专利名称：光刻装置及器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻装置及器件制造方法。
背景技术：
光刻装置是一种将所需图案施加于基底的目标部分上的装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，如掩模，可用于产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片)的目标部分(例如包括部分，一个或者几个管芯)上。一般地，单个基底将包含依次曝光的相邻目标部分的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将全部图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过投射光束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一目标部分。
在传统的光刻投影装置中，在光刻工艺中，通过夹持力将物品如晶片或中间掩模版夹持于物品支架上，夹持力可包括真空压力、静电力、分子间作用力或者仅仅是重力。物品支架限定了一个平面，以多个凸起的形式限定了一个保持晶片或中间掩模版的平坦平面。这些凸起的高度的微小改变对于图像清晰度都是不利的，因为物品与理想的平面方向的小的偏离会导致晶片的旋转以及由于这种旋转引起的重叠误差。此外，这种物品支架高度的改变可导致其支持的物品高度的变化。在光刻过程中，由于投影系统的焦距有限，这种高度的改变可影响图像清晰度。因此，物品支架可以是平坦的。
欧洲专利申请EP0947884描述了一种具有基底支架的光刻装置，其中采用凸起来改善基底的平坦度。这些凸起直径通常为0.5mm，通常设置为彼此相距3mm，从而形成支撑基底的支撑元件基座。由于在凸起之间的空隙相对较大，通常可能存在的污染不会影响基底的平坦度，因为这些污染物存在于凸起之间，不能在原地将基底支撑起来。
在本申请的上下文中，“物品”可以是上述提到的任何术语，如晶片、中间掩模版、掩摸或基底，尤其是术语例如，在制造装置中采用光刻投影技术待处理的基底；或者光刻投影装置中的光刻投影掩摸或掩摸坯件，或者掩摸生产装置或夹持于辐射系统光路中的任何其它物品或光学元件。
上述凸起结构限定了一个具有完美水平和能定向在适当方向的物品支架的单个平面。即使提供具有减少的多个接触面的凸起，也保留了相对较大的凸起与基底的物理接触面。这可在基底物品支架的凸起上表面与基底的背面之间引入结合力，在已有技术中称之为“粘性”。尤其是在真空操作状态下，这种粘性是相当大的。在实践中，这种将基底夹持于基底物品支架并进入光刻辐射步骤的位置的方法，从基底物品支架上释放基底需要较长的时间，导致下一光刻程序的对机器使用的延误。甚至还可引起从基底物品支架释放基底的弹出机构的阻塞。本发明的一个方面在于，通过提供一种不存在粘附力问题的基底物品支架，将这些问题最小化。
发明内容
本发明的一个方面在于，提供一种根据权利要求1的特征的光刻投影装置。特别地，在光刻装置中，其中装置包括一个控制器，它用于控制夹特装置和/或从物品支架上释放物品的回填气体输送压强，可采用回填气体压强来卸载物品，以使物品支架和物品之间的粘附力减弱或者完全消失。因此，通过采用回填气体压强，基底和基底物品支架之间的结合力可以需要的程度被补偿或者完全被中和。因此，当夹持装置打开而不再将基底夹持于基底支架上时，由于回填气体压强提供的力，基底和基底物品支架之间的结合力减弱或者消失。
需要提到的是，与传统观点相反，发明人发现，真空环境下回填气体的释放不是问题。事实上，对于压强为10毫巴的回填气体，得到的最大泄漏率低于0.15毫巴·升/秒。这样的泄漏率对于真空条件下的操作来说是可以接受的。需要提到的是，回填气体可包含其它气体，例如惰性气体或者其它合适的气体。
优选地，控制器在回填气体输送压强减小之前释放夹持装置。在这种方式中，残余气体的压强提供了从物品支架上释放物品所需要的正提升力。相反，传统地，在释放夹持装置之前残余气体应当被抽空。
在一个优选实施例中，该装置还包括一个存在探测器，用于探测物品支架上存在的物品，其中气体回填输送压强控制器控制与测得的存在探测相关的回填气体输送压强。因此，当存在探测器探测到物品存在时，可打开气体压强或者将其维持在一个预定的水平，相反，当存在探测器探测到物品不(不再)存在时，可关闭气体压强以防止气体泄漏到环境中，该环境可以是真空环境。
