专利名称：突波吸收器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种因突波而保护各种机器，防止事故于未然而使用的突波吸收器(Surge absorber)。
背景技术：
以往，在电话机、传真机、调制解调器等通信机器用电子机器与通信线连接的部分、电源线、天线或CRT驱动电路等、容易受到由于雷突波或静电气等异常电流(突波电流)或异常电压(突波电压)的电击的部分，为了防止由于异常电压而产生的电子机器或搭载有该机器的印刷基板的热损伤或着火等破坏，连接了突波吸收器。
以往，提出过例如利用具有微间隙的突波吸收元件的突波吸收器。该突波吸收器为一种放电型突波吸收器，在由导电性覆膜被覆的圆柱状陶瓷部件的周面上形成有所谓的微间隙，从而在陶瓷部件的两端，有具有一对帽形电极的突波吸收元件与密封气体一同收容在玻璃管内，在圆筒状玻璃管的两端，具有引线的密封电极通过高温加热被密封。
近年来，对这种放电型的突波吸收器，也进行长寿命化。作为对上述突波吸收器应用的例子，有以下结构的突波吸收器在进行帽形电极的主放电的面上，将放电时的挥散性比帽形电极还低的SnO2作为被覆层。由此，抑制主放电时帽形电极的金属成分在微间隙或玻璃管内壁中飞散，从而谋求长寿命化(例如，参照专利文献1)。
而且，伴随着机器的小型化，表面安装化也在进行。作为对上述突波吸收器应用的例子，有以下结构的突波吸收器作为表面安装型(MELF(メルフ)型)，在密封电极上无引线，安装时将密封电极和基板侧通过锡焊而固定(例如，参照专利文献2)。
该突波吸收器100，如图12所示，具备在一面上介由中央的放电间隙101而导电性覆膜102被分割形成的板状陶瓷103；配置在该板状陶瓷103的两端的一对密封电极105；以及将该密封电极105配置在两端，将板状陶瓷103与密封气体106一同密封的筒型陶瓷107。
该密封电极105，由端子电极部件108、及与该端子电极部件108电连接而与导电性覆膜102接触的板状弹簧导体109构成。
但是，上述以往的突波吸收器还留下了如下的问题。即，虽然在上述以往的突波吸收器中，例如，通过化学蒸镀(CVD)法等薄膜形成法形成了SnO2覆膜，但是由于对帽形电极的SnO2覆膜的附着力较弱，所以，通过在主放电时的SnO2覆膜的剥离，难以充分地发挥SnO2覆膜的特性。
专利文献1特开平10-106712号公报(第5页，图1)专利文献2特公开2000-268934号公报(图1)发明内容本发明鉴于上述问题，其目的在于提供一种被覆有在高温区域中化学稳定性优良、并对主放电电极的附着力优良的氧化物层，从而实现长寿命化的突波吸收器。
本发明为了达到上述目的，采用了如下的构成。即，根据本发明的突波吸收器，具有介由放电间隙而导电性覆膜被分割形成的绝缘材部件；相对配置而与导电性覆膜接触的一对主放电电极部件；以及将该一对主放电电极部件相对地配置，从而在内部将上述绝缘材部件与密封气体一同密封的绝缘性管，其特征在于在上述一对主放电电极部件的主放电面上，形成有通过氧化处理得到的氧化膜。
从外部侵入的突波等异常电流及异常电压，将在微间隙产生的放电作为触发器，在作为一对突出支撑部的相对面的主放电面间，进行主放电，从而突波被吸收。
根据本发明，在主放电面形成有氧化膜，所以可以做成在高温区域中化学稳定性优良的主放电面。因此，抑制在主放电时主放电面的电极成分飞散而附着在微间隙或绝缘性管内壁等的现象，可以谋求突波吸收器的长寿命化。而且因为该氧化膜与主放电面的附着力出色，所以，可以发挥氧化膜的特性。而且，由于不必将在高温区域中化学稳定性优良的高价的金属作为主放电电极部件使用，因此本发明中对主放电电极部件可以利用廉价的金属材料。
