专利名称:一种用于大口径平行束离子源的磁场装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于大口径平行束离子源的磁场装置，包括安装板，所述安装板中部设有一圆形区域，该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽，每个所述圆槽内均设置有至少一根磁棒；两个相邻所述圆槽之间的安装板区域为放电区域，且所述放电区域的总面积小于所述磁棒占用的总面积；所述圆形区域外的安装板上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒，且所述多根导磁棒分别与相应圆槽内的磁棒位置一一对应。本实用新型可提高离子源放电室内的磁场均匀性，确保放电室内磁场方向一致，从而提高离子源离子束的均匀性要求。
【专利说明】一种用于大口径平行束离子源的磁场装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于离子源的磁场装置，特别是一种用于大口径平行束离子源的磁场装置。
【背景技术】
[0002]离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特点，并且可以对绝大部分材料进行刻蚀，例如:金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料。平行束离子源要求放电室内磁场为径向，传统离子源将磁场装置安装在放电室内，磁场面积小于放电区域截面积，从而磁场边缘区域磁力线方向为倾斜方向，不能完全为径向，最终影响周边位置束流均匀性。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种用于大口径平行束离子源的磁场装置，提高离子源放电室内磁场的均匀性，从而提高离子束均匀性。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是:一种用于大口径平行束离子源的磁场装置，包括安装板，所述安装板中部设有一圆形区域，该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽，每个所述圆槽内均设置有至少一根磁棒；两个相邻所述圆槽之间的安装板区域为放电区域，且所述放电区域的总面积小于所述磁棒占用的总面积；所述圆形区域外的安装板上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒，且所述多根导磁棒分别与相应圆槽内的磁棒位置--对应。
[0005]与现有技术相比，本实用新型所具有的有益效果为:本实用新型可提高离子源放电室内的磁场均匀性，确保放电室内磁场方向一致，从而提高离子源离子束的均匀性要求。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型一实施例三维效果图；
[0007]图2为本实用新型一实施例磁棒与导磁棒分布不意图；
[0008]图3为本实用新型一实施例单排磁棒与导磁棒分布示意图。
【具体实施方式】
[0009]如图1和图2所示，本实用新型一实施例包括安装板I，所述安装板I中部设有一圆形区域，该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽11，每个所述圆槽11内均设置有至少一根磁棒2 ;两个相邻所述圆槽11之间的安装板I区域为放电区域21，且所述放电区域21的总面积小于所述磁棒2占用的总面积；所述圆形区域外的安装板I上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒3，且所述多根导磁棒3分别与相应圆槽11内的磁棒2位置一一对应。
[0010]图1和图2中的圆槽11内均安装有多根磁棒2。同一圆槽11内的相邻磁棒2采用非导磁材料隔离，磁棒2分布越密则放电室内磁场越强。磁棒2分布区域大于离子源放电区域面积21。
[0011]导磁棒3 —般为纯铁，也可以直接米用永磁体。若干导磁棒3分布于离子源放电室外同一圆周上，各导磁棒3的位置与磁棒2安装圆槽11对应。
[0012]如图3所示，安装板I上的每个圆槽11内磁棒磁场方向相同，也可以采用一根整体长磁棒放置在圆槽11内，经过圆槽两端位置导磁棒3的引导，在两端的导磁棒3之间形成单一方向的磁场，最终在放电室内形成平行磁场。
【权利要求】
1.一种用于大口径平行束离子源的磁场装置，包括安装板(I )，其特征在于，所述安装板(I)中部设有一圆形区域，该圆形区域内开设有若干平行于径向的圆槽(11)，每个所述圆槽(11)内均设置有至少一根磁棒(2);两个相邻所述圆槽(11)之间的安装板(I)区域为放电区域(21)，且所述放电区域(21)的总面积小于所述磁棒(2)占用的总面积；所述圆形区域外的安装板(I)上设置有多根位于同一圆周上的导磁棒(3)，且所述多根导磁棒(3)分别与相应圆槽(11)内的磁棒(2)位置--对应。2.根据权利要求1所述的用于大口径平行束离子源的磁场装置，其特征在于，所述每个圆槽(11)内设有两根以上磁棒(2)，且每个圆槽(11)内的磁棒(2)磁场方向相同。3.根据权利要求2所述的用于大口径平行束离子源的磁场装置，其特征在于，每个所述圆槽(11)内的相邻两根磁棒(2)之间通过非导磁材料隔离。4.根据权利要求1?3之一所述的用于大口径平行束离子源的磁场装置，其特征在于，所述导磁棒(3)采用纯铁或者永磁体制成。
【文档编号】H01J37-08GK204289364SQ201420694953
【发明者】佘鹏程, 孙雪平, 彭立波, 陈特超, 张赛, 毛朝斌 [申请人]中国电子科技集团公司第四十八研究所