专利名称：用于清洗化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种水性清洗组合物，特别是指一种用于清洗化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物。
背景技术：
在半导体后段制程中的化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing，CMP)过程里，会在一旋转的研磨垫上添加一预定量的研磨液，并将欲研磨的晶圆压置在一旋转的研磨垫上，以进行抛光。其过程中自该晶圆上所剥离出的碎屑，以及该研磨液内所含有大量的研磨粒子与各式化学助剂，皆有可能会附着于研磨垫表面，形成污染物。而当污染物沾附得愈多，该研磨垫对晶圆的抛光效率就愈低，更严重地，其研磨效率将降为零，也就是丧失研磨功能而再也无法对一晶圆进行有效抛光，此时势必得更换一新的研磨垫。就一般的作业模式，每结束一次研磨程序，人员就会利用一清洗液来清洗该研磨垫，以避免过多的污染物沾附于该研磨垫上，再使用清水来将该清洗液洗掉。
上述污染物包含有各式无机与有机物质，并经由高效能液相层析技术(high-performance liquid chromatography，HPLC)分析得知，所述有机物质包括研磨液中所含的表面活性剂，及用以避免晶圆上的金属被腐蚀的金属络合剂(例如苯并三唑(benzotriazole，BTA))等，而无机物质包含非溶解性与溶解性两部分，非溶解性部分除了原研磨液中的研磨粒子(其成分譬如SiO2、Al2O3及CeO2)之外，也包含于研磨时自晶圆脱落的物质(包括金属、金属氧化物、低介电材料)，溶解性部分包含有可溶性硅酸盐与氧化剂，另一方面，基于实务操作所观察到的现象以及目前已知的学理而推测，BTA会与源自于晶片的铜离子及其他研磨后废液(磨粒、络合剂、表面活性剂...)形成概呈绿色的非溶解性络合物，其对于研磨垫而言应也是一污染。而若清洗液的清洗能力低，则不易将研磨垫上的污染物清除干净，所以需拉长晶圆研磨的时间，且研磨垫所能处理的晶圆片数也较少。因此，该清洗液是否能有效地将上述污染物去除，攸关着该研磨垫的使用寿命。
一般而言，业界常用的清洗液包括有单独使用的经稀释的草酸(oxalic acid)水溶液(特别是用以去除氧化铜)、氨水(ammonia)水溶液、柠檬酸(citric acid)水溶液、氢氧化四甲基铵(tetramethylammonium hydroxide，TMAH)水溶液等，主要是将各式污染物溶解掉以带离该研磨垫，而达到清洁的目的，然，目前各式浓度的草酸水溶液、柠檬酸水溶液，与氢氧化四甲基铵水溶液的清洗能力，虽然已获得本业界的认同，但是尚未能符合申请人的需求。另一方面，氨水水溶液虽然具有较优良的清洗效果，但是其缺点在于会散发恶臭，容易影响人员的工作情绪与身体健康，所以人员需自行做好防护措施，相关设备也是业者需负担的成本之一，而且，申请人也发现，在抛光程序中以氨水水溶液来清洗研磨垫时，晶圆已离开研磨垫而未直接接触清洗液，但是晶圆上的铜线仍然会被腐蚀，依申请人推测，这可能是氨水水溶液中的NH3逸散至空气中的缘故；又或者是氨水水溶液残留在研磨垫上，于是当晶圆在被研磨时因与其接触，造成氨水与次微米铜线路反应，形成铜铵络合物，使得晶圆上的铜线被腐蚀，此腐蚀现象可能会造成整片晶圆报废，于是业者需再判断或另处理该已受损的晶圆仍然可供使用的部分，种种人力、设备、工时等相关成本，以及被腐蚀的晶圆皆为额外的损失。
也有具其他成分的清洁液被提供，例如US 6,740,629 B2就揭示，以至少一选自于以下群组的成分(A)氨水(ammonia)、氢氧化钾(potassium hydroxide)、氢氧化四甲基铵(tetramethylammoniumhydroxide，TMAH)、三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵(trimethyl-2-hydroxyethylammonium hydroxide)、甲基三羟基乙基氢氧化铵(methyltrihydroxyethylammonium hydroxide)、氢氧化四乙基铵(tetraethylammonium hydroxide，TEAH)、三甲基乙基氢氧化铵(trimethylethylammonium hydroxide)及诸如此类者，以及至少一选自于以下群组的成分(B)甘氨酸(glycine)、丙氨酸(alanine)、半胱氨酸(cysteine)、酰胺基硫酸(amidosulfuricacid)、乳酸(lactic acid)、柠檬酸、酒石酸(tartaric acid)、苹果酸(malic acid)、丙二酸(malonic acid)、草酸、琥珀酸(succinicacid)、反丁烯二酸(fumaric acid)及顺丁烯二酸(maleic acid)，相互混合后形成一用于清洗研磨垫的组合物。
