专利名称:带内磁屏蔽的阴极射线管的制作方法
本发明是关于在阴罩框架上附有内磁屏蔽的阴极射线管。
阴罩式阴极射线管一般都有一个磁屏蔽，用以在管子的阴极射线致发光屏蔽受扫描时，减少磁场对电子束轨道的影响。尤其是，电子束照射到阴罩上每个点的入射角必须偏离设计值的变化不能太大，否则电子束就会偏离其本来要在荧光屏上的射落点。磁屏蔽可以配置在管外作为外磁屏蔽，也可以配置在管内作为内磁屏蔽。
内磁屏蔽通常由0.10至0.18毫米厚的冷轧钢板制成，用弹性夹紧销固定在荫罩框架上。阴罩框架用与装配螺柱(stud)接合的弹簧支撑，装配螺柱则从管子的矩形玻璃荧光屏面板向内延伸。制造管子时，内磁屏蔽是在将荧光屏面板的侧壁熔合密封到阴极射线管的玻璃锥体等工序之前固定到阴罩框架上的。内磁屏蔽设计成适合于装进玻璃锥体，能尽量靠近锥体的体壁。但不应与锥体相接触，以避免与玻璃锥体内表面上的阳极导电层产生摩擦。
为了使磁屏蔽发挥作用，应在其就位后彻底去磁(消磁)，方法是将消磁线圈通以其幅度由大逐渐变小的交流电流，使磁屏蔽承受消磁线圈所产生的磁场。消磁量通常以安培匝数表示，对内磁屏蔽来说，需用的安培匝数一般约为1500安匝级。这样做的实际作用是有效地使磁屏蔽中的磁畴重新取向，使磁屏蔽处于磁化状态，从而抵消磁屏蔽内的磁场。消磁线圈一般是装在接收机中的，这样，每次接收机接通电源时，线圈中的交流电流就自动地由大变小至零值，因而可以防止因磁场环境变化而引起的色纯度和白色均匀性的畸变。消磁后，电子束轰击阴极射线致发光屏幕时接近其目标射落点的程度(以微米计剩余的图象重合失调)是衡量消磁恢复(degaussing recovery)效果的指标。
在同样的消磁电流下，带附加外磁屏蔽的阴极射线管的消磁恢复通常比只带内磁屏蔽的阴极射线管的好。但外磁屏蔽增加了制造成本。因此要想只用一个内磁屏蔽而获得可与标准要求媲美的色纯度，就需要改进内磁屏蔽固有的消磁恢复。
本发明的阴极射线管有一个荧光屏面板和一个内磁屏蔽，荧光屏面板沿其侧壁与玻璃锥体连接在一起，内磁屏蔽贴近玻璃锥体的内表面配置，并沿其一端与荫罩框架的背面部分相连接，荫罩框架的取向与管子中心轴线正交，并毗连侧壁支撑着。多孔的荫罩沿其一边缘连接到荫罩框架的与其背面部分对向的前面部分上。磁屏蔽的一端在沿管子中心轴线方向上，基本上绕整个荫罩框架与荫罩的相应边重叠。
本发明提供了一种在消磁后剩余图象重合失调方面有显著改善的内磁屏蔽。
附图中，图1是在其里面装有现有技术的内磁屏蔽的阴极射线管的剖面示意图。
图2是根据本发明的重叠式内磁屏蔽的一个实施例的剖面示意图。
图3是重叠式内磁屏蔽的第二个实施例的剖面示意图。
从图1可以看到，阴极射线管10有一个荧光屏面板12，面板12沿其侧壁16与管10的玻璃锥体14相连接。阴极射线致发光屏蔽18配置在面板12的内表面上，导电层20则配置在玻璃锥体14的内表面22上作为管10的阴极。一个现有技术的内磁屏蔽24配置在管10内，其一端26贴近所述侧壁16并沿玻璃锥体14的内表面22向后延伸。磁屏蔽24沿该一端26与荫罩框架30的背面部分28相连接，荫罩框架30则与管10的中心轴线(虚线Z)正交取向。磁屏蔽24用弹性夹紧销32固定在框架30上，各夹紧销32插入设在磁屏蔽24和框架30上对齐了的孔中。荫罩框架30由装配螺柱34毗连侧壁16支撑着，装配螺柱34则从面板12向内延伸。由于面板12的侧壁16通常呈矩形，因而一般内磁屏蔽24有四个角。
