专利名称：高频组件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种具有信息通讯和储存功能的高频组件及其制造方法，该高频组件可以作为超小型通讯组件固定或可拆卸地安装于诸如个人计算机、个人数字助理、移动电话或音频设备的电子设备中，从而提供极紧凑的通讯组件。
背景技术：
通常，在个人计算机、各种移动电子设备等中，为方便处理而将音频或视频信息数字化。即，数字式数据可以容易地记录、复制或传输而质量不会受损。为更容易和更有效地经数字通讯和广播发布至各种通讯终端，这种数字音频或视频信息可以利用音频或视频编码技术压缩其频带。例如，音频和视频数据(AV数据)可以通过移动电话在户外接收到。
近来，由于提出了适于户外使用以及在小范围区域内使用的网络系统，正在以各种方式实际使用用于这种数字信息的传送/接收系统。作为这种网络系统，除使用400MHz频带的周无线电波系统(week radio-wave system)和使用1.9GHz频带的个人手持电话系统(PHS)以外，已经提出了各种类型的下一代无线通讯系统，包括采用IEEE 802.11b的使用2.45GHz频带的无线LAN系统和称为“蓝牙”的小范围无线通讯系统、以及采用IEEE 802.11a的使用5GHz频带的窄带无线通讯系统。通过有效地使用这些各种无线通讯系统以及各种类型的通讯终端，数字信息传送/接收系统可以通过各种类型的通讯终端在各种地方(例如在户内、户外等)传送和接收各种类型的数据、访问诸如国际互联网的通讯网络、以及进行向通讯网络的数据传送和从通讯系统的数据接收。然而，上述数据通讯可以容易地完成而无需经过任何转发器等。
然而，对于数字信息传送/接收系统，具有上述通讯功能的通讯终端本质上应该是紧凑、重量轻、且易于携带的。由于通讯终端必须在其传送/接收模块中调制和解调模拟高频信号，因此其通常包括超外差型高频传送/接收电路，其设计为在用于传送或接收时将信号频率转换为中频。
高频传送/接收电路包括具有天线和选择开关并接收或传送信息信号的天线模块、以及在传送和接收模式的操作间进行选择的传送/接收选择器。高频传送/接收电路还包括由频率转换电路、解调电路等构成的接收电路模块。高频传送/接收电路还包括由功率放大器、驱动放大器、调制电路等构成的传送电路模块。高频传送/接收电路还包括为接收和传送电路模块提供参考频率的参考频率发生电路模块。
上述高频传送/接收电路由包括大功能元件和无源元件的多个部分构成，该功能元件诸如插在各级之间的各种滤波器、本机振荡器(VCO)、表面声波(SAW)滤波器等，该无源元件诸如特别为类似于匹配电路、偏置电路等的高频模拟电路设置的电感器、电容器、电阻器等。在高频传送/接收电路中，每个电路模块以IC芯片的形式实现。然而，由于每个插在各级之间的滤波器无法组装于任何IC中，因此对于高频传送/接收电路，匹配电路必须作为外部装置设置。因而，高频传送/接收电路的整体尺寸很大，使得通讯终端无法设计得紧凑且重量轻。
另一方面，某些通讯终端使用直接转换型高频传送/接收电路，其传送和接收信息信号无需将信号频率转换为中频(intermediate frequency)。在这种高频传送/接收电路中，由天线模块接收的信息信号通过传送/接收选择器提供给解调模块，信号将在那经历直接基带处理(direct baseband peocessing)。在高频传送/接收电路中，由源产生的信息信号其频率未由调制电路转换为任何中频，而是直接调制为预定频带，并经放大器和传送/接收选择器由天线模块发送。
由于上述高频传送/接收电路构造为直接调制信号频率而不将信号频率转换为任何中频地传送和接收信息信号，因此其可以由数量减少的部件(例如滤波器等)构成，使得其具有通常的单片构造。另外，在直接转换型的高频传送/接收电路中，必须对设置在下级中的滤波器或匹配电路进行处理。在该高频传送/接收电路中，由于信号在高频级中放大，因此难以产生足够的增益。由此，必须还在基带处理模块中进行信号放大。因此，必须在该高频传送/接收电路中设置DC偏置取消电路和额外的低通滤波器，其将导致更大的总体功耗。
无论是上述的超外差型或直接转换型，传统的高频传送/接收电路不满足通讯终端紧凑和重量轻的设计需求。因此，已经进行了各种尝试以通过利用如Si-CMOS技术设计出构造简单的高频传送/接收组件来设计更紧凑和重量更轻的高频传送/接收电路。在这种尝试的典型示例中，高频组件通过在Si基板上形成每个都具有良好性能的无源元件同时在LSI中形成滤波器电路和共振器并集成用于基带处理电路的逻辑LSI而构造为单片形式。然而，由于Si基板导电，因此难以在Si基板的主侧面上形成高Q值的电感器和电容器。在此情况下，这种尝试主要依赖于较高性能的无源元件如何形成在Si基板上。
图1A和1B共同示出了传统的高频组件。该高频组件由附图标记100表示。其包括硅基板101、SiO2绝缘层102、第一引线层105、第二引线层106和电感器107。硅基板101和SiO2绝缘层102的组件其中形成有限定将要形成电感器107的位置(由附图标记103表示)的较大凹腔104。第一引线层105形成在凹腔104中。第二引线层106形成在硅层101顶上，而电感器107本身设置在凹腔104上方。由于电感器107面对凹腔104并且由第二引线层106悬空支撑在凹陷103上方，因此其与电路内经硅基板101的电干扰较小，由此使高频组件100具有改善的性能。然而，包括于此高频组件100中的电感器107需通过多个困难的工艺以提高的制造成本形成。
图2示出了传统的硅基板。如示，由附图标记110表示的硅基板包括硅基板111、形成在硅基板111上的SiO2层112、以及通过光刻形成在SiO2层112上的无源元件形成层113。在无源元件形成层113中，通过薄膜和厚膜技术(此处不再详述)，高频组件110具有形成在多层中的诸如电感器、电容器或电阻器的无源元件，每个元件伴有一引线元件。在高频组件110中，无源元件形成层113具有穿过其中适当形成以提供层间连接的通孔114和形成在其表面层上的接线端115。诸如高频IC、LSI等的芯片116通过覆片焊接等与接线端115接触而安装在高频组件110上，以形成高频电路。
