专利名称：淀积掩模框架组件及其制造方法、有机电致发光器制造方法
技术领域：
本发明涉及一种淀积掩模框架组件，制造这种组件的方法，以及利用淀积掩模框架组件制造有机电致发光(EL)器件的方法，更特别的，涉及用于淀积构成有机EL器件的薄膜的掩模框架组件。
背景技术：
电致发光器件，指的是自发发光显示器件，具有宽视角，良好的对比度，和快速响应速度。因此，由于EL器件能够作为下一代的显示器件，如今得到了广泛的关注。
EL器件根据其发射层材料可以分为无机EL器件和有机EL器件。与无机EL器件相比，有机EL器件具有更高的亮度和更快的响应特性，并能够实现彩色显示，因此，最近有了活跃的发展。
所述有机EL器件包括第一电极，第一电极以预定的图形形成在透明的绝缘衬底上；有机膜，有机膜经真空淀积形成在第一电极上；以及第二电极，第二电极形成在有机膜上作为阴电极膜，从而使得第一和第二电极彼此交叠。
制造具有上述结构的有机EL器件过程中，通常利用光刻法对薄氧化铟(indiumtin oxide，简称ITO)进行构图来形成第一电极。
上述光刻法可以应用在形成有机膜之前，但若是在形成有机膜之后应用，就会引发一些问题。由于有机膜非常容易被水损坏，在被制造的时候必须绝对的与水隔离。此外，光刻法在进行剥离和蚀刻抗蚀剂的时候包括暴露在水中的步骤，因此，光刻法并不适用于形成有机膜和阴极电极层。
通常，采用真空淀积用于有机膜的有机发光材料，以及利用构图的掩模来真空淀积阴极电极的材料，通过上述方式来解决前述问题。特别的，可以利用阴极隔离体对阴极电极层进行构图，阴极隔离体是预定隔离壁，但是正如所知，真空淀积是构图用低分子有机材料形成的有机膜的最合适的方法。
利用掩模对有机膜进行构图的技术在全色有机EL器件的制造领域中有重要的地位，所述有机膜是发光层。
常用的全色有机EL器件显色方式的实例包括，三色独立淀积法，即在衬底上分别独立的淀积红(R)，绿(G)，和蓝(B)像素的方法；色彩转换法(color conversionmethod，简称CCM)，即利用蓝色光源在发光表面形成色彩转换层的方法；以及色彩过滤法，即利用白光源和彩色滤光片的方法。由于操作程序简单，并可提供良好的色彩纯度和效率，广泛应用的是三色独立淀积法。
三色独立淀积法中，必须在衬底上分别利用高精确度的掩模独立淀积R，G，B彩色像素。特别的，要求所淀积的像素的位置具有良好的精确度，也就是，要求形成图形孔的宽度具有良好的精确度，并且还要求掩模间隙总量具有良好的精确度。
如图1所示，在有机EL器件的制造过程中，用于淀积有机膜或者电极的掩模10代表性地被框架20支撑，从而张紧掩模10。掩模10包括单一金属薄板11和掩模形成图形单元12，单元12可以允许那些组成有机EL器件的多个衬底单元被淀积在金属薄板11上。
由于掩模10被很薄的成形并且被精确地构图，如果在应用的时候没有经过任何的处理，掩模的某些部分会产生下垂，这就影响到精确地构图。因此，如图1所示，为了获得间隙总量(Pt)的预定的精确度，在掩模10上施加理想的张紧力，并且张紧后的掩模10被连接到掩模框架20上。连接时，不改变Pt的精确度是很重要的。可以用各种方法，比如利用粘合剂，激光焊接，或者电阻焊接，实现掩模10和掩模框架20之间的连接。
掩模10可以利用蚀刻或者电子成形法制得。
利用蚀刻制造掩模10的时候，具有裂纹图形的光致抗蚀剂层形成在薄板上，或者将具有裂纹图形的薄膜粘贴到薄板上，之后蚀刻所得到的薄板。