多孔荫罩36沿其一边缘38与荫罩框架30的与其背面部分28对向的前面部分40相连接(如图1所示)。除内磁屏蔽24之外，荫罩36本身对阴极射线管10的总屏蔽效果起了很大的作用。荫罩36一般由0.15毫米厚的冷轧钢板制成，焊接到框架30上。荫罩36可以焊接在框架30内部，如图1所示，形成内荫罩式框架组件(MIFA)，也可以焊接在框架30外部，形成外荫罩式框架组件(MOFA)。无论采用内荫罩式或外荫罩式框架组件，在荫罩36的边缘38与内磁屏蔽24的一端26之间，围绕着荫罩框架30的周边总会形成一小间隙(图1中的间距G)。以前都认为，框架30，由于它也是用磁性材料制成的，因而它虽然与磁屏蔽24的磁性材料不同，也可以沿间隙G起磁屏蔽作用。
图2是在消磁恢复方面有着显著改进的重叠式内磁屏蔽42的一个实施例。我们发现，通过使内磁屏蔽42的一端44沿中心轴线Z的方向基本上围绕整个荫罩框架30与荫罩36的相应边缘38相重叠，可以基本上改善消磁后的剩余图象重合失调程度。内磁屏蔽42的一端44最好沿框架30各边(除了其各转角部分外)向前延伸，与荫罩36的边缘38相重叠。图2所示是内荫罩式框架组件的结构，其中荫罩36与框架30的内部相连接。由于内磁屏蔽42与框架30的外部相连接，因而荫罩36和磁屏蔽42虽然重叠，但实际上彼此没有接触，如图2所示。
图3是装进外荫罩式框架组件中的重叠式内磁屏蔽42的第二个实施例的示意图。由于磁屏蔽42也与框架30的外部相连接，因而磁屏蔽42实际上与荫罩36相接触，尽管这种接触对实现本发明的效益方面没有什么必要。
在内荫罩式或外荫罩式框架组件结构中，也可以令内磁屏蔽42的一端44围绕荫罩框架30内部延伸，以便与荫罩36相重叠。磁屏蔽42不一定非要制成一个整体不可。实际上，磁屏蔽42的重叠部分是可以包括两件或多件，特别是在磁屏蔽42绕框架30内侧延伸的实施例中，更是如此。
在本发明中，重要的一点是，磁屏蔽42的一端44要真正与荫罩36的相应边缘38相重叠。此沿中心轴线Z方向上的重叠距离至少应为荫罩框架30厚度的两倍，以便使磁耦合令人满意，从而改善磁恢复。内磁屏蔽42的一端44最好大体上延伸到荫罩框架30的前面，如图2和图3所示。
下表显示对具有各种不同类型磁屏蔽(包括本发明的磁屏蔽)的RCA 27V SP型阴极射线管进行试验，记录下来的剩余图象重合失调值。表中第一行是具有一外磁屏蔽和一现有技术的内磁屏蔽的阴极射线管的试验数据。第二行是具有一现有技术的内磁屏蔽但不带外磁屏蔽的管子的试验数据。第三行是具有本发明的重叠式内磁屏蔽的管子的试验数据。各行都记录了在相对磁场沿竖向Y轴线(100毫高斯)、中心Z轴线(250毫高斯)和X轴线(250毫高斯)诸方向变化之后，在面板对角线、长轴线和短轴线各端以及板面中心的剩余图象重合失调的数据值。记录数据表明，重叠式内磁屏蔽的剩余图象重合失调程度(第三行)比现有技术内磁屏蔽的剩余图象重合失调程度(第二行)大有改善。对磁场在沿中心Z轴线方向上有250毫高斯的变化情况来说，重叠式磁屏蔽的消磁恢复时间甚至比采用外磁屏蔽(第一行)的还好。
