具有倾斜mamr磁头体的mamr磁头的制作方法
【专利摘要】具有倾斜MAMR磁头体的MAMR磁头。一种微波辅助磁记录头，包括被配置成发出用于影响磁介质的记录磁场的主磁极，所述主磁极用作第一电极并且具有在空气轴承表面(ABS)处的前部和从所述前部延伸的后部。微波振荡器位于所述主磁极的尾侧表面上。所述主磁极的所述尾侧表面沿所述前部和后部形成平表面并且在所述前部处对于前侧表面倾斜。所述磁磁头体相对于ABS成锐角倾斜，使得在所述主磁极的所述尾侧表面和所述ABS之间形成10至30度的锐角。
【专利说明】
具有倾斜MAMR磁头体的MAMR磁头
技术领域
[0001 ]本发明涉及一种具有通过向磁记录介质施加高频磁场而引起磁化反转功能的磁记录头，并且涉及一种磁记录和读取装置。
【背景技术】
[0002]为了实现安装在硬盘装置中的磁头的更高记录密度，需要窄化写磁道间距和比特。空气轴承表面的主磁极的表面积随着记录密度的增大而显著地减小。随着磁极在传统磁头中以这种方式变窄，记录场变小，并且高于特定记录密度，就不再可能实现写入所需的记录场。为了解决这种问题，已经提出一种高频磁场辅助记录方法(MAMR:微波辅助磁记录)，其中微波振荡器(自旋扭矩振荡器)在主磁极上或者在主磁极附近形成，并且高频磁场被施加于记录介质，以降低介质的矫顽力，并且在这种状态下，记录场被应用于介质以记录数据。另外，也已经提出了一种方法，其中主磁极的记录部关于衬底表面倾斜，微波振荡器被布置在倾斜表面上，并且有效地提高磁头场密度。
[0003]当微波振荡器在主磁极上形成时，需要对振荡器的形状形成非常精确的图案。采用传统制造方法，如果主磁极的记录部关于衬底表面倾斜，则在晶片表面中产生不平坦，并且主磁极的尾侧上的倾斜部分变得关于晶片表面凹入。因而，变得难以在形成微波振荡器图案时形成高精确度的图案。特别是当使用化学机械抛光(CMP)以形成微波振荡器时，难以处理不平坦的晶片表面上的凹入部分。因此，优选地在平坦部分上形成微波振荡器。
【发明内容】
[0004]公开了一种微波辅助磁记录(MAMR)磁头，这种MAMR磁头包括MAMR磁头体，该MAMR磁头体具有被配置成发出用于影响磁介质的记录磁场的主磁极和位于主磁极的尾侧表面上的微波振荡器。主磁极用作第一电极并且具有前部和后部，该前部平行于空气轴承表面(ABS)或者形成空气轴承表面一部分，该后部从前部延伸。主磁极的尾侧表面沿前部和后部形成平表面，并且在主磁极的前部处关于主磁极的前侧表面倾斜。MAMR磁头体关于ABS成锐角倾斜，使得在主磁极的尾侧表面和ABS之间形成锐角。在主磁极的尾侧表面和ABS之间形成的锐角为10至30度。
[0005]提供本
【发明内容】
以简化形式引入一系列概念，在下文的【具体实施方式】中将进一步描述。本
【发明内容】
无意确定所要求保护的发明主题的关键特征或者本质特征，也无意用于限制所要求保护的发明主题的范围。此外，所要求保护的主题不限于解决在本公开的任何部分中提到的任何或者所有缺点的实现。
【附图说明】
[0006]本发明通过例子来图示说明并且不受附图中各图的限制，其中相同附图标号指示相同元件，其中:
[0007]图1A是传统磁记录头的示意图，并且图1B-C是传统MAMR磁记录头的示意图。
[0008]图2A-B示出根据本发明的示例性实施例的MAMR磁记录头的示意图。图2A示出穿过MAMR磁头的中间截面的部分横截面侧视图，而图2B示出MAMR磁头的面对空气轴承表面的部分横截面前视图。
[0009]图3示出具有传统接头的磁头和根据本发明的实施例的磁头的磁头场强度。
[0010]图4A-B示出用于产生根据传统结构的MAMR磁头的过程。
[0011]图5A-C示出用于产生根据本发明的实施例的MAMR磁头的过程的纵览。
[0012]图6A-N示出用于产生根据图5A-C的实施例的MAMR磁记录头的方法。
