专利名称：肖特基器件和形成方法
技术领域：
本公开内容通常涉及一种半导体器件和工艺，更具体地，涉及具有肖特基器件的半导体器件和将肖特基器件安置在半导体基板上的工艺。
背景技术：
传统的肖特基二极管典型地具有高的漏电流，其随着反向偏置电压的增加而迅速增加。所导致的肖特基区域处的高电场引起了肖特基区域的击穿，潜在地损害器件。因此一种用于限制漏电流和提供较大的击穿电压的器件和方法将是有用的。
图1说明了根据本公开内容的肖特基器件的截面视图；图2～9说明了根据本公开内容的不同的制造工艺阶段中的图1的肖特基器件；图10和11说明了根据本公开内容的具体实施例的图1的肖特基器件的三维视图；和图12～14说明了根据本公开内容的可替换的实施例的肖特基器件的截面视图。
具体实施例方式
公开了横向RESURF(降低表面电场，reduced surface field)肖特基器件，其利用RESURF作用屏蔽器件的肖特基区域，抵御高电场。通过参考图1～13，更好地理解本公开内容的肖特基器件。
图1说明了根据本公开内容的具体实施例的安置在块状基板10的位置5处的肖特基器件的截面视图。此处图2～12公开了用于形成图1的肖特基器件的具体工艺流程。
图2说明了块状基板10，其包括上层21。在一个实施例中，块状基板10是P掺杂单晶基板半导体基板，诸如硅。然而，块状基板10可以包括其他的实施例，例如，绝缘体硅、蓝宝石硅、砷化镓等。在一个实施例中，使用具有约1e15～1e19/cm^3的P型掺杂浓度的硅的块状基板10，同时层21是具有同块状材料相反的传导类型的基板的掺杂部分。例如，层21可以是具有约1e18～3e19/cm^3，典型地为1～2x1e19/cm^3的掺杂浓度的N掺杂层。
在一个实施例中，层21用于产生最终器件中的N型埋层(NBL)，并且可通过使用已知的掺杂剂注入技术，注入N型物质(诸如锑)形成。
在可替换的实施例中，不需要分立的层21。例如，在没有唯一掺杂的上层21的情况下，可以使用具有1e18～3e19/cm^3或者1～2x1e19/cm^3的N型掺杂剂浓度的硅的块状基板。因此，在可替换的实施例中，层21仅表示块状基板10的上面部分。
图3说明了在形成外延层12之后的位置5。典型地，外延层12将包括与块状基板10相似的半导体材料。出于讨论的目的，假设外延层12是层21上的外延硅层。所形成的外延层12具有与层21相反的传导类型，即在当前描述中描述了P掺杂的外延层。在不同的实施例中，层12具有2～4微米、2.5～3.5微米、或者3.25～3.75微米的厚度。层12的典型的P型掺杂剂浓度约为2～5e15/cm^3。在一个实施例中，在外延形成之后注入掺杂剂物种，形成了掺杂外延层12。在另一实施例中，掺杂剂物种是在外延形成过程中提供的。尽管图2和3的具体实施例公开了块状基板上面的外延层，但是应当认识到，对于产生本公开内容的肖特基器件，不需要使用外延层。例如，层10可以是未经处理的块状基板，而层21和12可以是块状基板的掺杂部分。
图4说明了形成掩膜层101之后的位置5。掩膜层101具有开口121(部分说明)，其定义了一个或多个待形成的阱区域的位置，其具有与外延层12相反的传导类型。区域11是具有与外延层12相同的传导类型的掺杂区域，尽管其可能是较重掺杂的。例如，区域11可以具有1～5e16/cm^3或者2～3e16/cm^3的掺杂浓度。如图1所说明的，仅有区域11的下面部分保留在最终的肖特基器件中。在一个实施例中，层11是通过注入P型物质(诸如硼)形成的。
图5说明了形成N型区域22之后的位置5，其包括关于图1的肖特基器件的漂移区域。典型地，使用与该区域相同的掩膜层101形成区域22。区域22是在具有相反的传导类型的区域中形成的。例如，当区域22是N型区域时，其是在作为区域11和12的组合的P型区域中形成的并且与之相邻。N阱22的掺杂剂浓度约为2～4e16/cm^3，并且可以通过在形成区域11之后注入磷形成。应当认识到，使用所描述的工艺，可以在相同的半导体器件上同时形成多个阱区域。在特定的实施例中，与区域22相似的阱将包含逻辑器件。肖特基区域被安置在区域22处，以在反向偏置条件的过程中提供电压阻挡能力，并且在正向偏置时提供良好的导通电阻特性，如此处所将详细讨论的。
