专利名称：用于移动通信基站的介质谐振器装置、通信滤波器和通信单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在腔体中形成多个谐振器的介质谐振器装置，尤其用于使用以上类型的介质谐振器装置的移动通信基站的通信滤波器和通信单元。
2.背景技术公开号为7-321506的日本未经审查的专利申请中揭示了一种已知的用于滤波器的介质谐振器装置，该装置由在腔体中提供多个介质谐振器而形成。
在该公开的专利申请中，在腔体中提供多个介质核心，每一介质核心具有两个相互交叉的直角平行六面体，由此形成多个TM双模介质谐振器。该公开的专利申请中还揭示了一种结构，在该结构中，在相邻的TM双模介质谐振器之间配置了具有多个沿预定方向的缝隙的分隔板，从而在相邻介质谐振器之间，双模中同一类型模发生磁耦合。通过提供这一分隔板，使得沿缝隙长度方向取向的磁场能通过分隔板，而沿缝隙宽度取向的磁场受到屏蔽，因此能够耦合相同预定类型的谐振模。
令磁场能够通过分隔板的方向可以由缝隙的数量、宽度以及纵横比等来确定。例如，如果减小缝隙的宽度，则可以增强对沿缝隙宽度方向取向的磁场进行屏蔽的效果。然而，磁场是无法完全屏蔽的，并且跨接在分隔板上的谐振器由于这类磁场而轻微地相互耦合。如果这类耦合不合乎需要，则无法获得预定的滤波特征。在制造过程方面，也很难将分隔板上形成的缝隙的宽度减小至一个比预定值更小的值。
另外，沿缝隙长度方向的磁场的导磁率和沿缝隙宽度方向的磁场的导磁率可以用宽高比来改变至某一特定程度。然而，由于导磁率比是由分隔板上形成的缝隙的形状所固定的。因此，对于沿缝隙长度方向的磁场和沿缝隙宽度方向的磁场这两种模式来说，相邻谐振器之间的最佳耦合系数无法单独予以调整。
发明概述因此，本发明的目的是提供一种谐振器装置，在该谐振器装置中，可以改变通过提供分隔板而有选择地决定耦合一种类型的谐振模的耦合量和耦合另一种谐振模的耦合量，并且还提供一种用于采用这种类型谐振器装置的移动通信基站的通信滤波器和通信单元。
本发明的另一目的是提供一种谐振器装置，在该谐振器装置中，在通过提供分隔板两种谐振模中进行选择地耦合，仅允许一种类型谐振模的耦合，而抑制另一种类型谐振模的耦合，并提供了一种使用这种类型的谐振器装置并用于移动通信基站的通信滤波器和通信单元。
为实现上述目的，本发明提供了一种介质谐振器装置，它包括至少以第一谐振模式和第二谐振模式谐振的至少两个相邻的介质谐振器；以及分隔两个相邻介质谐振器的分隔板。在两个相邻介质谐振器中，通过第一谐振模式和第二谐振模式而由磁回路形成的表面相互正交。分隔板具有缝隙，两个相邻介质谐振器的第一谐振模式的磁回路沿缝隙的长度方向通过。分隔板还具有导体回路，包括同两个相邻介质谐振器的的中一个的第二谐振模式耦合的第一导体回路部分，，和同另一介质谐振器的第二谐振模式耦合的第二导体回路部分。
上述缝隙使得其中的磁场沿缝隙的长度方向的第一谐振模信号能够通过此缝隙。由于第一导体回路部分和第二导体回路部分与两个介质谐振器的第二谐振模相耦合，因而可以确定通过导体回路在两个介质谐振器之间的第二谐振模的耦合量。因此，第二谐振模的耦合量可由导体回路来改变。
在该介质谐振装置中，通过将两相邻介质谐振器的第二谐振模的磁场耦合至第一导体回路段和第二导体回路段，可以取消由第二谐振模通过缝隙时的磁场泄漏所引起的两相邻介质谐振器之间的第二谐振模的耦合。
采用这一结构，耦合能够在两介质谐振器之间的第一谐振模中起到效果，并且可以抑制不需要的第二谐振模的耦合，因而能获得预定的滤波器特征。
本发明也提供了一种介质谐振器装置包括至少两个相邻介质谐振器，能够至少在第一和第二谐振模中谐振；以及一个分隔板，用来分隔两相邻介质谐振器。在两相邻介质谐振器中，由第一和第二谐振模的磁回路形成的表面相互正交。该分隔板具有缝隙，两相邻介质谐振器的第一谐振模的磁循环沿缝隙的长度通过。分隔板也具有导体回路，包括耦合至两相邻介质谐振器的其中一个的第一谐振模的第一导体回路段，以及耦合至另一介质谐振器的第二谐振模的第二导体回路段。