【具体实施方式】
[0013]现在将参考附图描述本发明的选择实施例。本领域技术人员通过本公开应明白，下文对本发明实施例的说明仅是为了例示，而非为了限制权利要求书和它们的等效物限定的本发明的目的而提供的。
[0014]参考图1A，其中示出传统磁记录头200。传统磁记录头200包括适合产生写入磁场的主磁极280、位于主磁极280的尾侧上的尾屏蔽350、位于尾屏蔽350和主磁极280之间的尾间隙210、在跨磁道方向位于主磁极280的至少侧面上的侧屏蔽250，以及位于侧屏蔽250和主磁极280之间的侧间隙260。
[0015]参考图1B和1C，其中示出传统MAMR磁记录头100。较之传统的磁记录头200，MAMR磁记录头100可被配置更窄的主磁极，并且以更小磁场写入。MAMR记录头100包括位于主磁极80上的微波振荡器90、位于微波振荡器90侧面上的尾间隙110、位于尾间隙110上的尾屏蔽150和主磁极80尾侧上的微波振荡器80、在跨磁道方向位于主磁极80的至少侧面上并且固定在衬底160上的侧屏蔽50，以及位于侧屏蔽50和主磁极80之间的侧间隙60。主磁极80被配置成发出影响磁介质的记录磁场，主磁极80用作第一电极，并且在空气轴承表面(ABS)处具有前部。尾屏蔽150是用作第二电极的磁膜，位于主磁极80的尾侧表面上。位于主磁极80上的微波振荡器90降低介质的矫顽力，使得较小记录场能够被用于记录数据。侧间隙60通常是非磁膜。
[0016]采用传统的用于制造MAMR磁记录头的方法，微波振荡器90在关于衬底160和ABS(B-BQ倾斜的主磁极80的尾侧表面上形成。虽然主磁极的尾侧表面关于ABS的倾斜定向提高了磁头场强度，但是倾斜表面也倾向于具有凹入表面而变得不平坦，影响记录性能。因而，传统方法不能向以关于ABS倾斜朝向形成有微波振荡器的主磁极的倾斜部分提供一种平坦、平面的尾侧表面。
[0017]参考图2A和2B，其中示出根据本发明的示例性实施例的微波辅助磁记录(MAMR)磁头1。图2A示出穿过MAMR磁头的中间截面的部分横截面侧视图，而图2B示出MAMR磁头的面对空气轴承表面的部分横截面前视图。MAMR磁头体13具有主磁极8，该主磁极8被配置成发出用于影响磁介质的记录磁场，主磁极8用作第一电极并且具有前部14和后部17，该前部14平行于空气轴承表面(ABS)B-B7或者形成空气轴承表面B-B7的一部分，后部17从前部分14延伸。主磁极8的尾侧表面18沿前部14和后部17形成平表面，并且在主磁极8的前部14处关于主磁极8的前侧表面19倾斜。作为起导电层作用的磁膜的第二磁层15位于主磁极8上，并且导电层用作第二电极。MAMR磁头体13也具有微波振荡器9，微波振荡器9位于主磁极8的尾侧表面18上，处于第二磁层15和主磁极8之间。MAMR磁头体13关于ABS成锐角22倾斜，使得在主磁极8的尾侧表面18和ABS之间形成锐角22。在主磁极8的尾侧表面18和ABS之间形成的锐角22为10至30度。微波振荡器9的前侧和尾侧两者都被配置成在电流流动至位于第一电极和第二电极之间的微波振荡器9时，产生与来自主磁极8的记录磁场重叠的高频磁场，使得向磁介质记录数据。绕主磁极8设置非磁膜6，以构成用于主磁极8和第一磁层2的磁分隔层。如图2B中所示，第一磁层2(侧屏蔽)在跨磁道方向中位于主磁极8的至少侧面(图中的右侧和左侧)上并且被设置在衬底16上。氧化铝层I可以被设置在衬底16和第一磁层2之间。用作尾间隙的绝缘膜11或者非磁膜在微波振荡器层的侧面上形成，沿主磁极的前部的长度在磁道宽度方向延伸。