图6说明了分别在区域12和22中形成介电区域31和32之后的位置5。典型地，介电区域31和32是使用任何适当的浅槽隔离工艺形成的氧化物区域。在可替换的实施例中，介电区域31和32可以在区域12和22上形成。
图7说明了形成具有与区域12相同的传导类型的区域13之后的位置5。例如，区域13可以是使用已知的掩蔽技术形成的P型区域。在具体实施例中，P型区域13被称为P体，并且将具有大于区域12的约1～5e17/cm^3的掺杂剂浓度，并且可以通过注入P型物质(诸如硼)形成。区域12，如所说明的，与区域22紧密相邻，然而，部分区域12可以部分地或者整个地驻留在区域13和22之间。
图8说明了形成掺杂区域24之后的位置5。掺杂区域24，其还被称为冲钻(sinker)，具有与层21相同的传导类型(极性)，并且由此与埋层21电气耦合。区域24的掺杂剂浓度典型地大于埋层21的掺杂剂浓度，并且为1e17～1e19/cm^3。在一个实施例中，区域24是通过注入N型物质(例如磷)形成的。图9说明了形成掺杂区域14和23之后的位置5。掺杂区域23产生接触，其被称为针对共同掺杂的区域24和22的连线(tie)。掺杂区域14产生了针对区域13的连线，其中区域13和14具有相同的传导类型。区域14和23的典型的掺杂剂浓度约为5e19～1e20/cm^3。
图1说明了形成传导层41之后的位置5，传导层41的一部分是针对区域22的肖特基接触，其中其具有其自身和下面的区域22之间的不同的适当的功函数，以形成肖特基区域25。在一个实施例中，传导层41是通过钴金属的淀积和退火形成的硅化物41。接线端53被说明为连接到硅化物41。术语“接线端”广泛地用于表示连接到图1的肖特基器件的一部分的传导元件或者部分传导元件。接线端将典型地具有大于其所接触的肖特基器件的区域的传导率。例如，由金属或者重掺杂的多晶硅形成的接触过孔或者传导走线，将典型地形成接线端。在一个实施例中，硅化物41是形成肖特基器件的阳极的传导结构的一部分，而接线端52是同阱连线23连接并且形成肖特基阴极的传导结构的一部分。
应当注意，图1还说明了连接45，其是传导连接，诸如金属走线，其将区域22的连线23连接到区域24的连线23。接线端51和52可被视为连接45的一部分，或者分立于连接45。在可替换的实施例中，连接45可由阳极51和针对区域24的连线23之间的连接替换，如此处将进一步讨论的。
硅化物41同具有相反传导类型的第一区域和第二区域接触。在一个实施例中，第一区域是由区域11、12、13和14形成的P型区域，而第二区域是由区域22和23形成的N型区域。肖特基器件的接线端52通过连线区域23电气耦合到区域22。至少一部分P型区域11直接位于区域22下面，并且通过P型区域12、13和14同硅化物41电气接触。
图10说明了肖特基器件的具体实施例的三维表示。应当注意，出于清楚的目的，未说明硅化物41，并且其将典型地位于隔离区域31和32之间的插入结构上面，并且同接线端53接触(诸如图1所示)。更具体地，图10说明了由区域13和22形成的插入结构，如由肖特基器件的平面视图所观察到的。例如，共同界面位置131在区域22的插入结构和区域13的插入结构之间共享；由此产生了基本上垂直于肖特基器件的上表面的平面界面。应当注意，共同界面131可以不沿区域12和22的整个深度由区域13和22共享，并且部分p型区域12可以同区域22连接，由此分隔了区域13和22。
区域22的插入结构还同区域13共享共同界面132，以产生基本上垂直于肖特基器件的上表面的并且垂直于开始于共同边缘131处的平面界面的平面界面。应当注意，区域11、12和13构成了具有共同传导类型的区域，并且在区域22的插入结构和下面的区域11之间形成了基本上平面的界面。该界面基本上垂直于开始于共同边缘131和132的平面界面。在一个实施例中，区域13的P型插入结构延伸到埋层11。在可替换的实施例中，区域13的P型插入结构停止于区域22中。如此处所使用的，基本上垂直的平面包括相互成90度角、85～95度角和80～100度角的平面。
图11说明了本发明的可替换的实施例的三维视图。具体地，图11说明了同图10中描述的相似的肖特基器件。然而，不同于具有区域13和22的插入结构，说明了非插入区域63和73，其类似于不具有插入结构的区域13和22。