在另一个优选实施例中，该装置还包括一个处理器，用于在放置或移去物品过程中对其进行处理，物品处理器设置为提供释放力，以从物品支架上释放待处理的物品，其中回填气体输送压强控制器控制与测得的物品处理器移位或释放的力相关的回填气体输送压强。该过程结束后，物品处理器可用作如前所述的存在探测器，测得的移位或释放力作为物品存在的指示。作为选择，对于静电夹持装置，可通过电容探测器与静电夹持装置耦连来形成存在探测器。
优选地，气体填充压强范围包括1-15毫巴。本发明的另一方面涉及一种如权利要求10所概述的器件制造方法。特别地，该方法包括提供一基底；提供一辐射光束；利用构图部件给投射光束的横截面赋予图案；提供一种物品支架来支持基底及构图部件的至少一个；将带图案的辐射束投射到基底的目标部分上；以一定压强向物品支架供给回填气体；以及采用回填气体的压强从物品支架上卸载基底及构图部件的至少一个。
通过本发明的方法，可通过采用存在的回填气体压强来消除或者减弱物品与物品支架之间的粘附。特别是，优选地，该方法包括提供一种夹持力，以在带图案的光束的投射过程中将基底和/或构图部件夹持于物品支架上；提供一种回填气体压强，以在投射之前在物品与物品支架之间提供一种改进的热传导；以及投射之后通过采用回填气体压强来释放夹持力，以从物品支架上卸载基底和/或构图部件。优选地，该方法包括在提供回填气体压强之后和夹持力释放之前，通过物品处理器来挤压物品；以及夹持力释放之后通过物品处理器来提升物品。在这种方法中，在释放过程中物品与物品处理器保持持续接触，而物品没有任何从物品支架上掉落的风险。
本发明的另一方面涉及一种如权利要求10中概述的器件制造方法。特别地，该方法包括提供一基底；提供一辐射光束；利用构图部件给投射光束的横截面赋予图案；提供一种物品支架来支持基底及构图部件的至少一个；将带图案的辐射束投射到基底的目标部分上；以一定压强向物品支架供给回填气体；以及采用回填气体的压强从物品支架上卸载基底及构图部件的至少一个。
本发明的另一方面涉及一种如权利要求13概述的光刻装置。特别地，该装置包括提供辐射光束的装置；支撑待放置于辐射光束光路中的平面物品的装置；当物品被支撑装置支撑时以一定回填气体压强向物品的背面提供回填气体的装置；在投射过程中将物品夹持于支撑装置上的装置；以及控制夹持装置和提供回填气体以通过回填气体压强从支撑装置上释放物品的装置中至少一种的装置。
本发明的另一方面涉及一种如权利要求14所概述的器件制造方法。特别地，该方法包括当物品被支撑装置支撑时，以一定回填气体压强向物品的背面提供回填气体；在将图像投射到物品上的过程中将物品夹持于支撑结构上；以及控制所述供给和所述夹持装置中的至少一种来通过所述的回填气体压强释放所述物品。
在本申请中，本发明的光刻装置具体用于制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用可以认为分别与更普通的术语“基底”或者“目标部分”同义。在曝光之前或之后，可以利用例如轨道(一种通常将抗蚀剂层涂敷于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的装置)或者计量装置或检验装置对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里公开的内容可应用于这种和其他基底处理装置。此外，基底可以处理多于一次，例如为了形成多层IC，因此这里所用的术语基底还指的是已经包含多个已处理层的基底。
这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)，以及粒子束，如离子束或者电子束。
这里使用的术语“构图部件”或“构图结构”应广义地解释为能够给投射光束赋予带图案的截面的装置，以便在基底的目标部分上形成图案。应该注意，赋予投射光束的图案可以不与在基底的目标部分上的所需图案完全一致。一般地，赋予投射光束的图案与在目标部分中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射的或是反射的。构图部件的示例包括掩模，可编程反射镜阵列和可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个例子是利用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同方向反射入射的辐射光束；按照这种方式，对反射光束进行构图。