图的取向来使用诸如“顶部”、“底部”、“前部”、“后部”、“导领”、“尾随”等之类的方向性术语。由于实施例的组件可以以许多不同的取向来定位，因此方向性术语被用于说明的目的并且决不是限制性的。要理解的是，可以利用其它实施例并且可以做出结构或逻辑改变而不脱离于本申请的技术的范围。要理解的是，本文所描述的各种实施例的特征可以与彼此组合，除非以其它方式明确指出。
[0008]在一个示例中，本申请提供增加磁带或磁记录介质的存储容量的技术。在一个示例中，技术提供一种磁带处理系统，其可以自部分地由钡铁氧体材料形成的磁记录介质记录(写入)和检索(读回)信息。技术包括形成有诸如光滑性、磁带张力、头间隔、写入热、格式顺从、盒引带的研磨性、在垂直取向上的媒介颗粒的百分比以及位密度之类的特性的组合的磁带。技术还可以提供一种磁带，所述磁带合并以上参数并且包括具有部分响应最大似然(PRML)通道和磁阻(MR)头的读取/写入头结构来从以后向兼容并且可供磁带产品的未来世代使用的格式的磁带存储的信息读取数据。技术还可以提供形成有可以提供特定位容积、通量密度和写入或读取位纵横比(长度与宽度之比)以及在被写入和绕进可移除的媒介盒中时的全盒容量的以上参数或特性的磁带。
[0009]图1是图示了包括磁带处理系统22和磁带24的数据存储系统20的一个示例的图解。在一个示例中，磁带24可以包括允许将磁性数据写入到介质并且从介质读回的磁记录介质。在一个示例中，数据存储系统20可以被配置成操作为开放格式磁带系统，其中术语开放格式可以是指其中用户可以访问兼容的存储媒介产品的多个源的格式。在一个示例中，数据存储系统20是线性磁带开放(LTO)数据存储系统。在一个示例中，数据存储系统20是LTO-7或更高世代的数据存储系统。在一个示例中，数据存储系统20是对至少一个在前世代向后兼容的LTO-7或更高世代数据存储系统。
[0010]磁带处理系统22包括向磁带24中的每一个进行写入的读取/写入头26。读取/写入头26包括一个或多个读取/写入元件28。在一个示例中，至少一个读取/写入元件28包括磁阻(MR)类型读取元件，诸如各向异性的磁阻(AMR)元件、隧穿磁阻(TMR)元件、巨磁阻(GMR)元件、电流垂直巨磁阻(CPPGMR)元件或超巨磁阻(CMR)元件。在一个示例中，MR类型元件可以使用在将数据写入或记录到磁带中并且可以包括具有当向设备呈现磁场时改变电阻的属性的设备。在一个示例中，MR元件可以被配置或合并到记录头结构(诸如磁性读取/写入头26和读取/写入元件28)中，从而允许取决于诸如偏置设计、屏蔽到屏蔽的间隔、电流密度和其它因素之类的因素的针对给定磁场的不同的响应比。在另一示例中，GMR、TMR和CMR磁阻记录设备还已知为自旋阀类型设备，因为它们利用材料中的电子自旋来得到其磁阻响应。
[0011]在一个示例中，为了将数据写入到磁带24中之一，磁带处理系统100可以操作读取/写入头26和读取/写入元件28以在磁带的表面处生成或提供至少40奥斯特(Oe)每纳米(nm)的写入头场梯度。写入头场梯度被定义为磁场关于在磁带行进的方向上的距离的导数的最大值。在一个示例中，读取/写入头26可以在磁带的顶表面处或靠近磁带的顶表面处生成或提供近似70 Oe每nm的写入头场梯度。
[0012]在一个示例中，磁带处理系统22可以以近似大于8000磁道每英寸的磁道密度(即小于3.2微米的磁道宽度)、大于440千位每英寸的位密度和小于70的纵横比(其为磁道宽度与位长度的比)将数据写入到磁带24。磁道密度可以被定义为当跨磁带的顶表面、基本上正交于磁带的行进方向地测量时每英寸的数据磁道的数目。位密度是当沿磁道在磁带的行进方向上测量时每英寸可用于由系统读取的位数。
