一种硅片清洗装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体集成电路器件技术领域，特别是涉及一种硅片清洗装置，具体的是一种清洗效果好的硅片清洗装置。
【背景技术】
[0002]当前硅片清洗工艺一般需要引入化学药液来完成对硅片的清洗，传统的清洗工艺一般是硅片由旋转体夹持，由电机带动共同旋转，应用喷淋臂在旋转体上方往硅片表面喷射常温化学药液来达到清洗的效果。但该工艺过程中，化学药液容易受到空气的影响，进而硅片清洗的效果也不理想。
[0003]鉴于上述现有技术的缺陷，需要提供一种清洗效果好的硅片清洗装置。
【实用新型内容】
[0004](一 )要解决的技术问题
[0005]本实用新型要解决的技术问题是现有的清洗工艺喷射常温化学药液来达到清洗的效果。但该工艺过程中，化学药液容易受到空气的影响，进而硅片清洗的效果也不理想的冋题。
[0006]( 二 )技术方案
[0007]为了解决上述技术问题，本实用新型提供的一种硅片清洗装置，其包括:喷液管、喷气管、驱动装置及旋转体；待清洗的硅片固定设置于所述旋转体上，所述驱动装置驱动所述旋转体沿其轴向转动，所述喷液管的一端设置有喷液口，所述喷液口对应于所述旋转体设置，所述驱动装置驱动所述喷液管沿所述旋转体的轴向转动，所述喷气管的一端对应于所述喷液口设置有第一出气孔。
[0008]其中，还包括对应于所述喷液口设置的喷头，所述喷头内设置有空腔，所述第一出气孔与所述空腔连通，所述喷头底部设置有多个第二出气孔。
[0009]其中，多个所述第二出气孔沿所述喷液口的周向呈圆形均匀分布。
[0010]其中，多个所述第二出气孔组成的圆形直径为20?50mm。
[0011]其中，所述第二出气孔的个数为10?15个。
[0012]其中，所述第二出气孔的直径为2?10mm。
[0013]其中，所述喷液口呈锥形结构。
[0014]其中，所述驱动装置包括第一电机及第二电机，所述第一电机驱动所述旋转体沿其轴向转动，所述第二电机驱动所述喷液管沿所述旋转体的轴向转动。
[0015](三)有益效果
[0016]本实用新型的上述技术方案具有如下优点:本实用新型提供的硅片清洗装置的待清洗的硅片固定设置于旋转体上，驱动装置驱动旋转体沿其轴向转动，喷液管的一端设置有喷液口，喷液口对应于旋转体设置，驱动装置驱动喷液管沿旋转体的轴向转动，喷气管的一端对应于喷液口设置有第一出气孔。本实用新型提供的硅片清洗装置对应喷液口引入保护气体，使药液在工艺过程中尽可能少的接触空气，提升了清洗效果。具有结构简单及稳定性强广的优点。
【附图说明】
[0017]图1是本实用新型实施例的硅片清洗装置的结构示意图；
[0018]图2是本实用新型实施例的硅片清洗装置的局部放大示意图。
[0019]图中:1:娃片；2:旋转体；3:第一电机；4:第二电机；5:喷液管；6:喷气管；8:空腔；9:第二出气孔；10:喷液口 ；11:喷头。
【具体实施方式】
[0020]在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的机或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0021]在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
[0022]下面结合附图和实施例，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
[0023]如图1和图2所示，本实用新型实施例的硅片清洗装置包括:喷液管5、喷气管6、驱动装置及旋转体2 ;待清洗的硅片固定设置于旋转体2上，驱动装置驱动旋转体2沿其轴向转动，喷液管5的一端设置有喷液口 10，喷液口 10对应于旋转体2设置，即喷液口 10位于旋转体2的上方。驱动装置驱动喷液管5沿旋转体2的轴向转动，喷气管6的一端对应于喷液口 10设置有第一出气孔，即喷气管6为喷液口 10提供保护气体，本实施例中的保护气体为氮气。将保护气体引入喷液口，使药液在工艺过程中尽可能少的接触空气，提升了清洗效果。具有结构简单及稳定性强广的优点。
[0024]本实施例中的驱动装置包括第一电机3及第二电机4，第一电机3驱动旋转体2沿其轴向转动，第二电机4驱动喷液管5沿旋转体2的轴向转动。喷液管5和喷气管6在第二电机4的带动下在旋转体2上的硅片I上方往复摆动。
[0025]本实施例中还包括对应于喷液口 10设置的喷头11，喷头11内设置有空腔8，第一出气孔与空腔8连通，喷头11底部设置有多个第二出气孔9。由于气体容易发散，所以将喷头11设置为空腔，气体由空腔进入第二出气孔9再喷出，可以更好的减少药液与空气的接触，提升了清洗效果。