在构图部件的每个实施例中，支撑结构可以是一个框架或工作台，例如，所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的，并且可以确保构图部件位于例如相对于投影系统的所需位置处。这里的任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可认为与更普通的术语“构图部件”同义。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如使用浸液或使用真空。这里任何术语“镜头”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
照射系统还可以包括各种类型的光学部件，包括用于引导、整形或者控制辐射投射光束的折射，反射和反折射光学部件，这些部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。
光刻装置可以具有两个(二级)或者多个基底台(和/或两个或多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
光刻装置也可以是这样一种类型，其中基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，以填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。浸液液可以应用于光刻装置的其他空间中，例如在掩模和投影系统的第一个元件之间。油浸法在本领域是公知的，用于增大投影系统的数值孔径。
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的各个实施方案，在图中相应的参考标记表示相应的部件，其中图1表示根据本发明一实施方案的光刻投影装置；图2显示了根据本发明的一种实施例的具有控制配置的光刻装置的实施方式的图解；图3图解说明了根据本发明的一种实施例的装置的制造方法的步骤；图4图解说明了制造根据本发明的另一种实施例的方法的装置的步骤；以及图5显示了计算的夹持一个300mm晶片的物品支架荷载的泄漏率。
图示实施例的详细描述图1示意性地表示了根据本发明一实施方案的光刻装置。该装置包括照射系统(照射器)IL，用于提供辐射(例如UV或EUV辐射)的投射光束PB；第一物品支架或物品支架结构(如掩模台)MT，用于支撑构图部件(例如掩模)MA，并与用于将该构图部件相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；第二物品支架(如晶片台)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；以及投影系统(如反射投射镜头)PL，用于通过构图部件MA将赋予投射光束PB的图案成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
如这里指出的，该装置属于反射型(例如反射掩模或如上面提到的一种类型的可编程反射镜阵列)。另外，该装置可以是透射型(例如采用透射掩模)。
照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是分开的机构，例如当辐射源是等离子体放电源时。在这种情况下，不认为辐射源是构成光刻装置的一部分，辐射光束一般借助于例如包括适当的导向镜和/或光谱纯度滤光器的辐射收集器从源SO传送到照射器IL。在其他情况下，辐射源可以是装置的组成部分，例如当辐射源是汞灯时。源SO和照射器IL可称作辐射系统。
照射器IL可以包括用于调节光束的角的强度分布的调节装置AM。一般地，至少可以调节照射器光瞳平面内强度分布的外和/或内径向范围(通常分别称为σ-外和σ-内)。照射器提供辐射的调节光束，称作投射光束PB，在该光束的横截面具有所需的均匀度和强度分布。
投射光束PB入射到保持在掩模台MT上的构图部件上，该构图部件以掩模MA的形式示出。由掩模MA反射后，投射光束PB通过镜头PL，该镜头将光束聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如干涉测量装置)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和位置传感器IF1将掩模MA相对光束PB的光路进精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)来实现目标台MT和WT的移动，所述目标台MT和WT构成定位装置PM和PW的一部分。可是，在步进器的情况下(与扫描装置相对)，掩模台MT可以只与短行程致动装置连接，或者固定。掩模MA与基底W可以利用掩模对准标记M1，M2和基底对准标记P1，P2进行对准。