然而，当放大掩模，裂纹图形获得良好效果的时候，基于蚀刻的掩模形成方法，不能够使掩模宽度的公差与裂纹边界的公差相等。特别的，当利用蚀刻薄板的方法制造掩模10的时候，薄板可以进行过蚀刻或者欠蚀刻。此情况下，裂纹尺寸没有被标准化。
另一方面，电子形成方法有这样的一个原则，利用金属盐溶液的电解作用经过比如电镀这种操作在原型上淀积金属到设定的厚度，之后将其从原型上剥离从而得到金属产品，这种金属产品有与原型正好相反的凸起和凹陷的不平整表面。根据所述原则，制造掩模。
用电子形成方法来制造掩模的方法中，用镍(Ni)和钴(Co)作为掩模的材料。镍钴合金的应用提高了制得表面的粗糙度以及槽口图形的精确度。另一方面，由于镍钴合金具有不良的焊接特性，当镍钴合金焊接到框架时，在掩模上可能出现裂缝。换言之，当钴与其它金属形成合金时，增加了它的硬度和强度，从而提高了它的脆度，这样在焊接的时候会更加容易产生裂缝。
可以从图2A到2C看到裂缝的生成。参见图2A，当利用激光焊接机焊接掩模10和框架20的时候，在接合点13附近由于热弯曲产生裂缝14。如果在如图2B所示具有裂缝14的结构上继续焊接，会生成如图2C所示的裂纹15。由于产生了所示的裂纹，用于支撑掩模的张紧力会被局部减小，从而掩模间隙总量的精确度会发生变化。因此，不可能精确地进行构图。
在日本专利申请NO.2001-247961中公开了这样一种掩模，这种掩模克服了由于掩模的热膨胀形成裂纹的条形蔓延的缺陷。
所公开的掩模包括掩模部分和屏幕部分。掩模部分是一种淀积掩模，用于在衬底上利用淀积形成图形膜层，其具有一些确定了多个第一孔的间壁。屏幕部分具有多个小于第一孔的第二孔，还具有磁性材料，屏幕部分中第二孔被设置在掩模部分的第一孔上。
日本专利申请NO.2001-273979中公开了磁性掩模结构。日本专利申请NO.2001-254169公开了一种淀积掩模框架组件，其中被构图的掩模遮蔽住淀积区域，近距离贴附于被淀积的材料上，具有更精细的间隙和更精细的图形，但不能够支持形成超过框架厚度的预定的尺寸。被构图的掩模的精细图形形成是由细肋来支持的。
所公开的这些掩模由于是由磁性材料形成的，都是近距离贴附于被淀积的材料上。然而，由于掩模材料的限制，这些掩模仍旧具有一些基本的问题，比如不良的焊接品质，以及由于不良的焊接品质导致的间隙总量的精确度的变化。
日本专利申请NO.2002-9098公开了一种图形形成装置，在淀积过程中，由于热膨胀可造成掩模与框架的局部的脱离，这种图形形成装置用于避免由这种局部脱离所带来的对预形成在衬底上的薄膜的破坏。所述图形形成装置具有一支座，支座要制造的比掩模大，其上具有一个凹陷部分，并且掩模被放置在凹陷部分中。支座的使用避免了在形成薄膜的过程中由于热膨胀而产生的掩模的波纹状弯曲。同样，在那些形成支座的一侧以外的掩膜一侧形成磁性元件，磁性元件使得掩模更接近衬底，从而在掩模和支座之间形成了一个空隙。这样，所述空隙有助于冷却掩模。
然而，由于所公开的具有槽的掩模没有被框架稳固支撑，不能精确的控制掩模的位置，在淀积的过程中掩模的位置可能发生变化。
日本专利申请NO.2002-8859公开了一种用于避免掩模在形成薄膜的过程中发生热膨胀的图形形成装置，其中在支撑掩模的框架中形成一条液体通道，并在液体通道中进行用于冷却的液体循环。然而，上述公开的装置由于掩模和框架的不良焊接也具有比如间隙总量的精确度改变这些缺点。