[0018]图3示出根据该磁头结构的磁头场分布的差异。图3示出下列结构的磁头分布:(a)传统结构，其中在主磁极的尾侧上不存在倾斜部分；(b)传统结构，如图1C中所示，在主磁极的一部分尾侧上设置倾斜部分;和(c)根据图2A-B的实施例的结构，根据该结构，在晶片形成过程期间倾斜部分不在主磁极的尾侧上形成，而是在滑块形成过程期间MAMR磁头体关于ABS倾斜。如图3清楚所示，能够理解，较之主磁极的部分尾侧上没有设置倾斜部分的结构
(a)，具有在主磁极的尾侧的部分上设置有倾斜部分的传统结构(b)的磁头的磁头场更大。此外能够理解，在控制每个结构的厚度时，具有在主磁极的尾侧的部分上设置倾斜部分的传统结构(b)的记录头，和根据本发明的实施例的不在晶片形成过程期间在主磁极的尾侧上形成倾斜部分，而是如图2A-B的本发明实施例中所示在滑块形成过程期间MAMR磁头体关于ABS倾斜的结构(c)的记录头，在磁头场强度方面不具有明显差异。也就是说，能够理解，能够通过在滑块形成过程期间关于ABS倾斜MAMR磁头体，而不是在晶片形成过程期间在主磁极的尾侧上形成倾斜部分，来获得高场强度。
[0019]图4A-B和图5A-B示出形成主磁极80(图4A-B)的记录部分上有锥形的图1C的传统微波振荡器90的过程，和形成根据本发明的实施例的图2A-B的记录头10的微波振荡器9的过程之间的比较。根据该实施例，在滑块形成过程中MAMR磁头体13关于ABS倾斜，而在晶片形成过程期间不在主磁极8的尾侧18上形成倾斜部分(图5A-B)。如图4A中所示，在传统的微波振荡器处理中，微波振荡层90在主磁极80的尾侧上的整个表面上形成，并且形成抗蚀膜30以处理微波振荡层90的后部。在该图中省略了左手侧上的ABS侧。另外，如图4B中所示，通过离子束蚀刻执行处理，以去除部分微波振荡层90，但是微波振荡器90需要在主磁极80的尾侧上的倾斜部分上形成，并且在该位置处，抗蚀膜30和主磁极80之间的角度小于90°。当该角度小于90°时，通过离子束执行的蚀刻受阻碍，并且因此微波振荡器90的前部处的蚀刻率降低。也就是说，较之倾斜部分在平坦部分有更大量的蚀刻，所以存在主磁极80被蚀刻以去除处于倾斜部分上的微波振荡器90的前部处的膜的问题。当以这种方式蚀刻主磁极80时，就产生不平坦表面，并且不可能产生关于介质的适当记录场。
[0020]另一方面，根据本发明的实施例，如图5A中所示，能够理解抗蚀膜图案21关于微波振荡层9垂直地形成，并且主磁极8不在微波振荡器9的形成抗蚀膜图案21的前部处倾斜。然后，如图5B中所示，当通过离子束蚀刻执行处理以去除部分微波振荡层9时，抗蚀膜图案21和微波振荡层9之间的角度为90°，所以在晶片形成过程期间，在采用主磁极8在尾侧上具有倾斜部分的结构的情况下更均匀地应用离子束。因而，当去除微波振荡器9的前部处的膜时，主磁极8被蚀刻的量更小，并且因此磁头场的降低也更小。因而，当通过离子束蚀刻执行处理以去除部分微波振荡层9时，能够同样降低根据本发明实施例的当形成MAMR磁头10时的主磁极8的蚀刻量。图5C示出根据本发明的实施例的结构，其中在晶片形成过程期间，倾斜部分不在主磁极8的尾侧上形成，而是在滑块形成过程期间MAMR磁头体关于ABS倾斜。
[0021]图6A-N是横截面图，示出了根据本发明的实施例的用于产生图2A-B的MAMR磁头1的示例方法的制造步骤。图中的左手侧视图示出穿过MAMR磁头的中间截面的部分横截面侧视图，而右手侧视图示出MAMR磁头10的面对空气轴承表面的部分横截面前视图。
[0022]图6A示出衬底形成之后的形状(为了简短，在图6A-M中省略了衬底层16)。诸如氧化铝的下镀层I沉积在衬底上，以分离读取头和记录部分，形成屏蔽的第一磁层2(前缘屏蔽= LES)被镀在主磁极的前侧上，Al2O3绝缘层3在第一磁层2旁边并且在氧化铝I上形成，然后执行CMP(化学机械抛光)以使形状平面化。应注意，在传统滑块形成过程，应在晶片形成过程后去除平面A-A'左侧的部分，而在根据本发明实施例的滑块形成过程中，去除平面B-B'左侧的部分。这里，第一磁层2垂直于上面沉积有氧化铝I的衬底表面(图6A-M中未示出)形成，但是可以设置该过程使得提前以倾斜方式形成第一磁层2，从而它在滑块形成过程后垂直定向，以考虑最终ABSW-B,)的倾斜。
