专利名称：薄化硅片方法
技术领域：
本发明涉及一种薄化硅片方法，特别涉及一种可节省成本的薄化硅片方法。
背景技术：
请参阅图1，自晶柱切削为多个的片状硅片薄片后，需要进行研磨抛光处理，现分述如下步骤S11对硅片进行研磨，此步骤的目的在于对硅片表面进行抛光。
步骤S12清洗研磨过的硅片表面，以去除残余硅片表面的杂质。
步骤S13对硅片施以热处理，以使硅片表面排除残余应力，改善表面结构。
步骤S14出货前对抛光、清洗、热处理的硅片作最终检查，以确定产品品质。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种薄化硅片方法，它可节省用料成本硅片。
为达上述目的，本发明的薄化硅片方法首先在硅片一表面形成一表面结合胶的薄层，再研磨薄化硅片另一表面，同时在该另一表面形成表面保护胶的薄层，接着进行硅片的裁切，后将表面保护胶予以溶解，使得残存表面结合胶的薄层。
本发明提供一种薄化硅片方法可节省用料成本硅片。
以下结合附图及具体实施例详加说明本发明的目的、技术内容、特点及其有益效果。
图1为现有技术薄化硅片方法流程示意图。
图2为本发明薄化硅片方法流程示意图。
图3为本发明薄化硅片方法实施示意图。
标号说明12硅片14表面结合胶16表面保护胶
具体实施例方式
本发明提供一种薄化硅片方法，它可节省用料成本硅片。
本发明提供的薄化硅片方法如图2所示，该薄化硅片方法包括以下步骤，现分别叙述如下步骤S21请同时参阅图3，该图为本发明薄化硅片方法实施示意图，实施时先在一硅片12的一表面形成一层表面结合胶14，目的在于防止因稍后研磨薄化而误伤硅片12表面的情形；其中欲设置半导体组件的一面，通常也是形成表面结合胶14的一面。
步骤S22研磨薄化硅片12未形成表面结合胶14的另一表面，再在该研磨的一面形成一层表面保护胶16。此步骤的目的在于使稍后裁切处理时，得以保持硅片12最稳固的状态，而减少硅片12表面特性或材料性质遭受破坏。经过研磨薄化硅片12的处理后的厚度介于50μm至150μm的间，另外可在研磨后对硅片12施以清洗，以使后来形成的表面保护胶16可更紧密附着硅片12。控制表面保护胶16小于表面结合胶14的溶解度，使得不断增强蚀刻液的同时，表面保护胶16完全溶解而表面结合胶14仍不会溶解。如图3所示，通过表面结合胶14的薄层可以将硅片12形成半导体组件的一面包覆进去，且本步骤的研磨薄化处理还可更薄化硅片12，使得先前裁切的硅片12可以更浅薄，故本发明提供的薄化硅片12工艺与现有技术相比，更节省用料成本。
步骤S23烘烤硅片12，使分别在硅片12二表面形成的表面结合胶14及表面保护胶16的薄层凝固定型，并可使硅片12表面原子适当扩散，以使硅片12表面形成一无缺陷层。此步骤的目的在于强化硅片12与表面结合胶14或表面保护胶16的薄层间的附着，也使得稍后进行的裁切得以于稳固附着状态下进行，减少因各层间相互滑移造成硅片12的受损，同时改善硅片12表面性质。
步骤S24将烘烤过的硅片12裁切为多个芯片。如同前述，因为表面结合胶14及表面保护胶16的薄层在硅片12的二表面紧密附着，故本步骤裁切的处理，可以使得损坏硅片12程度更小，从而进一步达到节省生产成本的目的。
步骤S25将裁切形成的多个芯片的表面保护胶16溶解。正如前述的选材，本步骤将使表面保护胶16溶解而仍保存表面结合胶14，同时在溶解芯片的过程中，尚可采用机械式手臂或夹具等夹持芯片，以利于将芯片置入蚀刻液或自蚀刻液中取出。
步骤S26挑选成品的品质，以确保成品系为无损且可使用，同时以前述步骤S21至步骤S26的方法处理下一片硅片。
以上所述的实施例仅为了说明本发明的技术思想及特点，其目的在使本领域的普通技术人员能够了解本发明的内容并据以实施，本专利的范围并不仅局限于上述具体实施例，即凡依本发明所揭示的精神所作的同等变化或修饰，仍涵盖在本发明的保护范围内。
权利要求
1.一种薄化硅片方法，它是用以薄化切削成型的片状硅片的工艺，包括以下步骤在一硅片的一表面形成一层表面结合胶；研磨薄化该硅片的另一表面，再在该另一表面形成一层表面保护胶；烘烤该硅片；将该硅片裁切为多个芯片；溶解该表面结合胶；以及挑选成品并处理另一片硅片。
2.根据权利要求1所述的薄化硅片方法，其特征在于所述表面保护胶溶解度小于该硅片及该表面结合胶。
3.根据权利要求1所述的薄化硅片方法，其特征在于所述研磨薄化的硅片厚度为50μm至150μm。
4.根据权利要求1所述的薄化硅片方法，其特征在于所述溶解该表面结合胶的步骤，是通过一机械式夹具夹持该芯片。
全文摘要
本发明提供一种薄化硅片方法，它是在硅片的二表面分别形成表面结合胶及表面保护胶，其中形成表面保护胶之前施以薄化处理，待表面结合胶及表面保护胶经过烘烤干燥则切割硅片，最后将溶解度较低的表面保护胶溶解而得成品，必要时进行挑选以维护品质。本发明的薄化硅片方法可适用于极浅薄的硅片，进而达到节省生产成本的目的。
文档编号H01L21/70GK1866473SQ200510025999
公开日2006年11月22日 申请日期2005年5月19日 优先权日2005年5月19日
发明者蔡南雄 申请人:上海宏力半导体制造有限公司