日本专利申请NO.2000-48954，2000-173769，2001-203079以及2001-110567公开了金属掩模，所述掩模具有增补线以避免位于掩模和框架之间的掩模护罩的下垂。这些掩模也具有由于掩模材料限制产生的比如不良的焊接品质这些基本的缺点。
发明内容
本发明提供了一种淀积掩模框架组件，制造这种组件的方法，以及利用淀积掩模框架组件制造有机电致发光(EL)器件的方法。
发明的其它方案和/或有益效果，一部分将在下面进行说明，其它部分，将很容易的从描述中获得，或者可以从实践本发明中得知。
关于本发明的一个方案，提供了一种淀积掩模框架组件，所述淀积掩模框架组件包括一掩模、一框架和一掩模上盖，掩模上具有在其上形成孔的预定图形的薄板，框架支撑掩模的一侧表面使掩模张紧，上盖支撑着掩模相反的一侧表面，并且上盖具有相应于框架的形状。
掩模可以利用电子成形法由镍或者镍钴合金来形成。
掩模、框架以及掩模上盖可经点焊连接成一体。实施点焊时要形成焊接间隙，所述焊接间隙是焊点之间的距离，为3毫米或者更少。
关于本发明的另一方面，提供了一种淀积掩模框架组件的制造方法。所述方法可包括通过电子成形法制造掩模，及在掩模的一侧表面上固定框架和在掩模的另一侧表面上固定掩模上盖，同时要使得掩模被张紧，并且焊接上盖，掩模和框架。
这里，掩模可以由镍或者镍钴合金电淀积形成。
关于本发明的又一方面，提供了一种有机EL器件的制造方法。所述方法中，在一层绝缘衬底上以预定的图形形成第一电极层。接着，在第一电极层上形成至少包括一层构图发射层的有机膜。其后，在有机膜上以预定图形形成第二电极层。然后，密封第二电极层。这里，有机膜和第二电极层至少其中之一利用淀积掩模框架组件来淀积。淀积掩模框架组件包括一掩模、一框架、一掩模上盖，掩模具有在其上形成孔的预定图形的薄板，框架支撑掩模的一侧表面使掩模张紧，上盖支撑着掩模相反的一侧表面，并且上盖具有相应于框架的形状。
掩模可以利用电子成形法由镍或者镍钴合金来形成。
掩模、框架以及掩模上盖可经点焊连接成一体。实施点焊时要形成焊接间隙，所述焊接间隙是焊点之间的距离，为3毫米或者更少。
联系以下这些附图，通过下面对实施例的说明，本发明的上述和/或其它方面以及有益效果将变得非常鲜明，并可以更容易的理解。
图1是现有的掩模框架组件的展开透视图；图2A-2C是局部剖面图，示意了这样一个过程，其中在镍钴合金构成的掩模连接到框架的连接处产生了裂缝；图3是根据本发明实施例的掩模框架组件的透视图；图4是图3所示掩模的局部透视图；图5是沿图4中线A-A所截得的局部剖视图；图6A-6C是透视图，示意了关于本发明实施例中的掩模框架组件的制造过程；图7A-7D示意了掩模框架组件的间隙总量的偏差和掩模框架组件的线偏差；
图8是间隙总量的图表，间隙总量是在焊接之后撤掉张紧力后相对于焊接间隙的间隙总量；以及图9是孔径效率的图表，孔径效率基于相对于像素间隙的孔径宽度偏差。
具体实施例方式
现在具体描述本发明的实施例，这些实施例已经示意在附图中，其中同一参考标记自始至终表示同一结构。下面参照附图描述实施例来解释本发明。
下面将参照附图3到5说明本发明实施例的掩模框架组件100。参见图3，掩模框架组件100包括掩模110和框架120，掩模110具有多个掩模单元111，框架120支撑着掩模110使得掩模110张紧。框架120是空心的使得其只支撑掩模110的边缘而不包括掩模单元111。
