专利名称：介质谐振器、介质滤波器、介质双工器和通信装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种介质谐振器、介质滤波器和介质双工器，它们包含介质块和形成在介质块的内表面和外表面上，并用作电极的导电层，本发明还涉及一种使用上述介质谐振器、介质滤波器和介质双工器中的至少一样的通信装置。
典型的用于微波频带中的介质谐振器是使用矩形或圆筒形介质块形成的，这种介质块具有同轴的通孔，其中在通孔的内表面上形成内部导体，并在介质块的外表面上形成外部导体。在现有技术中，还已知通过在矩形介质块中形成多个通孔，以及在各个通孔的内表面上形成内部导体，由此在单个介质块中形成多个介质谐振器而构成具有多级谐振器的介质滤波器或介质双工器。
诸如通过在介质块的内表面和外表面上形成用作多级的导电薄膜构成的介质谐振器和介质滤波器之类的装置具有这种优点，即整体的尺寸小，并且得到高的无载Q(Q0)。
但是，当将这种类型的装置用于处理大功率的电路中时，如发送滤波器或介质双工器用作天线双工器的情况，希望进一步减小介质谐振器的损耗或介质滤波器的介入损失，以便满足减小电子装置尺寸以及的功耗的需要。
由此，本发明的有关目的是提供一种介质谐振器、介质滤波器和介质双工器，其尺寸小，并且具有减小的损失。
通常，介质谐振器的损失包含诸如内部导体和外部导体之类的导电薄膜的导体损失，介质材料的介质损失，以及发射到外面的发射损失，这些损失中，导体损失是占支配地位。由此，减小介质谐振器的损失的要点是减小导电损失。
为了减小导体损失，使用高导电性的材料形成电极，并增加电极的薄膜厚度是有效的。但是，在诸如微波带频率之类的高频下，电流由于表面区域中的趋肤效应而集中，并且趋肤深度依赖于工作频率。因此，超过趋肤深度的导电薄膜的厚度的增加导致导体损失不进一步减小。
如果增加介质块的尺寸，并且如果将具有小的集中常数的介质材料用于形成介质块，导电薄膜将具有减小的电流密度，并且由此，将减小导电损失。但是，这种技术无法满足减小尺寸的需要。
考虑到上述情况，本发明提供了一种介质谐振器，包含介质块、形成在从介质块的一个端面延伸到相对端面的通孔的内表面上的内部导体，以及形成在介质块的外表面上的外部导体，其中内部导体和外部导体中的至少一个的至少一部分具有薄膜多层电极结构，它们是通过交替地设置厚度小于工作频率时的趋肤深度的薄膜导电层以及具有特定介质常数的薄膜介质层而形成的，由此允许电流基本上相等地通过薄膜多层电极结构的各个薄膜导电层，并且由此达到增加电流通路的有效面积(有效截面部分)，并减小导体损失。结果，达到具有低损失的介质谐振器。
本发明还提供了一种介质滤波器，包含上述介质块，以及用作高频信号输入/输出端子的外部端子。这里，介质块最好包含多个通孔，并且形成在通孔的内表面上的内部导体的最接近的部分最好具有薄膜多层电极结构。在这种结构中，将薄膜多层电极结构设置在以两个谐振器的耦合模式的奇模式的电场集中位置处，由此有效地改进了介质滤波器的介入损失。
本发明还提供了一种介质双工器，它包含上述介质块，用于与天线连接的外部端子，以及用于与接收电路连接的外部端子，以及与发射电路连接的外部端子，其中将外部端子设置在介质块的外表面上。可以使用该使用单个介质块的介质双工器作为例如发送滤波器和接收滤波器的天线双工器。
本发明还提供了一种通信装置，它包含上述介质滤波器，用作例如发送/接收信号带通滤波器，或包含上述介质双工器，用作天线双工器。由此，可以实现具有小尺寸，并具有高功率效率的通信装置。
