专利名称：一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法
技术领域：
本发明涉及一种硅化物形成方法，尤其有关一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法。
背景技术：
某些器件对漏电有很高的要求，结漏电和浅沟道隔离(STI)的漏电是器件的比较常见的情形。一般地，在器件制造的过程中，需要在器件单晶硅及多晶硅上进行金属硅化物的淀积。请参阅图1所示，目前常用的硅化物工艺主要有Co硅化物和Ti硅化物，其具体地工艺步骤包括第一步进行HF刻蚀，去除在单晶硅及多晶硅上形成的氧化硅，第二步进行Co及Ti的溅射淀积，以在单晶硅及多晶硅上形成金属硅化物，然后，进行第一次的灯退火处理，在退火后进行选择性刻蚀，最后再进行一次灯退火。
因为Co硅化物工艺的结深要比Ti硅化物要相对浅一些，这对获得较小结漏电性能是有帮助的。但是Co硅化物工艺对单晶硅和多晶硅上的氧化硅比较敏感，要求单晶硅和多晶硅上的氧化硅能够完全去尽，或者量很少，而由于多晶硅上的氧化硅的厚度通常都要厚于单晶硅的氧化硅的厚度，所以要求对硅化物形成前HF刻蚀氧化硅要尽量地多，以此来去除多晶硅上的氧化硅。由此造成的结果是，随着HF刻蚀量的增加，STI的边缘凹坑也会增大，最终的结果是使得STI的漏电性能下降。Ti硅化物相对与Co硅化物工艺，由于Ti硅化物对单晶硅和多晶硅上的氧化硅相对较不敏感，所以对硅化物形成前HF刻蚀氧化硅的量相对比Co硅化物要少一些，这对STI的边缘凹坑的增加有抑制作用，最终的结果可使得STI的漏电减小。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其器件的结漏电及STI漏电均较小。
为完成以上技术问题，本发明采用以下技术方案，一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法，需要在器件的单晶硅及多晶硅均淀积硅化物，其特征在于在单晶硅及多晶硅上的硅化物溅射淀积分别进行。
与现有技术相比，本发明的有益效果是单晶硅上及多晶硅上的硅化物分别淀积，能够分别考虑到结漏电及STI漏电，使结漏电及STI漏电都能达到较小的水平。
图1为现有技术器件硅化物形成方法的流程图。
图2是本发明一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法的流程图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
请参阅图2所示，本发明一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法，需要在器件的单晶硅及多晶硅均淀积硅化物，而且在单晶硅及多晶硅上的硅化物溅射淀积分别进行。本发明的方法的具体步骤为第一步进行第一次HF刻蚀，去除单晶硅上的氧化硅；第二步进行测射淀积金属Co，从而在单晶硅上形成金属硅化物。之后，再通过第一次灯退火、选择性刻蚀，然后是第二次灯退火后。接着进行第二次HF刻蚀，之后，通过第三次灯退火、第二次选择性刻蚀，然后是第四次灯退火。
本发明的工艺流程的第一次HF刻蚀与原工艺流程HF刻蚀的目的是去除所以多晶硅和单晶硅上的氧化硅，使得硅化物能够在多晶硅和单晶硅上都得以形成不同。由于通常单晶硅上的氧化硅要比多晶硅上氧化硅要薄很多，所以第一次HF刻蚀的时间可以比较短。之后，再溅射金属Co，通过第一次灯退火、选择性刻蚀，然后是第二次灯退火后，Co硅化物就均匀地在单晶硅形成，同时还有一些零星Co硅化物会在多晶硅表面形成，但是它并不十分的均匀。
第一次硅化物工艺相对与Ti硅化物，它在单晶硅上结深要相对浅一些，这对获得较小结漏电性能是有帮助的。相对与通常的Co硅化物工艺，由于HF刻蚀的时间相对较短，对STI的边缘凹坑的增加有抑制作用，最终的结果可使得STI的漏电减小。
新工艺流程的第二次HF刻蚀的目的去除多晶硅上的氧化硅，使得Ti硅化物和第一次硅化物工艺在多晶硅表面形成的Co硅化物共同形成均匀的硅化物。由于在单晶硅上的硅化物已经形成，所以第二次HF刻蚀对边缘凹坑的影响不会涉及到STI的漏电增加。
因此，通过第二次硅化物工艺之后，在多晶硅和单晶硅表面都得以形成均匀的硅化物。相对与通常的Co硅化物工艺，它的STI的漏电较小，相对与通常Ti硅化物，它在单晶硅上结深要相对浅一些，有助于减小结漏电。
综上所述，本发明完成了发明人的发明目的，通过二次硅化物工艺之后，在多晶硅和单晶硅表面都得以形成均匀的硅化物，从而使结漏电及STI漏电都能达到较小的水平。
权利要求
1.一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法，需要在器件的单晶硅及多晶硅均淀积硅化物，其特征在于在单晶硅及多晶硅上的硅化物溅射淀积分别进行。
2.如权利要求1所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于在每一次的溅射淀积前需要进行HF刻蚀程序。
3.如权利要求2所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于在每一次的溅射淀积后均进行退火程序及选择性刻蚀程序。
4.如权利要求3所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于在选择性刻蚀程序前后各进行一次退火程序。
5.如权利要求3或4所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于所述退火程序为灯退火。
6.如权利要求1所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于在单晶硅及多晶硅上分别溅射淀积的金属为Co和Ti。
7.如权利要求6所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于第一次溅射淀积的金属为Co。
8.如权利要求6所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于第一次溅射淀积的金属为Ti。
9.如权利要求6所述的改进器件漏电表现的硅化物形成方法，其特征在于在每一次溅射淀积均进行HF刻蚀，且在溅射淀积Co之前进行的HF刻蚀时间比溅射淀积Ti之前进行的HF刻蚀时间短。
全文摘要
本发明有关一种改进器件漏电表现的硅化物形成方法，需要在器件的单晶硅及多晶硅均淀积硅化物，在单晶硅及多晶硅上的硅化物溅射淀积分别为Co和Ti，且上述溅射淀积程序分别进行，在淀积上述金属之前均需要进行一次HF刻蚀程序，且在淀积Co之前进行的HF刻蚀时间要比在淀积Ti之前进行的HF刻蚀时间短。通过上述方法，可以使器件的结漏电及浅沟道隔离漏电均较小。
文档编号H01L21/203GK1779908SQ20041008426
公开日2006年5月31日 申请日期2004年11月17日 优先权日2004年11月17日
发明者周贯宇 申请人:上海华虹Nec电子有限公司