专利名称：氮化物基发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种氮化物基发光器件及其制造方法，尤其是涉及一种带有透明薄膜电极结构的氮化物基发光器件及其方法，该透明薄膜电极结构设计为提供低的特定接触电阻和高透光率。
背景技术：
在利用诸如氮化镓(GaN)的氮化物基化合物半导体获得发光器件，例如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)的过程中，半导体和电极之间的欧姆接触的形成是十分重要的。
将GaN基发光器件分为顶部发光LEDs(TLEDs)和倒装芯片LEDs(FCLEDs)。在采用Ni/Au欧姆接触层的通常所用的TLEDs中，光经由与p型包覆层接触的欧姆接触层发出。
Ni/Au层作为具有10-4-10-3Ωcm2优良特定接触电阻的半透明欧姆接触层。在氧气的气氛中在500-600℃的一温度下对Ni/Au层退火导致在p-GaN型包覆层和Ni层之间的分界面形成氧化镍(NiO)，由此降低了肖特基势垒高度(SBH)。因此，作为多数载流子的空穴可以容易地被注入到p-GaN型包覆层的表面，由此增加p型包覆层表面附近有效的载流子浓度。
在p型包覆层上Ni/Au层的退火导致GaN中Mg-H复合物的分解，这通过增加GaN表面的中Mg杂质的浓度重新激活Mg杂质。由于重新激活，在p型包覆层表面上的有效的载流子浓度增加到1019holes/cm3以上，这在p型包覆层和包含NiO的欧姆接触层之间产生隧道电导率，从而获得改善的欧姆电导率。
由于它们的低的光利用效率，采用Ni/Au半透明薄膜电极的TLED不能被容易地应用到具有大电容和高亮度的下一代发光器件中。
一种克服TELDs输出功率的局限的方法是使用氧化铟锡(ITO)。ITO是比用作传统p-欧姆接触层的半透明Ni/Au具有更高透光率的透明导电氧化物。然而，当发光器件的输出功率增加时，由于p-GaN和ITO之间的高的欧姆接触电阻率，ITO欧姆接触层需要高工作电压，这产生了大量的热量。作为可选择的方法，日本特开平专利申请号No.2002-164570公开了使用p-GaN作为透明电极层获得高的输出功率。然而，由于上述引用的专利通过共掺杂Ga和N获得p-ZnO，实际使用p-ZnO作为用于p-GaN基发光器件的透明电极是十分困难的。而且，因为已知p-ZnO受很多可靠性问题的影响，其用于作为p-GaN发光器件的电极导致器件可靠性的降低。
为了致力于这些问题，强烈需要开发具有低特定接触电阻率的高质量欧姆接触层，其确保透明电极层的形成。
发明内容
本发明提供了一种带有透明薄膜电极结构的氮化物基发光器件及其方法，其中该透明电极设计为提供低的特定接触电阻率和高透光率。
根据本发明的一个方面，提供了一种氮化物基发光器件，其包括衬底；设置在衬底上的n型包覆层；设置在n型包覆层上的有源层；设置在有源层上的p型包覆层；以及设置在p型包覆层上由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。
根据本发明的具体实施例，含锌氧化物可以是选自包括ZnO、MgxZn1-xO和BexZn1-xO的组中的一种化合物。P型杂质可以至少是磷(P)和氮(N)之一。包含于含锌氧化物中的p型杂质的浓度的重量百分比可以在0.01-30％范围内。该欧姆接触层可以形成为0.1至1000nm厚。
发光器件可以进一步包括形成于欧姆接触层上由选自包括Ag、Al、Zn、Mg、Ru、Ti、Rh、Cr和Pt的组中至少一种元素构成的反射层。该反射层可以形成为10至2000nm厚。
根据本发明的发光器件可以进一步包括置于p型包覆层和欧姆接触层之间由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素构成的第一电极层。