这种高频组件110安装在其上形成有基带处理电路等的转接电路板等之上，以通过硅层111在无源元件形成层与基带处理电路之间形成隔离，由此抑制无源元件形成层与基带处理电路之间的电干扰。由于硅层111导电，因此当高精度无源元件形成在无源元件形成层113中时，高频组件110可以有效地实现其功能。然而，另一方面，导电的硅层111将导致每个无源元件无法具有良好的高频性能。
图3示出了另一种传统的高频组件。由附图标记120表示的高频组件使用不导电的基板121，诸如玻璃基板或陶瓷基板，以解决上述硅基板111的问题。如示，此高频组件120包括基板121和通过光刻形成在基板121上的无源元件形成层122。与上述传统高频组件110类似，在无源元件形成层122中，通过薄膜和厚膜技术(此处不再详述)，高频组件120具有形成在多层中的诸如电感器、电容器或电阻器的无源元件，每个元件伴有一引线元件。在高频组件120中，无源元件形成层122具有穿过其中适当形成用于层间连接的通孔123、以及形成在其表面层上的接线端124。高频IC125、芯片形部件126等通过覆片焊接等、利用设置在其间的接线端124安装在高频组件120上，以形成高频电路。
在图3所示的高频组件120中，由于使用不导电的基板121，因此可以抑制基板121本身与无源元件形成层122之间的电容耦合，具有良好高频性能的无源元件可以形成在无源元件形成层122中。然而，在高频组件120由玻璃基板形成时，由于玻璃基板的特性，难以在基板121本身上形成高频组件120通过其连接至转接基板127的接线端，例如当其安装于后者上时。因此，在高频组件120中，接线端图案128适当地形成在无源元件形成层122的表面上，且接线端图案128与适当形成在转接基板127处的接线端图案129通过引线130利用引线焊接技术等彼此连接，如图4所示。注意，转接基板127的底面上适当形成有通过通孔(未示出)连接至接线端图案128的输入/输出接线端131。
上述高频组件120的缺点在于，接线端图案128和129必须形成并通过引线焊接彼此连接，这将增大制造成本并使得难以获得更紧凑的组件设计。应注意，高频组件120利用接线端128和129或连同高频IC125和芯片形部件126一起密封在绝缘树脂132中的引线130封装。
另一方面，在高频组件120由陶瓷基板形成时，由于基体陶瓷基板可以形成为多层，因此其起到与其它任何母板都不接触的封装板的作用。然而，由于陶瓷基板由烧结陶瓷颗粒形成，在其形成无源元件形成层122的表面上将具有陶瓷颗粒尺寸约2至10μm的高粗糙度。因此，为在高频组件120中形成高精度无源元件，在形成无源元件形成层122前，必须通过抛光平整化陶瓷层表面。另外，由于陶瓷基板具有相对较高的介电常数(氧化铝陶瓷基板为8至10，玻璃陶瓷为5至6)同时其损耗很低，因此高频组件120将在多层引线之间发生干扰，其可靠性更低，且更易受噪音影响。
为解决上述传统高频组件中的问题，本发明申请人提出了图5所示的另一种高频组件。该高频组件由附图标记140表示，其包括基体基板模块141和叠置在基体基板模块141上、其中形成元件的模块(以下称作“元件模块”)142。基体基板模块141由第一和第二有机基板143和144形成，两者均由于介电常数和介电损耗因子(Tanδ)低而具有较低的损耗，且第一和第二有机基板143和144利用树脂片(prepreg)145彼此一体地结合。
第一和第二有机基板143和144通过将具有上述特性的材料与作为内芯以确保改善弯曲强度和断裂强度等的玻璃织物146a和146b结合为一体而形成，该材料从以下有机材料中选取液晶聚合物、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚冰片烯(polynorbornen)、聚苯醚、聚四氟乙烯、双马来酰亚胺三嗪(BT-树脂)、以及其中分散有陶瓷粉末的上述任何一种树脂。
基体基板模块141具有通过印刷电路板技术形成在第一和第二有机基板143和144的主侧面(即，顶部或底部)上的引线层，从而形成第一至第四引线层147至150。对于基体基板模块141，第一至第四引线层147至150通过透过层147至150适当形成的通孔151彼此层间连接。第一和第二引线层147和148分别形成在第一有机基板143的顶部和底部主侧面上，而第三和第四引线层149和150分别形成在第二有机基板144的顶部和底部主侧面上。高频组件140在其基体基板模块141内形成有线条图案152a和152b，其每一个由包括共振器、滤波器等在内的分布参数电路、或电源电路、偏置电路等形成，此处不再详细介绍。
图5所示的高频组件140具有利用薄膜技术形成于元件模块142中的无源元件153、电感器154、无源元件155等。在高频组件140中，高频IC156通过覆片焊接安装在元件形成层142的表面上。为了有效地形成上述形成在基体基板模块141中的线条图案152a和152b、电源电路或偏置电路和形成在元件形成层142中的无源元件153至155，以及避免元件之间的干扰，高频组件140形成有作为接地层的第一和第三引线层147和149。
注意，图5所示的高频组件140由形成在保护层157所覆盖的元件模块142表面上的引线图案封装，而高频组件140和高频IC156整体由绝缘树脂层(未示出)覆盖。高频组件140具有形成在第四引线层150中的多个接线端模块158，通过设置于其间的接线端模块158安装于转接板(未示出)上。
图5所示的高频组件140的特征在于，由于第一和第二有机基板143和144由相对低成本的材料形成，因此组件140本身可以以较低的成本制造，且期望的第一至第四引线层147至150可以容易地利用印刷电路板技术形成。通过利用抛光平整化基体基板模块141的表面，例如，高频组件140可以在元件形成层142中以高精度形成有无源元件153至155。另外，由于基体基板模块141和元件形成层142为改善性能和确保电源电路等具有足够的面积而彼此电学隔离，因此高频组件140可以提供高标准的功率。