上述缝隙使得磁场方向沿缝隙的长度中的第一谐振模信号能够通过该缝隙。第一导体回路段耦合至两介质谐振器的其中一个的第一谐振模，第二导体回路段耦合至另一介质谐振器的第二谐振模。相应地，当由两个介质谐振器组成四个阶段谐振段时，第一阶段和第三阶段谐振段可以通过导体回路跳跃耦合，或者第二阶段和第四阶段谐振段可以通过导体回路跳跃耦合。因此，通过跳过一个谐振器的跳跃耦合量可以由该导体回路来改变。
在本发明的介质谐振器装置中，可以为分隔板提供导体回路，使其能通过其中一个缝隙。
采用这一结构，易于排列导体回路，只需将具有导体回路的分隔板置于空腔中的预定位置，就可以耦合两介质谐振器。
在本发明的介质谐振器装置中，缝隙间隔可以平行于环绕两相邻介质谐振器的空腔内部和分隔板侧面之间的缝隙。
采用这一排列，由于缝隙间隔作为缝隙来使用，则不需要分隔板侧面和空腔内部之间的电连接。
本发明更进一步提供了一种通信滤波器包括上述介质谐振装置；以及外置耦合单元，外置地耦合至介质谐振器装置。在该通信滤波器中，可以获得具有很大阻带衰减的带通特征。
本发明还提供了一种用于移动通信基站的通信单元，包括上述的高频电路中通信滤波器，使得通信信号的预定频带能够通过。相应地，也可以提供一种小型且廉价的通信单元。
附图简要描述
图1A至1D根据本发明的第一实施例描述了在介质谐振器装置中使用的介质核心的结构；图2A和2B描述了采用图1A至1D所示的介质谐振器装置的通信滤波器的构造；图3A和3B分别为图2A沿线A-A和线B-B的剖视图；图4A和4B描述了图2A和2B所示的分隔板的结构；图5A和5B描述了跨越分隔板放置的两个介质谐振器的耦合状态；图6描述了图2A和2B所示的通信滤波器中使用的介质谐振器的耦合关系；图7是出现不需要的跳跃耦合时的特征图；图8是消除不需要的跳跃耦合后的特征图9是出现跳跃耦合具有同另一耦合相反极性时的特征图；图10A、10B和10C根据本发明的第二实施例描述了分隔板的结构以及介质谐振器装置的相邻部分；图11A和11B根据本发明的第三实施例描述了分隔板的结构以及介质谐振器装置的相邻部分；图12A和12B根据本发明的第四实施例描述了分隔板的结构以及介质谐振器装置的相邻部分；图13根据本发明的第五实施例描述了分隔板的结构以及介质谐振器装置的相邻部分；图14A和14B根据本发明的第六实施例描述了通信滤波器的结构图；图15A和15B描述了分隔板以及图14A和14B所示的通信滤波器的相邻部分；图16根据本发明的第七实施例描述了分隔板的结构以及介质谐振器装置的相邻部分；图17根据本发明的第八实施例描述了分隔板的结构以及介质谐振器装置的相邻部分；以及图18根据本发明的第九实施例描述了用于移动通信基站的通信单元的构造。
较佳实施例描述以下参考附图，通过对较佳实施例的图解来详细描述本发明。
以下参考图1A-1D、2A-2B、3A-3B、4A-4B、5A-5B以及6-9来描述介质谐振器和具有根据本发明的第一实施例构造的介质谐振器的通信滤波器。
图1A-1D描述了第一实施例的介质谐振器的构造。更特别地，图1A、1B和1C分别为介质核心10的顶视图、前视图以及右侧视图，图1D是整个介质谐振器的透视图。在图1D中，通过将两个直角平行六面体交叉并组合来构成介质核心10，并且该核心侧面为十字交叉形。最好在两直角平行六面体相互交叉部分提供凹槽。介质核心10通过如粘合剂或者玻璃釉来粘合至支撑板3。
如图1A所示，谐振模为TE01 z谐振模，在该模中，电场在垂直于z轴的平面(x-y平面)上循环，谐振模在介质核心10的10y所示的矩形部分中产生。同样，如图1C所示，谐振模为TE01 y模，在该模中，电场在垂直于y轴的平面(x-z平面)上循环，谐振模在核心10的10z所示矩形部分产生。
