专利名称：回收离子注入掺杂剂量监控片的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体离子注入工艺，更明确地说，系关于一种回收，再利用监测衬底片离子注入掺杂剂量监控片的工艺方法，属半导体器件制造工艺。
本发明工艺中，屏蔽层包含氧化层。然而，只要屏蔽层的反射率为已知，监控片上的热波(TW)值均可以测量出。故本发明中所用的屏蔽层不限定于氧化物，只要反射率明确已知的材料均可用作屏蔽层。
下面详细说明本发明实施例步骤c，利用热波仪对监控片进行热波(Thermalwave)值测量。
步骤d，利用氢氟酸蒸气除去屏蔽层，回收监控片，作再次监控热波(TW)值测量。
另外，为了验证本发明方法的准确性，可在步骤c中，同时装上全新监控片进行灵敏度及重复性比较。下面以能量为100KeV，掺杂注入硼，列表1和表2作灵敏度及重复性比较
表1热波(TW)测量灵敏度比较
从表1实验数据看，回收监控片及全新监控片灵敏度分别为0.362及0.36，几乎相等。
表2重复性(剂量为5.0×1013/cm2)比较
从表2的重复性看，第一及第二次回收显示良好的稳定性。第三次回收中，回收监控片与全新监控片热波(TW)测量值均有相同向下的趋势。因此，明显验证出本发明回收方法的可行性。
权利要求
1.一种回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，包括监控片、屏蔽层、离子注入掺杂工艺以及热波测量仪，其特征在于工艺方法如下a)在监控片上沉积屏蔽层；b)掺杂离子注入监控片；c)破坏值测量掺杂离子注入监控片；d)去除监控片上的屏蔽层， 回收离子注入掺杂监控片。
2.根据权利要求1所述的回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，其特征在于，可回收一次以上监控片上沉积的屏蔽层包含氧化物层。
3.根据权利要求1或2所述的回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，其特征在于，氧化物厚度≥100埃，沉积温度为780度。
4.根据权利要求1所述的回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，其特征在于离子注入掺杂元素为硼、磷或砷。
5.根据权利要求1所述的回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，其特征在于离子注入条件为能量≥20keV，剂量5×1012原子/厘米2。
6.根据权利要求1或2或3所述的回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，其特征在于去除屏蔽层用的材料为氢氟酸蒸气。
7.根据权利要求1所述的回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，其特征在于回收监控片测试灵敏度对照全新监控片测试灵敏度定标。
8.根据权利要求1或2所述的回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，其特征在于离子注入掺杂监控片的破坏值测量为热波量测。
全文摘要
本发明涉及一种回收，再利用监测衬底片离子注入掺杂剂量监控片的工艺方法。回收监控片的方法，包含步骤a)在全新或回收的监控片上沉积屏蔽层；b)离子注入沉积有屏蔽层的监控片c)利用热波仪对离子注入监控片进行热波(Thermal wave)值测量。d)用氢氟酸蒸气除去屏蔽层，回收监控片，作再次监控使用。本发明工艺所用屏蔽层包含氧化层。但只要反射率明确已知的材料均可用作屏蔽层。另外，本发明方法同时装上全新监控片进行灵敏度及重复性比较。通过比较验证说明本发明回收方法是一种实用、有效的工艺方法。
文档编号H01L21/265GK1412820SQ02145359
公开日2003年4月23日 申请日期2002年11月25日 优先权日2002年11月25日
发明者苏俊铭, 宋建鹏, 肖天金, 黄晋德 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司