在操作中，图1的公开的肖特基器件在正向偏置时将电流从阳极53传导到阴极52。然而，在硅化物41下面的N型区域22中形成的肖特基区域25在反向偏置条件过程中限制了反向方向中的电流流动。在反向偏置条件的过程中，图1的肖特基器件形成了耗尽区域，其从多个方向延伸到区域22中。第一，区域22从左向右耗尽，即从图1中说明的区域13开始耗尽。第二，当插入区域13和22时，区域22耗尽进入并且离开说明图1的页。这些第一和第二耗尽作用引起了单RESURF(降低表面电场)作用，其中它们在平行于与区域22和硅化物41之间的界面基本平行的平面的方向中，耗尽区域22。最后，由于阴极52通过区域24电气连接到埋层22，因此区域11在反向偏置过程中耗尽，由此在基本上垂直于区域22和硅化物41之间的界面所形成的平面的第二平面中，在反向偏置过程中，增强了区域22的耗尽。当包括来自下文的耗尽作用时，该效应被称为双RESURF作用。
随着反向偏置电压的增加，在反向偏置过程中在区域22中从左向右产生的耗尽区域将延伸通过硅化物41下面的肖特基区域，到达隔离区域32。耗尽区域延伸通过肖特基区域，基本上将随着反向偏置电压的增加而出现的肖特基区域的电场钳位，并且因此限制了通过肖特基区域的反向漏电流。作为该钳位效应的结果，相比于传统的器件，图1的肖特基器件基本上不易于受到反向偏置条件下的高的漏电流的影响。
在可替换的实施例中，肖特基器件的阳极53，而非阴极52，可以连接到区域24的连线23。在该设置中，反向偏置电压将不会导致区域11的耗尽或者来自层22的底部的双RESURF作用。
图12说明了本公开内容的可替换的实施例的截面视图。具体地，图12的肖特基器件与图1的肖特基器件相似，并且类似的区域得到共同的编号。然而，不同于实现具有共同传导类型的分立的层11和13，仅实现了单一的区域211。在形成硅化物41之前安置介电层202，并且使连线区域23同肖特基区域225分隔。N型区域222被安置在外延层12中，并且位于一部分P型区域211上面。应当注意，N型区域222已被说明为显著薄于前一实施例的N型区域22，以强调N型区域的厚度可在实施例之间变化这一事实。在形成硅化物41之后，将在N型区域211处得到肖特基区域。图12的器件的操作与图1的相似，其中在横向方向中发生了耗尽，以在高电压反向偏置条件的过程中保护肖特基区域。
图13说明了本公开内容的可替换的实施例的截面视图。具体地，图13的肖特基器件与图1的肖特基器件相似。图12和13之间的类似区域得到共同的编号。图13的肖特基器件与图12的肖特基器件不同之处在于，在区域31和硅化物41之间的P型区域211上安置了介电隔层204。这样，肖特基区域225的长度是介电隔层202和204之间的距离。传导连接246使硅化物41同连线区域14连接。
图14说明了本公开内容的可替换的实施例的截面视图。具体地，图14的肖特基器件与图10的肖特基器件相似。图14和10之间的类似区域得到共同的编号。图14的肖特基器件与图10的肖特基器件不同之处在于，在区域13和22中在基板10上安置了介电隔层233。这样，肖特基区域225的长度是介电隔层233和232之间的距离。传导连接247使硅化物41同连线区域14连接。
此处的方法和装置提供了灵活的实现方案。尽管使用特定的具体示例进行描述，但是对于本领域的技术人员显而易见的是，该示例是说明性的，并且存在许多变化方案。例如，多种类型的淀积和掺杂技术和设备目前是可获得的，其可适用于使用此处教导的方法。还应当注意，尽管此处详细地示出和描述了本公开内容的实施例及其特定的变化形式，但是本领域的技术人员可以容易地构造并入了本公开内容的教导内容的许多其他的变化实施例。上文针对具体实施例已描述了益处、其他优点和对问题的解决方案。然而，益处、优点、对问题的解决方案、以及可以引出任何益处、优点、或解决方案或者使其变得更加显著的任何因素，不应被解释为任何或所有权利要求的关键的、必需的或者基本的特征或因素。因此，本公开内容并非限于此处阐述的具体形式，相反地，目的在于涵盖该替换方案、修改方案和等效方案，如本公开内容的精神和范围中所适当包含的。