另外，在图5所示的高频组件140中，形成在元件形成层142中的无源元件153至155受形成于基体基板模块141的第一引线层147上的接地图案的影响。在高频组件140中，例如，电感器154引发了其本身与接地图案之间的电容，从而降低共振频率和品质因数Q。在高频组件140中，无源元件153和155的性能也会变化或变得更差。
为解决上述传统高频组件140中的问题，提出了另一种高频组件，如图6所示。该高频组件由附图标记160表示，其具有形成于第一引线层147上的接地图案中的图案开口161a和161b，与元件形成层142处的无源元件153至155相对。注意，由于图6中的高频组件160的部件与图5所示的高频组件140中的相同，因此用与图5中相同的附图标记表示，且不再详细介绍。因此，在图6所示的高频组件160中，无源元件153至155将经第一有机基板143和树脂片145的有机基板层受第三引线层149的影响，但其性能将得到改善。
在图5的高频组件140和图6的160中，第一和第二有机基板143和144的有机材料为通过将玻璃织物与第一和第二有机基板143和144结合形成的基板材料。这种基板材料通过连续地将通常卷成卷形式的玻璃织物浸入填有乳化有机材料的槽内由此使玻璃织物中浸透有机材料、调整浸透有机材料的玻璃织物的厚度、干燥玻璃织物、以及利用其它步骤使玻璃织物具有期望的厚度而形成。然后，第一和第二有机基板143和144通过向作为内芯的基板材料的顶部或底部主侧面涂覆粘合剂、将表面粗糙化的成卷铜箔与基板材料结合、并切割后者至预定尺寸而形成。
在图6所示的高频组件160中，由于每个有机基板的介电常数比玻璃织物大，因此形成在基体基板模块141上的分布参数电路的线条图案152导体损耗和电感损耗两者受上述第一和第二有机基板143和144中玻璃织物的影响，因此其性能受损。另外，在图6的高频组件160中，当玻璃纤维以较大的针距纺织时，线条图案152将形成在设置玻璃纤维的部分和未设置玻璃纤维的部分上方。在图6所示的高频组件160中，有效介电常数和介电损耗因子(Tabδ)在第一和第二有机基板143和144中依据是否设置玻璃纤维而“变化”。有效介电常数的“变化”在玻璃纤维设置得较厚时较大，而在玻璃纤维设置得较薄时较小。即，有效介电常数在最大值与最小值之间的差的范围内周期性变化(随着玻璃纤维的针距)。
由于性能下降、较大的“变化”和难以复制线条图案152，图6所示的高频组件160的稳定性和产量较低。因此，高频组件160的成本将较高，因为其生产后必须调整。另外，当高频组件160除线条图案152外具有其它通过薄膜技术形成在其基体基板模块141中的线条和各种无源元件时，相同问题会由于有效介电常数和介电损耗因子(Tabδ)在用于形成有机基板的玻璃纤维的影响下的增大或“变化”而发生。
发明内容
因此，本发明的目的在于通过提供一种新颖的高频组件及新颖的高频组件制造方法克服现有技术的上述缺点。
本发明的另一目的在于提供一种通过减少每个导电部分由于作为基板材料的玻璃纤维导致的下降和变化而改善性能、精度和可靠性改善的高频组件，及制造高频组件的方法。
上述目的可通过提供一种高频组件来实现，根据本发明，其包括形成于有机绝缘层中的引线图案及形成传送高频信号的无源元件和分布参数元件的多个导电部件。在该高频组件中，每个导电部件对应于有机绝缘层未设置玻璃织物的区域形成。
在上述根据本发明的高频组件中，由于每个导电部分对应于未设置玻璃织物的区域形成，因此有效介电常数和介电损耗因子(Tabδ)保持未增大或“变化”，且性能由此得到改善。
另外，上述目的可通过提供一种高频组件来实现，根据本发明，其包括基体基板模块，在有机基板的主侧面上形成有多个引线层，每个引线层包括有机绝缘层和引线图案，且平整化引线层中的至少最上一层引线层以形成生长表面；以及元件模块，在形成于基体基板模块生长表面的主侧面上的有机绝缘层中形成有引线图案及形成传送高频信号的无源元件和分布参数元件的多个导电部件。在该高频组件中，元件模块的每个导电部件对应于有机绝缘层未设置玻璃织物的区域形成。
根据本发明的上述高频组件可以以较低的成本制造，因为有机基板可以以较低的价格获得，且形成无源元件和分布参数元件的导电部件可以以提高的精度形成，因为元件模块形成在基体基板模块平坦的生长表面上。在根据本发明的高频组件中，由于每个导电部件对应与未设置玻璃织物的区域形成，因此有效介电常数和介电损耗因子(Tabδ)可以保持未增大或“变化”，且性能由此可以得到改善。
另外，上述目的可通过提供一种制造高频组件的方法实现，根据本发明，其包括形成基体基板模块和元件模块的步骤。基体基板模块形成步骤还包括步骤在有机基板的主侧面上形成多个引线层，每个引线层包括有机绝缘层和预定的引线图案；以及通过平整化引线层中的最上一层形成生长表面。元件模块形成步骤还包括步骤在形成于基体基板模块生长表面上的有机绝缘层中形成引线图案及形成传送高频信号的无源元件和分布参数元件的多个导电部件。在该制造高频组件的方法中，元件模块的每个导电部件对应于有机绝缘层未设置玻璃织物的区域形成。
上述根据本发明的制造高频组件的方法允许以较低的成本制造，因为有机基板可以以较低的价格获得，且形成无源元件和分布参数元件的导电部件可以以提高的精度形成，因为元件模块形成在基体基板模块平坦的生长表面上。在根据本发明的制造高频组件的方法中，由于每个导电部件对应与未设置玻璃织物的区域形成，因此保持有效介电常数和介电损耗因子(Tabδ)保持未增大或“变化”，且性能由此得到改善。
本发明的这些目的和其它目的、特征及优点将通过以下结合附图对本发明优选实施方式的详细介绍而变得更加明显易懂。
图1A和1B一同示出了设置在传统高频组件中的电感器，其中图1A为该电感器的透视图而图1B为该电感器的截面图；图2为使用硅基板的传统高频组件的主要部分的轴向截面图；图3为使用玻璃基板的传统高频组件的主要部分的轴向截面图；