[0023]图6B示出当在第一磁层2和Al2O3绝缘膜3上形成包括用于随后的反应离子蚀刻(RIE)过程的硬掩模层和CMP阻挡层的多层膜4，并且然后使用掩模来图案化抗蚀膜图案5以获得所需的平面表面时的情况。这里，可使用包含N1、Cr等等的合金作为多层膜4的尾部分处的RIE阻挡，并且可使用DLC或者Ta等等作为其前层中的CMP阻挡。
[0024]图6C示出当使用抗蚀膜图案5作为掩模层而蚀刻多层膜4、去除抗蚀膜图案5并且然后使用多层膜4作为掩模用于通过RIE蚀刻第一磁层2时的情况。这里，Ar离子铣削被用于蚀刻多层膜4，但是采用CF4或者CHF3等的RIE可被用于在非蚀刻材料是Ta时蚀刻多层膜4的前侧。此外，当非蚀刻材料是类金刚石碳(DLC)时，可使用采用O2或者CO2等的RIE。此外，包含甲醇或者氨等等的RIE被用于蚀刻第一磁层2，利用多层膜4为掩模。然后，非磁膜6被沉积在第一磁层2、绝缘膜3和多层膜4上。为了例示，在穿过MAMR磁头的中间截面的部分横截面侧视图中省略了多层膜4。
[0025]图6D示出非磁膜6沉积之后的情况，非磁膜6构成用于主磁极和先前形成的沟道中的第一磁层2的磁分离层。这里，对非磁膜6的厚度选择主磁极宽度0.5-2.0倍的膜厚度。在这种情况下，非磁绝缘膜诸如Al2O3或非磁金属膜诸如Ru可被用作将主磁极与第一磁层2绝缘的非磁膜6的材料。然后，下镀层膜7和镀层8被沉积在非磁膜6上。
[0026]图6E示出在沟道中沉积下镀层膜7并且沉积构成主磁极的镀层8之后的情况。这里，可以通过镀下镀层膜7的整个表面而形成镀层8，或者抗蚀膜图案可以在下镀层膜7上形成然后提供部分镀。此外，产生高饱和磁通量密度的材料被用于形成主磁极的镀层8和下镀层膜7，以实现高记录性能，并且在这种情况下，优选CoFeN1、CoFe或者FeNi等等。
[0027]图6F示出当已经使用多层膜4作为阻挡层而通过化学机械抛光(CMP)将主磁极8平面化时的情况。如图所示，多层膜4上的镀层8被去除。
[0028]图6G示出在平面化后使用Ar离子铣削蚀刻主磁极8以使主磁极形成预定尺寸时的情况。这里，在主磁极8被蚀刻的同时也蚀刻和去除多层膜4。另外，第一磁层2也被蚀刻为基本与主磁极8相同高度，即在预定制造公差内的相同高度。然而，当在多层膜4中使用DLC等时，则可在此之前通过O2灰化去除DLC膜，之后可执行Ar离子铣削。
[0029]在图6H中，主磁极被平面化，之后微波振荡层9在下列整个表面上形成:非磁膜6、第一磁层2和主磁极8。主磁极8不仅向介质施加记录场，而且也用作电极用来向微波振荡层9提供电流。此外，从左和右图应明白，微波振荡层9的尾侧是水平的。
[0030]图61示出当抗蚀膜图案20被沉积在微波振荡层9上，并且使用抗蚀膜图案20作为掩模在磁道宽度方向通过Ar离子铣削蚀刻了微波振荡层9的前部时的情况。如图所示，在微波振荡层9的尾侧上不存在不平坦，所以抗蚀膜图案20能够被涂覆至均匀厚度，并且因此可提尚生广率。
[0031]图6J示出当已经在磁道宽度方向蚀刻了微波振荡层9的前部、绝缘膜11已经在微波振荡层9的两侧上形成并且已经执行CMP以去除抗蚀膜图案20时的情况。通过以这种方式在微波振荡层9的两侧上都形成绝缘膜11，可使主磁极8供应的电流选择性地流动至微波振荡层9。此外，在此过程中，在主磁极的尾侧上不存在倾斜部分，所以能够相对易于执行CMP。应注意，虽然未示出，但是CMP阻挡层也可以被设置在微波振荡层9的尾侧或者绝缘膜11上。