另外，发光器件可以进一步包括置于欧姆接触层和反射层之间形成的，由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中的至少一种元素构成的第二电极层。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造氮化物基发光器件的方法，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层，该方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌氧化物构成的欧姆接触层；以及对通过欧姆接触层的形成而得到的合成结构进行退火处理。
根据本方法的具体实施例，含锌氧化物可以是选自包括ZnO、MgxZn1-xO和BexZn1-xO的组中的一种化合物。有源层可以具有InGaN/GaN多量子阱(MQW)或者AlGaN/GaN MQW结构。
该方法可以进一步包括在形成欧姆接触层之前，在p型包覆层上形成n电流阻挡层(n-current blocking layer)。n电流阻挡层可以形成为0.1至500nm厚。n电流阻挡层可以由透明导电氧化物或者n-GaN基化合物构成。透明导电氧化物是选自包括In2O3、SnO2和氧化铟锡(ITO)的组中之一。
另外，该方法进一步包括，在形成欧姆接触层之前，在p型包覆层上用选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素形成第一电极层。
另外，该方法可以进一步包括，在退火之前，在欧姆接触层上由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素形成第二电极层。
另外，该方法可以进一步包括，在退火之前，在欧姆接触层上由选自包括Ag、Al、Zn、Mg、Ru、Ti、Rh、Cr和Pt的组中至少一种元素形成反射层。该方法可以进一步包括，在退火之前，在反射层和欧姆接触层之间由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素形成第二电极层。该反射层可以形成为10到2000nm厚。该第一电极层可以形成为0.1到1000nm厚。
退火可以在100至800℃的一温度下进行10秒到3小时。退火可以在包含N2、Ar、He、O2、H和空气的至少一种气体的气氛中进行。
通过参照附图详细描述本发明示例性实施例，本发明的上述和其它特征和优点将变得更加明显，其中图1是根据本发明第一实施例的p电极结构的剖视图；图2是根据本发明第二实施例的p电极结构的剖视图；图3是示出根据本发明第一实施例退火p电极结构和未退火p电极结构的电流-电压(I-V)特性曲线图；
图4是示出根据本发明第二实施例退火p电极结构和未退火p电极结构的电流-电压(I-V)特性曲线图；图5-8是结合图1所示的p电极结构的发光器件的剖视图；图9-11是结合图2所示的p电极结构的发光器件的剖视图；图12是示出在对包括在图5和图9所示发光器件的InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝色LEDs退火后分别测得的工作电压的曲线图；图13是示出在对包括在图5和图9所示发光器件的InGaN/GaN MQW紫外线(UV)LEDs退火后所测得的工作电压的曲线图；以及图14是示出根据本发明第一和第二实施例在对具有p电极结构的InGaN/GaN MQW蓝色LEDs退火后所测得的工作电压和输出功率之间的关系曲线图。
具体实施例方式
下文中，将参考附图对根据本发明实施例的氮化物基发光器件及其制造方法进行详细说明。本发明不应当解释为局限于在此列举的实施例。全文中相同附图标记表示相同元件。
参照图1，根据本发明第一实施例的p电极结构包括欧姆接触层30，其用作透明薄膜电极。
在本发明的实施例中，III氮化物基p型包覆层20和欧姆接触层30依次形成于衬底10上。
p型包覆层20包括在由通式AlxlnyGazN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤x+y+z≤1)表示的III氮化物基化合物中的p型杂质。p型杂质可以是Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。