表外磁 内磁 重叠式内 剩余图象重合失调(微米)屏蔽 屏蔽 磁屏蔽 沿竖向Y轴线 沿中心Z轴 沿X轴线方方向100毫高 线250毫高 向250毫高斯的变化 斯的变化 斯的变化对角 长 短 中 对角 短 对角线线 轴 轴 心 线 轴有 有 无 6 -1 1 -1 40 22 18无 有 无 12 14 8 7 46 24 34无 有 有 9 10 6 6 3.7 18 28可以这样假定，荫罩框架30在消磁过程中磁阻较高，因而在具有减少阴极射线管10中的剩余图象重合失调作用的磁屏蔽中，需要留有间隙。我们发现，这种消磁后的剩余图象重合失调，可以通过使磁屏蔽42的一端44基本上围绕整个荫罩框架30与荫罩36的边缘38相重叠的方法，基本上得到改善。磁屏蔽42具有改进的消磁恢复效果，因而在类似的工作条件下，可以使色纯度达到迄今用现有技术的内磁屏蔽所不能达到的水平，从而以此来代替造价更贵的附加外磁屏蔽的方案是完全可以接受的。
权利要求
1.一种阴极射线管(10)，具有一个荧光屏面板(12)和一个内磁屏蔽(42)；面板(12)沿其侧壁(16)与管(10)的玻璃锥体(14)连接，内磁屏蔽(42)贴近所述玻璃锥体的内表面(22)配置，并沿其一端(44)与一荫罩框架(30)的背面部分(28)相连接，荫罩框架(30)正交于所述管的中心轴线(Z)取向，并毗连所述侧壁支撑着，多孔荫罩(36)沿其边缘(38)与所述荫罩框架的与背面部分对向的前面部分(40)相连接；该阴极射线管(10)的特征在于，所述磁屏蔽的一端在沿所述中心轴线方向上，基本上围绕整个所述荫罩框架与所述荫罩的相应边缘重叠。
2.如权利要求
1所述的阴极射线管(10)，其特征在于，所述磁屏蔽(42)的一端(44)朝前延伸，与所述荫罩(36)的边缘(38)重叠。
3.如权利要求
1所述的阴极射线管(10)，其特征在于，所述荫罩(36)与所述荫罩框架(30)的外部相连接，且所述磁屏蔽(42)与所述荫罩框架的外部相连接，并与所述荫罩接触。
4.如权利要求
1所述的阴极射线管(10)，其特征在于，所述荫罩(36)与所述荫罩框架(30)的内部相连接，且所述磁屏蔽(42)与所述荫罩框架的外部相连接。
5.如权利要求
3或4所述的阴极射线管(10)，其特征在于，沿所述中心轴线(Z)方向上的重叠距离包括至少是所述荫罩框架(30)的厚度的两倍。
6.如权利要求
5所述的阴极射线管(10)，其特征在于，所述磁屏蔽(42)的一端(44)基本上延伸到所述荫罩框架(30)的前面。
7.如权利要求
6所述的阴极射线管(10)，其特征在于，所述荫罩框架(30)呈矩形，且所述磁屏蔽(42)的一端(44)沿所述框架的各边与所述荫罩(36)的边缘(38)重叠，但除了其转角部分。
专利摘要
一种阴极射线管(10)，具有一个荧光屏面板(12)和一个内磁屏蔽。面板(12)沿其侧壁(16)与玻璃锥体(14)连接，内磁屏蔽(42)贴近玻璃锥体的内表面(22)配置，并沿其一端与荫罩框架(30)的背面部分(28)相连接，荫罩框架(30)则与管子中心轴线(Z)正交取向，并毗连所述侧壁支撑着。一个多孔荫罩(36)沿其边缘(38)连接到荫罩框架的与其背面部分对向的前面部分(40)上。磁屏蔽的一端沿中心轴线方向基本上绕整个荫罩框架与荫罩的相应边缘重叠。
文档编号H01J29/02GK87103911SQ87103911
公开日1987年12月9日 申请日期1987年5月27日
发明者艾伯特·马克斯韦尔·莫雷尔 申请人:美国无线电公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan