半导体处理系统用闸阀及真空容器的制作方法

文档序号:6842893阅读:182来源:国知局
专利名称:半导体处理系统用闸阀及真空容器的制作方法
技术领域
本发明涉及在半导体处理系统内对用于搬运被处理基板的通路进行开闭的闸阀,和内藏该闸阀的半导体系统用的真空容器等。在这里,所谓半导体处理指的是在半导体晶片或LCD(液晶显示器)或FPD(平面屏显示器)用玻璃基板等被处理基板上通过以预定图形形成半导体层、绝缘层、导电层等,为了在该被处理基板上制造半导体器件或与半导体器件连接的配线、包含电极等的构造物而实施的种种处理。
背景技术
作为半导体处理系统有在真空搬运室周围配置多个负载锁定室和真空处理室的组合型真空处理系统。此外,为了减小真空系统设置空间,也有上下叠层负载锁定室或真空处理室(例如,特开平2001-160578号公报)。由于在这种真空处理系统,需要边维持真空环境,边进行被处理基板的搬入搬出,所以在各室间还要配置用于保持气密性的闸阀。
图10是示出现有技术的真空处理系统一例的侧截面图。在图10,处理室2及负载锁定室3与搬运室1连接。在处理室2及负载锁定室3和搬运室1之间分别配设闸阀5。在搬运室1的内部配设搬运机械手6,用于在负载锁定室3和处理室2之间或在2个处理室2之间搬运被处理基板。作为这种闸阀5,通常使用在与该通路的贯通方向正交的方向滑动的闸阀开闭用于被处理基板搬入搬出的通路的形式(例如,特开平2-113178号公报)。
在图10所示的现有技术的真空系统上,通过上下叠层处理室2或负载锁定室3等真空室,不增加设置面积地增加处理室2或负载锁定室3的数目。可是,在叠层各真空室的情况,闸阀5也应当在同一位置上下并列。因此,不能充分地确保闸阀5的驱动系统的配置空间,相反,存在所谓受真空室叠层层数或叠层间隔制约的问题。

发明内容
本发明的目的是提供具有叠层的多个通路,且紧凑化的半导体处理系统用的闸阀及真空容器。
本发明的第一方面是半导体处理系统用闸阀,具备以下配置,即,形成沿第一方向并列的多个通路的壳体,前述通路在面对与前述第一方向正交的第二方向的第一规定侧分别具有进出口;前述进出口的每一个上分别配设的阀座,前述阀座越靠近前述第一方向的第二规定侧,则在前述第二方向越配置在顺序后退的位置上;用于开闭前述进出口、通过在前述第一方向的滑动,有选择地与前述阀座接合地配设的多个阀板,前述阀板与前述第二方向的前述阀座位置对应而在前述第二方向并排配置;和在关闭前述进出口的第一位置和打开前述进出口的第二位置之间使前述阀板滑动的驱动机构。
本发明的第二方面是半导体处理系统用的真空容器,具备以下部件,即,形成沿第一方向并列的多个真空室的容器主体;和用于开闭前述多个真空室、在前述容器主体的第一端部配设的第一闸阀,前述第一闸阀具备以下配置,即形成沿前述第一方向并排且与前述多个真空室分别连通的多个通路的壳体,前述通路在面对与前述第一方向正交的第二方向的第一规定侧分别具有进出口;前述进出口的每一个上分别配设的阀座,前述阀座越靠近前述第一方向的第二规定侧,则在前述第二方向越配置在顺序后退的位置上;用于开闭前述进出口、通过沿前述第一方向的滑动而有选择地与前述阀座接合地配设的多个阀板,前述阀板与前述第二方向的前述阀座位置对应而在前述第二方向并排配置;和在关闭前述进出口的第一位置和打开前述进出口的第二位置之间使前述阀板滑动的驱动机构。
本发明的第三方面是半导体处理系统用闸阀的壳体单元,具备以下配置,即,
形成沿第一方向并列的多个通路的壳体,前述通路在面对与前述第一方向正交的第二方向的第一规定侧各自具有进出口;和前述进出口的每一个上配设的阀座,前述阀座越靠近前述第一方向的第二规定侧,在前述第二方向越配置在顺序后退的位置上。
本发明的第四方面是半导体处理系统用闸阀的操作单元,前述闸阀具备沿第一方向并列且在与前述第一方向正交的第二方向顺序后退的位置上配置的带阀座的进出口,前述操作单元具备用于开闭前述进出口、通过沿前述第一方向滑动而有选择地与前述阀座接合地配设的多个阀板,前述阀板与前述第二方向的前述阀座位置对应而在前述第二方向并列配置;和在关闭前述进出口的第一位置和打开前述进出口的第二位置之间使前述阀板滑动的驱动机构。