图4为用于转接板的传统高频组件的主要部分的轴向截面图；图5为高频组件的轴向截面图，其中高频元件模块通过堆叠由作为基体的多层有机基板形成；图6为高频组件的轴向截面图，该高频组件在基体基板模块中形成有与形成在高频形成模块中的无源元件相对应的图案开口；图7为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图；图8也为用于制造根据本发明的高频组件的有机基板的主要部分的轴向截面图；图9为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出第一和第二有机基板的构造；图10为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出第一和第二有机基板及树脂片的构造；图11为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出包括利用设置在其间的树脂片彼此一体形成的第一和第二有机基板的基体基板模块；图12为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出形成在基体基板的第一引线层上从而形成元件模块的第一层的第一介电绝缘层；图13为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出形成在第一介电绝缘层上并随后阳极化的第五引线层；图14为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出形成在第五引线层上的电容器元件电极；图15为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出形成在第五引线层上的第二介电绝缘层；图16为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出形成在第二介电绝缘层上的第六引线层；图17为根据本发明的高频组件的主要部分的轴向截面图，示出形成在第六引线层上的绝缘保护层，从而形成元件模块；图18为根据本发明的高频组件的第二实施例的主要部分的轴向截面图，其中下部中的第二有机基板由包括作为内芯的玻璃织物的有机基板形成；以及图19为根据本发明的高频组件的第三实施例的主要部分的轴向截面图，其中线条的带线结构形成在没有玻璃织物的有机基板上，该玻璃织物设置在包括玻璃织物作为内芯的有机基板之间。
具体实施例方式
下面，将参照附图介绍本发明的相关实施例。
根据本发明的高频组件具有信息通讯功能、信息存储功能等，并且将用于作为选择固定安装或可拆卸安装于诸如个人计算机、移动电话、便携式数字助理或便携式音频装置的电子设备中的超小型通讯组件等。特别地，根据本发明的高频组件用于使用例如5GHz载波频带的适合的小范围无线通讯系统。
如图7所示，根据本发明的高频组件由附图标记1表示，其包括基体基板模块2和叠置在基体基板模块2上的元件模块3，其表面上形成有适合的引线图案4和焊盘5。高频组件1包括具有高频传送/接收电路、电子部件等(未示出)的外围电路功能的IC芯片6，其通过设置于芯片与组件之间的焊盘5利用覆片焊接安装于组件上。形成于元件模块3表面上的引线图案4由阻焊剂等的绝缘保护层7覆盖，且包括IC芯片6在内的高频组件1整体由绝缘树脂层8覆盖。即，高频组件1由此而封装。高频组件1具有形成于基体基板模块2底部上的多个接线端9，并且利用设置在其间的接线端9安装于转接基板10上(此处不再详细示出和说明)。
在根据本发明的高频组件1中，基体基板模块2其中形成有诸如电源、控制系统等用于元件模块3的电路，并且高频组件1以其基体基板模块2安装于转接基板10上。在高频组件1中，基体基板模块2和元件模块3彼此电隔离，从而抑制基体基板模块2与元件模块3之间的电干扰，由此确保性能得到改善。另外，在高频组件1中，由于具有足够面积的电源和接地形成在基体基板模块2中，因此功率源可以以很高的标准为元件模块3提供功率。
如下详述，基体基板模块2包括第一和第二有机基板11和12。第一和第二有机基板11和12利用树脂片13彼此一体地结合。即，基体基板模块2具有通过利用光刻构图第一有机基板11的顶部和底部主侧面并随后通过蚀刻去除不必要的铜箔部分而形成于其中的第一和第二引线层14和15。类似地，基体基板模块2总共具有四层，包括除第一和第二引线层14和15外、分别形成在第二有机基板12的顶部和底部主侧面上的第三和第四引线层16和17，而第二和第一有机基板12和11利用设置于其间的树脂片13彼此结合。在基体基板模块2中，第一至第四引线层14至17通过适当形成的通孔18彼此层间连接。
在基体基板模块2中，第一和第三引线层14和16共同形成了接地层，从而屏蔽第二引线层15。通过将在下面详述的薄膜技术，第一引线层14在其中分别与形成于元件模块3中的电容器19和电感器20相对的位置形成有图案开口21和22。第三引线层16形成为具有保留在第一有机基板11上的铜箔层的所谓整体模。第二引线层15包括例如由带线结构的分布参数电路形成的共振器图案23a和23b。共振器图案23a和23b具有5GHz载波频带的约λ/4的电长度(electric length)，即，约6mm的长度，且在其一端对地短路而在其另一端开路，下面不再对其进行详细说明。
第四引线层17由阻焊剂等的保护层24覆盖，并具有通过光刻等形成在保护层24预定位置中的开口。在基体基板模块2中，由每个开口暴露的第四引线层17的接线端9通过例如无焊镀由Ni-Au覆盖，从而形成电极25，高频组件1利用设置于其与转接基板10之间的电极25安装于转接基板10上。基体基板模块2具有通过平整化第一有机基板11的第一引线层14形成的生长表面，元件模块3在生长表面处通过叠置形成，其将在下面详述。
元件模块3具有两层结构，一层包括叠置在基体基板模块2生长表面上的第一介电绝缘层26和第五引线层27，另一层包括第二介电绝缘层28和第六引线层29(引线图案4)。在元件形成层3中，第五引线层27通过适当形成于第一介电绝缘层26中的通孔30层间连接至第一引线层14，而第五和第六引线层27和29也通过适当形成于第二介电绝缘层28中的通孔31彼此层间连接。第五引线层27具有通过薄膜技术形成于其上的电容器19和电阻器32。第六引线层29具有通过薄膜技术形成于其上的电感器20、以及形成于其上的多个焊盘5。
