溅射工艺中的硅片加热装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体加工设备，尤其是一种溅射工艺中的硅片加热装置。
【背景技术】
[0002]半导体生产用硅片在溅射加工过程中，需对硅片衬底进行加热处理。现有的加热工艺往往采用背喷工艺，即将硅片放置于容器内部，通过容器底部的加热孔向硅片输送加热气体，以使得硅片衬底得以加热。然而，上述加热工艺中，由于硅片与容器底部贴合，加热气体与硅片的接触范围受到限制，导致硅片衬底无法得以均匀加热。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种溅射工艺中的硅片加热装置，其可使得硅片的加热均度得以改善。
[0004]为解决上述技术问题，本发明涉及一种溅射工艺中的硅片加热装置，其包括有用于放置硅片的放置盘；所述放置盘的底端面设置有多个加热孔，加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道，加热管道连接有加热源；所述放置盘的底端面采用弧形结构，其朝向加热管道进行弯曲，放置盘的底端面设置有用于置放硅片的放置端板，放置端板沿放置盘的底端面成环形分布，且其所处高度高于放置盘的最低位置；多个加热孔在放置端板与放置盘的最低位置之间均匀分布。
[0005]作为本发明的一种改进，所述放置端板之中设置有多个辅助加热孔，多个辅助加热孔沿放置端板的延伸方向均匀分布。采用上述设计，其可通过辅助加热孔以对硅片覆盖于放置盘之上的区域进行加热，以使得硅片衬底的加热均匀性得以显著改善。
[0006]作为本发明的一种改进，所述放置端板包括有连接于放置盘之上的连接端，以及与硅片相接触的放置端，所述放置端的高度高于连接端的高度。采用上述设计，其可通过倾斜设置的放置端板使得硅片的边缘保持悬空状态，从而便于工作人员或相应部件对其进行抓取。
[0007]采用上述技术方案的溅射工艺中的硅片加热装置，其可通过放置盘底端面的弧形结构，以及放置端板的设计，使得硅片放置于放置盘之中时，其受放置端板的支撑而使得硅片的衬底与放置盘底端面之间形成一定的空间，从而使得经由加热管道与加热孔输送至放置盘之中的加热介质可在上述空间内均匀分布，进而对硅片衬底的各个位置进行均匀加热，避免硅片因与放置盘的接触而导致部分区域被遮盖的现象。
【附图说明】
[0008]图1为本发明示意图；
附图标记列表:
1 一放置盘、2一加热孔、3一加热管道、4一放置端板、41 一连接端、42一放置端、5一辅助加热孔、6—加热源。
【具体实施方式】
[0009]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。
[0010]实施例1
如图1所示的一种溅射工艺中的硅片加热装置，其包括有用于放置硅片的放置盘1 ;所述放置盘1的底端面设置有多个加热孔2，加热孔2连通至设置在放置盘1外部的加热管道3，加热管道3连接有加热源6 ;所述放置盘1的底端面采用弧形结构，其朝向加热管道3进行弯曲，放置盘1的底端面设置有用于置放硅片的放置端板4，放置端板4沿放置盘1的底端面成环形分布，且其所处高度高于放置盘1的最低位置；多个加热孔2在放置端板4与放置盘1的最低位置之间均匀分布。
[0011]作为本发明的一种改进，所述放置端板4之中设置有多个辅助加热孔5，多个辅助加热孔5沿放置端板4的延伸方向均匀分布。采用上述设计，其可通过辅助加热孔以对硅片覆盖于放置盘之上的区域进行加热，以使得硅片衬底的加热均匀性得以显著改善。
[0012]采用上述技术方案的溅射工艺中的硅片加热装置，其可通过放置盘底端面的弧形结构，以及放置端板的设计，使得硅片放置于放置盘之中时，其受放置端板的支撑而使得硅片的衬底与放置盘底端面之间形成一定的空间，从而使得经由加热管道与加热孔输送至放置盘之中的加热介质可在上述空间内均匀分布，进而对硅片衬底的各个位置进行均匀加热，避免硅片因与放置盘的接触而导致部分区域被遮盖的现象。
[0013]实施例2
作为本发明的一种改进，所述放置端板4包括有连接于放置盘1之上的连接端41，以及与硅片相接触的放置端42，所述放置端42的高度高于连接端41的高度。采用上述设计，其可通过倾斜设置的放置端板使得硅片的边缘保持悬空状态，从而便于工作人员或相应部件对其进行抓取。
[0014]本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
【主权项】
1.一种溅射工艺中的硅片加热装置，其包括有用于放置硅片的放置盘；其特征在于，所述放置盘的底端面设置有多个加热孔，加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道，加热管道连接有加热源；所述放置盘的底端面采用弧形结构，其朝向加热管道进行弯曲，放置盘的底端面设置有用于置放硅片的放置端板，放置端板沿放置盘的底端面成环形分布，且其所处高度高于放置盘的最低位置；多个加热孔在放置端板与放置盘的最低位置之间均匀分布ο2.按照权利要求1所述的溅射工艺中的硅片加热装置，其特征在于，所述放置端板之中设置有多个辅助加热孔，多个辅助加热孔沿放置端板的延伸方向均匀分布。3.按照权利要求2所述的溅射工艺中的硅片加热装置，其特征在于，所述放置端板包括有连接于放置盘之上的连接端，以及与硅片相接触的放置端，所述放置端的高度高于连接端的高度。
【专利摘要】本发明公开了一种溅射工艺中的硅片加热装置，其包括有用于放置硅片的放置盘；所述放置盘的底端面设置有多个加热孔，加热孔连通至设置在放置盘外部的加热管道，加热管道连接有加热源；所述放置盘的底端面采用弧形结构，其朝向加热管道进行弯曲，放置盘的底端面设置有用于置放硅片的放置端板，放置端板沿放置盘的底端面成环形分布，且其所处高度高于放置盘的最低位置；多个加热孔在放置端板与放置盘的最低位置之间均匀分布；采用上述技术方案的溅射工艺中的硅片加热装置，其使得硅片衬底的各个位置可进行均匀加热，从而避免硅片因与放置盘的接触而导致部分区域被遮盖的现象。
【IPC分类】C23C14/34, C23C14/50
【公开号】CN105316642
【申请号】CN201510806307
【发明人】史进, 伍志军
【申请人】苏州赛森电子科技有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年11月20日