专利名称：后备电源用隔离二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种电表类产品使用的后备电源用隔离二极管。
背景技术：
电表等产品中需要在系统电源切断时利用后备电源供电，以维持时钟和保存系统数据，因而系统电源与后备电源间需采用隔离器件。普通P+NW二极管由于寄生PNP效应将带来额外功耗。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种寄生漏电小的后备电源用隔离二极管。
为解决上述技术问题，本发明的后备电源用隔离二极管，利用DeepNwell(深层N阱)构成NPN BJT(bipolar junction transistor双极结型晶体管)的寄生结构，在该结构中，Deep Nwell和P+作为二极管的正端，NW作为二极管的负端。
由于采用上述结构，等效电路为NPN晶体管，与衬底之间没有通路，从而不会造成漏电。本发明利用Deep Nwell实现了寄生漏电极小的电源隔离用二极管，实测漏电小于10uA。
下面结合附图及具体实施方式
对本发明作进一步详细地说明
图1是本发明的系统构成示意图；图2是本发明后备电源用隔离二极管的结构图；图3是本发明后备电源用隔离二极管的等效结构图。
图2是本发明具体实施方式
图1所示的是本发明的系统构成示意图，其中，5V端为主电源，3V端接后备电池。正常工作时5V电源通过二极管向3V端供电并为电池充电，断电后电池向3V端供电维持数据。隔离二极管可以用外接方式实现，也可内建在芯片内以节约成本。本发明采用内部二极管的设计方法。如果采用通常的P+NW型二极管，可以实现电路功能。但是，由于P+NW与衬底P-sub之间构成了寄生的PNP管，当P+加5V，NW接3V端，而衬低接地时，PNP管导通放电。这种结构将造成不必要的功率消耗。
如图2所示。由于电表等芯片往往采用埋入EEPROM工艺，可以利用Deep Nwell(或称HV Nwell)的特殊层。因此，本发明设计了有Deep Nwell隔离的新型二极管结构。在该结构中，Deep Nwell和P+作为二极管的+端，NW作为-端。等效电路为NPN晶体管(参见图3)，由于与衬底之间没有通路，所以不会造成漏电，避免了PNP BJT寄生结构带来的漏电。
本发明经过流片测试，达到了设计要求。
权利要求
1.一种后备电源用隔离二极管，其特征在于利用Deep-Nwell构成NPN BJT的寄生结构，在该结构中，Deep Nwell和P+作为二极管的正端，NW作为二极管的负端。
全文摘要
本发明公开了一种后备电源用隔离二极管，利用Deep－Nwell构成NPN BJT的寄生结构，在该结构中，Deep Nwell和P+作为二极管的正端，NW作为二极管的负端。本发明寄生漏电小，适用于IC卡类产品使用。
文档编号H01L27/00GK1787231SQ20041008922
公开日2006年6月14日 申请日期2004年12月8日 优先权日2004年12月8日
发明者王楠 申请人:上海华虹Nec电子有限公司