图1A、B是分别示出本发明实施方式的闸阀的正视图及侧向截面图。
图2A是示出从前述闸阀之上打开第一及第三层的通路状态的纵向截面图,图2B是示出从前述闸阀之上打开第二及第四层的通路状态的纵向截面图。
图3是从斜右上前方看从前述闸阀之上打开第一及第三层的通路状态的立体图。
图4是示出使前述闸阀与容器主体成对结合构成的负载锁定装置的纵向截面图。
图5是前述负载锁定装置的水平截面图。
图6是放大示出前述闸阀的阀板和阀座之间关系的纵截面图。
图7是示出使用了前述闸阀的真空处理系统之例子的平面图。
图8是示出本发明其它实施方式的真空容器一部分的立体图。
图9是示出本发明另一其它实施方式的真空容器一部分的立体图。
图10是示出现有技术的真空处理系统一例的侧截面图。
具体实施例方式
参照附图对本发明的实施方式说明如下。在以下的说明中,具有大体同一功能及构成的构成要素附同一符号,只在必要的情况下进行重复说明。
图1A,B是分别示出本发明实施方式的闸阀的正视图及侧截面图。该闸阀20由具有将多个阀功能叠层为多层的结构的1单元构成。闸阀20,如后述所示,通过与容器主体一体化而使用在用于构成多层型处理室或负载锁定室的真空容器。
如图1A,B所示,闸阀20具有形成沿着垂直的Z方向(第一方向)并列的多个通路22A~22D的壳体21。通路各自具有面对水平的X方向(即与第一方向正交的第二方向)的前端面21a侧的前端进出口23A~23D。在进出口23A~23D各自的周围上分别配设阀片(阀座)25A~25D。阀座25A~25D越靠近下侧,越在X方向配置在顺序后退的位置上。
配设用于开闭进出口23A~23D的多个阀板(阀体)24A~24D。阀板24A~24D通过Z方向滑动有选择地与阀座25A~25D接合。阀板24A~24D与X方向的阀座25A~25D位置对应,在X方向并列地配置。阀座25A~25D由驱动机构30A~30D驱动。驱动机构30A~30D使阀座25A~25D的各个在将进出口23A~23D关闭的第一位置和打开的第二位置之间滑动。
具体讲,在壳体21内X方向贯通的多个(图示例上4个)通路22A~22D在相互平行地在Z方向叠层的状态下形成。在壳体21的前端面21a上与各通路22A~22D对应形成台阶部分。在各台阶部分的垂直面上形成通路21A~21D的前端进出口23A~23D和包围各进出口23A~23D的阀座25A~25D。在阀座25A~25D上配设用于确保密封性的密封部件(未图示)等。壳体21的后端面21b由单一的平面形成。
阀板24A~24D配设在壳体21的前端面21a侧,以便分别单个地开闭各通路22A~22D的进出口23A~23D。因此,阀板24A~24D的数目与各通路22A~22D的数目对应。为了开闭通路22A~22D,各阀板24A~24D各自沿Z方向滑动。各阀板24A~24D在滑动到闭合位置时,通过与各阀座25A~25B密接,关闭各通路22A~22D。
在本实施方式,通过阀板24A~24D从下向上滑动,全部通路22A~22D关闭。各阀座25A~25D从上层到下层,从前方向后方顺序地后退地,即,沿X方向隔开一定间隔配设。阀板24A~24D也与阀座25A~25D在X方向的一定间隔对应,沿X方向隔开一定间隔地配设。驱动机构30A~30D由使各阀板24A~24D单个地滑动的汽缸等构成。驱动机构30A~30D在壳体21的下方以与对应的阀板24A~24D相同顺序配置。
即,用于最上层通路22A的阀座25A、阀板24A、及其驱动机构30A在X方向配置在最前部。另一方面,用于最下层通路22D的阀座25D、阀板24D及其驱动机构30D在X方向配置在最后部。从上开始,用于第二层及第三层的通路22B、22C的阀座25B、25C、阀板24B、24C以及驱动机构30B、30C在上述最前部和最后部之间在X方向顺序配置。
阀板24A~24D的用于开闭通路22A~22D的滑动行程(移动量)完全相同地设定。因此,相同滑动行程(移动量)的同规格驱动机构30A~30D以各自固定在壳体21的下端的框架29的状态配置。