根据本发明，高频组件1通过形成基体基板模块2的步骤和在基体基板模块2上通过堆叠形成元件模块3的步骤形成。
下面，参照图8至11介绍形成基体基板模块的步骤。
首先如图8所示，在基体基板模块形成步骤中，提供有机基板材料33，从而形成第一和第二有机基板11和12。有机基板材料33包括内芯基板34、以及分别结合在内芯基板34的顶部和底部主侧面上的铜箔35和36，如图2所示。
内芯基板34由介电常数和介电损耗因子(Tabδ)较低(即，高频性能优越且具有对高于160℃的温度的耐受性)的有机材料形成。内芯基板34因此由从液晶聚合物(LCP)、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、聚降冰片烯(PNB)、聚苯醚(PPE)、聚四氟乙烯(注册商标为“Teflon”)、双马来酰亚胺三嗪(BT-树脂)、或其中扩散有诸如陶瓷粉末等的无机物的上述任何一种有机材料中选取的有机材料形成。
内芯基板34通过将溶于适当溶剂的任何上述有机材料成型的适合方法形成，例如，通过向混合物吹入压缩空气从而使其膨胀具有预定的形状、或将混合物注入其内膛已成形为预定形状且其内表面已利用脱模剂等预先处理的模盘中并通过冷却将其固化。上述有机基板材料33通过将表面适当粗糙化的铜箔35和36分别结合到内芯基板34的顶部和底部主侧面而形成。
在基体基板模块形成步骤中，接着在适当位置形成透过有机基板材料33的通孔。其延伸于有机基板材料的顶部与底部主侧面之间。通孔的形成方式与通常在传统多层基板形成步骤中所采用的类似，例如，通过在预定位置通过钻孔或激光形成通孔、在通孔壁上进行镀铜由此使通孔侧壁导电、在通孔中嵌入胶体、以及对通孔进行镀铜从而盖住胶体。利用通过光刻和蚀刻铜箔35和36从而去除必须的铜箔部分以外的部分形成在有机基板材料33的顶部和底部主侧面上的引线图案，形成了图9所示第一和第二有机基板11和12。
第一有机基板11具有由第一主侧面上的铜箔层形成的第一引线层14和由第二主侧面上的铜箔层上形成的第二引线层15，如图9所示。第一引线层14形成接地层，且具有形成于其一部分中的图案开口21和22，如上所述。第二引线层15其上形成有控制电路等、以及带线结构共振器图案23a和23b，如上所述。如图3所示，第二有机基板12具有由第一主侧面上的铜箔层形成的第三引线层16和由第二主侧面上的铜箔层上形成的第四引线层17。第三引线层15上留有铜箔，从而形成上述接地层。第四引线层17其上形成有提供控制电路、电源电路等的引线图案。
接着，在基体基板模块形成步骤中，通过树脂片13将上述第一和第二有机基板11和12彼此结合在一起。为了实现此结合，第一和第二有机基板11和12彼此相关放置，在第一和第二有机基板11和12彼此相对的主侧面之间插入树脂片13，如图10所示，对第一和第二有机基板11和12进行例如热处理，从而提供基体基板介质。然后，与上述类似地，在基体基板介质中，通过第一和第二有机基板11和12形成多个通孔18，通孔18提供了第一至第四有机基板14至17之间的适当连接。由此，形成图11所示的基体基板模块2。
注意，形成基体基板模块2的步骤不限于上述一种，基体基板模块2可通过传统的印刷电路板技术中之一形成，其中绝缘层和引线层顺序形成在例如作为基体的两侧铜覆有机基板的主侧面上。在此情况下，基体基板模块2通过在双侧覆铜有机基板上形成引线层、随后在引线层上通过旋涂、浸涂等为引线层涂覆介电绝缘材料、以及利用适当的技术在介电绝缘层上形成与引线图案相对应的预定图案的凹陷而形成。基体基板模块2其上可形成有生长表面，其通过在介电绝缘层上通过例如溅镀形成导体层并通过化学抛光等平整化介电绝缘层和图案凹陷中的导体层形成。另外，基体基板模块2可通过将片形树脂线铜箔结合至每侧均设置有铜箔并按特定方式构图的双侧覆铜有机基板的任何一侧，再构图树脂线铜箔而形成。另外，基体基板模块2不限于四层结构，如必须，其可具有形成于其中的更多层。
基体基板模块2使用第一和第二有机基板11和12或树脂片13，不包括玻璃织物，如上所述。基体基板模块2包括上述由有机材料形成的内芯基板34。内芯基板34应优选由软化点高于树脂片13的有机材料，特别是热塑树脂，如PPE、LCP或PNB形成。由于内芯基板34其中不具有玻璃织物，因此基体基板模块2与使用连续形成的玻璃织物作为内芯材料的传统有机基板相比，生产率降低。然而，在基体基板模块2上的元件模块3中，将具有利用将在下面介绍的半导体形成步骤中采用的薄膜技术形成的无源元件和引线图案。
因此，基体基板模块2可确保容易的通过制造工艺完成，并由于工艺中采用的技术使得内芯基板34的尺寸不用再大，且平整性或均匀性优越。由此，基体基板模块2可以以更高的精度形成，且由于第一至第四引线层14至17利用上述熟知的印刷电路板技术由有机基板形成，因此降低了成本。
对于基体基板模块2，其上形成有第一引线层14的第一有机基板11至少其主侧面经过平整化。注意，平整化可以与第四引线层17同时进行，从而均等地完成基体基板模块2的顶部和底部侧面，由此抑制任何卷绕等发生。在基体基板模块2处，第一引线层14由具有预定厚度的绝缘层覆盖，且绝缘层通过利用抛光剂抛光而表面平整化，例如，直至露出第一引线层14，抛光剂为氧化铝和硅土的混合物。基体基板模块2的平整表面提供了其上将形成元件模块3生长表面。由此，基体基板模块2可具有通过高精度叠置形成于其生长表面上的元件模块3，如下所述。注意，平整化还可利用抛光以外的技术完成，例如诸如反应离子蚀刻(RIE)或等离子体蚀刻(PE)。
在形成基体基板模块2的步骤中，与上述覆盖第一引线层14的绝缘层同时地，形成保护层24的绝缘树脂层37还形成在第四引线层17上，如11所示。绝缘树脂层37与进行第一引线层14抛光时进行的生长表面抛光同时抛光。绝缘树脂层37抛光至限定的程度，即，不暴露第四引线层17和每个电极25，并且因此第四引线层17将得到保护免受形成元件模块3的步骤中的蚀刻剂或机械或热负荷的影响，这将在下面详细介绍。注意，元件模块3形成后，将去除绝缘树脂层37以暴露每个电极25。