而且，根据本发明的突波吸收器，具有在周面介由中央的放电间隙而导电性覆膜被分割形成的柱状绝缘性部件；相对配置在该绝缘性部件的两端，与上述导电性覆膜接触的一对主放电电极部件；以及将上述一对主放电电极部件配置在两端，从而在内部将上述绝缘性部件与密封气体一同密封的绝缘性管，其特征在于上述主放电电极部件具有用蜡材与上述绝缘性管的端面粘合的周缘部；及向上述绝缘性管的内侧且向轴方向突出，并在径向内侧面支撑上述绝缘性部件的突出支撑部，在作为上述一对主放电电极部件的上述突出支撑部的相对面的主放电面上，形成有通过氧化处理得到的氧化膜。
根据本发明，由于形成与主放电面的附着力优良的氧化膜，所以，发挥氧化膜的特性，可以谋求突波吸收器的长寿命化。
而且，根据本发明的突波吸收器，其特征在于，上述氧化膜的平均膜厚度为0.01μm以上、2.0μm以下。
根据本发明，由于氧化膜的平均膜厚度为0.01μm以上，所以可以充分抑制由于主放电的主放电电极部件的电极成分的飞散。而且由于是2.0μm以下，所以可以抑制因氧化膜容易飞散而导致的突波吸收器的短寿命化。
而且，为了实现突波吸收器的更加长寿命化，氧化膜的平均膜厚度为满足0.2μm以上、1.0μm以下为宜。
而且，有关本发明的突波吸收器，其特征在于，上述放电电极部件为包含Cr的部件，在上述氧化膜表面，表面富化有Cr。
根据本发明，通过在氧化膜表面富化在高温区域中化学稳定性优良的、高融点的、具有导电性的Cr(铬)氧化物，在主放电面形成附着力优良的氧化膜，所以，可以发挥氧化膜的特性，谋求突波吸收器的长寿命化。
在此，富化，意味着氧化膜表面的组成比主放电电极部件的体积的组成大。
发明效果根据本发明的突波吸收器，由于通过氧化处理形成的氧化膜具有在高温区域中化学性稳定的特性，并对主放电面的附着力优良，所以，可以充分发挥氧化膜特性。因此，可以实现突波吸收器的长寿命化。
图1为表示有关本发明的第1实施方式的突波吸收器的轴方向剖面图。
图2表示有关本发明的第1实施方式的端子电极部件，(a)为平面图，(b)为在(a)中的X-X线向视剖面图。
图3为将有关本发明的第1实施方式的突波吸收器安装在基板上时的剖面图。
图4为表示有关本发明的第2实施方式的突波吸收器的轴方向剖面图。
图5表示有关本发明的第3实施方式的突波吸收器，(a)为轴方向剖面图，(b)为端子电极部件与帽形电极之间的接触部分放大图。
图6为表示有关本发明的第4实施方式的突波吸收器的轴方向剖面图。
图7为表示有关本发明的第5实施方式的突波吸收器的轴方向剖面图。
图8为表示有关本发明的第6实施方式的突波吸收器的轴方向剖面图。
图9为表示有关本发明的实施例的突波电流的时间与电流值之间的关系的曲线图。
图10为表示有关本发明的实施例的突波吸收器的放电次数与放电开始电压之间的关系的曲线图。
图11为表示除有关本发明的实施方式以外的、可适用本发明的突波吸收器的剖面图。
图12为表示以往的突波吸收器的剖面图。
符号的说明1、20、30、40、50、60-突波吸收器；2、61、101-放电间隙；3、62、102-导电性覆膜；4-圆柱性陶瓷(绝缘性部件)；5、21、31、41、51、64、105-主放电电极部件；5A-周缘部；6、106-密封气体；7、107-筒型陶瓷(绝缘性管)；8、33-蜡材；9、24-突出支撑部；9A、23A、55B、65B、109A-主放电面；9B、23B、42C、55A、65A、109B-氧化膜；42A-底面(主放电面)；52-玻璃管(绝缘性管)；63、103-板状陶瓷(绝缘性部件)。
具体实施例方式
以下，参照图1至图3，说明有关本发明的突波吸收器的第1实施方式。
根据本实施方式的突波吸收器1，如图1所示，是使用所谓的微间隙的放电型突波吸收器，具有在周面介由中央的放电间隙2而导电性覆膜3被分割形成的圆柱状的圆柱状陶瓷(绝缘性部件)4；相对配置在该圆柱状陶瓷4的两端，并与导电性覆膜3接触的一对主放电电极部件5；以及将该一对主放电电极部件5配置在两端，在内部将圆柱状陶瓷4与为了获得所希望的电气特性而被调整组成等的例如Ar(氩)等密封气体6一同密封的筒型陶瓷(绝缘性管)7。