如先前所提及的，目前业界常单独使用的各式经稀释的酸或碱性溶液，对于研磨垫上的污染物并未有良好的去除效果，虽然US 6,740,629 B2有提出将有机酸与有机碱相互混合来形成研磨垫清洁液的概念，但是在其内容中，仍然特别以氨水为建议使用的有机碱，因此，就算是该组合物有如其所号称的良好清洁效果，显然该案并未顾及后续晶圆在研磨过程会被腐蚀，以及人员操作的不便性等不良影响。而且，US 6,740,629 B2除了列出以上各种组成并对成分(A)、(B)的用量有概略建议外，也没有明白提出或暗示该组合物所应该另外具有，或是可以让效果更为提升的其他条件。
TW 416984揭示一种组合物，用以清除在半导体制程中一晶圆上所产生的残留物，例如有机金属及金属氧化物，该组合物包含至少1至50重量百分比的至少一种乙二胺四乙酸或其单-、二-、三-或四铵盐，以及水或极性有机溶剂。而TW 396202则揭示了一种用以从金属或介电质表面脱除化学残留物或用以将铜表面化学机械打光的组合物，其包含具有在3.5与7之间的pH值的水溶液且含有(a)一单官能，双官能或三官能有机酸，及(b)一缓冲量的四级胺，氢氧化铵，羟胺，羟胺盐，肼或肼盐碱。
为了延长研磨垫的使用寿命来降低耗材成本，一种除了具有高清洁力以外，更不会腐蚀晶圆，又不具刺鼻气味而有利人员作业的清洁液，是目前业界所非常需要的。
发明内容
由于经研磨后的晶圆的品质也可能攸关其他下游业者的产品良率，影响层面非常广泛，所以申请人认为，用以清洁研磨垫的清洁液，其首先考量的要件，应是避免使用会造成晶圆腐蚀的酸及碱为成分，而且，为有利于人员顺利操作、免除相关的人员防护成本，以及环境保护等诉求，具有高挥发性并会散出恶臭的药品，例如氨水，是申请人所排除使用的。
申请人惊讶地发现，若欲全面性地顾及业界需求，除了须考量清洗液的成分以外，其pH值对于研磨垫的清洁能力，也有举足轻重的影响性，此点也是目前已知技术中从没有被提出的。
因此，本发明提供的一种用于化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物，其特征在于，具有一介于7至14之间的pH值，并包含下列组份一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％的有机二质子酸，一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％，且在水性介质下可解离出四级胺离子的有机碱，以及一与该有机二质子酸及有机碱合计含量为100重量％的水性介质。
另外，本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是选自于以下所构成的群组草酸、柠檬酸、丙二酸、戊二酸、DL-苹果酸、琥珀酸、酒石酸，以及此等的一组合。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是草酸。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是柠檬酸。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是琥珀酸。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是戊二酸。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是DL-苹果酸。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机二质子酸的含量为0.1～5重量％。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机二质子酸的含量为0.1～2重量％。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机碱是选自于以下所构成的群组氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵，以及此等的一组合。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机碱是氢氧化四甲基铵。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机碱的含量为0.1～5重量％。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机酸的含量为0.1～2重量％。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，是具有一介于10至14之间的pH值。
本发明所述的水性清洗组合物，其特征在于，该水性介质为水。