所示的装置可以按照下面优选的模式使用在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，赋予投射光束的整个图案被一次投射到目标部分C上(即单次静态曝光(single staticexposure))。然后基底台WT沿X和/或Y方向移动，以便能够曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场(exposure field)的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
在扫描模式中，同时扫描掩模台MT和基底台WT，并将赋予投射光束的图案投射到目标部分C上(即，单次动态曝光(single dynamic exposure))。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PL的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定目标部分的高度(沿扫描方向)。
在其他模式中，掩模台MT基本上保持静止，并保持可编程构图部件，并且在将赋予投射光束的图案投射到目标部分C上时移动或扫描基底台WT。在这种模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在基底台WT的每次移动之后或者在扫描期间连续的两次辐射脉冲之间，根据需要修改可编程的构图部件。这种操作方式可以很容易地应用于无掩模光刻中，所述无掩模光刻利用如上面提到的一种类型的可编程反射镜阵列的可编程构图部件。
还可以采用在上述所用模式基础上的组合和/或变化，或者采用与所用的完全不同的模式。
图2图解了根据本发明的一种实施例的控制配置1，其中的控制器2控制静电夹持装置3和/或回填气体输送装置4。控制器2可以是包含于光刻装置的控制逻辑的软件部分，可以是独立的控制函数，也可包含于光刻装置的过程函数控制的总体控制程序中。另外，它可以包含于硬件中，如用于通过电路提供控制函数的数字和/或模拟电路，在阅读本申请时由于能毫无困难的进行这种电路的设计，因而这里不再详细描述。参考图1中的描述，夹持装置3可形成物品支架5的一部分，该支架具有多个凸起6，如参考在1999年10月6日公开的欧洲专利EP0947884中的描述，这里通过引用而包含于本申请中。凸起6提供了支架的极平的平面，于是在光刻过程中，物品7以近乎最佳的方式保持水平。为了保持物品7在支架5上的稳定，夹持装置3提供夹持力，例如通过静电夹持装置或者本领域公知的其它夹持方法，将物品7压在物品支架5上。为此，显然，本发明的一个方面等于将大体上平坦的物品放置于投射光束中，例如光学元件如(反射或投射)中间掩模版，或者放置于待辐射的基底上，如晶片。
此外，为了从物品支架5上移去物品7，采用物品装卸销8(本领域公知的e-销或弹出销)，显示于图2的实施方式中，其中的两个图示为相应的致动器9。光刻照射过程结束后，销8被向上移动，以与物品7接触，从而将后者从物品支架5的凸起6上升起。然后，物品处理器(未显示)可与物品7接触并将其转移离开物品支架5。
按照惯例，向物品7施加足够的力以使其从物品支架5上卸载。尽管如此，有时候物品7在某种程度上与物品支架5结合，弹出销8缺乏足够的力来卸载物品7。这将导致所谓的停机时间，当光刻过程被中断时，装置不得不通过维持来调整，以从物品支架5上除去物品7。这种结合指的是“粘附”。
根据本发明的一个方面，通过使用回填气体压强，物品7及物品支架5之间的粘附力可以被补偿至需要的程度甚至完全中和。为此，根据本发明的一个方面，当夹持装置打开使物品7不再夹持于物品支架5上时，由于回填气体压强提供的力，物品7及物品支架5之间的粘附力减弱或者消失。
在光刻过程中，将回填气体40提供给物品7与物品支架5之间的凹处10来提高物品7及物品支架5之间的热接触。由于阻止了物品7过热导致热变形甚至损耗，有利于进行照射。通常，光刻过程之后，通过回填气泵11将回填气体抽走。这种泵可包括一个将气体供给到凹处10的独立装置(未显示)，以及一个从凹处10抽走气体的独立装置(未显示)。