圆柱状陶瓷4，例如由富铝红柱石烧结体等陶瓷材料形成，在表面上作为导电性覆膜3，形成有通过物理蒸镀(PVD)法、化学蒸镀(CVD)法的薄膜形成技术形成的TiN(氮化钛)等薄膜。
放电间隙2，通过激光切割、小块切割(dicing)、蚀刻等加工，以0.01至1.5mm的宽度被形成1个至100个，但本实施方式中形成了1个150μm的放电间隙。
一对主放电电极部件5，由Fe(铁)、Ni(镍)及作为Co(钴)合金的柯伐(KOVAR注册商标)构成。
如图2所示，该一对主放电电极部件5，具有用蜡材8分别与筒型陶瓷7的端面粘合的纵横比成为1以下的长方形状的周缘部5A；及向筒型陶瓷7的内侧且向轴方向突出，并支撑圆柱状陶瓷4的突出支撑部9，从而，被突出支撑部9围绕，在与圆柱状陶瓷4端部的相对的位置上形成有中央区域5B。
突出支撑部9为径向内侧面稍微具有锥状为宜，以便容易将径向内侧面和圆柱状陶瓷4的端部压入或嵌合。而且突出支撑部9的前端的相对的面形成为主放电面9A。
在此，通过在大气中以500℃进行30分钟氧化处理，在主放电电极部件5的主放电面9A上，形成有平均膜厚度为0.6μm的氧化膜9B。
筒型陶瓷7，例如由Al2O3(氧化铝)等绝缘性陶瓷构成，具有剖面长方形，两个端面外形与周缘部5A的外周尺寸几乎一致。
接着，说明如同上述构成的本实施方式的突波吸收器1的制造方法。
首先，将一对端子电极部件5通过冲压加工以所希望的形状一体成形。之后，对主放电面9A，通过在大气中以500℃进行30分钟氧化处理，形成平均膜厚度0.6μm的氧化膜9B。该氧化膜9B的膜厚度，通过FIB(FocusedIon Beam)，在氧化膜9B表面上进行沟加工，从而将该沟剖面以用扫描型电子显微镜测定多个部位例如20个部位的平均值来设定。
接着，为了提高与蜡材8的可湿性，在筒型陶瓷7的两端面上形成例如分别具有钼(Mo)-钨(W)层和Ni层各一层的金属化层。
之后，在一方的端子电极部件5的中央区域5B上，载置圆柱状陶瓷4，从而使径向内侧面和圆柱状陶瓷4的端面接触。而且在周缘部5A和筒型陶瓷7的端面之间夹住蜡材8的状态下，将筒型陶瓷7载置在另一方端子电极部件5的周缘部5A上。
而且，载置端子电极部件5而使径向内侧面与端子电极部件(5)相接触，以使圆柱状陶瓷4的上方与中央区域5B相对。而且，以在周缘部5A和筒型陶瓷7的端面之间夹住蜡材8的状态设定。
在如上所述试装配的状态下，充分地吸引真空后，加热至作为气氛的蜡材8被熔融为止，由蜡材8的熔融密封圆柱状陶瓷4后，进行急速冷却，从而制造出突波吸收器1。
将如此制造的突波吸收器1，例如，如图3所示，在印刷基板等基板B上载置作为筒型陶瓷7的一侧面的安装面7A，将基板B和一对端子电极部件5的外面通过焊料S粘合固定而使用。
根据上述构成，通过主放电面9A的氧化处理形成平均膜厚度为0.01μm以上2.0μm以下的氧化膜9B，所以，主放电面9A可以成为在高温领域中化学性(热力学性)稳定的特性。而且由于该氧化膜9B与主放电电极部件5的附着力出色，所以可以发挥氧化膜9B的特性。因此，即使在主放电时突出支撑部9成为高温，也可以充分抑制主放电电极部件5的金属成分向微间隙2或筒型陶瓷7的内壁等的飞散。由此可以谋求突波吸收器的长寿命化。
其次，参照图4，说明有关本发明的第2实施方式。
在此所说明的实施方式，其基本构成与上述第1实施方式相同，在上述第1实施方式的构成上添加其他要素。因此，在图4中，对与图1相同的构成要素使用相同符号，并省略对其的说明。
第2实施方式与第1实施方式的不同点为在第1实施方式中，通过主放电电极部件5的突出支撑部9，支撑圆柱状陶瓷4的构成，相对于第1实施方式，第2实施方式中的突波吸收器20，具有作为主放电电极部件21与第1实施方式中的主放电电极部件5相同的构成的端子电极部件22和帽形电极23，因此，圆柱状陶瓷4介由帽形电极23而被支撑在设置于端子电极部件22的突出支撑部24上。