经由后续诸多的测试与验证可证实，本发明水性清洗组合物确实不会对晶圆造成腐蚀，且相较于目前业界使用的清洗液，本发明水性清洗组合物更可将研磨垫的使用寿命延长高达三倍，足见其对于污染物具有优良的去除效果，另一方面，本发明水性清洗组合物配制方式简单，各成分也容易获得，且在应用上也不需要搭配特殊设备，所以就本发明水性清洗组合物所具有的种种优势，皆有利于相关产业使用，十分具有商业潜力。
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明，附图中图1为一以表面扫描仪所拍摄的照片，说明一晶圆在接受本发明水性清洗组合物实施例1的浸泡测试后，其表面的铜线未被腐蚀的情形。
图2为另一以表面扫描仪所拍摄的照片，说明一晶圆在接受比较例2的浸泡测试后，其表面的铜线被严重腐蚀的情形。
具体实施例方式
本发明所提供的一种用于化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物，其特征在于，具有一介于7至14之间的pH值并包含下列组份一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％的有机二质子酸，一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％，且在水性介质下可解离出四级胺离子的有机碱，以及一与该有机二质子酸及有机碱合计含量为100重量％的水性介质。
较佳地，该有机二质子酸是选自于以下所构成的群组草酸、柠檬酸、丙二酸、戊二酸(glutaric acid)、DL-苹果酸、琥珀酸、酒石酸，以及此等的一组合。于本发明的各具体例中，该有机二质子酸分别为草酸、柠檬酸、琥珀酸、戊二酸，以及DL-苹果酸。
较佳地，以该组合物的总重计，该有机二质子酸的含量为0.1～5重量％，于本发明的各具体例中，该有机二质子酸的含量为0.1～2重量％。
较佳地，该有机碱是选自于以下所构成的群组氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵(tetraproplyammoniumhydroxide，TPAH)、氢氧化四丁基铵(tetrabutyl ammoniumhydroxide，TBAH)，以及此等的一组合。于本发明的各具体例中，该有机碱为氢氧化四甲基铵。
较佳地，以该组合物的总重计，该有机碱的含量为0.1～5重量％，于本发明的各具体例中，该有机二质子酸的含量为0.1～2重量％。
本发明所提供的一种用于化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物，较佳地，是具有一介于10至14之间的pH值，另一方面，较佳地，该水性清洗组合物中的水性介质为水。
有关本发明水性清洗组合物的制备可以任何现有的方式进行，且不需特别的操作条件，在本发明的具体例中，是在室温下直接将各成分混合来制备。
实施例[化学品暨相关用品]以下制备例及实施例是使用下列化学品进行制作1.草酸由美国Aldrich公司制造，型号为241172。
2.柠檬酸由美国Sigma-Aldrich公司制造，型号为C1909。
3.琥珀酸由美国Sigma-Aldrich公司制造，型号为398055。
4.戊二酸由美国Sigma-Aldrich公司制造，型号为G3407。
5.DL-苹果酸由美国Sigma-Aldrich公司制造，型号为240176。
6.氢氧化四甲基铵(以下简称为TMAH)由美国Sigma-Aldrich公司制造，型号为331635。
7.氨水由美国Sigma-Aldrich公司制造，型号为320145。
8.五水硫酸铜(copper sulfate，CuSO4·5H2O)由美国Sigma-Aldrich公司制造，型号为209198。
9.研磨液由台湾EPOCH公司制造，型号为EPL2381，含硅酸胶(colloidal silica)研磨粒子。
10.研磨垫由美国罗门哈斯公司制造，型号为CUP4410。
11.图案晶圆由美国Sematech公司制造，型号为854MP017，线宽为0.25μm。
针对下面各实施例与比较例制得的各水性清洗组合物所进行的测试如下列所示。
1.对铜腐蚀性测试a.塔菲尔测试—以铂为辅助电极，氯化银(AgCl)为参考电极，经由清洁处理(浸泡于待测量的水性清洗组合物以除去氧化层，再用去离子水洗净)后的铜片为工作电极，通过一恒定电位仪(为美国EG&G所制的VersaStat II Potentiostat/Galvanostat)，测量一铜片在清洗组合物中的塔菲尔数据(Tafel data)。当所测得的塔菲尔电位(corrosion potential，Ecorr.)的值越小、电流(corrosioncurrent，Icorr.，特别是大于100μA以上者)及年腐蚀速率(Rcorr，in milli-inches per year，MPY)越大者，则表示所对应的清洗组合物腐蚀性越高。
b.晶圆浸泡测试—将图案晶圆于室温下浸泡于清洗组合物内10分钟，并以表面扫描仪(FE-SEM，由德国LEO公司制造，型号为LEO1560)拍摄浸泡前后的晶圆表面，以观察清洗组合物对于晶圆上铜线的腐蚀性。当铜线表面呈斑驳的区块状时，表示已被腐蚀。