图2A-2B描述了具有图1A至1D所示的介质谐振器的通信滤波器的构造。更特别地，图2A是通信滤波器移除顶部的空腔盖片2后的顶视图，图2B是通信滤波器图2A加上空腔盖片2后沿C-C线的垂直剖面图。谐振器R1、R23、R45和R6置于由空腔单元1和空腔盖片2组成的空腔室中。对于R23和R45，使用了图1D所示的支撑板3。可以使用三个或更多的介质谐振器。
谐振器R1和R6每一个都能够形成半同轴谐振器。更特别地，具有预定高度的中央导体置于空腔单元1的空腔室的底部。同轴连接器12固定在空腔单元1的外表面上，并且同轴连接器12的中央导体连接至相应的中央导体11。频率调节旋钮13固定在面向中央导体11顶部的空腔盖片2的部分上。通过调整频率调节旋钮13和中央导体11的顶部之间所产生的寄生电容，可以调节半同轴谐振器的谐振频率。
在谐振器R1和R23之间以及谐振器R6和R45之间装有窗W。在谐振器R23和R45之间装有分隔板20。在谐振器R1和R23之间提供了跳跃耦合导体回路22，在谐振器R45和R6之间也提供了跳跃耦合导体回路23。
图3A是沿图2A的线A-A的剖视图，图3B是沿图2A的线B-B的剖视图。
如图3A所示，在分隔板20上形成了多个缝隙S。对分隔板20提供了导体回路21。在分隔板20的侧面和空腔室之间也提供了平行于缝隙S的缝隙间隔S’。
由于分隔板的缝隙S的长度平行于z轴，因此能够传导谐振器R23和谐振器R45中产生的TE01 z模的磁耦合。
图4A和4B分别为分隔板20的透视图和侧视图。在图4A的透视图中，为简化绘图，用一条线来表示分隔板20的厚度(同样应用到之后的透视图中)。
传导回路包括第一传导回路段21a和第二传导回路段21b。第一和第二传导回路段21a和21b组成了回路表面，连接至方向同缝隙S的长度正交的磁场(即磁场方向沿缝隙S的宽度)。第一回路段21a显示在图4A的近端，即图4B中谐振器的左侧，而第二传导回路段21b显示在图4A的远端，即图4B中谐振器的右侧。
图3A和4A所示的在分隔板20和空腔单元1的空腔室之间形成的缝隙间隔S’具有同缝隙S相似的功能。相应地，分隔板20的侧面和空腔单元1的空腔室之间的电连接变为不需要的。根据一种已知的不具备缝隙间隔S’的滤波器的结构，必须根据高频电流来充分平稳地建立上述区域的电连接。如果电连接不够充足，则会降低谐振器的Q因数，导致插入损失的增加。然而，在本实施例中，可以通过提供缝隙间距S’来解决这一问题。当通过完整地提供本领域的发送滤波器和接收滤波器来形成双工器时，由于存在另一滤波器跨越空腔墙的空间，在结构上很难将分隔板的所有四个侧面电连接至一个滤波器的空腔室。可以通过按压来放置一块分隔板以替代螺丝，然而，在这一情况下，电连接可能不够充分。作为选择，可以使用回流焊接来将分隔板固定在空腔室上，然而，在这一情况下，这一过程变得复杂，且增加了成本。可以通过图3A和4A所示的缝隙间隔S’提供的结构来解决这类问题。
图5描述了通过分隔板20在图2A和2B所示的两个谐振器R23和R45中产生的第一谐振模的耦合状态。图5B描述了通过分隔板20在两个谐振器R23和R45中产生的第二谐振模的耦合状态。如图5A所示，由于第一谐振模的磁场纵向通过分隔板20的缝隙S，谐振器R23和R45的第一谐振模(TE01 z模)相互耦合。如图5B所示，谐振器R23的第二谐振模(TE01 y模)的磁场耦合至第一导体回路段21a，同时谐振器R45的第二谐振模(TE01 y模)的磁场耦合至第二导体回路段21b。相应地，第二谐振模的耦合量可以通过导体回路21来确定。
图6描述了图2A和2B所示的通信滤波器的谐振器之间的耦合关系。R2表示谐振器R23的TE01 y模谐振器部分，R3表示谐振器R23的TE01 z模谐振器部分。R4表明谐振器R45的TE01 z模谐振器部分，R5表明谐振器R45的TE01 y模谐振器部分。谐振器R1和R2之间的耦合k12由空间磁耦合引起，谐振器R5和R6之间的耦合k56同样也由空间磁耦合引起。谐振器R2和R3之间的耦合k23由谐振器R23中形成的凹槽g引起，谐振器R4和R5之间的耦合k45同样也由谐振器R45中形成的凹槽g引起。
