高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法
【专利摘要】本发明公开了电子器件的加工领域的一种高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法。其特征在于：所述的处理清洗方法包括以下步骤：1）碱性溶液配制、2）DMAC超声清洗、3）乙醇浸洗、4）乙醇超声波清洗、5）纯水超声波清洗、6）三级水洗、7）热碱处理和8）纯水清洗。本发明具有脱脂脱砂效果好、环保和降低成本等优点。
【专利说明】
高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法
技术领域
[0001]
本发明涉及电子器件的加工领域的一种高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法。
【背景技术】
[0002]
高压二极管扩散硅片在化学镀镍前要进行表面喷砂打毛，在喷砂过程中硅片表面会不可避免地沾污一些油污分子型杂质，表面还会附着砂粒，因此在化学镀镍前要对硅片进行清洁处理。现有清洗工艺是采用三氯乙烯对硅片进行长时间蒸洗，然后再进行超声清洗，再用丙酮除去硅片表面三氯乙烯。目前使用三氯乙烯清洗硅片存在问题:
1、使用成本居高不下。三氯乙烯蒸洗要消耗大量的化剂，近年来，三氯乙烯的价格不断攀升，每年涨幅均超过20%，企业使用成本不断提高。
[0003]2、三氯乙烯蒸洗排放量大，环保安全难以达到相关要求。三氯乙烯属于高毒性化剂，国际癌症研究中心(IARC)已经明确指出三氯乙烯为致癌物，REACH法案已将三氯乙烯作为受限物质，明确规定禁止在出口产品使用三氯乙烯，无视此条款的企业将面临退赔的风险。另外今年地方政府对使用三氯乙烯企业实施环保审查和环保整顿，厂家无时无刻不在环保审查监控中。
[0004]因此有必要寻找替代三氯乙烯的高效环保安全低成本的清洗剂和对应的清洗工
-H-
O
【发明内容】
[0005]
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种低毒、环保的清洗工艺，能有效进行高压二极管镀镍硅片脱脂脱砂处理，保证硅片镀镍质量。
[0006]本发明是通过以下技术方案实现的:
一种高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法，其特征在于:所述的处理清洗方法包括以下步骤:
1)碱性溶液配制
称取250g K0H(AR级)，倒入KOH玻璃方缸槽内，然后再用量筒量取2250ml纯水倒入，用搅拌棒搅拌充分，使之溶解，所配制的氢氧化钾溶液的浓度为10%;
2)DMAC超声清洗
把喷砂后的硅片一片一片地放入花篮，把装有硅片的花篮放入DMAC超声清洗槽，打开超声波开关，其功率设定在“强”的位置，并给花篮装上把手，将装有硅片的花篮放入N，N-二甲基乙酰胺超声清洗槽内进行超声波清洗，清洗时间为5±0.5min，清洗槽的液量能使装有硅片后的花篮全部淹没；
3)乙醇浸洗
将DMAC超声清洗后的花篮取出放入乙醇槽内，浸没处理5±0.5min; 4)乙醇超声波清洗
将花篮放进乙醇超声波槽内清洗，时间5 ± 0.5min;
5)纯水超声波清洗
把花篮取出放入纯水超声波槽内清洗5 ± 0.5min ；
6)三级水洗
将花篮用纯水清洗三次，每次5 土 0.5min;
7)用40%氢氟酸(AR级)浸泡2土 0.2min，然后再将花篮放入纯水洗净槽清洗2 土 0.2min;
8)热碱处理
花篮移进10%K0H槽中处理2 土 0.2min，液温保持在57.5 °C土2.5 °C ;
9 )花篮用纯水清洗5 ± 0.5min，并上下摆动。
[0007]至此硅片清洗结束，就可以进行后续表面化学镀镍了。
[0008]
本发明具有以下有益效果:
a脱脂脱砂效果好，清洗后硅片表面洁净，镀镍均一、稳定性高；b N，N—二甲基乙酰胺(DMAC)属于低毒性化学品，不易挥发，对人体、环境危害小，清洗过程安全环保；
C综合成本低。N—二甲基乙酰胺挥发度低，药液寿命长，材料消耗少，有较大成本优势。