一对帽形电极23，由硬度比圆柱状陶瓷4还低而可以塑性变形的例如不锈钢等金属构成，外周部比端子电极部件22的突出支撑部24的前端更向轴方向内侧延伸，从而剖面大致以U字状形成，成为主放电面23A。
例如，为18-8不锈钢时，该一对帽形电极23的表面为，在以给定氧气浓度控制的还原气氛中以700℃进行40分钟氧化处理，从而在表面上形成有0.6μm的Cr富化的氧化膜23B。
接着，说明使用由上述的构成组成的18-8金属帽的本实施方式的突波吸收器20的制造方法。
首先，对一对端子电极部件22进行退火处理后，通过冲压加工一体成形。
之后，在一对帽形电极23表面上，通过在以给定氧气浓度控制的还原气氛中以700℃进行40分钟氧化处理，从而形成在氧化膜表面有Cr富化10％以上的平均膜厚度为0.6μm的氧化膜23B。在此，氧化膜23B表面的Cr富化，通过根据俄歇分光分析的表面分析，测定多个部位，例如测定5个部位，测得平均值而确认。
之后，使一对帽形电极23啮合在圆柱状陶瓷4的两端，由与第1实施方式相同的方法，制造出突波吸收器20。
该突波吸收器20具有与有关上述的第1实施方式的突波吸收器1相同的作用和效果。
其次，参照图5，说明有关本发明的第3实施方式。
并且，在此所说明的实施方式，其基本构成与上述第2实施方式相同，在上述第2实施方式中添加其他要素。因此，在图5中，对与图4相同的构成要素使用相同符号，并省略对其的说明。
第3实施方式与第2实施方式的不同点为在第2实施方式中，具有端子电极部件22一体形成的突出支撑部24，相对于第2实施方式，第3实施方式中的突波吸收器30中，如图5(a)所示，主放电电极部件31由平板状的端子电极部件32及帽形电极23所构成。
而且，在该一对端子电极部件32的相对的内表面，涂布有蜡材33。
该蜡材33，如图5(b)所示，具有充填部35，其填充在一对端子电极部件32和帽形电极23的接触面上形成的间隙34；及保持部36，在帽形电极23的两端保持帽形电极23的外周面。
而且，保持部36的高度h形成为比帽形电极23的高度还低。由此，帽形电极23的互相相对的面成为主放电面23A。
接着，说明如同上述构成的本实施方式的突波吸收器30的制造方法。
首先，与上述第2实施方式相同地，在一对帽形电极23的表面上形成氧化膜23B，使其啮合在圆柱状陶瓷4的两端。
之后，在端子电极部件32的一面上涂布形成保持部36所需的足够量的蜡材33，在端子电极部件32的中央区域之上，载置啮合有帽形电极23的圆柱状陶瓷4，从而使端子电极部件32与帽形电极23相接触。之后，载置筒型陶瓷7的端面。
而且，在筒型陶瓷7的另一侧的端面上载置涂布有蜡材33的另一侧的端子电极部件32，设定为试装配的状态。
接着说明密封工序。将如同上述那样试装配状态下的元件，在Ar气氛中进行加热处理，从而蜡材33被熔融，由此，端子电极部件32与帽形电极部件A相紧密贴合。此时，由该熔融，蜡材33的充填部35填充帽形电极23和端子电极部件32之间存在的间隙34。而且，由蜡材33的表面张力而形成的保持部36保持以便埋入帽形电极23的两端部。
之后，由与上述第1实施方式相同地进行冷却工序，制造突波吸收器30。
该突波吸收器30具有与有关上述的第1实施方式的突波吸收器1相同的作用和效果。
而且，在本实施方式中，虽然通过与蜡材33相同的部件形成了保持部36及充填部35，但充填部35由与蜡材33不同的材料形成也可以，例如，如活性银蜡等可以粘合氧化膜23B与端子电极部件32的导电性的粘合剂也可以。由此，帽形电极23和端子电极部件32相粘合，从而可以得到与主放电电极部件31和导电性覆膜3的更加充分的欧姆(ohmic)接触。从而突波吸收器30的放电开始电压等电气特性稳定。