谐振器R3和R4之间的耦合k34由通过在分隔板20中形成的缝隙S的磁场引起。谐振器R1和R3之间的耦合k12由跳耦合导体回路22引起，谐振器R4和R6之间的耦合同样也由跳耦合导体回路23引起。
谐振器R2和R5之间的耦合k25由从分隔板20中形成的缝隙S中泄漏的磁场的耦合和由导体回路21提供的磁场的耦合的协同效应引起。更特别地，尽管谐振器R23和R45的TE01 y模的磁场由于沿缝隙S的宽度定向而被屏蔽，但仍有少量的磁场泄漏，因此导致了这类磁场的耦合。在第一个实施例中，导体回路21为S或倒S形，即，第一和第二导体回路段是扭曲的。相应地，在跨越分隔板的两个空间中连接至导体回路21的磁场的方向是相互反向的。因此，可以消除从缝隙S的磁场泄漏的耦合。
图2A和2B所示的示例中，由于凹槽g在谐振器R23和R45之间的相同方向上形成，从缝隙S中泄漏的谐振器R2和R5之间的磁场的耦合k25的耦合系数的极性变为与谐振器R3和R4之间的耦合k34的耦合系数的极性相同。相应地，当导体回路21的第一和第二导体回路段21a和21b的回路面积增加至某一程度时，可以消除从缝隙S泄漏的磁场的耦合，并且耦合k25的耦合系数变为0。当更进一步增加第一和第二导体回路段21a和21b的回路面积时，耦合k25的极性变为同耦合k34的极性相反，并在谐振器R2和R5之间出现跳跃耦合。
图7、8和9描述了当耦合k25的耦合系数变化时的带通特征(S21)和反射特征(S11)图。在图中，垂直轴代表以分贝表示的衰减，增量为10dB，实线所表示的位置为0dB。水平轴表明线性刻度从1700到2200MHz的频率。
图7描述了在没有提供导体回路21的情况下，当自然从缝隙S中泄漏的磁场的跳跃耦合k25的耦合系数+0.08％时(极性与耦合k34相同)的特征。该实施例的通信滤波器的特征的要求之一是在由图7中的三角形表示的记号1和记号2之间实现75dB或更大的衰减。为满足这一要求，产生由k13和k46表示的具有负耦合系数的跳跃耦合。然而，由于具有正耦合系数的跳跃耦合k25的影响，在记号1和记号2之间未产生衰减极点。由此证明了提供具有缝隙的分隔板仅仅未达到75dB或更大的衰减。
图8描述了通过调整第一和第二导体回路段21a和21b的回路面积，当耦合k25的耦合系数接近0％时的特征。相应地，在记号1和记号2之间产生了由于跳耦合k13和k46引起的衰减极点，因此实现了75dB或更大的衰减。在图8中，P13和P46分别表示由跳耦合k13和k46引起的衰减极点的位置。
图9描述了在不提供跳跃耦合导体回路22和23的情况下，通过增加第一和第二导体回路段21a和21b的回路面积，当耦合k25的耦合系数为-0.05％时的特征。在这一方式中，当通过跳过偶数号谐振器来产生具有同耦合k34相反极性的跳跃耦合时，在通频带的高频范围和低频范围同时产生了衰减极点。在图9中，P25表示由跳跃耦合k25引起的衰减极点。
下文将参考图10A、10B和10C来描述符合本发明的第二实施例而构造的介质谐振器装置的主要部分的结构。
图10A、10B和10C描述了分隔板20以及与分隔板20相邻的空腔单元1的结构的示例。在图10A所示的示例中，提供了向空腔单元1的内部的凸起1w，分隔板放置在突出部分1w之间。在分隔板和突出部分1w之间也提供了缝隙间隔S’。采用这一结构，与其它分隔板的结构相比可以减少所需的缝隙的数量。
在图10B所示的示例中，在分隔板20的侧面和空腔单元1的空腔室之间也提供了与缝隙S平行的凹进部分1g，使得分隔板20的侧面能够插入凹进部分1g中。采用这一结构，凹进部分1g可以用作缝隙间隔。
在图10C所示的示例中，在空腔单元1的空腔室中提供了突出部分1w，同时也在突出部分1w中形成了凹进部分1g，使得分隔板20能够插入凹进部分1g中并留有间隙。采用这一结构，可以提供预定数量的缝隙，并且凹进部分g也可以用作缝隙间隔。