[0013]在另一示例中，磁带处理系统22可以包括读取通道，诸如部分响应最大似然(PRML)通道、类IV部分响应通道(PR4)、最大似然检测器(MLD)通道和/或最小密度奇偶校验码(LDPC)通道。在一个示例中，PRML通道可以包括PRML和扩展的PRML，诸如EPRML和E2PRML。在一个示例中，PR4通道可以包括PR4和扩展的PR4，诸如EPR4和E2PR4。在一个示例中，MLD通道可以包括噪声预测MLD (NPMLD)和数据相关的NPMLD (DDNPMLD)。在一个示例中，读取通道对之前写入到磁带的数据进行检测和解码，其中数据可以被进取地写入到磁带上，使得高级技术对于在存在由写入数据转变的高装填密度导致的码间干扰和读回噪声的情况下恢复原始信号而言可能是必要的。在一个示例中，以上提到的通道假定读取/写入过程中的线性，但是DDNPMLD通道可以容纳非线性噪声和其它通道变型，其应对写入或读回侧上的读取/写入头和磁带非线性。
[0014]在一个示例中，读取/写入头26可以包括热辅助写入头，所述热辅助写入头在写入到磁带24的表面时加热或增加磁带24之一的温度，以降低磁带的矫顽磁性并且写入到磁带。矫顽磁性可以被定义为在材料已经经受足够强度的相反方向上的磁场以基本上使材料磁性上饱和之后将材料的磁化降低至零所需要的磁场的强度。在一个示例中，热辅助读取/写入头提供300与450摄氏度之间的居里点写入以降低磁性材料的矫顽磁性。在一个示例中，热辅助读取/写入头可以在将数据写入到磁带的表面时加热或将磁带的温度增加至200与270摄氏度之间的温度以降低磁性材料的矫顽磁性和写入到磁性材料。
[0015]在一个示例中，磁带处理系统22可以包括用以操作读取/写入头26和读取/写入元件28以将数据写入到磁带24中的每一个和从磁带24中的每一个读取数据的功能性。例如，磁带处理系统22可以被配置成使来自磁带24中的磁带定位成靠近读取/写入头26和读取/写入元件28以允许系统将数据写入到磁带和从磁带读取数据。可以在硬件、软件或其组合中实现功能性。
[0016]在一个示例中，磁带处理系统22可以包括记录模块30，所述记录模块30被配置成执行包括将数据写入到磁带24的记录过程。记录模块30可以实现在硬件、软件或其组合中。在一个示例中，记录模块30可以从主机或其它电子设备接收对将数据写入到磁带的请求。记录模块30可以使磁带24移过读取/写入头26以将数据写入到磁带。在另一示例中，记录模块30可以使磁带的顶表面定位在读取/写入元件28的底表面下方以允许读取/写入元件28将数据写入到磁带。记录模块30可以将数据从电子形式转化成可以写入到诸如磁带24中的一个之类的磁带的磁性形式。
[0017]在另一示例中，磁带处理系统22可以包括回放模块32，所述回放模块32被配置成执行包括从磁带24读取数据的读取或回放过程。回放模块32可以实现在硬件、软件或其组合中。在一个示例中，回放模块32可以从主机或其它电子设备接收对从磁带读取数据的请求。回放模块32可以使磁带移过读取/写入头26以从磁带读取数据。在一个示例中，回放模块32可以使磁带的顶表面定位在读取/写入元件28的底表面下方。回放模块32可以将来自磁带的以磁性形式的数据转化成电子形式。在一个示例中，读取/写入元件28可以包括PRML通道和MR读取元件以帮助将来自磁带的磁性信息转化成电子形式。在另一示例中，回放模块32可以包括用以帮助放大经转化的电子数据的读取放大器功能性。在另一示例中，回放模块32可以包括读取/写入通道检测功能性，用以将信号转换成数字形式以由主机或其它电子设备处理。
[0018]图2是图示了使用在数据存储系统20中的磁带系统40的一个示例的图解。磁带系统40包括引带(leader) 42、磁带44和包括磁带供带盘48的磁带盒外壳46。磁带系统40类似于磁带24(图1中所示)中的每一个。在另一示例中，磁带盒外壳46包括两个卷盘，其中一个是供带盘(supply reel)并且另一个是收带盘(take-up reel)。在另一示例中，磁带盒外壳46包括两个卷盘，其中一个是供带盘并且另一个是收带盘，以及