如图4所示，掩模单元111包括由屏蔽部分113所确定的孔112的图形。如图4所示，孔112可以形成为这样一种伸长的图形，但它们也可以形成为其它的图形。
如图3所示，框架120支撑着掩模110一侧表面的边缘，同时掩模上盖130支撑着掩模110相反一侧表面的边缘。掩模上盖130设置成如图3所示可以支撑掩模120四个边缘的构形，但是它可以是任何构形只要能够支撑掩模被框架120支撑着的那些部分。
掩模110或者由镍制得或者由镍钴合金制得。优选的，掩模110由镍-钴合金制得，这种材料有助于形成精细的图形并且能够提供优异的表面粗糙度。采用电子成形法以预定的图形形成掩模110的孔112，从而获得精细的图形以及优异的表面光洁度。镍和钴的合金可以由85％重量的镍和15％重量的钴组成。然而，也可以采用各种镍和钴的组成比率。
掩模上盖130可以由殷钢(不胀钢)制得，这种材料主要由铁和镍组或，或者由42合金制得，或者由不锈钢SUS304制得。这里，SUS表示日本工业标准中的专用不锈钢。框架120可以由不锈钢SUS410制得。此外，掩模上盖130或者框架120也可以由各种材料制得。
如图3所示，掩模110、掩模上盖130以及框架120以这种形式连接成一体，其中掩模110设置在掩模上盖130和框架120之间。利用粘接剂获得上述连接，优选焊接。可以利用多种焊接方法，比如激光焊接或者电阻焊。当考虑到焊接之后的精度改变的时候，优选激光焊接。图3中的焊点140表示利用激光进行点焊时的点。根据连接后间隙总量精确度的变化控制焊接间隙Pw。优选的，焊接间隙Pw控制到3毫米或者更少，后面将详细介绍。
如上所述，淀积掩模框架组件100采用了掩模110，掩模110是用镍或者镍钴合金经电子成形法制得的，因此本发明具有了精确的图形以及优异的表面光洁度。此外，沉积掩模框架组件100由于采用了贴附于掩模110一边上的掩模上盖130就可以避免在焊点处由于热折射出现裂纹，从而避免由于不良焊接造成的间隙总量的变动，上述正是镍钴合金的缺点。
图5是沿图4中线A-A所截的局部剖面图。实际中，单个的屏蔽部分113的表面113a可以具有0.1微米的表面光洁度，并接触形成淀积的衬底上。每一个孔112可以具有正负5微米的宽度公差ΔWs1。间隙总量Pt的精确度可以达到正负10微米。
下面将参照附图6A到6C说明关于本发明的一个实施例中的淀积掩模框架组件的制造方法。
首先，用电子成形法制造掩模110。尽管图中没有示出，利用电子成形法在电淀积板的裸露部分上电淀积一金属层。这里，电淀积板具有粘附在其相应于屏蔽部分的区域之内的一层薄膜，所述屏蔽部分形成掩模110的外部，并且界定了孔112。优选的，金属层由镍或者镍钴合金形成。尽管可以电淀积大约30到50微米厚度的金属层，厚度也可以根据掩模110的使用者的要求进行变化。
在掩模110制造过程中的电淀积步骤完成之后，掩模110与电淀积板分离。如图6A所示，将掩模110插入到框架120和掩模上盖130之间。优选的，掩模上盖130的内缘要大于其上将要淀积一层薄膜的衬底(末示出)的外缘，目的是为了避免掩模上盖130连接到衬底上的时候由于掩模上盖130的内缘小于衬底外缘，在淀积过程中所引起的阴影效应。