而且保持部36也可以与充填部35相同地由与蜡材33不同的材料形成。例如，利用相对于蜡材33或活性银蜡不易湿的玻璃材也可以。由此，圆柱状陶瓷4更加确切地固定在端子电极部件32的中央附近或其周边部。
其次，参照图6，说明有关本发明的第4实施方式。
在此所说明的实施方式，其基本构成与上述第1实施方式相同，在上述第1实施方式中添加其他要素。因此，在图6，对与图1同一的构成要素使用相同符号，并省略对其的说明。
第4实施方式与第1实施方式的不同点为在第1实施方式中是，主放电电极部件5具有一体形成的突出支撑部9，将圆柱状陶瓷4压入或嵌合在该突出支撑部9的构成，相对于第1实施方式，第4实施方式中的突波吸收器40是，主放电电极部件41由端子电极部件32和突出支撑部件42构成。
突出保持部件42，具有大致有底的圆筒状，底面42A中央形成有开口42B。该开口42B的开口直径形成为比圆柱状陶瓷4还稍微小一些。而且圆柱状陶瓷4插通开口42B，从而使底面42A向轴方向外侧有弹性地屈曲，得到突出支撑部件42和导电性覆膜3的良好的欧姆接触。
而且，在该一对突出支撑部件42的表面上，通过与上述第1实施方式相同的氧化处理形成有0.6μm的氧化膜42C，作为相对面的底面42A成为主放电面。
该突波吸收器40具有与上述的第1实施方式的突波吸收器1相同的作用和效果。
其次，参照图7，说明有关本发明的第5实施方式。
而且，在此所说明的实施方式，其基本构成与上述第1实施方式相同，在上述第1实施方式中添加其他要素。因此，在图7，对与图1同一的构成要素使用相同符号，并省略对其的说明。
第5实施方式与第1实施方式的不同点为在第1实施方式中，突波吸收器为载置在基板上的表面安装型突波吸收器，相对于第1实施方式，第5实施方式中的突波吸收器50为具备引线的突波吸收器。
即，突波吸收器50，具有导电性覆膜3被分割形成的圆柱状陶瓷4；配置在该圆柱状陶瓷4的两端的主放电电极部件51；以及将圆柱状陶瓷4与该主放电电极部件51一同密封的玻璃管52。
主放电电极部件51，具有帽形电极55和从帽形电极55的后端延伸出来的引线56。
在该一对帽形电极55的表面上，通过与上述第1实施方式相同的氧化处理形成有0.6μm的氧化膜55A，互相相对的面成为主放电面55B。
玻璃管52配置为被覆盖圆柱状陶瓷4及一对帽形电极55，引线56从两端突出。
该突波吸收器50具有与有关上述的第1实施方式的突波吸收器1相同的作用和效果。
其次，参照图8，说明有关本发明的第6实施方式。
在此所说明的实施方式，其基本构成与上述第5实施方式相同，在上述第5实施方式中添加其他要素。因此，在图8，对与图7同一的构成要素使用相同符号，并省略对其的说明。
第6实施方式与第5实施方式的不同点为在第5实施方式中，帽形电极55配置在导电性覆膜3被分割形成的圆柱状陶瓷4的两端，相对于第5实施方式，第6实施方式中的突波吸收器60，在一面上介由放电间隙61而在导电性覆膜62被分割形成的板状陶瓷63的两端，配置有夹持该板状陶瓷63的主放电电极部件64。
主放电电极部件64，具有与导电性覆膜62接触的同时夹持板状陶瓷63的夹式电极65及设置在夹式电极65后端的引线56。
在夹式电极65的表面上，通过与上述第1实施方式相同的氧化处理，形成有0.6μm的氧化膜65A，互相相对的面成为主放电面65B。之后该夹式电极65夹持板状陶瓷63，从而构成为可以得到导电性覆膜62和夹式电极65的良好的欧姆接触。
该突波吸收器60具有与有关上述的第1实施方式的突波吸收器1相同的作用和效果。
(实施例1)其次，参照图9及图10，通过实施例详细地说明有关本发明的突波吸收器。
将有关上述的第2实施方式的突波吸收器20与没有氧化膜23B的以往的突波吸收器分别安装在基板等而使用时的寿命进行比较。