由于在本实施方式,阀板24A~24D的滑动行程如上述所示地设定,所以不能同时打开上下邻接的进出口。在打开上侧阀板时,该阀板保持与其正下侧邻接的阀板高度相同的高度,此外,不进一步下降到其下侧排气孔的位置。可是,关于每隔1层的进出口,可以同时对各阀板进行打开操作从而打开,对每隔1层的通路可以搬出搬入被搬送物(被处理基板)。
图2A是示出从闸阀20上面开始,打开第一层及第三层通路状态的纵向截面图。如图2A所示,在这里,使第一及第三层阀板24A、24C下降到打开位置。这时,第一及第三层阀板24A、24C保持在与其下侧邻接的第二及第四层的阀板24B、24D的高度水平。因此,可以同时打开第一及第三层排气孔23A、23D,然而不能与它们同时打开进出口23B、23D。
图2B是示出从闸阀20上面开始,打开第二及第四层通路状态的纵向截面图。如图2B所示,在这里,使第二层第四层阀板24B、24D下降到打开位置。这时,第二层阀板24B保持在与其下侧邻接的第三层的阀板24C的高度水平。因此,可以同时打开第二及第四层排气孔23B、23D,然而,不能与它们一起同时打开进出口23C。
这样一来,阀板24A~24D的滑动行程大体设定为与通路22A~22D的进出口23A~23D的Z方向的间距相等。据此,使阀板24A~24D的驱动机构30A~30D的尺寸作得最小,可以对闸板20整体紧凑化作贡献。
图3是从斜右上前方看,从闸阀20之上开始打开第一层及第三层通路状态的立体图。如图1A、图3所示,从上开始,第一层到第三层的阀板24A~24C经升降框架26A~26C与驱动机构30A~30C的伸缩杆前端连接。各升降框架26A~26C与驱动机构30A~30D的伸缩杆上端连接,而且包含沿各阀板24A~24C宽度方向(Y方向)延伸的水平条板27A~27C。在各水平条板27A~27C上,在其长度方向两端竖立设置一对杆28A~28C。一对杆28A~28C的间隔设定比通过各进出口23A~23D的被搬运物的宽度还大。
通过该构成,用于升降阀板24A~24D的升降框架26A~26C(尤其是杆28A~28C)未成为对其它进出口23A~23D出入的被搬运物的障碍。即,利用一对杆28A~28C之间的空间,可以使被搬运物对下侧进出口23B~23D出入。通过一对杆28A~28C,可以以不偏置、稳定的姿势,使阀板24A~24D滑动。
因为闸阀20如以上所示地构成,所以可得如下所示的效果。
首先,开闭各通路22A~22D的阀板24A~24D在X方向错开配置。因此,可以回避阀板24A~24D彼此的干扰,或阀板24A~24D的驱动系统彼此之间的干扰。以在Z方向小的间隔配置阀板24A~24D,即使通路22A~22D的上下间隔也可以据此设置得狭窄。此外,阀板24A~24D的驱动机构30A~30D也可以高度一致,在X方向并列配置。其结果,可以使具有将多个阀层叠为多层的构造的闸阀20,构成为紧凑的1个单元。
阀板24A~24D的可动部分全部配置在各通路22A~22D的进出口23A~23D的下侧。因此,可充分回避从可动部分产生的粒子到达被搬运物的移动领域。可是,从上层向下层且从前方向向后方后退那样地配置各层的阀座25A~25D。因此,即使从上层阀座25A~25C附近来的微粒落到下方,它也只是照样进一步向下方落下,难以进入下层侧进出口23B~23D的周边。因此,在微粒的对策上可得到良好成果。
在上述的实施方式,从下向上滑动阀板24A~24D关闭全部通路22A~22D。可是也可以这样构成,使阀板24A~24D从上向下滑动关闭全部通路22A~22D。这样的闸阀是与图1A,B的闸阀20的上下相反。
即,在该变更例,通过从上向下滑动阀板24A~24D,关闭全部的通路22A~22D。各阀座25A~25D从下层向上层且从前方向后方顺序地后退那样地,即,在X方向空开一定间隔那样地配设。阀板24A~24D也与阀座25A~25D在X方向的一定间隔对应,在X方向空开一定间隔那样地配设。驱动机构30A~30D在壳体21的上方,按照与对应的阀板24A~24D相同的顺序配置。
