专利名称：一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法
技术领域：
本发明涉及集成电路制造领域，尤其是涉及一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法。
背景技术：
随着集成电路的发展，多晶硅线宽及其之间线宽间距的正变得越来越窄，为了满足设计的需要，这就要求自对准硅化合物阻挡层这层膜要尽量的薄。
如图1所示，其为现有技术中对自对准硅化合物阻挡层的刻蚀流程图。首先需要生成一层自对准硅化合物阻挡层，然后在其上进行涂胶，接着进行自对准硅化合物阻挡层掩膜版程序，接着进行干法刻蚀程序，在干法刻蚀后，依次进行干法去胶，湿法去胶，HF刻蚀及硅化物工艺程序。
但是自对准硅化合物阻挡层变薄后，产生了两种负作用，一是由于自对准硅化合物阻挡层会产生数量更多的针孔，二是硅化物形成前的HF刻蚀作用会对比较薄的自对准硅化合物阻挡层产生致命的影响，甚至将自对准硅化合物阻挡层全部洗去。
因此要设计一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其可以大大减轻硅化物形成前的HF刻蚀对自对准硅化合物阻挡层的刻蚀作用，从而起到了保护自对准硅化合物阻挡层的作用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其可以大大减轻硅化物形成前的HF刻蚀对自对准硅化合物阻挡层的刻蚀作用，从而起到了保护自对准硅化合物阻挡层的作用。
为完成以上技术问题，本发明采用以下技术方案，一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其中在自对准硅化合物表面的涂光刻胶去除前进行湿法刻蚀。
与现有技术相比，本发明的有益效果是大大减轻了硅化物形成前的HF刻蚀对自对准硅化合物阻挡层的刻蚀作用，从而起到了保护自对准硅化合物阻挡层的作用。
图1为现有技术中对自对准硅化合物阻挡层刻蚀的方法的流程图。
图2是本发明一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法的流程图。
图3是使用本发明及现有技术的方法处理的同样厚度的自对准硅化合物的方块电阻在N型多晶硅上的测试结果比对图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
请参阅图2所示，首先进行自对准硅化合物阻挡层的生成程序，然后在其上进行涂胶作业，接着进行自对准硅化合物阻挡层掩膜版程序，从而可以进行干法刻蚀程序，在干法刻蚀后，追加一步HF刻蚀程序，去除绝大部分残余在多晶硅和单晶硅表面的二氧化硅。然后，依次进行干法去胶，湿法去胶及HF刻蚀程序。因为多晶硅及单晶硅上的二氧化硅的量已经相当的少，所以只需要很短时间的HF刻蚀，会极大程序地减轻HF前处理对自对准硅化合物的刻蚀作用，最后进行硅化物工艺程序。
请参阅图3所示，其显示同样厚度的自对准硅化合物阻挡层，采用本发明的工艺流程与现有技术的工艺流程后，自对准硅化合物阻挡层的方块电阻在N型多晶硅上的测试结果。可以明显地看出，用本发明的工艺流程的方法，很好地保护了自对准硅化合物阻挡层，方块电阻的均一性比原工艺流程有很大的提高。
综上所述，本发明完成了发明人的发明目的，在本发明的工艺流程中，由于追加了一步HF湿法刻蚀程序，残余在多晶硅和单晶硅表面的二氧化硅的量已经相当的少，所以只需要很短时间的HF刻蚀，极大程度地减轻了HF前处理对自对准硅化合物阻挡层的刻蚀作用，起到了保护自对准硅化合物阻挡层的作用。因此，方块电阻的均一性有了极大的改善。
权利要求
1.一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其特征在于在自对准硅化合物表面的涂光刻胶去除前进行湿法刻蚀。
2.如权利要求1所述的保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其特征在于所述湿法刻蚀为HF湿法刻蚀。
3.如权利要求1或2所述的保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其特征在于所述湿法刻蚀前有一步干法刻蚀程序。
4.如权利要求3所述的保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其特征在于所述干法刻蚀前依次进行自对准硅化合物阻挡层生长程序，涂胶程序及自对准硅化合物阻挡层掩膜版光罩程序。
5.如权利要求1或4所述的保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其特征在于所述湿法刻蚀后依次进行干法去胶程序，湿法去胶程序，HF刻蚀程序及硅化物工艺程序。
全文摘要
本发明有关一种保护自对准硅化合物阻挡层的方法，其中在自对准硅化合物表面的涂胶去除前进行HF湿法刻蚀。通过上述方法，在光刻胶还保留的情况下，先直接进行HF湿法刻蚀，去除绝大部分残余在多晶硅和单晶硅表面的二氧化硅，大大减轻了硅化物形成前的HF刻蚀对自对准硅化合物阻挡层的刻蚀作用，从而起到了保护自对准硅化合物阻挡层的作用。
文档编号H01L21/306GK1787174SQ200410089218
公开日2006年6月14日 申请日期2004年12月8日 优先权日2004年12月8日
发明者周贯宇 申请人:上海华虹Nec电子有限公司