具体而言，作为实施例，将如图9所示的突波电流，以给定次数反复施加在突波吸收器中，将此时的在间隙中测定放电开始电压V的结果在图10中表示。
以往的突波吸收器，如果反复施加突波电流，则主放电电极部件的金属电极的金属成分多为飞散，由于这些金属成分在微间隙中短时间内堆积下来，所以，间隙间的放电开始电压降低而达到其寿命。另一方面，根据本发明的突波吸收器20，由于因氧化膜23B而主放电电极部件23的电极成分的飞散被抑制，所以在放电间隙2中的金属成分的堆积不太多，因此，可知间隙间的放电开始电压很稳定。
而且本发明不只限定于上述实施方式，在不超出本发明主旨的范围内，可以作出种种的变形与修改。
例如，如图11所示，也可是一种在作为一对板弹簧导体109的互相相对面的主放电面109A上，通过与上述第1实施方式相同的氧化处理形成氧化膜109B的突波吸收器70。如此构成也可以得到与上述相同的作用和效果。
而且，导电性覆膜可以为Ag(银)、Ag(银)/Pd(钯)合金、SnO2(氧化锡)、Al(铝)、Ni(镍)、Cu(铜)、Ti(钛)、Ta(钽)、W(钨)、SiC(碳化硅)、BaAl(钡·氧化铝)、C(碳)、Ag(银)/Pt(铂)合金、TiO(氧化钛)、TiC(炭化钛)、TiCN(碳氮化钛)等。
而且，主放电电极部件可以为Cu或Ni系合金。
而且，筒型陶瓷两端面的金属化层可以为Ag(银)、Cu(铜)或Au(金)，且也可不利用金属化层，只用活性金属蜡材密封。
而且，密封气体，为了获得所希望的电气特性而其组成等被调整，例如可以为大气(空气)，也可以为Ar(氩)、N2(氮)、Ne(氖)、He(氦)、Xe(氙)、H2(氢)、SF6、CF4、C2F6、C3F8、CO2(二氧化碳)等以及这些气体的混合气体。
权利要求
1.一种突波吸收器，具备介由放电间隙而导电性覆膜被分割形成的绝缘材部件；相对配置而与所述导电性覆膜接触的一对主放电电极部件；以及将该一对主放电电极部件相对地配置，从而在内部将所述绝缘材部件与密封气体一同密封的绝缘性管，其特征在于，在所述一对主放电电极部件的主放电面上，形成有通过氧化处理得到的氧化膜。
2.如权利要求1所述的突波吸收器，具备在周面介由中央的放电间隙而导电性覆膜被分割形成的柱状绝缘性部件；相对配置在该绝缘性部件的两端，与所述导电性覆膜接触的一对主放电电极部件；以及将所述一对主放电电极部件配置在两端，从而在内部将所述绝缘性部件与密封气体一同密封的绝缘性管，其特征在于，所述主放电电极部件，具备周缘部，其用蜡材与所述绝缘性管的端面粘合；及突出支撑部，其向所述绝缘性管的内侧且向轴方向突出，并在径向内侧面支撑所述绝缘性部件，在作为所述一对主放电电极部件的所述突出支撑部的相对面的主放电面上，形成有通过氧化处理得到的氧化膜。
3.如权利要求1或2所述的突波吸收器，其特征在于，所述氧化膜的平均膜厚度为0.01μm以上2.0μm以下。
4.如权利要求1～3的任一项所述的突波吸收器，其特征在于，所述主放电电极部件为包含Cr的部件，在所述氧化膜表面，表面富化有Cr。
全文摘要
本发明提供一种突波吸收器，被覆有在高温区域中化学稳定性优良、且对主放电电极的附着力优良的氧化物层。本发明具有介由放电间隙(2)而导电性覆膜(3)被分割形成的圆柱状陶瓷(4)；相对配置在圆柱状陶瓷(4)的两端，与导电性覆膜(3)接触的一对主放电电极部件(5)；以及将一对主放电电极部件(5)相对地配置，在内部将圆柱状陶瓷(4)与密封气体(6)一同密封的筒型陶瓷(7)；至少在作为一对主放电电极部件(5)的突出支撑部(9)相对面的主放电面(9A)上，形成有通过氧化处理得到的氧化膜(9B)。
文档编号H01T4/00GK1823458SQ20048002066
公开日2006年8月23日 申请日期2004年7月13日 优先权日2003年7月17日
发明者社藤康弘, 尾木刚, 足立美纪, 李成圭, 栗原卓, 植田稔晃 申请人:三菱综合材料株式会社