这样一来,驱动机构30A~30D在配置在上侧的闸阀的情况下,可以谋求壳体21的下侧空间的有效利用。因此,可得到例如容易进行维护等的优点。
其次,对使用闸阀20的真空容器加以说明。图4是示出使闸阀20和容器主体50成对结合构成的负载锁定装置100的纵向截面图。图5是真空装置100的平截面图。此外,在图3也示出闸阀20和容器主体50之间关系。
负载锁定装置(真空容器)100具有形成相互遮断的多个(在图示例为4个)负载锁定室(真空室)52A~52D的容器主体50。在容器主体50的X方向两端部上分别配设具有前述构造的闸阀20。负载锁定室52A~52D向水平的X方向延伸,而且在相互平行地沿垂直方向(Z方向)叠层。在负载锁定室52A~52D分别连接供给非活性气体的供气系统GS和进行排气的排气系统ES,可个逐个地进行内部的压力调整。
容器主体50包含将含有周壁的主体部分一体制作成的箱形主体外壳55。在主体外壳55的垂直方向中央一体形成间隔壁58。在主体外壳55上内藏另外制作的2枚盖板56及2枚间隔板57。盖板56及间隔板57以间隔壁58为中心上下相应配置。据此,各层的负载锁定室52A~52D分别形成在间隔壁58和板部件57之间,以及在盖板56和间隔板57之间。
在主体外壳55上沿着垂直方向(Z方向)以一定间隔形成水平壁55a~55e。该垂直方向中层水平壁55c作成上述间隔壁58构成。其它水平壁55a、55b、55d、55e形成为在中央具有开口部55f、55g的壁。在水平壁55a、55b、55d、55e上可装卸地支持上述盖板56及间隔板57。上下盖板56起着上盖及下盖的作用。下盖板56,2枚间隔板57以及间隔壁58的上面构成为载置被处理基板(例如半导体晶片)的面。在这些面上突出设置用于支持例如作为被处理基板的基板的销59。
各闸阀20通过螺丝41(参照图3)可装卸地固定在容器主体50的端面上。在闸阀20的壳体21的后端面21b和容器主体50的端面之间配设用于确保密封性的密封部件(未图示)等。在闸阀20与容器主体50的结合状态,闸阀20的通路22A~22D与负载锁定室52A~55D连通。因而,通过闸阀20的各阀板24A~24D的开闭操作,可以个别地使被处理体出入各真空室52A~52D。
这样一来,谋求前述垂直方向尺寸紧凑化的多层构造的闸阀20与具有多层构造的负载锁定室52A~55D的容器主体50一体化。据此,对闸阀20侧的尺寸没有特别的制约,可以使负载锁定室52A~52D垂直方向间隔作得尽可能地小。因而,可以边谋求垂直方向的紧凑化,边增加负载锁定室52A~52D的叠层层数。通过缩小负载锁定室的垂直方向尺寸,也可缩短真空排气时间。
在图4例示出在容器主体两侧安装一对闸阀的负载锁定装置的情况。可是,也可以在容器主体一侧安装1个闸阀构成真空处理容器。
图6是放大示出闸阀20的阀座25A~25D和阀板24A~24D之间关系的纵向截面图。阀座25A~25D和阀板24A~24D的接触面通过阀板24A~24D的对滑动方向(垂直方向=Z方向)倾斜的面形成。当使阀板24A~24D沿垂直方向滑动与阀座25A~25D抵接时,倾斜的面彼此强接触(抵接),可以确保关闭时的密闭性。
也可以使用在特开平2-113178号公报所示的阀板。也可以用通过垂直方向的滑动作和水平动作,开闭进出口方式的阀板。
图7是示出使用闸阀20的真空处理系统例的平面图。该真空处理系统作成组合型(多室型)。该真空处理系统具有中央的真空搬运室101,和在其周围连接的、装备前述闸阀20的多个处理搬运室101,和在其周围连接的、装备前述闸阀20的多个处理室120,和图4所示的负载锁定装置100。在搬运室101内配设用于对处理室120及负载锁定装置100搬入搬出被处理基板的搬运机械手110。在真空搬运室101周围设置的闸阀20的驱动机构30A~30D上配设波纹管,以便复盖各驱动杆,保持真空处理系统的气密性。