欧姆接触层30包括含Zn氧化物中P和N中的至少一个。含Zn氧化物可以是ZnO、MgxZn1-xO或BexZn1-xO。也就是，欧姆接触层30可以是通过分别向ZnO、MgxZn1-xO或BexZn1-xO中添加作为p型杂质的P和N中至少一种所得到的p-ZnO、p-MgxZn1-xO或p-BexZn1-xO。
当p型载流子注入欧姆接触层30(1015～1019/cm3的空穴浓度，0.01到10的空穴迁移率)中时，在p型包覆层20表面上p型载流子的有效浓度得到增加。由于这引起隧道电阻率，从而可实现良好的欧姆接触。
包含在含Zn氧化物中的p型杂质浓度的重量百分比范围在0.01到30％(重量％)。
诸如Zn3P2、ZnP2、Mg3P2、Zn3N2或Mg3N2S的固体化合物可以用作p型杂质代替传统使用的诸如P2O5的固体氧化物。
由于上面确定的固体化合物比固体氧化物更易于调整p型包覆层20和欧姆接触层30中的载流子或空穴的浓度，所以很容易形成具有优良欧姆接触特性的欧姆接触层30。
另外，包含作为p型包覆层30中的p型杂质的Mg或Be的三元p型含Zn氧化物的使用可以增加p型包覆层20中空穴的有效浓度，由此改善了欧姆接触层30的特性。三元p型含Zn氧化物还可以具有比二元p型含Zn氧化物更大的带隙，由此当用于AlGaN/GaN发光器件中的欧姆接触层30中时，改善了发光效率。
欧姆接触层30的厚度范围从0.1到1000nm。可使用电子束(e-beam)蒸发器、热蒸发器、溅射沉积或脉冲激光沉积(PLD)来沉积欧姆接触层30。此外，沉积温度在20至1500℃范围内，蒸发器内的压力在约10-12托至大气压的范围内。
图2是根据本发明第二实施例的p电极结构的剖视图。
参照图2，p电极结构包括欧姆接触层30和反射层40。III氮化物基p型包覆层20、欧姆接触层30和反射层40依次形成于衬底10上。
欧姆接触层30具有与第一实施例中相同的构成和特性。作为p电极结构顶层的反射层40用于制造倒装芯片发光器件，并且由显现氧化稳定性、相容性和高反射率的材料构成，并且能防止在温度为200到600℃时的表面退化。
反射层40可以由选自包括Ag、Al、Zn、Mg、Ru、Ti、Rh、Cr和Pt的组中的一种反射元素构成。反射层40的厚度可以为约10到2000nm。可以用电子束蒸发器形成反射层40。
在沉积后，对欧姆接触层30和反射层40退火。在100至800℃的一温度下，在真空或者一气体环境下退火10秒到3小时。在退火中可以将N2、Ar、He、O2、H2和空气的至少一种气体注入反应器。
下面将描述根据本发明实施例的p电极结构的制造工艺。
首先，在衬底10上形成主要包含GaN的p包覆层20的结构，将其表面在超声波浴中用丙酮、甲醇和蒸馏水在60℃的温度下清洗5分钟。然后在100℃的温度下进行10分钟硬烘焙以除去样品的水。
在85℃下对p包覆层20进行软烘焙15分钟之后，将光刻胶以4500rpm的速度旋涂在p包覆层20上。随后，为了形成掩模图案，相对于样品排列掩模，然后用22.8mW的紫外(UV)光照射该掩模15秒钟。然后将得到的结构放在用蒸馏水按1∶4的比例稀释的显影剂中显影25秒钟，并且然后浸入BOE溶液中5分钟，这样就实现了从所显影的样品去除污染层。然后，为了使用电子束蒸发器沉积欧姆接触层30，以粉末形式将ZnO和Zn3P2按大约9.5∶0.5的比例混合并烧结以形成样品，然后在电子束蒸发器的腔室内将该样品安装到台(stage)上。
通过将样品浸入丙酮中进行浮脱(lift-off)，然后在530℃的空气和N2气氛中，在快速退火炉(RTA)中对样品退火1分钟以形成p电极结构。
图3是示出在具有4×1017cm-3至5×1017cm-3载流子浓度的p-GaN包覆层20上沉积由掺杂P的p-ZnO构成的欧姆接触层30以使得欧姆接触层30和p-GaN包覆层20具有大约300nm的厚度之后，在530℃的空气和N2气氛中退火之前和之后所得结构的电特性曲线图。