图11A和11B描述了符合本发明的第三实施例而构造的介质谐振器装置的主要部分的结构。更特别地，图11A和11B分别为分隔板20的透视图和侧视图。在该实施例中，第一和第二导体回路段21a和21b同分隔板20是连续地和整体地形成。第一和第二导体回路段21a和21b的回路面积可以由当从第一和第二回路段21a和21b的侧面看去时的面积来表示。
图12A和12B描述了符合本发明的第四实施例而构造的介质谐振器装置的主要部分的结构。更特别地，图12A和12B分别为分隔板及其周围部分的透视图和顶视图。在该实施例中，形成了第一和第二导体回路段21a和21b，使得当在x轴看分隔板20时，导体回路21为S形或倒S形，并且当在z轴看分隔板20时，导体回路21为N形或倒N形。在冲压并提升第一和第二导体回路段21a和21b后，在导体回路21的剩余部分中形成了同样可用作缝隙S的缝隙S″。
图13是符合本发明的第五实施例而构造的介质谐振器装置的分隔板20的结构的侧视图。该分隔板20的结构与图4A和4B中所示的结构类似，除了导体回路21离开分隔板20分开提供的。在图13所示的这一实施例中，具有第一和第二导体回路段21a和21b的导体回路21固定在空腔单元1和空腔盖片2上。导体回路21通过分隔板20提供的中央缝隙或相邻缝隙而放置，使其不与分隔板20接触。采用这一结构，回路面积也可以由第一和第二导体回路段21a和21b以及分隔板来确定。
下文结合图14A至15B描述一种符合本发明的第六实施例而构造的通信滤波器。
本实施例的通信滤波器图2A和2B所示的不同之处在于，为分隔板20提供了不扭曲的导体回路21，在谐振器R23中形成的凹槽g的方向与谐振器R45中形成的凹槽g的方向相反，并且未提供跳跃耦合导体回路22和23。结构的其它方面与图2A和2B所示的类似。
当沿x轴看时，谐振器R23中形成的凹槽g向右上45°倾斜，而在谐振器R45中形成的凹槽g向左上45°倾斜。根据谐振器R23和R45之间的凹槽的关系，从分隔板20的缝隙S泄漏的磁场的耦合k25的耦合系数的极性与耦合k34的耦合系数的极性相反。
图15A和15B描述了图14A和14B所示的分隔板以及提供给分隔板20的导体回路21的结构。构造导体回路21，使得其两端都连接至分隔板20，并且使第一和第二导体回路段21a和21b位于分隔板20的前面和背面，以形成一个完整的回路圈。通过提供不扭曲的导体回路21，当跳耦合k25的耦合系数的极性与耦合k34的耦合系数的极性相反时，其绝对值将变大。通过调整第一和第二导体回路段21a和21b的回路面积，可以将跳跃耦合k25的耦合系数设定为预设值，因此能获得与图9所示的类似的特征，具有衰减极点P25，衰减极点P25在通频带的高频范围和低频范围中由跳跃耦合k25产生。
图16描述了符合本发明的第七实施例的通信滤波器的分隔板的结构。在该实施例中，导体回路21穿过分隔板20的缝隙，使其两端连接至空腔单元1的底部。采用这一结构，位于分隔板前面和背面的导体回路段作为第一和第二导体回路段21a和21b。在这一方式下，可以从分隔板20上单独分离出不扭曲的导体回路。
在图2A和2B以及图14A和14B分别所示的第一和第六实施例中，将跳跃耦合k25的耦合系数设为0或预定值，使其极性变为同耦合k34的极性相反。然而，可能在将跳跃耦合k25的耦合系数设为预定值时其极性仍然保留为同耦合k34的极性相同。例如，在图2A和2B所示的实施例中，导体回路21可以用不扭曲的导体回路来替代，如图15A和16所示。作为选择，图14A和14B所示的导体回路21可以被扭曲的导体回路所替代，如图2A和2B所示。通过将跳跃耦合k25的耦合系数的极性设为与耦合k34的极性相同，尽管通频带高频范围和低频范围的衰减特征恶化，却可以显著地提高通频带的群延迟特征。