[0032]图6K示出当抗蚀膜图案21已经被沉积在微波振荡层的前部上并且使用抗蚀膜图案21作为掩模在高度方向通过Ar离子铣削蚀刻了微波振荡层的后部时的情况。通过与图61中相同的方式，在微波振荡层9的尾侧上不存在不平坦，所以抗蚀膜图案21能够被涂覆至均匀厚度，并且因此可提高生产率。
[0033]图6L示出沿高度方向在主磁极8上形成绝缘膜12并且已经执行CMP以去除抗蚀膜图案21时的情况。此外，通过与图6J中相同的方式，在主磁极的尾侧上不存在倾斜部分，所以能够相对易于执行CMP。应注意，虽然未示出，但是CMP阻挡层也可以被设置在微波振荡层9的尾侧或者绝缘膜12上。
[0034]图6M示出当已经形成微波振荡器、之后第二磁层15被镀在微波振荡层9和绝缘膜11上时的情况。这里，第二磁层15不仅用作尾屏蔽以向介质施加记录场，而且也用作电极向微波振荡层9提供电流。应注意，在该图中，第一磁层2和第二磁层15被绝缘膜11分离，但是同样可能的是绝缘膜在沿磁道宽度方向从微波振荡器层9延伸的区域中被去除并且使第一磁层2和第二磁层15电连接。然而，应在制造期间小心谨慎，以使电流高效流动至微波振荡层9，并且第一磁层2和第二磁层15之间的连接不与微波振荡层9形成并联电路。另外，下镀层膜7或部分第二磁层15也可以由具有高磁通量密度的材料制成。
[0035]图6N示出在微波振荡器9和记录元件形成过程之后、当在滑块形成过程中ABS(B_BQ成型为关于主磁极8的尾侧表面18以锐角22倾斜时的情况。这里，虽然图6A-M中未示出，但是衬底16存在于记录元件的下镀层处，并且读取元件可以存在于记录元件和衬底16之间。此外，用于感应磁通量的线圈和用于向线圈提供电流的电极等被连接至主磁极8或者第二磁层15，虽然未示出这些元件。
[0036]上述实施例提供了一种磁头，其中以良好的生产率形成磁记录头，该磁记录头在前部上具有锥形并且使得能够高频磁场辅助记录。为了实现该目标，磁头在记录磁极的尖端处的前部上具有锥形，不在晶片形成过程期间在主磁极的尾侧上的写入部上设置倾斜表面，所以能够提供平面部分以形成微波振荡器。
[0037I应理解，这里描述的构造和/或方法本质上是示例性的，并且这些特定实施例或者例子不应被视为限制性的，因为可能存在多种变体。这里描述的特定方法包括可以通过图示和/或描述的处理，这些处理可按照图示和/或描述的顺序、以其它顺序、并行地执行的或者省略。同样地，上述过程的顺序可以被改变。
[0038]本公开的主题包括本文公开的各种过程、系统和配置以及其它特征、功能、动作和/或特性的所有新颖和非新颖组合与子组合，及其任何和所有变体。
【主权项】
1.一种微波辅助磁记录(MAMR)磁头，包括: MAMR磁头体，该MAMR磁头体具有被配置成发出记录磁场的主磁极和位于所述主磁极的尾侧表面上的微波振荡器，所述主磁极用作第一电极并且具有前部和后部，该前部平行于空气轴承表面(ABS)或者形成该空气轴承表面的一部分，该后部从所述前部延伸， 其中所述主磁极的所述尾侧表面沿所述前部和后部形成平表面， 其中所述主磁极的所述尾侧表面在所述主磁极的所述前部处相对于所述主磁极的前侧表面倾斜，并且 其中所述MAMR磁头体相对于所述ABS成锐角倾斜，使得在所述主磁极的所述尾侧表面和所述ABS之间形成锐角。2.根据权利要求1所述的MAMR磁头， 其中在所述主磁极的所述尾侧表面和所述ABS之间的所述锐角在10至30度之间。3.根据权利要求1所述的MAMR磁头，其中 所述微波振荡器的前侧和尾侧两者都被配置成当电流流动至位于所述第一电极和第二电极之间的所述微波振荡器时产生高频磁场。4.根据权利要求1所述的MAMR磁头，其中 所述主磁极包括从由CoFeN1、CoFe和FeNi组成的组中选择的材料。5.根据权利要求1所述的MAMR磁头，其中 所述微波振荡层沿所述主磁极的所述前部的长度在磁道宽度方向上延伸，并且 绝缘膜在所述磁道宽度方向上在所述微波振荡层的两侧上形成。6.