图8及图9是示出本发明其它实施方式的真空容器一部分的立体图。如上述所示,用于进行内部调整的气体供给系统和排气系统与负载锁定装置等的真空容器连接(参照图4的GS,ES)。现有技术的真空处理系统的情况下,因为例如各负载锁定室处于相互离间的位置,所以对它们的给排气通路通过另外形成的配管构成。与此相反,在图4及图5所示的负载锁定装置100,由于在1个容器主体内部形成有多层的负载锁定室(真空室),如果配管分别与真空室连接,则增加了配管部件数,除了成本提高之外,也使配管的布局变难。
在图8及图9所示的实施方式,在容器主体壁内形成这些给排气系统的通路作为内部通路,在真空容器周边上没有外部配管,图8示出通过开孔加工形成内部通路的例,图9示出通过铸造一体形成内部通路的例。
在图8所示实施方式,在容器主体的主体外壳221上形成多层构造的负载锁定室(真空室)52A~52D。主体外壳221至少周壁部分上作成一体壁单元构成。在壁单元上与各层负载锁定室(真空室)52A~52D分别连通的排气用通路作为上下延伸的内部通路231A~231D形成。各内部通路231A~231D由相互连通的纵孔232及横孔233形成。
纵孔232从主体外壳221下面穿设到与横孔233相交的位置。横孔233从主体外壳221外侧面穿设到各负载锁定室52A~52D为止。横孔233的开口通过闭塞材料234关闭。在纵孔232的下端开口上安装多通管235,与外部真空排气装置连接。给气用通路(未图示)也与上述排气用通路同样地设置。
在图9所示的实施方式,容器主体的主体外壳321通过铸造制成一体的单元。在主体外壳321上形成多层构造的负载锁定室(真空室)52A~52D。对在载置被处理基板的搁板325上面,结合闸阀的法兰328的安装面330,具有盖盘(未图示)的嵌合孔326的天板327上面等被研磨加工。其它的不需要的面保持铸件表面360原样。
在主体外壳321的周壁部形成与各层负载锁定室(真空室)52A~52D连通的排气用(给气用)通路。这些通路在向壁外侧突出的部分内形成为上下延伸的内部通路331A~331D。在各内部通路331A~331D的下端开口上配设多通管350,与外部的真空排气装置(供气部件)连接。
如上述所示,在图8及图9所示的实施方式,与各负载锁定室(真空室)52A~52D连通的给排气用通路形成作为一体部件的容器主体(主体外壳221,321)的周壁部分的内部通路231A~231D、331A~331D。根据该构成,汇集与给排气装置连接的配管,通过与内部通路的开口端连接,可以完成给排气系统的安装。因此,可以减轻外部配管处理的麻烦,可以谋求配管部件成本降低,配管布局容易化,通过减少密封处数,可谋求降低漏泄可能性。
以上,通过附图详述了本发明的实施方式,然而本发明并不限于前述实施方式,只要在不脱离本发明要点的范围内可进行种种设计变更等。例如,在图1A,B所示的实施方式,闸阀20的壳体21作为一体件形成。可是通过将具有至少1个通路的小壳体叠层多层而结合,也可以由多个小壳体的集合构成1个壳体。
此外,闸阀20也可以通过现场装配另外制作的壳体单元和操作单元形成。这种情况下,在壳体单元内包含形成通路22A~22D的壳体21和阀座25A~25D。另一方面,在操作单元内包含阀板24A~24D和驱动机构30A~30D。
此外,在图4所示的实施方式,以单体形成闸阀20壳体2 1和容器主体50的主体外壳55。它们也可以制作为一体构造品。如果通路22A~22D的层数在2层以上,则也可以是几层。在容器主体上安装1个或2个闸阀构成的真空容器上如果装入加热装置或冷却装置等,则也可以作为加热室、冷却室使用。作为被搬运物(被处理基板)除半导体晶片以外,也可以是LCD基板。
工业上利用的可能性根据本发明,可以提供叠层的具有多个通路且紧凑的半导体处理系统用的闸阀及真空容器。
权利要求
1.一种半导体处理系统用闸阀,其特征为,具有形成沿第一方向并列的多个通路的壳体,所述通路分别具有面对与所述第一方向正交的第二方向的第一规定侧的进出口;在各个所述进出口处配设的阀座,所述座越靠近所述第一方向的第二规定侧,越配置在所述第二方向顺序后退的位置上;用于开闭所述进出口、通过在所述第一方向滑动而有选择地与所述阀座接合地配设的多个阀板,所述阀板与所述第二方向的所述阀座的位置对应而在所述第二方向并列配置;和在关闭所述进出口的第一位置和打开所述进出口的第二位置之间使所述阀板滑动的驱动机构。