图17是符合本发明的第八实施例的介质谐振器装置的主要部分的透视图。同样在该实施例中，为分隔板提供了由第一导体回路段21a和第二导体回路段21b组成的导体回路21。然而，与图4A和4B所示的导体回路21不同，第一导体回路段21a具有充分水平的回路面，第二导体回路段21b具有充分垂直的回路面。相应地，如果图2A和2B所示的分隔板由图17所示的分隔板来替代，则第一导体回路段21与谐振器R23的TE01 z模的磁场相耦合，第二导体回路段21b与谐振器R45的TE01 y模的磁场相耦合。由于TE01 z模谐振器R23符合图6所示的第三阶段谐振器R3，并且TE01 y模谐振器R45符合图6所示的第五阶段谐振器R5，因此导体回路21提供通过跳过一个谐振器，即第四阶段谐振器R4，来跳耦合第三阶段谐振器R3和第五阶段谐振器R5的功能。当谐振器R3和R5之间的跳耦合的极性与耦合k34的极性相同时，通频带的高频范围产生衰减极点。当该极性与耦合k34的极性不同时，在通频带的低频范围产生衰减极点。
如上所述，可以通过跳过奇数个谐振器，如一个谐振器，来产生衰减极点。
在前竖实施例中，第一和第二谐振模都为TE01模。然而，第一和第二谐振模的其中之一可以为TM模。例如，在图2A和2B所示的实施例中，可以构造一个TM多模介质谐振器装置，其中，谐振能够产生具有沿z轴方向的电场的TM110 z模或TM11 z模，以及具有沿y轴方向的电场的TM110 y模或TM11 y模。
图18显示了符合本发明的第九实施例构造的用于移动通信基站的通信单元的结构。
在该通信单元中，一个发送滤波器和一个接收滤波器组成一个双工器，每一滤波器都是上述实施例描述的滤波器之一。相位调节在发送滤波器的输出端口和接收滤波器的输入端口之间进行，使得发送信号0会进入接收滤波器，并且接收信号不会进入发送滤波器。发送电路连接至发送滤波器的输入端口，并且接收电路连接至接收滤波器的输出端口。天线连接至天线端口。采用这一结构，可以组成具有本发明的介质谐振器装置的通信单元。
权利要求
1.一种介质谐振器装置，它包括至少两个相邻的介质谐振器，每一谐振器至少在第一和第二谐振模中谐振，所述的第一谐振模和第二谐振模各自具有的磁回路相互正交；位于所述的至少两个相邻介质谐振器之间的分隔板，该分隔板包括缝隙，所述的至少两个相邻介质谐振器的第一谐振模的磁场回路沿缝隙长度通过；以及同所述的分隔板一起提供的导体回路，该导体回路包括耦合至所述的至少两个相邻介质谐振器的第一介质谐振器的第二谐振模的第一导体回路段，以及耦合至所述的至少两个相邻介质谐振器的第二介质谐振器的第二谐振模的第二导体回路段。
2.如权利要求1所述的介质谐振器装置，其特征在于，对所述的导体回路进行布置，使其穿过所述的缝隙之一。
3.如权利要求1所述的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个相邻介质谐振器并形成空腔的壁；以及与所述的缝隙平行的缝隙间隔，该缝隙间隔位于所述的空腔的壁和所述的分隔板的侧面之间。
4.如权利要求1所述的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个相邻介质谐振器装置并形成空腔的壁；以及一组从所述的壁向所述的空腔内延伸的相对突出部分，所述的分隔板位于所述的相对突出部分之间。
5.如权利要求1所述的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个相邻介质谐振器并形成空腔的壁；以及一组在所述的空腔的壁内的相对凹槽，所述的分隔板位于该组凹槽中。
6.如权利要求1所述的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个相邻介质谐振器装置并形成空腔的壁；一组从所述的壁向所述的空腔内延伸的相对突出部分；以及分别位于所述的相对突出部分中的凹槽，所述的分隔板位于所述的相应凹槽中。
7.如权利要求1所述的介质谐振器装置，其特征在于，所述的第一导体回路段和所述的第二导体回路段与分隔板整体形成。