权利要求
1.一种肖特基器件，包括肖特基器件的第一接线端，其连接到传导层，以产生肖特基区域，传导层被形成为同具有第一传导类型的第一区域和具有第二传导类型的第二区域接触，第二传导类型是与第一传导类型相反的传导类型，其中第一区域和第二区域产生界面；肖特基器件的第二接线端，其电气耦合到第二区域；和具有第一传导类型的第三区域，其直接位于第二区域下面，并且电气耦合到传导层。
2.权利要求1的器件，其中第三区域在第一区域的连线部分处电气耦合到传导层，其中第一区域的连线部分包括比第一区域的其他部分高的掺杂剂浓度。
3.权利要求2的器件，其中第一区域包括位于第二部分上的第一部分，其中第一部分包括比第二部分高的掺杂剂浓度，并且第一区域的连线部分同第一部分和传导层接触。
4.权利要求3的器件，其中第二部分通过第一部分同第一区域的连线部分物理分隔。
5.权利要求2的器件，进一步包括具有第二传导类型的埋层区域，其直接位于第三区域下面。
6.权利要求5的器件，其中埋层区域通过传导性至少与埋层区域相同的路径电气耦合到第一接线端。
7.权利要求5的器件，其中埋层区域电气耦合到第二接线端。
8.权利要求1的器件，其中第一接线端是阳极，而第二接线端是阴极。
9.权利要求1的器件，其中第一接线端是阴极，而第二接线端是阳极。
10.权利要求1的器件，其中第一区域包括多个第一插入结构；并且第二区域包括多个第二插入结构，其插入在多个第一插入结构之间。
11.权利要求10的器件，其中第二插入结构在传导层下面与第一多个插入结构交错。
12.一种肖特基器件，包括第一接线端，其耦合到包括第一传导类型的掺杂剂的第一区域；第二接线端，其包括传导层，所述传导层包括一部分肖特基接触，并且进一步包括硅化物，其接触一部分第一区域；和第二区域，其包括第二传导类型的掺杂剂，第一和第二区域形成面向第一方向的第一平面界面和面向第二方向的第二平面界面，第一和第二方向基本上垂直。
13.权利要求12的器件，其中第二区域包括接触硅化物的传导区域，传导区域的传导性至少与第二区域的其他部分相同。
14.权利要求12的器件，其中第一和第二区域形成面向第三方向的第三平面界面，第三和第一方向基本上垂直，并且第三和第二方向基本上垂直。
15.权利要求12的器件，其中第一区域包括多个第一插入结构；第二区域包括多个第二插入结构，其与多个第一插入结构交错；并且硅化物位于第一和第二插入结构上面。
16.一种肖特基器件，包括第一区域，其具有第一传导类型，其包括多个第一插入结构；第二区域，其具有第二传导类型，其包括多个第二插入结构，第二传导类型与第一传导类型相反，多个第二插入结构与多个第一插入结构交错；和传导结构，其位于第一和第二插入结构上面，其中传导结构同第一区域产生肖特基区域。
17.一种形成肖特基器件的方法在半导体基板处形成具有第一传导类型的第一区域；在半导体基板处形成具有与第一传导类型相反的第二传导类型的第二区域，并且该第二区域与第一区域紧密相邻；形成针对第二区域的肖特基接触；和形成第一高传导率区域，其电气耦合在一部分第一区域或第二区域之间，并且位于一部分第一区域或第二区域上面，第一高传导率区域比第一区域更具传导性。
18.权利要求17的方法，其中第二区域在基本上平行于半导体基板的主表面的平面中，并且在基本上垂直于主表面的平面中，与第一区域紧密相邻。
19.权利要求18的方法，进一步包括形成具有第二传导类型的埋层，其位于第一区域下面并且与其紧密相邻。
20.权利要求19的方法，进一步包括形成第二高传导率区域，其使埋层耦合到第二区域，其中高传导率区域比埋层更具传导性。
全文摘要
传导层(41)包括第一部分，其与下面的具有第一传导类型的第一区域形成了肖特基区域(25)。具有第二传导类型的第二区域(13)位于第一区域(22)下面，其中第二传导类型与第一传导类型相反。具有第一传导类型的第三区域(21)直接位于第二区域(13)下面，并且电气耦合到器件的阴极(52)。
文档编号H01L21/28GK1977389SQ200580021992
公开日2007年6月6日 申请日期2005年5月19日 优先权日2004年6月30日
发明者维什努克·肯卡, 维贾·帕塔萨拉蒂, 祝荣华, 阿米塔瓦·博斯 申请人:飞思卡尔半导体公司