根据本发明的一个方面，控制器2控制夹持装置3和回填气泵11的压强，以便在回填气体供给压力减小之前释放夹持装置3。因此回填气体40的全部压强用于抵销结合力。对于典型的10毫巴的压强，其对于300mm的晶片可能产生70N的反作用力，通常足以从物品支架上释放物品。对于一个典型的中间掩模版，这种力可以达22N。
在图2中，控制器2可包括一个存在探测器(未显示)，通过测定静电夹持装置3及其夹持的物品7形成的电容，用于探测物品支架5上物品7的存在。然后，电容的变化作为物品7存在的指示。另外，存在探测器可由测定销8的位移和/或销8施加的释放力的传感器来形成。作为选择，存在探测器可由一个独立的探测器形成，例如通过光学检测。存在探测器用于控制回填气体输送泵11。在物品7夹持于物品支架5的第一位置，指示物品7的存在可导致由输送泵11产生的持续甚至增加的回填气体压强，通过回填气体输送压强将物品7从物品支架5上释放。当探测不到物品7存在时，回填气体输送泵11被控制，停止输送回填气体40。
与通常用于热传导的气体不同，或者与传统的为绝热目的而供给回填气体的气体输送不同，用于供给回填气体的可以是单一气体输送。在这一方面，例如，在一个其中采用真空夹持装置的实施例中，回填气体可仅仅用于提升。在该实施例中，不存在夹持装置3，夹持装置由泵11以抽吸模式形成。然而在释放物品7的过程中，控制器2可控制泵11使其供给沿着气流方向的正压强。在这种情况下，回填气体40向着物品7的背面输送，通过回填气体输送压强使其从物品支架5上释放。
图3显示了解释根据本发明的一种实施例的方法的发明步骤的框图。即，在一种方法中，采用光刻工艺制造一种装置。接着在第一程序I，在第一步骤12中，将一种物品，如晶片或者(反射)中间掩模版夹持于物品支架5上，来进行光刻辐射步骤。然后，在第二步骤13中，向物品7供给回填气体。在供给的回填气体用于热传导的情况下，该步骤在辐射步骤之前进行。完成第一步骤12之后，夹持力将物品7夹持于物品支架5上。因此在第二步骤13中供给的回填气体不会导致物品从物品支架5上移开。然而，为了卸载物品7，在第三步骤14中，控制器2控制销8挤压物品7。然后在第四步骤15中，控制器2控制销8将物品7从物品支架5上升起。几乎与步骤15同时，在第五步骤16中，控制器2控制夹持装置3关闭夹持力。然后，由于回填气体压强得不到平衡，并因而将向上的力施加于物品7上。
几乎与步骤15同时，在第六步骤17中，销8以持续的挤压接触物理地移去物品7。
作为选择，在步骤15a中，可增大回填气体压强以协助销8施加的压力起作用。
接着，一个另外的可供选择的程序II在图4中说明，与步骤14相同，销8在步骤18中开始挤压物品7。在另一步骤19中，回填气体压强增大以将物品7从物品支架5上升起。几乎与步骤19同时，在步骤20中，控制器2控制夹持装置3关闭夹持力。然后，由于施加于物品7上的力得不到平衡，于是物品向上移动。几乎与步骤19同时，在步骤21中，销8以持续的挤压接触物理地移动物品7。
图5显示了表示计算的夹持一个300mm晶片的物品支架相对于每小时加工的晶片数量(WPH)的泄漏率荷载曲线。在曲线中，显示了从1mu到10mu的范围的不同回填气体的估计泄漏率。显示当泄漏率低于0.15毫巴·升/秒时，在静电夹持真空系统中限定了惰性气体的最大可忍受泄漏率。在该环境中，术语真空压强与环境中存在的特定气体相关。例如，就碳氢化合物和水而言，许可的背景压强非常小，在le-9-le-12毫巴的范围。对于惰性气体要求不十分严格，例如，对Ar来说，许可的背景压强在le-4-le-2毫巴的范围，特别是le-3毫巴。而且，相关背景压强可根据装置的环境而变化。例如，物品支架用于晶片支架环境中时，对于某些元件的真空要求没有物品支架用作中间掩模版支架时严格。也就是说，光学分隔室中的污染物(例如CxHy及H2O)分压与晶片分隔室及其它比总压强(典型数值为le-9-le-12毫巴)更低的污染物分压之间的差可达到100因子。根据显示，泄漏率随着间隙高度变化，对于每小时高达150个晶片的高通量来说，最大可达到3.10-4毫巴·升/秒。从而证实，在操作环境中，对于将回填气体荷载到真空操作环境中，通过回填气体输送压强将物品从物品支架上释放毫无问题。
根据本发明的一个方面，由回填气体提供的向上的力可有助于从物品支架上升起物品。
上面描述了本发明的专门实施例，应理解，本发明的各方面可以不同于上述描述来实践。本说明书并不作为对发明各方面的限制。
权利要求