图1是概图，说明根据本发明的第一实施例的介质谐振器的结构；图2是概图，说明介质谐振器的主要部分的电流分布的例子；图3是概图，说明根据本发明的第二实施例的介质谐振器的结构；图4是透视图，说明根据本发明的第三实施例的介质谐振器的外貌；图5是图4中所示的介质滤波器的示图，从其中形成通孔的开口端的端面侧看，其中还示出了介质滤波器的一部分的放大示图；图6是概图，说明根据本发明的第四实施例的介质谐振器的结构；图7是概图，说明根据本发明的第五实施例的介质谐振器的结构；图8是根据本发明的第六实施例的介质双工器的投影图9是根据本发明的第六实施例的介质双工器的截面图，其中还示出其一部分的放大示图；图10是根据本发明的第七实施例的介质双工器的投影图；图11是截面图，说明根据本发明的第八实施例的介质滤波器和介质双工器的结构；图12是方框图，说明根据本发明的第九实施例的通信装置的配置。
下面，根据本发明的第一实施例，描述根据本发明的第一实施例的介质谐振器的结构。
图1是透视图，说明介质谐振器的外貌，图1B是其沿中线得到的截面图。在这些图中，标号11表示圆筒形介质块，它具有通孔2，沿从一个端面到相对端面的中心轴延伸。内部导体3形成在通孔2的内表面上，并且外部导体4形成在介质块的外表面上。如将在下面描述的，内部导体3和外部导体都形成得具有薄膜多层电极结构，该结构由多个相互交替设置的薄膜导电层和薄膜介质层构成。
图2是图1B中由D表示的部分的截面图。注意，在图2中，介质块1的厚度必须相对于薄膜导电层的厚度而减小。图2中，实线箭头表现高频电流，虚线箭头表现位移电流。标号31和41表示薄膜导电层，其厚度等于或小于在工作频率的趋肤深度。标号32和42表示薄膜介质层，它具有特定的介质常数(例如，ε=4到20)。标号33和43表示最外面导电层。具有多层电极结构的内部导体3和外部导体4通过交替地设置薄膜导电层和薄膜介质层生产。形成最外面导电层，以便具有大的厚度，由此，达到薄膜多层电极结构的表面层。这允许由薄膜导电层和薄膜介质层形成的多层结构得到维持，而在将针电极插入通孔2，以便达到与内部导体3的电气连接时，或当将介质谐振器的外部电极4焊接到安装基片上的接地电极时，不变形。更具体地说，例如，薄膜导电层和薄膜介质层的数量可以是2，每一个薄膜导电层的厚度可以是1823nm，每一个介质层的厚度可以是113nm，并且每一个最外面导电层的厚度可以是6000nm，然而，具体的值可以依赖于工作频率变化。
第96/604,952(WO95/06336)号美国专利(被转让给村田制造公司)详细地揭示了一种设计薄膜多层电极结构的方法。现在将其揭示结合以供参考。
如果将高频信号施加到最外面导电层33和43中间，如图2所示，一个高频电场施加在介质块1上，并且产生谐振。通过较低位置处的薄膜介质层施加到各个薄膜导电层31和41的高频功率部分传送到位于较上面位置的薄膜导电层，并且高频信号的能量部分地通过较低位置的薄膜介质层，反射回较低位置处的薄膜导电层。在位于相邻的两个薄膜导电层之间的每一个薄膜介质层中，反射和传送的波谐振，并且高频电流在每一个薄膜导电层的上表面区域和下表面区域中流动，从而它们沿平行但是相对的方向流动。因为薄膜导电层31和41的厚度小于趋肤深度，故沿平行但是相对方向移动的两个高频电流通过薄膜介质层相互干扰。结果，消除了几乎所有的电流。