根据权利要求1所述的MAMR磁头，其中 非磁膜围绕所述主磁极设置并且被配置成绝缘所述主磁极。7.根据权利要求6所述的MAMR磁头，其中 所述非磁膜的厚度是所述主磁极的宽度的0.5-2.0倍。8.根据权利要求6所述的MAMR磁头，其中 所述非磁膜包括从由Al 203和Ru组成的组中选择的材料。9.一种包括根据权利要求1所述的MAMR磁头的硬盘驱动器。10.一种微波辅助磁记录(MAMR)磁头，包括: MAMR磁头体，该MAMR磁头体具有被配置成发出记录磁场的主磁极和位于所述主磁极的尾侧表面上的微波振荡器，所述主磁极用作电极并且具有前部，该前部平行于空气轴承表面(ABS)或者形成该空气轴承表面的一部分， 其中所述MAMR磁头体相对于所述ABS成锐角倾斜，使得在所述MAMR磁头体的所述尾侧表面和所述ABS之间形成锐角。11.一种制作微波辅助磁记录(MAMR)磁头的方法，包括: 形成衬底； 在所述衬底上沉积氧化铝； 在所述氧化铝上形成第一磁层； 在所述第一磁层旁边并且在所述氧化铝之上形成Al2O3绝缘膜； 在所述第一磁层和所述Al2O3绝缘膜之上沉积包括硬掩模层、阻挡层和第一抗蚀剂图案的多层膜； 反应离子刻蚀所述多层膜； 去除所述第一磁层和所述Al2O3绝缘膜上的所述第一抗蚀剂图案； 使用所述多层膜作为掩模反应离子刻蚀所述第一磁层； 在所述第一磁层、所述绝缘膜和所述硬掩模层上沉积非磁膜； 在所述非磁膜上沉积下镀层膜和镀层以构成主磁极； 去除所述多层膜上的所述镀层； 蚀刻和去除所述多层膜，并且同时蚀刻所述主磁极； 蚀刻所述第一磁层； 在所述非磁膜、所述第一磁层和所述主磁极上沉积微波振荡层； 在所述微波振荡层上沉积第二抗蚀剂图案； 在磁道宽度方向上蚀刻所述微波振荡层的前部； 在所述微波振荡层的两侧上都形成绝缘膜； 去除所述第二抗蚀剂图案； 在所述微波振荡层的所述前部上沉积第三抗蚀剂图案； 在高度方向上蚀刻所述微波振荡层的后部； 在所述高度方向上在所述主磁极上形成绝缘膜； 去除所述第三抗蚀剂图案； 在所述微波振荡层和所述绝缘膜上镀第二磁层;和 形成空气轴承表面(ABS)，该空气轴承表面相对于所述主磁极的尾侧表面以锐角倾斜。12.根据权利要求11所述的方法，其中 所述阻挡层包括DLC或者Ta。13.根据权利要求11所述的方法，其中 利用Ar离子铣削来蚀刻所述硬掩模层。14.根据权利要求12所述的方法，其中 以采用CF4或者CHF3的RIE来蚀刻包含Ta的所述阻挡层。15.根据权利要求12所述的方法，其中 以采用O2或者CO2的RIE来蚀刻包含类金刚石碳的所述阻挡层。16.根据权利要求11所述的方法，其中 以采用甲醇或者氨的反应离子来蚀刻而蚀刻所述第一磁层。17.根据权利要求12所述的方法，其中 通过O2灰化来去除包含类金刚石碳的所述阻挡层。18.根据权利要求11所述的方法，其中 在从所述微波振荡层沿所述磁道宽度方向延伸的区域中去除所述微波振荡层的两侧的绝缘膜。19.根据权利要求11所述的方法，其中 所述第一磁层和所述第二磁层被电连接。20.一种制作微波辅助磁记录(MAMR)磁头的方法，包括: 形成MAMR磁头体，该MAMR磁头体具有被配置成发出记录磁场的主磁极，所述主磁极用作电极并且具有前部，该前部平行于空气轴承表面(ABS)或者形成该空气轴承表面的一部 分； 形成位于所述主磁极的尾侧表面上的微波振荡器;和 使所述MAMR磁头体对于所述ABS成锐角倾斜，使得在所述MAMR磁头体的尾侧表面和所述ABS之间形成锐角。
【文档编号】G11B5/127GK105895120SQ201610086220
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年2月15日
【发明人】木村久志, 杉浦健二, 有动雄太, 渡边克朗
【申请人】Hgst荷兰有限公司