对通过上述步骤形成的基体基板模块2进行元件模块形成步骤，使其具有通过在已经通过抛光平整化的生长表面上堆叠形成的元件形成层3。
接着，将参照图12至17说明和介绍元件模块形成步骤。在形成元件模块3的步骤中，在基体基板模块2的生长表面上涂覆介电绝缘材料至预定厚度，从而形成第一介电绝缘层26，其形成了元件模块3的第一层，如图12所示。
如图13所示，第一介电绝缘层26利用能够形成具有均匀厚度的层的适合堆叠技术形成，如旋涂、辊涂或淋涂。第一介电绝缘层26也由高频性能、耐热性和化学耐受性出色的有机材料形成，如BCB、PNB、LCP、聚酰亚胺或环氧树脂、丙烯酸树脂、聚烯烃树脂等。注意，尽管在形成高频组件1的步骤中通过平整化基体基板模块2的主侧面形成了生长表面，可以通过平整如上形成的第一介电绝缘层26来形成生长表面。
第一介电绝缘层26形成有通过其中的通孔30，通过通孔30暴露出基体基板模块2的第一引线层14的一部分。在第一介电绝缘层26由例如光敏树脂形成的情况下，通孔30通过以根据需要成形的掩模光刻第一介电绝缘层26后将其曝光而形成。另外，当第一介电绝缘层26由非光敏树脂形成时，例如，通孔30通过诸如使用作为掩模的光致抗蚀剂或具有期望形状的金属膜的方向性化学蚀刻的干法蚀刻形成。
第一介电绝缘层26具有通过溅镀等形成于其上的薄金属膜，从而在其上形成第五引线层27。注意，第一介电绝缘层26可具有作为阻挡层通过溅镀等预先形成于其的预置薄金属膜(例如Cr、Ni、Ti等)，随后在预置薄金属膜上形成薄金属层，从而改善附着性。薄金属层由约50nm厚的Ni层和约500nm的Cu层的组合、或者约50nm的Ti层和约500nm的Cu层的组合等形成。薄金属层还可由Cu、Al、Pt、Au等形成。
薄金属层优选应由在蚀刻第五引线层27中可选的金属形成，如下详述。在利用硝酸、硫酸和醋酸混合物的蚀刻剂湿法蚀刻第五引线层27时，例如，薄金属层由能够耐受该蚀刻剂的Al、Pt或Au形成。在这些金属之中，由于其易于构图，因此Al是最为适合的。应注意，薄金属层形成在每个通孔30的内壁上。
使用具有期望形状的掩模对薄金属层进行光刻，随后蚀刻，使其上形成有具有其上设置电容器19的下电极19a和其上设置有电阻器32的座电极32b的第五引线层，如图13所示。第五引线层27利用举升技术在第一介电绝缘层26上的适当位置形成厚度2000埃的氮化钽(TaN)层。注意，TaN层可通过在第五引线层27和第一介电绝缘层26的整个暴露表面上溅镀氮化钽(TaN)、随后通过干法蚀刻去除不必要的部分而形成。TaN层形成在座电极32a和32b上，从而形成电阻器32。在形成电容器19的介电层19b时，TaN层起基体膜的作用。
如图13和14所示，电容器19具有通过暴露形成在下电极19a上的TaN层形成的介电层19b、在第五引线层27上形成覆盖TaN层暴露部分以外部分的阳极化掩模、向TaN层施加电压并阳极化TaN层从而形成氧化钽(Ta2O5)层而形成。阳极化掩模由光致抗蚀剂或易于构图的氧化硅形成，例如使其具有几个至几十个微米的厚度。此厚度确保了其它部分对于所施加电压的充分的绝缘。TaN层在例如施加有50至200V电压的硼酸铵电解液中阳极化，从而成为阳极。由此将TaN层的选定部分氧化成为Ta2O5层(介电层19b)。在形成元件形成层3的步骤中，电容器19的介电层19b和电阻器32可同时通过上述步骤形成。
在形成元件形成层3的步骤中，上电极19c形成在电容器19的介电层19b上，如图14所示。例如，上电极19c通过在第五引线层27除介电层19b以外的部分上溅镀Ni/Cu或Ti/Cu形成在第五引线层27上。上电极19c由此形成为具有预定厚度，并且通过设置于其间的介电层19b与下电极19a相对，如图8所示。
注意，TaN可整体阳极化，而不使用阳极化掩模，随后将所得Ta2O5层进行适当的构图。由于电阻器32的TaN层其表面也被阳极化，因此氧化层将作为保护层来保持内部TaN层的稳定属性。
在形成元件形成层3的步骤中，在通过上述步骤形成第五引线层27后，第二介电绝缘层28利用薄膜技术形成为完全覆盖第五引线层27，如图15所示。第二介电绝缘层28也通过能够形成具有均匀厚度的层的适当薄膜技术，如旋涂等，利用高频性能、耐热性和化学耐受性出色的有机材料形成，与前述第一介电绝缘层26类似。对第二介电绝缘层28进行光刻、曝光和显影，例如，使通过其中形成有通过其暴露第五引线层27的适当部分和电容器19的上电极19c的通孔31，如图15所示。
通过与形成第五引线层27类似的步骤，第二介电绝缘层28具有其表面上形成有电感器29的第六引线层29，如图16所示。第六引线层29通过利用溅镀等在通孔31的内壁上和在第二介电绝缘层28的上方形成Ni/Cu或Ti/Cu的薄金属层的步骤、使用具有期望形状的掩模对薄金属层进行光刻的步骤、以及蚀刻薄金属层从而去除不必要的薄金属膜保留引线图案的步骤形成。
第六引线层29其上形成有上述电感器20，并且厚度形成得比第五引线层27大，从而改善电感器20的表面效应。因此，在形成第六引线层29的步骤中，电感器20利用所谓半加技术具有预定厚度，如图16所示，其中通过例如使用铜的电镀在薄金属层与电感器20相对应的选定部分上形成Cu层并随后去除阻焊剂，Ni/Cu层通过溅镀整体回蚀。除其上通过上述铜的电镀形成的电感器20外，第六引线层29在引线图案与焊盘5项对应的预定部分形成得较厚。注意，在此实施例中，电感器20为螺旋形，但其当然可以为其它适合的形状。
如图17所示，与形成在作为基体基板模块2的接地的第一引线层14中的图案开口21和22相对地，元件模块3其上通过上述步骤形成有诸如电容器19和电感器20的无源元件。因此，元件模块3中的无源元件其共振频率将不为其与接地图案之间产生的电容而破坏，且其性能不会由于品质因数Q的降低而受损。