另一方面，在薄膜介质层32和42中，由电磁场产生位移电流。结果，在与薄膜介质层32和42直接相邻的薄膜导电层的表面中产生高频电流。在该第一实施例中，介质谐振器用作半波同轴谐振器，其两端是开路的，并且由此沿着内部导体3的纵向上，位移电流在两端处是最大的。选择各个薄膜介质层32和42的厚度，从而传过介质块1和薄膜介质层的TEM波的相速度基本上相等。因此，以分布形式流过薄膜导电层31和41的高频电流相位相等。这导致了有效趋肤深度的增加。
如上所述，通过将电流分布在薄膜导电层31和41之间，以便使分布电流以相同的相位流动，得到增加的有效趋肤深度。结果，电流通路的有效面积(有效截面部分)增加，由此，减小了导体损耗。由此，得到具有低损耗的介质谐振器。虽然在本实施例中，内部和外部导体都形成以具有薄膜多层电极结构，但是，只有外部导体或只有内部导体可具有薄膜多层电极结构。
下面，参照附图3，描述根据第二实施例的介质谐振器的结构。
图3A是透视图，说明介质谐振器的外貌，图3B是其沿中心轴的截面图。图3C是由图3B中的C表示的部分的放大的示图。在该实施例中，和上述参照图1描述的第一实施例不同，在介质块1的图3A中的前侧形成一个端面，以便用作开路端，并且形成相对的端面，以便用作短路端。以类似于第一实施例的方法，在通孔2的内表面和介质块1的外表面上分别形成有内部导体3和外部导体4。由图3B中的D表示的A部分具有类似于图2中所示的电极结构，虽然电流和位移电流的分布是不同的。将单层电极形式的外部导体4＇设置在介质块的短路端面上，从而具有薄膜多层电极结构的内部导体3的一端和具有薄膜多层电极结构的外部导体4的一个端部通过外部导体4＇电气连接。外部导体4＇将内部导体3的薄膜导电层31和最外面导体层33连接在一起，并将外部导体4的薄膜导电层41和最外面导电层43连接在一起。
作为将短路端的薄膜多层电极结构的各个导电层连接在一起的结果，各个薄膜导电层具有公共的零电势，并且流过各个薄膜导电层的高频电流具有相同的相位。由此，作为第一实施例，增加了有效的趋肤深度。这里，外部导体4＇的导体损耗可以通过形成外部导体4＇，以具有等于或大于在工作频率的趋肤深度而最小化。
因为短路端面上的外部导体4＇是以单层电极形成的，故可简单地通过切割外部导体4＇的一部分特定的量，调节介质谐振器的谐振频率。
下面参照附图4和5，描述根据第三实施例的介质滤波器的结构。
图4是透视图，说明介质滤波器的外貌。注意，画出介质滤波器，从而要与安装基片接触的平面在图4的顶侧上。在图4中，标号1表示矩形的介质块。在介质块1中，通孔2a和2b形成在流过相对的端面之间，从而它们的轴相互平行。通孔2a和2b沿其轴的孔径具有台阶结构。即，通孔2a和2b包含在中间部分形成小孔径的小直径部分，以及在两端侧上形成大孔径的大直径部分。内部导体3a和3b形成在各个通孔2a和2b的内表面上。在介质块1的外表面上，在除了其间形成有通孔2a和2b的两个端面以外的四个侧面上形成外部导体4。另外，在介质块1的外表面上形成用于输入/输出高频信号的信号输入/输出端子7a和7b，从而它们与外部导体4电气绝缘。
图5A是图4所示的介质滤波器的示图，从其中形成有通孔2a和2b的开口端的一个端面侧看。图5B是图5A中的B表示的部分的放大的示图。如可以看到的，外部导体4具有薄膜多层电极结构，由最外面导电层43，以及包含薄膜导电层41和薄膜介质层21的多层部分构成。如图5B所示，薄膜导电层41和薄膜介质层42沿介质块的一个侧表面到另一个侧表面的脊连续延伸。内部导体3a和3b也具有类似于概图2所示的薄膜多层电极结构。由此，两个相互耦合的半波谐振器形成在单个的介质块中。
通过首先在介质块1的四个侧表面的整个面积上形成薄膜多层电极结构，然后选择性地蚀刻薄膜多层电极结构，以便形成与外部导体4其它部分绝缘的部分，形成信号输入/输出端子7a和7b。信号输入/输出端子7a和7b通过每一个内部导体3a和3b的一个开口端，产生静电电容，由此，使信号输入/输出端子7a和7b与各个谐振器电容耦合。形成信号输入/输出端子7a和7b，以便具有类似于外部导体4的薄膜多层电极结构，或可以形成得具有单层的电极结构，因为信号输入/输出端子7a和7b具有小的电流密度。
下面参照附图6，描述根据第四实施例的介质滤波器的结构。
图6A是介质滤波器的示图，从其中形成有两个通孔的开口端的一个端面的侧看。图6B是介质滤波器的沿垂直于通孔的轴取得的截面图。图6A中，实线箭头表现奇模式的电力线，由此表现电场分布。如可以看到的，在该奇模式中，两个内部导体3a和3b之间的部分用作电气的壁(electrical wall)，由此，电场集中在内部导体3a和3b的最接近的部分。结果，在这些区域中电流密度增大。考虑上述情况，形成内部导体，从而内部导体的电流密度增大的区域，即内部导体最接近的部分具有薄膜多层电极结构，如图6B所示。即，在图6B中，标号31和32分别表示构成薄膜多层电极结构的薄膜导电层和薄膜介质层。在这种结构中，两个内部导体3a和3b的薄膜多层电极结构的相对的部分的电流分布(沿奇模式的轴)类似于图2所示的情况。由此，内部导体3a和3b的有效趋肤深度增加，并且内部导体电气导电损耗减小。
下面，参照图7描述第五实施例的介质滤波器的结构。图7A是透视图，说明介质滤波器的外貌，并且图7B是沿两个通孔中的一个的中心轴取得的截面图。图7C是由图7B中的C表示的部分的放大的示图。在这个实施例中，其内表面覆盖有内部导体的通孔2a和2b形成在介质块1中，并且外部导体4和信号输入/输出端子7a和7b形成在介质块的外表面上。在这个实施例中，和图4中所示的介质滤波器不同，每一个通孔2a和2b中的一端形成得用作开路平面，相对的一端形成得用作短路平面。每一个通孔2a和2b包含位于开路端的具有大内径的大直径部分，以及位于短路端的具有小内径的小直径部分。
在介质块1的短路侧表面上设置单层电极形式的外部导体4’，其厚度等于或大于在工作频率下趋肤深度的3倍，从而具有薄膜多层电极结构的内部导体3和外部导体4相互电气连接，并且各个薄膜导电层也连接到一起。还将另一个内部导体3b以类似方法电气连接。
通过按照上述方法在单个介质块中形成四分之一波谐振器，得到具有带通特性的介质滤波器。
虽然在该第五实施例中，形成通孔，从而每一个通孔只有一端用作短路的平面，则通孔还可以形成得从而每一个通孔的两端用作短路平面，由此形成在两个短路端产生半波谐振的谐振器。
下面参照图8和9，描述根据第六实施例的介质双工器的结构。
图8是介质双工器的投影图，其中，在图8A、8B、8C和8D中分别给出了顶视图、左视图、右示图和后视图。注意，图8中所示的上表面是要与安装基片接触的表面。如图8所示，在具有一般是矩形的介质块1中形成基本上平行的通孔2a到2b。在每一个通孔的内表面上形成具有薄膜多层电极结构的内部导体。在四个侧表面上形成具有薄膜多层电极结构的外部导体4，它和介质块1的通孔的轴平行。在介质块1的一个端面上设置单层电极形式的外部导体4＇，用作短路的平面。在介质块1的带路端面上形成开路端电极5a到5d，从各个内部导体连续延伸。在该开路端面上，还形成与相邻的开路端电极电容耦合的耦合电极6a、6b和6c。另外，信号输入/输出端子7a、7b和7c形成在介质块1的这个开路端面上，从而它们由各个耦合电极6a,6b和6连续延伸，从而它们与外部导体4电气绝缘。
图9A是沿其中有通孔2a的轴，并且垂直于介质块1的上表面的平面的介质双工器的截面图。图9B表示由图9A中的B表示的部分中放大的示图。如图9B所示，形成内部导体3a，以便具有由薄膜导电层31、薄膜介质层32以及最外面导电层33构成的薄膜多层电极结构。开路端电极5a还具有薄膜多层电极结构，其每一层都连续地延伸到介质块1的端面。
因为由内部导体延伸的开路端的电极的各个薄膜导电层在开路端保持开路，而不连接到一起，故流过各个薄膜导电层31和42的高频电流具有基本上相同的相位。即，将高频电流分布在薄膜导电层31和41之间，并且分布电流以相同的相位流动。这导致了有效趋肤深度的增加。
再次参照图8，两个形成有各个通孔2a和2b的谐振器通过开路端电极5a和5b之间的电容相互耦合。类似地，形成有各个通孔2c和2d的两个谐振器通过开路端电极5c和5d之间的电容相互耦合。耦合电极6a与开路端电极5a电容耦合，并且耦合电极6c与开路端电极5d电容耦合。耦合电极6b与开路的电极5b和5c电容耦合。由此，根据本实施例的介质双工器用作天线双工器，其中，信号输入/输出端子7a用作与发射电路连接的外部端子，信号输入/输出端子7b用作与天线连接的外部端子，并且信号输入/输出端子7c用于与接收电路连接的外部端子。
下面，参照图10，描述根据第七实施例的介质双工器的结构。
图10A、10B、10C、10D和10E分别是介质双工器的顶视图、左视图、右示图、后视图。这里，图10中所示的上表面是要与安装基片接触的表面。
如图10所示，在一般是矩形的介质块中形成基本上平行的通孔2a到2f、8a和8b。在每一个通孔2a到2f的内表面上形成薄膜多层电极结构，并在每一个通孔2a到2f的一个开口端附近区域中形成无电极部分g。在介质块1的四个侧表面上形成具有薄膜多层电极结构的外部导体4，它们平行于介质块的通孔的轴。在介质块1的两个端面上设置单层的电极形式的外部导体4＇，用作短路的平面。在每一个通孔8a和8b的一个开口端上形成信号输入/输出端子7a和7b，从而信号输入/输出端子7a和7b连续地从形成在通孔8a和8b的内表面上的内部导体延伸到介质块1的端面，并进一步至上表面上，从而信号输入/输出端子7a和7与外部电极4和4＇绝缘。另外，与外部导体4绝缘的信号输入/输出端子7c也形成在介质块1的外表面上。
形成有通孔2b和2c的两个谐振器以梳形线的形式耦合。耦合线的孔8a和8b与形成有通孔2b和2c的各个谐振器插指式耦合。形成有通孔2a的谐振器与耦合线孔8a插指式耦合。由此，具有宽通带的滤波器形成有由通孔2b和2c构成的2阶谐振器，并且发送滤波器形成有该宽带滤波器以及陷波谐振器(由通孔2a实现)。形成有通孔2d、2e和2f的三个谐振器以梳形线形式耦合。耦合线孔8b与形成有通孔2d的谐振器插指式耦合。信号输入/输出端子7c与形成有通孔2f的谐振器电容耦合。由此，由三个谐振器形成具有带通特性的接收滤波器，这由通孔2d、2e和2f实现。
由此，根据本实施例的介质双工器用作天线双工器，其中信号输入/输出端子7a用作与发射电路连接的外部端子，信号输入/输出端子7b用作与天线连接的外部端子，并且信号输入/输出端子7c用作与接收电路连接的外部端子。
下面根据图11描述根据第八实施例的介质滤波器和介质双工器的结构的例子。
图11A和11B是放大的截面图，说明介质滤波器或介质双工器中的介质块部分。图11A和11B中，示出介质块的短路端部分(类似于由图3或7中的C表示的部分)的截面结构。形成在介质块1的通孔2的内表面上的内部导体3的结构，以及形成在介质块1的外部侧表面上的外部导体4的结构类似于图3或7中所示出的情况。