2.根据权利要求1所述的闸阀,其特征为,所述第二位置比所述第一位置靠近所述第二规定侧。
3.根据权利要求2所述的闸阀,其特征为,所述阀板设定为所述第一及第二位置间的行程相等。
4.根据权利要求3所述的闸阀,其特征为,所述行程设为所述第一方向的所述进出口的中心间距离实质上相等。
5.根据权利要求2所述的闸阀,其特征为,所述驱机构使所述阀板内相互邻接的2个阀板分开地滑动。
6.根据权利要求1所述的闸阀,其特征为,所述阀板具有经在与所述第一及第二方向正交的第三方向隔开间隔而配设的一对杆从而与所述驱动机构连接的阀板,所述一对杆的间隔设定为比通过所述进出口的被搬运物的宽度大。
7.一种半导体处理系统用容器,其特征为,具备形成沿第一方向并列的多个真空室的容器主体;和用于进行所述多个真空室的开闭、在所述容器主体的第一端部配设的第一闸阀,所述第一闸阀具有形成沿第一方向并列且与所述多个真空室分别连通的多个通路的壳体,所述通路分别具有面对与所述第一方向正交的第二方向的第一规定侧的进出口;在各个所述进出口处配设的阀座,所述座越靠近所述第一方向的第二规定侧,越配置在所述第二方向顺序后退的位置上;用于开闭所述进出口、通过在所述第一方向滑动而有选择地与所述阀座接合地配设的多个阀板,所述阀板与所述第二方向的所述阀座的位置对应而在所述第二方向并列配置;和在关闭所述进出口的第一位置和打开所述进出口的第二位置之间使所述阀板滑动的驱动机构。
8.根据权利要求7所述的闸阀,其特征为,还具备与所述多个真空室的各个连接、供给非活性气体的供给系统,和进行排气的排气系统,所述多个真空室的各个作为用于进行压力调整的负载锁定室发挥功能。
9.根据权利要求8所述的闸阀,其特征为,还具备用于进行所述多个真空室的开闭,在与所述第一端部相反侧的所述容器主体的第二端部配设的、具有与所述第一闸阀实质上相同功能的第二闸阀,所述第二闸阀具有相对所述容器主体的中心与所述第一闸阀实质上对称的构造。
10.根据权利要求8所述的闸阀,其特征为,所述容器主体具备由内藏所述供给系统及所述排气系统的通路的一体形成的壁单元构成的周壁部分。
11.一种半导体处理系统用闸阀的壳体单元,其特征为,具备形成沿第一方向并列的多个通路的壳体,所述通路各自具有面对与所述第一方向正交的第二方向的第一规定侧的进出口;和在所述进出口的各个配设的阀板,所述阀板越靠近所述第一方向的第二规定侧,越在所述第二方向配置在顺序后退的位置上。
12.一种半导体处理系统用闸阀的操作单元,其特征为,所述闸阀具备沿第一方向并列的、且在与所述第一方向正交的第二方向顺序后退的位置上配置的带阀座的进出口,所述操作单元具备用于开闭所述进出口,通过在所述第一方向滑动而有选择地与所述阀座接合地配设的多个阀板,所述阀板与所述第二方向的所述阀座位置对应而在所述第二方向并列配置;和在关闭所述进出口的第一位置和打开所述进出口的第二位置之间使所述阀板滑动的驱动机构。
13.根据权利要求12所述的操作单元,其特征为,所述阀板具有经在与所述第一及第二方向正交的第三方向隔开间隔而配设的一对杆从而与所述驱动机构连接的阀板,所述一对杆的间隔设定为比通过所述进出口的被搬运物的宽度大。
全文摘要
半导体处理系统用闸阀(20)包含沿第一方向形成并列的多个通路(22A~22D)的壳体(21),通路各自具有面对与第一方向正交的第二方向的进出口(23A~23D),在各进出口配设的阀座(25A~25D),越靠近第一方向的第二规定侧,越配置在第二方向顺序后退后的位置上。开闭进出口的多个阀板(24A~24D)在第二方向并列配置,阀板通过驱动机构(30A~30D)滑动。
文档编号H01L21/677GK1698179SQ20048000020
公开日2005年11月16日 申请日期2004年2月27日 优先权日2003年3月11日
发明者广木勤 申请人:东京毅力科创株式会社
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