第六引线层29由绝缘保护层7覆盖，如图17所示。绝缘保护层7通过旋涂例如阻焊剂或层间绝缘材料形成于第六引线层29上。使用具有期望形状的掩模对绝缘保护层7进行光刻，从而使其具有透过其形成在与每个焊盘5相对应的位置的开口。在形成元件模块3的步骤中，后者通过对焊盘5进行例如Ni/Au或Ni/Cu的化学镀形成有电极。元件形成层3具有通过覆片焊接利用设置于其间的焊盘5安装于其上的IC芯片6，并且其上形成有覆盖IC芯片6的绝缘树脂层8，由此形成图7所示的高频组件1。
注意，在形成根据本发明的高频组件1的步骤中，在元件模块3上附装屏蔽盖，从而消除电磁噪声的影响。由于在此情况下，来自IC芯片6的较大热量等可以破坏元件模块3的性能，因此可以将高频组件1设计为适于散热。为此，例如在IC芯片6上设置导热性出色的树脂材料，从而经树脂材料或为提供元件模块3与基体基板模块2之间的连通而设置的冷却通孔散发来自屏蔽盖处IC芯片6的热量，以散发基体基板模块2处的热。
另外，由于在形成高频组件1的步骤中，基体基板模块2由作为内芯基板的有机基板利用上述所谓印刷电路板技术形成，因此可以以较低的成本制造高频组件1。另外，由于在形成高频组件1的步骤中，元件模块3叠置在基体基板模块平坦的生长表面上，因此诸如电容器19、电感器20等的无源元件可以以提高的精度形成。
另外，由于在形成高频组件1的步骤中，基体基板模块2由第一有机基板11、第二有机基板12或上述未使用玻璃织物作为内芯材料的树脂片13形成，因此可以降低高频组件1，其中基体基板模块2的介电性质可以保持较低，且形成为内层的共振器图案23上的玻璃织物基板的影响降低。另外，在形成高频组件1的步骤中，由于包括上述基体基板模块2，因此可以在元件模块3中形成诸如电容器19、电感器20等的无源元件，其性能稳定且不受玻璃织物的影响。因此，形成高频组件1的步骤确保高频组件1可以以提高的产量和精度生产，且无需诸如调整的后期处理。由此生产出质量均匀的高频组件1。
在上述高频组件1中，基体基板模块2由第一有机基板11、第二有机基板12或上述未使用玻璃织物作为内芯材料的树脂片13形成。由于高频组件1为多层结构，且其上安装有IC芯片6等，因此其具有足够的机械强度，但此机械强度仍小于使用玻璃织物的传统多层基板。在根据本发明的高频组件1中，在基体基板模块2中使用玻璃织物时，仅影响元件形成层3形成无源元件的部分。
下面，将参照图18介绍根据本发明第二实施例的高频组件。此高频组件由附图标记40表示。如图18所示，在上述作为下层的第二有机基板12的位置，高频组件40具有使用玻璃织物42作为内芯材料的第二有机基板41。
注意，由于除第二有机基板41外，图18所示的高频组件40由与上述高频组件1相同或类似的部件构成，因此将用与、高频组件1中相同或类似的附图标记表示这些部件，并不再详细介绍。
在图18的高频组件40中，由双侧覆铜基板形成的第二有机基板41利用作为内芯材料的玻璃织物42与介电常数和损耗较低的有机材料结合。第二有机基板41通过连续提供玻璃织物42而形成，该玻璃织物42按如下方法形成将玻璃纤维纺成网状并以成卷的形式辊入填充有乳化有机材料的槽中，由此使玻璃织物浸透有机材料，调整浸透有机材料的玻璃织物的厚度，干燥玻璃织物，对玻璃织物进行其它处理以获得期望的厚度。然后，通过向作为内芯的基板材料的顶部或底部主侧面涂覆粘合剂、向基板材料上结合表面粗糙化的卷绕铜箔、以及切割基板材料为预定尺寸，形成第二有机基板41。
第二有机基板41具有通过光刻并蚀刻顶部和底部铜箔形成的第三和第四引线层16和17，还在适当的位置具有通孔。由于在第二有机基板41上，如上所述，第三引线层16其上保留有铜箔作为接地层，因此作为内芯材料的玻璃织物42与形成在第二引线层15中的共振器图案23和形成在元件模块3中的无源元件电学隔离，不直接影响共振器图案23和无源元件。
图18所示的高频组件40具有与上述根据本发明第一实施例的高频组件1相同的电学性质，并且设计为具有改善的机械强度。图18的高频组件40的第一有机基板11和元件模块3可以由例如即使在固化后仍保持相对柔软的诸如丙烯酸树脂、环氧树脂或聚烯烃树脂形成。即，用于第一有机基板11和元件模块3的材料可以以较高的自由度选择。
下面，将参照图19介绍根据本发明第三实施例的高频组件。图19中，此高频组件由附图标记50表示。高频组件50通过利用设置于其间的树脂片53结合第一和第二有机基板51和52、以及在第一有机基板51上通过内建或一次操作处理一体地堆叠第三有机基板54而形成。高频组件50使用双侧覆铜基板作为第一有机基板51，其具有分别结合在顶部和底部主侧面上的铜箔层，该铜箔层分别形成第一和第二引线层55和56，另外该高频组件还使用双侧覆铜基板作为第二有机基板52，其具有分别结合在顶部和底部主侧面上的铜箔层，该铜箔层分别形成第三和第四引线层57和58。另外，高频组件50使用单侧覆铜基板作为第三有机基板54，其具有结合在其一主侧面上的铜箔层，该铜箔层形成第五引线层59，第五引线层59为高频组件50的最上层。
在图19所示的高频组件50中，第二和第三有机基板52和54包括作为内芯材料分别结合于其中的玻璃织物60和61。另外在该高频组件50中，第一有机基板51和树脂片53不包括玻璃织物。在高频组件50中，第一至第三有机基板51、52和54彼此一体地叠置，其中在第一至第三有机基板51、52和54的每层铜箔层中形成有预定的引线图案。高频组件50具有透过彼此一体叠置的有机基板形成的多个通孔62。
第一引线层55利用保留在第一有机层51上的铜箔形成接地层。第二引线层56通过光刻和蚀刻第一有机基板51下的铜箔层形成。第二引线层56形成用于例如控制系统的引线，并且由作为上下接地层的第一和第三引线层55和57包围，从而提供内部带线结构线。这些带线结构线形成共振器、滤波器或耦合器。
第三引线层57利用保留在第二有机基板52上的铜箔层形成接地层。第四引线层58通过光刻和蚀刻第二有机基板52下的铜箔层形成。第四引线层58形成用于例如控制系统的引线，并且其上形成有如上述高频组件1的多个电极25。高频组件50由此安装于转接板(未示出)上。在图19所示的高频组件50中，第五引线层59通过光刻和蚀刻叠置在第一有机基板51上的第三有机基板54上的铜箔层形成。在高频组件50中，多个焊盘5形成在第五引线层59上，且IC芯片6、芯片(未示出)等利用设置于其间的焊盘5安装于第五引线层上。注意，第五引线层59由用于保护目的的绝缘保护层7覆盖。