在图11A中示出的例子中，包含交替地设置成多层结构的薄膜导电层41和薄膜介质层42的薄膜多层电极，以及最外面导电层43形成在介质块1的短路的端面上。在薄膜多层电极结构的内部导体3的一端(角部分)以及薄膜多层电极结构的外部导体4的一端(角部分)，包含最外面导电层的各个薄膜导电层通过单层的电极电气连接。
作为将短路端处的薄膜多层电极的各个导电层连接到一起的结果，各个薄膜导电层具有公共的零电位，并且流过各个薄膜导电层的高频电流具有相同的相位。由此，如在第一实施例中的，增加有效的趋肤深度。因为短路的端面上的外部电极4还具有薄膜多层电极结构，故电流分布在短路的端面上的外部导体4的薄膜导电层中，由此，显著减小短路的端面处的导体损耗。
在图11B所示的例子中，通孔2的内表面上的内部导体3、介质块1外表面上的外部导体4，以及短路的端面上的外部导体4都由具有薄膜多层电极结构的连续电极形成。还是在该结构中，流过各个薄膜导电层的高频电流具有基本上相同的相位，并且有效趋肤深度增加。另外，电流分布在短路的端面上的外部导体的薄膜导电层中，由此短路的端面处的导体损耗也显著减小。
下面参照图12描述使用根据上述实施例中的任何一个的介质滤波器或介质双工器的通信装置的配置。如图12所示，通信装置包含发送/接收天线ANT、双工器DPX、带通滤波器BPFA、BPFB以及BPFC，附带AMPA和AMPB，混合器MIXA和MIXB，以及振荡器OSC，以及分频器(合成器)DIV。混合器MIXA根据调制信号，调制从分频器DI输出的频率信号。带通滤波器BPFA仅让发送频带中的信号成份通过。放大器AMPA放大从带通滤波器BPFA输出的信号的功率。放大的信号通过双工器DPX提供到天线ANT，并从天线ANT发送。放大器AMPB放大从双工器DPX输出的信号。带通滤波器BPFB仅仅让接收频带中的信号成份通过。混合器MIXB将从带通滤波器BPFC输出的频率信号与接收的信号混合，并输出中频信号IF。
具有如图8、10和11所示的结构中的任何一个的介质双工器可以用作如图12所示的双工器DPX。具有如图1到7所示的结构中的任何一个的介质滤波器可以用作带通滤波器BPFA、BPFB和BPFC。由此，实现具有小尺寸，和低损耗的通信装置。
在上述实施例中，在矩形形状的单个介质块的内外表面上形成电极。或者，可以通过粘合在特定位置处形成有电极的两个或更多的介质块，生产具有类似的结构的介质谐振器、介质滤波器或介质双工器。可以通过诸如喷射、真空蒸发、CVD、激光磨损或离子电镀法等物理或化学薄膜沉淀技术，使导电层和介质层交替地形成为多层结构而生产薄膜多层电极。
如上所述，本发明提供了非常好的优点。即，在本发明的一个方面中，内部导体和外部导体的至少一个的至少一部分具有薄膜多层电极结构，它是通过交替地设置厚度小于工作频率处的趋肤深度的薄膜导电层以及具有特定介质常数的薄膜介质层形成的薄膜多层电极结构，由此，增加了内外部导体的有效截面面积，并且由此减小了导体损耗。这允许实现具有低损耗特性的介质谐振器、介质滤波器和介质双工器。另外，还可以实现具有小尺寸和高功率效率的通信装置。
另外，根据本发明的另一个方面，在介质块的两个相对的端面之间形成通孔，其中介质块的两个相对端面中的一个用作开路端面，另一个用作短路端面。短路端面覆盖有具有单层电极结构的外部导体，其厚度大于工作频率时的趋肤深度。设置在短路端面以外的一侧表面上的外部导体具有薄膜多层电极结构。由此，在具有短路端面的介质谐振器内，流过薄膜多层电极的各个薄膜导电层的电流具有相同的相位。结果，由于电流在薄膜导电层中的分布，能够实现低损耗特性。