[0009]
【附图说明】
[0010]
图1为高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法工艺流程图。
[0011]
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的内容作进一步的说明
如图所示为高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法工艺流程图。
[0013]具体实施工艺
一、配制10%氢氧化钾溶液
称取250g K0H(AR级)，倒入KOH玻璃方缸槽内，然后再用量筒量取2250ml纯水倒入，用搅拌棒搅拌充分，使之溶解。
[0014]二、作业准备
1.确认DMAC超声波槽、乙醇槽、乙醇超声波槽、流水超声波槽，氢氟酸槽的液量能使装有硅片后的花篮全部淹没。
[0015]2.打开各个超声波开关，其功率设定在“强”的位置。
[0016]3.把喷砂后的硅片一片一片地放入花篮，并给花篮装上把手。(以后出现“花篮”代表装有硅片的花篮)。
4.打开KOH槽加热器，使液温达55 0C?60 °C。
[0017]二、正式操作
1.DMAC超声清洗。把装有硅片的花篮放入N，N-二甲基乙酰胺超声清洗槽进行5 土0.5min的超声波清洗。
[0018]2.乙醇浸洗。将花篮取出放入乙醇槽内，浸没处理5 ± 0.5min。
[0019]3.乙醇超洗。将花篮放进乙醇超声波槽清洗5±0.5min。
[0020]4.纯水超洗。把花篮取出放入纯水超声波槽清洗5 ± 0.5min。
[0021 ] 5.三级水洗。将花篮用纯水清洗三次，每次5 ±0.5min。
[0022]6.40%氢氟酸(AR级)浸泡2 ± 0.2min。然后再将花篮放入纯水洗净槽清洗2 土
0.2mino
[0023]7.热碱处理。花篮移进KOH槽中处理2±0.2min，液温保持在57.5°C土2.5°C。
[0024]8.纯水清洗5±0.511^11 (上下摆动)。
[0025]至此硅片清洗结束，就可以进行后续表面化学镀镍了。
【主权项】
1.一种高压二极管镀镍硅片前处理清洗方法，其特征在于:所述的处理清洗方法包括以下步骤: 碱性溶液配制 称取250g KOH(AR级)，倒入KOH玻璃方缸槽内，然后再用量筒量取2250ml纯水倒入，用搅拌棒搅拌充分，使之溶解，所配制的氢氧化钾溶液的浓度为10%; 2)DMAC超声清洗 把喷砂后的硅片一片一片地放入花篮，把装有硅片的花篮放入DMAC超声清洗槽，打开超声波开关，其功率设定在“强”的位置，并给花篮装上把手，将装有硅片的花篮放入N，N-二甲基乙酰胺超声清洗槽内进行超声波清洗，清洗时间为5±0.5min，清洗槽的液量能使装有硅片后的花篮全部淹没； 乙醇浸洗 将DMAC超声清洗后的花篮取出放入乙醇槽内，浸没处理5±0.5min; 乙醇超声波清洗 将花篮放进乙醇超声波槽内清洗，时间5 ± 0.5min; 纯水超声波清洗 把花篮取出放入纯水超声波槽内清洗5 ± 0.5min ； 三级水洗 将花篮用纯水清洗三次，每次5 土 0.5min; .7 )用40%氢氟酸(AR级)浸泡2 ± 0.2min，然后再将花篮放入纯水洗净槽清洗2 ± 0.2min; .8)热碱处理 花篮移进10%K0H槽中处理2±0.2min，液温保持在57.5°C土2.5°C ; .9)花篮用纯水清洗5土 0.5min，并上下摆动。
【文档编号】H01L21/02GK106098537SQ201610686750
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月19日 公开号201610686750.8, CN 106098537 A, CN 106098537A, CN 201610686750, CN-A-106098537, CN106098537 A, CN106098537A, CN201610686750, CN201610686750.8
【发明人】陈许平
【申请人】南通皋鑫电子股份有限公司