8.一种通信滤波器，它包括如以上权利要求1所述的介质谐振器装置；以及一个外置地耦合于该介质谐振器装置的外置耦合单元。
9.一种用于移动通信基站的通信单元，该通信单元包括使得通信信号的预定频带能够通过的高频电路，该高频电路包括以上权利要求8所述的通信滤波器。
10.如权利要求1所述的介质谐振器装置，其特征在于，在所述的至少两个相邻介质谐振器装置之间由所述的第二谐振模通过缝隙时的磁场泄漏所引起的第二谐振模的耦合可以通过耦合通过所述的第一导体回路和第二导体回路的所述的至少两个相邻介质谐振器装置的第二谐振模的磁场来消除。
11.如权利要求10所述的介质谐振器装置，其特征在于，在所述的至少两个相邻介质谐振器之间由通过缝隙的第二谐振模的磁场泄漏引起的第二谐振模的耦合可以通过安排所述的第一导体回路段和第二导体回路段的相对位置以及安排所述的至少两个相邻介质谐振器中提供的凹槽的相对位置来消除。
12.一种介质谐振器装置，包括至少两个相邻介质谐振器，每一谐振器至少在第一和第二谐振模中谐振，所述的第一谐振模和第二谐振模各自具有的磁场回路相互正交；位于所述的至少两个介质谐振器之间的分隔板，该分隔板包括缝隙，所述的至少两个相邻介质谐振器的第一谐振模沿缝隙的长度通过；以及同所述的分隔板一起提供的导体回路，该导体回路包括耦合至所述的至少两个相邻介质谐振器的第一介质谐振器的第一谐振模的第一导体回路段，以及耦合至所述的至少两个相邻介质谐振器的第二介质谐振器的第二谐振模的第二导体回路段。
13.如权利要求12所述的介质谐振器装置，其特征在于，对所述的导体回路进行布置，使其穿过所述的缝隙。
14.如权利要求12所述的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个相邻介质谐振器并形成空腔的壁；以及平行于所述的缝隙的缝隙间隔，该缝隙间隔位于所述空腔的壁和所述的分隔板的侧面之间。
15.如权利要求12所述的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个介质谐振器并形成空腔的壁；以及一组从所述的壁向所述的空腔内延伸的相对突出部分，所述的分隔板位于该组相对突出部分之间。
16.如权利要求12所属的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个相邻介质谐振器并形成空腔的壁；以及在所述的空腔的壁内的相对凹槽，所述的分隔板位于该组相对凹槽内。
17.如权利要求12所述的介质谐振器装置，它更进一步包括包围所述的至少两个相邻介质谐振器并形成空腔的壁；一组从所述的壁向空腔内延伸的相对突出部分；以及分别位于所述的相对突出部分中的凹槽，所述的分隔板位于所述的相应凹槽中。
18.如权利要求12所属的介质谐振器装置，其特征在于，所述的第一导体回路段和第二导体回路段同分隔板整体形成。
19.一种通信滤波器，包括以上权利要求12中所述的介质谐振器装置；以及外置地耦合至该介质谐振器装置的外置耦合单元。
20.一种用于移动通信基站的通信单元，该通信单元包括使得通信信号的预定频带能够通过的高频电路，该高频电路包括以上权利要求19中所述的通信滤波器。
全文摘要
一种介质谐振器装置，包括在第一和第二谐振模以及分隔两个介质谐振器的分隔板中谐振的二个介质谐振器。分隔板中提供缝隙S。第一谐振模(TE01 z模)的磁回路沿缝隙S的长度方向。分隔板也具有导体回路，包括耦合至第二谐振模(TE01 y模)的第一和第二导体回路段。相应地，两介质谐振器之间的第二谐振模的耦合可以由耦合通过缝隙S的磁场的泄漏以及耦合由提供导体回路形成的磁场来抑制。
文档编号H01P1/20GK1534827SQ20041003243
公开日2004年10月6日 申请日期2004年4月2日 优先权日2003年4月2日
发明者安藤正道, 驹木邦宏, 堤宗则, 宏 申请人:株式会社村田制作所