另外，在本发明的另一方面中，在介质块内形成多个通孔，并且在通孔的内表面上形成内部导体，从而内部导体的最接近的部分具有薄膜多层电极结构。在这种结构中，由于在电流集中的位置设置薄膜多层电极结构，故有效地改进了介质滤波器的介入损失。
权利要求
1．一种介质谐振器，其特征在于包含介质块；形成在通孔的内表面上的内部导体，所述通孔从所述介质块的一个端面延伸到相对的端表面；及形成在所述介质块的外表面上的外部导体；其中所述内部导体和所述外部导体中的至少一个的至少一部分具有薄膜多层电极结构，所述薄膜多层电极结构是通过交替地设置厚度小于工作频率时的趋肤深度的薄膜导电层和具有特定介质常数的薄膜介质层形成的。
2．如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述外部导体形成得具有所述薄膜多层电极结构。
3．如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述内部导体形成得具有所述薄膜多层电极结构。
4．如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述一个端面形成得用作开路端面，所述相对的端面用作短路端面，所述短路端面上的所述外部导体的一部分形成得具有单层电极结构，所述短路端面上的外部导体除了上述部分以外的部分形成得具有薄膜多层电极结构。
5．如权利要求4所述的介质谐振器，其特征在于所述短路端面上的外部导体的所述部分厚度等于或大于所述工作频率时的趋肤深度的3倍。
6．如权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于所述通孔包含具有小孔径的小直径部分，以及具有大孔径的大直径部分。
7．一种介质滤波器，其特征在于包含如权利要求1所述的介质块；以及设置在所述介质块的外表面上，并用作高频信号输入/输出端子的外部端子。
8．如权利要求7所述的介质滤波器，其特征在于所述介质块具有多个所述通孔。
9．如权利要求8所述的介质滤波器，其特征在于在形成在相邻通孔的内表面上的内部导体中，内部导体最接近的部分形成得具有所述薄膜多层电极结构。
10．一种介质双工器，其特征在于包含如权利要求7到9中任一条所述的介质滤波器；用于与天线连接的外部端子；用于与接收电路连接的外部端子；及用于发射电路连接的外部端子；所述外部端子设置在所述介质块的外表面上。
11．一种通信装置，其特征在于包含如权利要求7到9任一条所述的介质滤波器，或者如权利要求10所述的介质双工器。
全文摘要
本发明揭示了一种小尺寸、低损耗的介质谐振器、介质滤波器和介质双工器,以及使用这种元件的通信装置。在介质块中形成通孔。每一个通孔的内表面由薄膜多层电极构成,所述薄膜多层电极由最外面导电层和包含薄膜导电层和薄膜介质层的多层区域构成。在介质块的外表面上形成具有类似的薄膜多层电极结构的外部导体。在介质块的短路端面上形成单层电极形式的外部导体,由此将薄膜导电层的内部导体和外部导体连接到一起。
文档编号H01P1/205GK1301055SQ0013283
公开日2001年6月27日 申请日期2000年11月6日 优先权日1999年11月5日
发明者多田齐, 加藤英幸, 松本治雄 申请人:株式会社村田制作所