[0026]为了增加清洗效果，减少药液与空气的接触，本实施例中多个第二出气孔9沿喷液口 10的周向呈圆形均匀分布。本实施例中多个第二出气孔9组成的圆形直径为20?50mm，第二出气孔9的个数为10?15个。第二出气孔9的直径为2?10mm。
[0027]为了使喷液管5喷出的液流更好的符合第二出气孔9喷出气流发散的形状，本实施例将喷液口 10设置为锥形结构，即喷液口 10上大下小缩口结构，最大限度的减少化学药液接触空气的可能性。同时化学药液容易受到温度的影响，工艺效果会受到较大影响。为了调节喷液管5中的化学药液的温度，本实施例中还可以根据需要在喷液管5上设置用于调节喷液管5中的化学药液的温度的温控模块，温控模块即靠近喷液口 10的一端设置，可以实现实时精确变温控制。
[0028]本实用新型实施例的硅片清洗装置使用时，第二电机4带动喷液管5绕喷液管5的轴向转动，喷液管5从喷液口 10喷出；喷气管6中的气体从第一出气孔进入喷头11的空腔8内，从喷头11底部的第二出气孔9喷出。同时温控模块可以根据需求调节喷液管5内的化学药液的温度。
[0029]综上所述，本实用新型具有以下优点:本实用新型提供的硅片清洗装置的待清洗的硅片固定设置于旋转体上，驱动装置驱动旋转体沿其轴向转动，喷液管的一端设置有喷液口，喷液口对应于旋转体设置，驱动装置驱动喷液管沿旋转体的轴向转动，喷气管的一端对应于喷液口设置有第一出气孔。本实用新型提供的硅片清洗装置对应喷液口引入保护气体，使药液在工艺过程中尽可能少的接触空气，提升了清洗效果。具有结构简单及稳定性强广的优点。
[0030]进一步地，为了使喷液管喷出的液流更好的符合第二出气孔喷出气流发散的形状，本实施例将喷液口设置为锥形结构。
[0031]以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
【主权项】
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括:喷液管(5)、喷气管￠)、驱动装置及旋转体(2);待清洗的硅片固定设置于所述旋转体(2)上，所述驱动装置驱动所述旋转体(2)沿其轴向转动，所述喷液管(5)的一端设置有喷液口(10)，所述喷液口(10)对应于所述旋转体(2)设置，所述驱动装置驱动所述喷液管(5)沿所述旋转体(2)的轴向转动，所述喷气管(6)的一端对应于所述喷液口(10)设置有第一出气孔。
2.如权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于:还包括对应于所述喷液口(10)设置的喷头(11)，所述喷头(11)内设置有空腔(8)，所述第一出气孔与所述空腔⑶连通，所述喷头(11)底部设置有多个第二出气孔(9)。
3.如权利要求2所述的硅片清洗装置，其特征在于:多个所述第二出气孔(9)沿所述喷液口(10)的周向呈圆形均匀分布。
4.如权利要求3所述的硅片清洗装置，其特征在于:多个所述第二出气孔(9)组成的圆形直径为20?50mmo
5.如权利要求2所述的硅片清洗装置，其特征在于:所述第二出气孔(9)的个数为10?15个。
6.如权利要求2所述的硅片清洗装置，其特征在于:所述第二出气孔(9)的直径为2?1mm0
7.如权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于:所述喷液口(10)呈锥形结构。
8.如权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于:所述驱动装置包括第一电机(3)及第二电机(4)，所述第一电机(3)驱动所述旋转体(2)沿其轴向转动，所述第二电机(4)驱动所述喷液管(5)沿所述旋转体(2)的轴向转动。
【专利摘要】本实用新型涉及半导体集成电路器件技术领域，公开了一种硅片清洗装置包括：喷液管、喷气管、驱动装置及旋转体；待清洗的硅片固定设置于所述旋转体上，所述驱动装置驱动所述旋转体沿其轴向转动，所述喷液管的一端设置有喷液口，所述喷液口对应于所述旋转体设置，所述驱动装置驱动所述喷液管沿所述旋转体的轴向转动，所述喷气管的一端对应于所述喷液口设置有第一出气孔。本实用新型提供的硅片清洗装置对应喷液口引入保护气体，使药液在工艺过程中尽可能少的接触空气，提升了清洗效果。具有结构简单及稳定性强广的优点。
【IPC分类】B08B3-02, B08B13-00, B08B7-04, B08B5-02
【公开号】CN204523685
【申请号】CN201420870668
【发明人】赵曾男, 李伟, 刘效岩
【申请人】北京七星华创电子股份有限公司
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2014年12月31日