如图6B所示，压紧掩模110并且从x和y方向上向掩模施加张力。这里，在x和y方向上实施同样的张力。然而，优选的是，在四个侧边分别施加理想的张力+Px1到+Px5，-Px1到-Px5，+Py1到+Py6，-Py1到-Py6。在这种情况下，如图7A所示，由于在最外边线114和115之间的间隙总量Pt不改变，就不会出现偏差。如图7B和7C所示，总偏差Pt具有偏差范围(Ptma-Ptmin)。如图7B和7D所示，出现了线偏差(ΔX)。因此，在掩模的不同侧边施加不同的张力能够避免间隙总量的偏差和线偏差。
如图6C所示，当张紧掩模110的时候，掩模110、掩模上盖130以及框架120连接成一体。如上所述，可以以任何方式来实现连接，比如粘合或者焊接。然而，考虑到在连接之后引起的精度改变或者类似问题的时候优选激光点焊。当决定了焊点140之间的焊接间隙Pw的时候，必须要考虑在连接之后当撤掉了张紧力后所导致的间隙总量的精确度的改变。图8示出了焊接之后当撤掉了张紧力后间隙总量的变化与焊接间隙的变化之间的关系。正如从图8中看到的那样，随着焊接间隙减小，间隙总量的变化量也减小，并且当焊接间隙为3毫米或者更少的时候间隙总量的变化量已经非常小了。这样优选焊接间隙Pw为3毫米或者更少。在这种情况下，即使当掩模由镍钴合金制得，但是焊点位于分别设置在掩模上下表面上的掩模上盖和框架上，这样就避免了由于热传导带来的掩模的变化。因而，避免产生裂纹。
完成上述焊接之后，切掉掩模上盖130上的部分142和掩模110的边缘，从而使得掩模上盖130和掩模110的尺寸和形状与框架120相匹配。
这种掩模框架组件可应用于真空淀积有机EL器件中的有机膜或者第二电极层。下文中，将说明利用掩模框架组件制造有机EL器件的方法。
首先，准备如图3所示的与掩模框架组件100尺寸相当的衬底，并且在预定的图形中第一电极层由ITO或者类似物形成。这里，第一电极层图形具有与图3中掩模框架组件100的掩模单元111相同的尺寸，并且第一电极层图形的数目与掩模单元111的数目相等。可以由任何一种常用的图形生成方法形成第一电极层，但是通常用光刻法来形成。
形成第一电极层图形之后，由比如光刻胶或者聚酰亚胺这些绝缘的感光材料制成明确的隔离着第一电极层的内部绝缘体。某些情况下，可以与内部绝缘体一起形成隔离着第二电极层的阴极隔离体。
接着，在真空淀积装置中淀积有机膜。
淀积方法决定于要淀积的有机膜的类型。由于空穴注入层(hole injectionlayer)、空穴传送层(hole transport layer)、电子注入层(elecron injection layer)或者电子传送层(electron transport layer)是没有图形的均厚淀积，用不具有孔的开放式掩模来代替图3中所示的淀积掩模框架组件。用图3所示的淀积掩模框架组件淀积发射层。这些层可以由任何这样的材料来形成，所述材料能够形成用于现有的低分子有机EL器件中的有机膜，并且上述层结构以这样的顺序进行淀积，空穴注入层、空穴传送层、发射层、电子传送层和电子注入层。这里淀积层结构可以改变为各种形式。
上述有机膜淀积完成之后，在淀积的有机膜上淀积作为阴极的第二电极层。第二电极层被如此构图，使得第二电极层的图形在大约直角穿过第一电极层的图形，并可以由铝和/或钙形成。第二电极层可以由各种方法来构图，比如利用开放式掩模的上述均厚淀积方法，或者利用图3所示的淀积掩模框架组件的淀积方法。