参照图3，未退火的p-GaN/p-ZnO结构显现表示整流特性的非线性I-V特性，而退火结构具有表示欧姆接触特性的线性I-V特性并且具有大约10-5至10-4Ωcm2的低的特定接触电阻率。
图4是示出在具有4×1017cm-3至5×1017cm-3载流子浓度的p-GaN包覆层20上依次沉积由掺杂P的p-ZnO构成约100nm厚的欧姆接触层30和约200nm厚的Ag反射层40之后，在530℃空气和N2气氛中退火之前和之后所得结构的电特性曲线图。
参照图4，未退火p-GaN/p-ZnO/Ag结构显现表示整流特性的非线性I-V特性，而退火结构具有表示欧姆接触特性的线性I-V特性并且具有约10-5至10-4Ωcm2的低的特定接触电阻率。尤其是，包括欧姆接触层30和反射层40的电极结构比不包括反射层40的电极结构显示出更优良的I-V特性。
图5示出结合图1所示的p电极结构的发光器件的示例。参照图5，发光器件包括衬底110以及依次形成于衬底110上缓冲层120、n型包覆层130、有源层140、p型包覆层150和欧姆接触层230。发光器件进一步包括p电极衬垫180和n电极衬垫190。
衬底110可以由蓝宝石或碳化硅(SiC)形成。没必要包括缓冲层120。缓冲层120、n型包覆层130、有源层140、p型包覆层150的每个基本上是由通式AlxInyGazN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，0≤x+y+z≤1)表示的III氮化物基化合物构成的，并且除了III氮化物基化合物之外n和p型包覆层130和150包含适量的杂质。有源层140可以形成为单一层或者多量子阱(MQW)层或者可以具有本领域所公知的其它结构。
例如，当每层的主要成分是GaN化合物时，缓冲层120可以由GaN构成，除GaN之外，n型包覆层130可以包括n型杂质，例如Si、Ge、Se或Te，有源层140可以具有InGaN/GaN MQW或者AlGaN/GaN MQW结构，并且除GaN之外，p型包覆层150可以包括p型杂质，例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。
n型欧姆接触层(未示出)可以置于n型包覆层130和n电极衬垫190之间并具有Ti/Al结构或者其它通常的组成。p电极衬垫180可以具有Ni/Au或Ag/Au结构。
可通过电子束蒸发器、物理汽相沉积(PVD)、化学汽相沉积(CVD)、PLD、双重热蒸发器(Dual-type thermal evaporator)或者溅射形成各层。
参照图1，欧姆接触层230是由含有P和N的至少一种作为杂质的p型含Zn氧化物制成的。
图6示出包括在图5所示欧姆接触层230形成之前形成在p型包覆层150上的n电流阻挡层160的发光器件的示例。
n电流阻挡层160用于阻挡电流以免其直接注入有源层140，由此增加有源区域的尺寸并改善发光。n电流阻挡层160是由显示n型特性的透明导电薄膜构成的，其中多数载流子为电子。例如，n电流阻挡层160可以由透明导电氧化物或者n-GaN基化合物构成。透明导电氧化物是In2O3、SnO2或ITO。n-GaN基化合物是n-GaN、n-InGaN或n-AlGaN。n电流阻挡层160可以形成为0.1到500nm厚。
如图7所示，发光器件可以具有一种结构，其中电极层220形成于欧姆接触层230和p型包覆层150之间。电极层220可以由合金或者选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中的一种或两种元素的固溶体构成。由于构成电极层220的元素可以调整p型含Zn氧化物的浓度，所以其可有利于形成p-GaN欧姆接触。
参照图8，发光器件还可以具有一种结构，其中电极层220形成在欧姆接触层230上。电极层220可以由前面参照图7所述的材料构成。
图9示出其中反射层240形成于欧姆接触层230上的发光器件的示例。反射层240可以由选自包括Ag、Al、Zn、Mg、Ru、Ti、Rh、Cr和Pt的组中的金属构成。
