一种硅片合金的制作工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅片合金的制作工艺，主要为在气体的保护下，在二极管焊接炉中进行合金制得，所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中，使用氮气保护在400±10℃的温度下合金20±3分钟制得合金硅片。本发明的优点在于：只使用氮气，使得生产更为安全；利用整流二极管的隧道炉减少电能源消耗；节约用电；由于使用扩散炉合金时，都是在高温的状态下硅片进炉，同时又是在高温的状态下硅片出炉，从而采用扩散炉硅片会产生一定的应力。在整流二极管的隧道炉中合金减少了硅片应力和变形。
【专利说明】—种硅片合金的制作工艺
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种硅片合金的制作工艺。
【背景技术】
[0002]目前市场上的硅片合金的制作工艺是用专用的扩散炉，采用通氮气和氢气进行保护的，温度为380-480°C，合金时间为15-20分钟。
[0003]该工艺的缺点在于:1、由于气体氢气在高温的作用下会变为危险气体，使用不当会引起爆炸，发生安全事故；2、专用扩散炉在正常使用时，电能能耗相对消耗较多，不利于节能；3、由于使用扩散炉合金时，都是在高温的状态下硅片进炉，同时又是在高温的状态下硅片出炉，从而采用扩散炉硅片会产生一定的应力，然后使部分硅片合金变形，使用扩散炉合金影响产品质量。
【发明内容】
[0004]本发明的主要任务在于提供一种硅片合金的制作工艺，主要为在气体的保护下，在专用炉中进行高温扩散制得，其特征在于:所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中，只采用氮气保护在400°C的温度下进行恒温控制20分钟后取出得硅片合金。
[0005]进一步地，所述氮气在隧道炉中的分布量如下:在炉口的分布量为2700-2900 m3/h，在炉中下段的分布量为:4000±100 m3/h，在炉中南3800±100 m3/h，炉中北4000± 100m3/h，炉尾 2500±100 m3/h。
[0006]本发明的优点在于:1、只使用氮气，使得生产更为安全；2、利用整流二极管的隧道炉减少电能源消耗；节约用电；3、由于使用扩散炉合金时，都是在高温的状态下硅片进炉，同时又是在高温的状态下硅片出炉，从而采用扩散炉硅片会产生一定的应力。在整流二极管的隧道炉中合金减少了硅片应力和变形。
【具体实施方式】
[0007]—种硅片合金的制作工艺:所述制作工艺的具体步骤为:
A、将待合金的硅片放在二极管焊接炉内进行常规合金；
B、将A)步骤的硅片夹在普通二极管的石墨舟间一起置入整流二极管的隧道炉中；
C、向整流二极管的隧道炉中通入氮气，氮气的流量为(见表I)；
D、硅片合金坯料在只采用氮气保护下，在400±10°C的温度下合金20±3分钟制得合金娃片。
[0008]表1:单位:m3/h
【权利要求】
1.一种硅片合金的制作工艺，主要为在气体的保护下，在二极管焊接炉中进行合金制得，其特征在于:所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中，使用氮气保护在400±10°C的温度下合金20 ±3分钟制得合金娃片。
2.根据权利要求1所述的硅片合金的制作工艺，其特征在于；所述氮气在隧道炉中的分布量如下:在炉口的分布量为2700-2900 m3/h，在炉中下段的分布量为:4000±100 m3/h，在炉中南 3800±100 m3/h，炉中北 4000±100 m3/h，炉尾 2500± 100 m3/h。
【文档编号】H01L21/60GK103441084SQ201310345642
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月9日 优先权日:2013年8月9日
【发明者】吴亚红, 陆国华, 钟盛鸣 申请人:如皋市日鑫电子有限公司