在第二电极层淀积完成之后，用环氧树脂或者包括湿气吸收剂的金属罩密封第二金属层，并且将驱动电路连接到裸露于外部的端子上。
如上所述，关于本发明实施例的掩模框架组件可以用在有机膜的淀积和第二电极层的淀积中。
利用本发明的淀积掩模框架组件制造的有机EL器件相对于利用常用的掩模框架组件制造的有机EL器件的特性在表1中示出。表1列出了利用本发明的淀积掩模框架组件淀积发射层的不同实施例。
在表1中，第一到第三实施例列出的是利用本发明实施例的掩模框架组件制造的有机EL器件，其中在由镍-钴合金用电子成形法形成的掩模上添加了掩模上盖。第一比较例列出的是利用常用的由镍-钴合金用电子形成方法制成的掩模淀积形成的有机EL器件。第二到第四比较例列出的是利用由蚀刻法制成的掩模形成的有机EL器件。
表一
表1中，△Pt表示焊接之后撤掉张紧力后获得的间隙总量的偏差量，ΔX表示线偏差量，以及ΔWs1表示孔宽度的偏差。当有机发射膜完全淀积在有机EL器件的像素区的时候，发生亮度故障率。混色产生比较表示这样一种情况，其中两层有机发射膜在单个像素上发生交迭，也就是，这样的情况下发生发生混色。因此，亮度故障率和混色产生比率说明在掩模上形成孔的时候没有被准确构图。盲区产生比率表示根据确定像素的数量，划分在不同的衬底上的相同区域处产生的盲区时获得时值。像素短路产生比率表示根据确定的像素的数量，划分在不同的衬底上的相同区域处产生的像素短路(short)时获得的值。
正像从表1中所看到的，根据本发明的第一到第三实施例相对于第二到第四比较例具有显著低的亮度故障率以及显著低的混色产生比率，在上述比较例中，利用现有的蚀刻法制成掩膜框架组件。同样，从表1可以看出，本发明避免了盲区或者像素短路的产生。
此外，根据本发明的第一到第三实施例相对于第一比较例具有了较低的亮度故障率以及较低的混色产生比率，在上述比较例中，利用现有的电子成形法制成掩模框架组件。这是因为在第一比较例中，由于用于制造第一比较例中的掩模框架组件中掩模的镍-钴合金的焊接老化产生了构图故障。
图9是孔径效率的图表，分别对应于条件I和II，其中掩模的孔宽度的偏差(ΔWs1)分别为±5微米和±10微米。表1中根据本发明的第一到第三实施例以及第一比较例相对应于上述条件I，表1中第二到第四比较例相对应于上述条件II。如图9所示，甚至在像素设置的足够小比如取得170点每英寸的像素间隙的时候，仍可得到50％或者更大的孔径效率。因此，关于本发明的淀积掩模框架组件的应用能够使得用户获得高品质的全色有机EL器件。
同样，在由电子成形法制造淀积掩模的情况下，确定孔的屏蔽部分是矩形的形状，这样就减小了在淀积过程中发生的阴影效应。
关于本发明的淀积掩模框架组件，所述淀积掩模框架组件的制造方法，以及利用所述淀积掩模框架组件制造有机EL器件的方法带来了以下的效果。首先，将由于掩模和框架的焊接产生的裂纹减少到最小的程度，及掩模的变化量也被最小化。
其次，甚至当掩模由镍-钴合金制得的时候焊接故障也能够被最小化，并且同时提高了孔宽度的精度，间隙总量的精度，和表面光洁度。
第三，降低了像素的淀积故障率，从而能够减少发生亮度故障和混色。
第四，能够以高的孔径效率高度小型化生成像素，并且可以低消耗的淀积形成有机膜或者其它的电极。因此，能够减少盲区和像素短路的生成。