如图10所示，发光器件可以具有一种结构，其中电极层220、欧姆接触层230和反射层240依次形成在p型包覆层150上。电极层220由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中的一种或两种元素的合金或者固溶体构成。由于构成电极层220的元素可以调整p型含Zn氧化物的浓度，所以其可有利于形成p-GaN欧姆接触。反射层240可以由选自包括Ag、Al、Zn、Mg、Ru、Ti、Rh、Cr和Pt的组中的金属构成。
参照图11，发光器件还可以具有一种结构，其中欧姆接触层230、电极层220和反射层240依次形成于p型包覆层150上。电极层220和反射层240的各层可以由前面参照图10所述的材料构成。
图12是示出分别在包含具有图5所示单一欧姆接触层230的p-ZnO电极结构和包含具有图9所示欧姆接触层230和反射层240的p-ZnO/Ag电极结构的InGaN/GaN MQW蓝色LEDs中测得的工作电压的曲线图。在这种情况下，在530℃的空气气氛中进行退火。在p-ZnO电极结构中的单一欧姆接触层的厚度是300nm，在p-ZnO/Ag电极结构中欧姆接触层230和反射层240的厚度分别是100nm和200nm。
从图12明显可见，具有p-ZnO电极结构和p-ZnO/Ag电极结构的发光器件的工作电压分别是3.33V和3.23V，它们都低于通常的Ni/Au电极结构中的3.45V工作电压。
图13是示出分别在具有那些用以获得图12所示结果相同的p型电极结构的InGaN/GaN MQW紫外线(UV)LEDs中测得的工作电压的曲线图。参照图13，具有p-ZnO电极结构和p-ZnO/Ag电极结构的发光器件的工作电压在20mA时分别是3.67V和3.54V。尽管发光器件具有高的工作电压，但是可以期望的是，鉴于在UV LEDs研究的初始阶段中取得的成果，上述结构可以用于实现具有良好工作电压特性的发光器件。
图14是示出具有图1所示p-ZnO电极结构、图2所示p-ZnO/Ag电极结构、和传统Ni/Au电极结构的lnGaN/GaN MQW蓝色LEDs在空气中退火后，所测工作电压和输出功率之间的关系曲线图。从图14明显可见，p-ZnO电极结构和p-ZnO/Ag电极结构可以提供具有极低工作电压和比用通常Ni/Au电极结构所获得输出功率高四倍的优良输出功率的高质量发光器件。
根据本发明的具有透明薄膜电极的氮化物基发光器件及其制造方法通过改善与p型包覆层的欧姆接触提供了优良的I-V特性，同时由于透明电极的高透光率而有效提高了器件的发光效率。
虽然参考本发明示例性实施例已对本发明进行了展示和描述，但是本领域普通技术人员应当理解的是，在不脱离所附权利要求限定的本发明的精神和范围之下，可在形式和细节上对本发明进行多种改变。
权利要求
1.一种氮化物基发光器件，包括衬底；设置在衬底上的n型包覆层；设置在n型包覆层上的有源层；设置在有源层上的p型包覆层；以及设置在p型包覆层上由包含p型杂质的含锌氧化物构成的欧姆接触层。
2.根据权利要求1的发光器件，其中含锌氧化物是选自包括ZnO、MgxZn1-xO和BexZn1-xO的组中的一种化合物。
3.根据权利要求1的发光器件，其中p型杂质至少是磷和氮之一。
4.根据权利要求1的发光器件，其中包含在含锌氧化物中的p型杂质浓度的重量百分比在0.01至30％范围内。
5.根据权利要求1的发光器件，其中欧姆接触层形成为0.1至1000nm厚。
6.根据权利要求1的发光器件，其还包括在n型包覆层下面的蓝宝石衬底或碳化硅衬底。
7.根据权利要求1的发光器件，其还包括由选自包括Ag、Al、Zn、Mg、Ru、Ti、Rh、Cr和Pt的组中至少一种元素构成的反射层。
8.根据权利要求7的发光器件，其中反射层形成为10至2000nm厚。
9.根据权利要求1的发光器件，其还包括置于p型包覆层和欧姆接触层之间的，由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素构成的第一电极层。
10.根据权利要求7的发光器件，其还包括置于欧姆接触层和反射层之间的，由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素构成的第二电极层。