1.一种光刻装置，包括照射系统，用于提供辐射光束；物品支架结构，所述物品支架结构用于将待放置于所述辐射光束光路中的物品支撑于其上；设置于所述支架结构中的回填气体输送装置，用于当所述物品被所述物品支架结构支撑时，以回填气体压强向所述物品的背面输送回填气体；静电夹持装置，用于在投射过程中将所述物品夹持于所述物品支架结构上；以及控制器，用于控制所述夹持装置和所述回填气体压强中的至少一个，所述回填气体压强用于从所述物品支架结构上释放所述物品。
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于所述夹持装置和所述回填气体压强中的至少一个既是所述夹持装置也是所述回填气体压强，并且所述控制器在所述回填气体输送压强减小之前释放所述夹持装置。
3.根据权利要求1所述的光刻装置，还包括存在探测器，用于探测所述物品支架上存在的所述物品，并且所述控制器控制与由所述存在探测器测得的存在探测相关的所述回填气体输送压强。
4.根据权利要求3所述的光刻装置，其特征在于所述存在探测器包括与所述夹持装置耦连的静电夹持装置电容探测器。
5.根据权利要求1所述的光刻装置，还包括物品处理器，用于在将所述物品放置到所述物品支架结构或从其上移去过程中处理所述物品，所述物品处理器提供释放力，以从所述物品支架结构上释放处理的所述物品，所述控制器控制与位移传感器测得的所述物品移动和力传感器测得的所述物品处理器的释放力中至少一种相关的所述回填气体压强。
6.根据权利要求1所述的光刻投影装置，其特征在于所述回填气体压强范围为1-15毫巴。
7.根据权利要求1所述的光刻投影装置，其特征在于所述静电夹持装置限定了回填气体缝隙小于15mu。
8.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述物品支架结构用于支撑构图部件，所述构图部件给所述辐射光束的截面赋予图案。
9.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述物品支架结构是保持待由构图光束在所述基底的目标部分构图的基底的基底台。
10.一种器件制造方法，包括提供一基底；提供一辐射光束；利用构图部件给投射光束的横截面赋予图案；提供一个物品支架来支撑基底和构图部件中的至少一个；将带图案的辐射光束投射到基底的目标部分；以一定压强向物品支架供给回填气体；以及采用回填气体压强从物品支架上卸载基底和构图部件中的至少一个。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括提供夹持力，用于在投射带图案的光束过程中，夹持基底和构图部件中的至少一个；在投射之前提供回填气体压强，以在物品和物品支架之间提供改进的热传导；以及投射后采用回填气体压强释放夹持力，以从物品支架上卸载基底和构图部件中的至少一个。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括提供回填气体压强之后和释放夹持力之前，采用物品处理器挤压物品；以及夹持力释放后，采用物品处理器升起物品。
13.一种光刻装置包括提供辐射光束的装置；支撑待放置于所述辐射光束光路中的物品的装置；在所述物品由所述支撑装置支撑时，以回填气体压强将回填气体供应到所述物品背侧的装置；在投射过程中将所述物品夹持于所述支撑装置上的装置；以及控制所述夹持装置装置和供应回填气体以从所述支撑装置上通过所述回填气体压强释放所述物品的装置中的至少一种。
14.一种在光刻过程中支撑物品的方法，包括当物品被支撑于物品支架结构时，以一定回填气体压强向物品背面提供回填气体；在将图象投射到所述物品过程中将物品夹持于物品支架结构上；控制所述供给和所述夹持中的至少一个，来通过回填气体压强释放所述物品。
全文摘要
一种光刻装置，包括提供辐射光束的照射系统；物品支架，用于把将设于所述辐射光束光路中的平面物品支撑于其上；设置于所述物品支架中的回填气体输送装置，用于在所述物品被支撑于所述物品支架时，向所述物品的背面输送回填气体；以及夹持装置，用于在投射过程中将所述物品夹持于所述物品支架上。根据本发明的一个方面，该装置包括控制器，用于控制夹持装置和/或回填气体输送压强，以在回填气体输送压强减小之前释放夹持装置。
文档编号H01L21/027GK1629733SQ20041010079
公开日2005年6月22日 申请日期2004年12月14日 优先权日2003年12月15日
发明者J·J·奥坦斯, H·A·J·尼尔霍夫, K·J·J·M·扎亚尔, M·勒克鲁塞 申请人:Asml荷兰有限公司