尽管只公开并说明了本发明有限的实施例，但是在不脱离发明的原理和精神的条件下，本领域的技术人员可以对实施例进行一定的改变，这种改变依旧在权利要求和其保护范围之内。
权利要求
1.一种淀积掩模框架组件，包括一掩模，该掩模具有在其上形成孔的预定图形的薄板；一框架，框架支撑掩模的一侧表面使掩模张紧；和一掩模上盖，上盖支撑着掩模相反的一侧表面，并且上盖的形状相应于框架。
2.如权利要求1所述的淀积掩模框架组件，其中掩模是由镍或者镍钴合金构成的。
3.如权利要求2所述的淀积掩模框架组件，其中掩模是利用电子成形法来形成的。
4.如权利要求1所述的淀积掩模框架组件，其中掩模、框架和掩模上盖经焊接连接成一体。
5.如权利要求4所述的淀积掩模框架组件，其中焊接为点焊。
6.如权利要求5所述的淀积掩模框架组件，其中焊点之间的焊接间隙为3毫米或者更少。
7.如权利要求1所述的淀积掩模框架组件，其中掩模上盖以可支撑掩模四个边缘的形式构成。
8.淀积掩模框架组件的制造方法，这种方法包括用电子成形法在电淀积板上电淀积金属，其中，金属电淀积成预定的厚度，并且电淀积板具有粘附在其上相应于屏蔽部分的区域之内的一层薄膜，屏蔽部分形成了掩模的外侧部分，并且在掩模上界定了孔；将掩模从电淀积板上分离；以及在掩模的一侧表面上固定框架和在掩模的另一侧表面上固定掩模上盖，同时要使得掩模被张紧，并且焊接上盖、掩模和框架。
9.如权利要求8所述的方法，其中，预定的厚度为30-50微米。
10.如权利要求8所述的方法，其中，掩模含有镍或者镍钴合金。
11.如权利要求8所述的方法，其中，掩模上盖的内缘大于在其上淀积了一层的衬底的外缘。
12.如权利要求8所述的方法，其中，在掩模的不同侧施加不同的张紧力以减少间隙总量的偏差和线偏差。
13.如权利要求8所述的方法，其中，切掉掩模上盖的一部分和掩模的边缘部分，从而使得掩模上盖和掩模的尺寸和形状与框架匹配。
14.一种有机EL器件的制造方法，方法包括在绝缘衬底上以预定的图形形成第一电极层；在第一电极层上形成至少包括一层构图发射层的有机膜；在有机膜上以预定图形形成第二电极层；以及密封第二电极层，其中有机膜和第二电极层至少其中之一利用淀积掩模框架组件来淀积，淀积掩模框架组件包括一掩模，掩模具有在其上形成孔的预定图形的薄板，一框架，框架支撑掩模的一侧表面使掩模张紧，以及一掩模上盖，上盖支撑着掩模相反的一侧表面，其中上盖具有相应于框架的形状。
15.如权利要求14所述的方法，其中掩模由镍或者镍钴合金制得。
16.如权利要求14所述的方法，其中利用电子成形法形成掩模。
17.如权利要求14所述的方法，其中将掩模、框架和掩模上盖焊接成一体。
18.如权利要求17所述的方法，其中焊接为点焊接。
19.如权利要求18所述的方法，其中焊点之间的焊接间隙为3毫米或者更少。
全文摘要
涉及一种淀积掩模框架组件，这种淀积掩模框架组件的制造方法，以及利用淀积掩模框架组件制造有机电致发光器件的方法。所述淀积掩模框架组件包括一掩模、一框架和一掩模上盖，掩模具有在其上形成孔的预定图形的薄板，框架支撑掩模的一侧表面使掩模张紧，掩模上盖支撑着掩模相反的一侧表面，并且上盖的形状相应于框架。
文档编号H01L51/50GK1535082SQ20031012481
公开日2004年10月6日 申请日期2003年11月22日 优先权日2002年11月22日
发明者重村莘治 申请人:三星日本电气移动显示株式会社