11.一种制造氮化物基发光器件的方法，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层，该方法包括；在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌氧化物构成的欧姆接触层；以及对通过欧姆接触层的形成而得到的合成结构进行退火处理。
12.根据权利要求11的方法，其中含锌氧化物是选自包括ZnO、MgxZn1-xO和BexZn1-xO的组中的一种化合物。
13.根据权利要求11的方法，其中p型杂质至少是磷和氮之一。
14.根据权利要求12的方法，其中p型杂质至少是磷和氮之一。
15.根据权利要求11的方法，其中有源层具有InGaN/GaN多量子阱或者AlGaN/GaN MQW结构。
1 6.根据权利要求11的方法，其中包含在含锌氧化物中的p型杂质浓度的重量百分比在0.01到30％范围内。
17.根据权利要求11的方法，其中欧姆接触层形成为0.1至1000nm厚。
18.根据权利要求11的方法，其中欧姆接触层是采用选自包括电子束蒸发器、溅射沉积和脉冲激光沉积的组中的一种方法形成的。
19.根据权利要求18的方法，其中在欧姆接触层的沉积过程中温度在20至1500℃的范围内以及在沉积过程中压力在大气压至10-12托的范围内。
20.根据权利要求11的方法，其还包括在形成欧姆接触层之前在p型包覆层上形成n电流阻挡层。
21.根据权利要求20的方法，其中n电流阻挡层形成为0.1至500nm厚。
22.根据权利要求20的方法，其中n电流阻挡层是由透明导电氧化物或者n-GaN基化合物构成的。
23.根据权利要求22的方法，其中透明导电氧化物是选自包括In2O3、SnO2和氧化铟锡的组中的一种。
24.根据权利要求11的方法，其还包括，在形成欧姆接触层之前，在p型包覆层上由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素形成第一电极层。
25.根据权利要求11的方法，其还包括，在退火之前，在欧姆接触层上由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素形成第二电极层。
26.根据权利要求11的方法，其还包括，在退火之前，在欧姆接触层上由选自包括Ag、Al、Zn、Mg、Ru、Ti、Rh、Cr和Pt的组中至少一种元素形成反射层。
27.根据权利要求26的方法，其中反射层形成为10至2000nm厚。
28.根据权利要求26的方法，其还包括，在形成欧姆接触层之前，在p型包覆层上由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素形成第一电极层。
29.根据权利要求26的方法，其还包括，在形成反射层之前，在欧姆接触层上由选自包括Ni、Au、Pt、Pd、Mg、Cu、Zn、Ag、Sc、Co、Rh、Li、Be、Ca、Ru、Re、Ti、Ta、Na和La的组中至少一种元素形成第二电极层。
30.根据权利要求24的方法，其中第一电极层形成为0.1至1000nm厚。
31.根据权利要求11的方法，其中在100-800℃的一温度下进行退火。
32.根据权利要求11的方法，其中退火进行10秒至3小时。
33.根据权利要求11的方法，其中退火是在包含N2、Ar、He、O2、H和空气的至少一种气体的气氛中进行的。
全文摘要
提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I－V特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。
文档编号H01L33/06GK1606177SQ20041009211
公开日2005年4月13日 申请日期2004年10月8日 优先权日2003年10月8日
发明者成泰连, 金庆国, 宋俊午, 林东皙 申请人:三星电子株式会社, 光州科学技术院