为了改善机械强度，图19所示的高频组件50的最上和最下层分别由包括玻璃织物60和61分别作为内芯材料的第二和第三有机基板52和54形成，如上所述。在高频组件50中，由带线结构线形成的诸如共振器、滤波器或耦合器的元件形成于设置在分别作为接地层的第一和第三引线层55和57之间的作为内层的第二引线层56上，因此元件与玻璃织物电隔离。由此，在高频组件50中，可保持元件性能稳定，使其不受第二和第三有机基板52和54中玻璃织物60和61的影响。
注意，图19中的高频组件50的结构不限于上述，而是可以彼此一体地叠置多个有机基板。在高频组件50中，可利用薄膜技术在形成于多层结构中的引线层中形成诸如电容器、电感器等的无源元件。在此高频组件50中，无源元件形成在不包括玻璃织物且由与上述带线结构线类似的接地层包围的有机基板上。
在上述内容中，已参照附图详细介绍了本发明的相关特定优选实施例，如示例。然而，本领域技术人员应理解，本发明不限于上述实施例，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围和实质的基础上，可以对各种形式调整，或者以各种其它形式构造或实施。
工业应用在根据本发明的高频组件中，导电部件形成于未设置玻璃织物的位置，从而使导电部件不受玻璃织物的影响，并由此具有稳定和改善的性能特性。另外，根据本发明，高频组件由相对低成本的有机基板形成，这将降低生产成本。由于元件模块形成在基体基板模块的生长表面上，因此无源元件、分布参数元件等的导电部件可以以高精度形成。
权利要求
1.一种高频组件，包括形成于有机绝缘层中的引线图案及形成传送高频信号的无源元件和分布参数元件的多个导电部件，每个导电部件对应于有机绝缘层未设置玻璃织物的区域形成。
2.如权利要求1所述的高频组件，其中每个导电部件由形成在有机绝缘层上的接地层覆盖，从而形成带状结构或微带结构。
3.如权利要求1所述的高频组件，其中无源元件为电感器和电容器、以及利用薄膜技术形成的电阻器。
4.如权利要求1所述的高频组件，其中有机绝缘层由以下材料中选取的材料形成介电常数和损耗低的液晶聚合物、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚冰片烯、聚苯醚、聚四氟乙烯、双马来酰亚胺三嗪、或其中分散有陶瓷粉末的任何一种上述有机材料。
5.一种高频组件，包括基体基板模块，在有机基板的主侧面上形成有多个引线层，每个引线层包括有机绝缘层和引线图案，且平整化引线层中的至少最上一层引线层以形成生长表面；以及元件模块，在形成于基体基板模块生长表面的主侧面上的有机绝缘层中形成有引线图案及形成传送高频信号的无源元件和分布参数元件的多个导电部件，元件模块的每个导电部件对应于有机绝缘层未设置玻璃织物的区域形成。
6.如权利要求5所述的高频组件，其中基体基板模块在有机绝缘层与导电部件相对应的部分中具有接地图案，且玻璃织物至少未设置于接地图案与导电部件之间。
7.如权利要求5所述的高频组件，其中利用形成于有机绝缘层上的接地图案屏蔽，从而包围导电部件的周界，导电部件一起形成带状结构或微带结构。
8.如权利要求5所述的高频组件，其中基体基板模块中的引线层在其与形成导电部件的区域相对的部分中未形成有玻璃织物。
9.如权利要求5所述的高频组件，其中无源元件为电感器和电容器、以及利用薄膜技术形成的电阻器。
10.如权利要求5所述的高频组件，其中有机基板和有机绝缘层由以下材料中选取的材料形成介电常数和损耗低的液晶聚合物、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚冰片烯、聚苯醚、聚四氟乙烯、双马来酰亚胺三嗪、或其中分散有陶瓷粉末的任何一种上述有机材料。
11.一种制造高频组件的方法，包括分别形成基体基板模块和元件模块的步骤，在基体基板模块形成步骤中，在有机基板的主侧面上形成多个引线层，每个引线层包括有机绝缘层和预定的引线图案，且通过平整化引线层中的最上一层形成生长表面；以及在元件模块形成步骤中，在形成于基体基板模块生长表面上的有机绝缘层中形成引线图案及形成传送高频信号的无源元件和分布参数元件的多个导电部件，元件模块的每个导电部件对应于有机基板未设置玻璃织物的区域形成。
12.如权利要求11所述的方法，其中在基体基板模块形成步骤中，在有机绝缘层与导电部件相对应的部分中形成接地图案，且玻璃织物至少未设置于接地图案与导电部件之间。
13.如权利要求11所述的方法，其中在基体基板和元件形成层的形成步骤中，接地图案形成在有机绝缘层上，从而包围导电部件的周界；以及通过利用接地图案屏蔽，导电部件一起形成带状结构或微带结构。
14.如权利要求11所述的方法，其中基体基板模块中的引线层在其与形成导电部件的区域相对的部分中未形成有玻璃织物。
15.如权利要求11所述的方法，其中有机基板和有机绝缘层由以下材料中选取的材料形成介电常数和损耗较低的液晶聚合物、苯并环丁烯、聚酰亚胺、聚冰片烯、聚苯醚、聚四氟乙烯、双马来酰亚胺三嗪、或其中分散有陶瓷粉末的任何一种上述有机材料。
全文摘要
本发明公开了一种组成通讯功能组件的高频组件及其制造方法，该高频组件包括基板部分(2)和元件部分(3)，基板部分由有机基板(11、12)主面上的多个引线层(14至17)形成，平整化至少其最顶层以形成生长表面，元件部分(3)包括传送高频信号的无源元件和分布参数元件连同形成于基板部分(2)生长表面上的有机绝缘层(26、28)中的引线层(27、29)。元件部分(3)中的导电部件(19、20和32)对应于基板部分(2)中的有机基板(11)未设置玻璃织物的部分形成。
文档编号H01L23/66GK1623229SQ0380276
公开日2005年6月1日 申请日期2003年1月24日 优先权日2002年1月25日
发明者奥洞明彦 申请人:索尼株式会社