2.清洁能力评估a.溶解测试—为清洗组合物对固体污染物的去除能力的模拟测试。取0.13克五水硫酸铜晶体投入100ml的研磨液内，以让该研磨液中的BTA与铜离子具有相等浓度，之后搅拌1小时而形成一测试液，该测试液内的BTA就会与铜离子结合而形成出概呈绿色的固体络合物，继而将适量的清洗组合物倒入一测试液中并加以搅拌，记录使该测试液内的固体粒子(包含前述络合物与研磨粒子)溶解，所需的清洗组合物的用量，而溶解能力的判断是以有/无白色沉淀来表示；有白色沉淀者，表示该清洗组合物在特定用量下可将前述络合物溶解，但是后续无论如何增量，都无法将研磨粒子溶解；无白色沉淀者，则表示除了可溶解前述络合物以外，在特定用量下，也可将研磨粒子全部溶解。
b.研磨垫寿命测试—通过研磨机台(由美国应用材料(AppliedMaterial)公司制造，型号为Mirra)，每次以研磨垫转速70rpm、压力7Pa、研磨液460ml(供应速率为200ml/min)，来研磨一图案晶圆，研磨时间则为以机台附设的感应器，感应到所研磨的晶圆已达研磨终点后，再多研磨20秒(各晶圆的研磨过程约为一分钟)，而认定其的铜金属已完全移除，再以清洗组合物75ml(供应速率为200ml/min)对该研磨垫进行清洗。当欲研磨的晶圆的研磨速率为0时，就表示该研磨垫沾附有过多的残留物而无法再被使用，并统计此过程受研磨的晶圆总量，以评估所使用的清洗组合物对于研磨垫寿命的影响。
c.研磨垫上残留物成分分析—将以上寿命已终的各研磨垫裁切下一部份(尺寸为37cm×1.5cm×0.2cm)，并将其继续切成小块后，全数浸泡于清洗组合物(50ml)中并搅拌，以将研磨垫上的残留物溶洗出，之后利用高效能液相层析仪(high-performanceliquid chromatography，以下简称HPLC，其是由美国Agilent公司制造，型号为1100系列)，在1ml/min的冲提速率下对溶洗后的清洗组合物所含残留物成分与含量进行分析。
实施例与比较例组合物的制备各实施例与比较例组合物所含成分及各成分的用量，以及组合物的pH值如表二所示。每一实施例与比较例的组合物是在室温下直接将各成分予以混合来制备，举例来说，实施例1是通过将0.5重量份的草酸、0.75重量份的TMAH，及98.75重量份的水直接在室温下混合而得，且其pH值是未经添加任何其他成分下所呈现出的，其余各实施例与比较例也是以上述的方式制备，在此不再多加说明。
另一方面，由于甘氨酸与氨水为US 6,740,629 B2所推荐搭配使用者，所以特别列出于后(也就是比较例2-6，而比较例6为该美国案的最佳实施例)，来与本发明水性清洗组合物的效果相互对照，另外，各清洗组合物的外观皆为均匀水溶液。
表二
功效测试结果1.对铜腐蚀性的测试各清洗组合物进行塔菲尔测试与晶圆浸泡测试的结果也被列于表二，表格中为“-”者则代表未施以该项测试。
如图1所示的FE-SEM照片，经实施例1清洗组合物浸泡的晶圆上铜线是未被腐蚀的，而图2所示为经比较例2组合物浸泡的晶圆照片，其上面铜线是严重被腐蚀的。另一方面，由于其他实施例与比较例的腐蚀测试照片与图1及2类似，所以没有一一列出，只于表二中以腐蚀或未腐蚀表示。
由表二中可看出，以US 6,740,629 B2说明书揭示的较佳成分而调配的比较例2-6，皆会造成晶圆上铜线的腐蚀，而其他以氨水为成分之一的比较例，只要氨水浓度大于或等于0.15wt％几乎都会造成腐蚀，因此可证实申请人先前所推测的，氨水并不适宜作为清洁液的成分。
2.清洁能力评估a.溶解测试—将表二中被评估为不会对晶圆上的铜线产生腐蚀的部分实施例及比较例，进行溶解测试，其结果(也就是测试液与清洗组合物混合后所呈现的整体状态)如表三所示表三
结合表二、三的各比较例测试结果可看出，并不是单单任意结合有机酸与有机碱而得的水性清洗组合物，就可具有低腐蚀性，以及对于各式固体粒子的溶解性，例如比较例10、12、24、26、27、32-34，皆无法溶解研磨粒子。进一步地，当该组合物更具有适当的pH值时(如本发明的各实施例)，不但是不会腐蚀晶圆，更可确实地将污染物，甚至于研磨粒子都一并溶解，而无任何白色沉淀存在，其效果和比较例8、9、22、23(也是目前常用的清洗液)相较，显然更胜一筹。
就实施例3与6，以及实施例9与实施例12两组的结果比较，实施例6、12的各成分浓度分别为实施例3、9的两倍，但是实施例6、12并不会腐蚀晶圆上的铜线，且对于BTA与铜离子结合形成的络合物，以及对于研磨粒子的溶解力，实施例6、12(各使用80、60ml就可以溶解研磨粒子)也显然较实施例3、9(各使用130、120ml才能溶解研磨粒子)优异，此结果可能暗示着当本发明水性清洗组合物具有较高浓度的有机酸与有机碱时，对于污染物将可发挥较好的去除效果。
b.研磨垫寿命测试—以实施例2与比较例8的组合物各自对一研磨垫(编号分别为A、B)进行前述的研磨垫寿命测试，其结果如表四所示表四
研磨垫A、B是在研磨完晶圆后，就以实施例2与比较例8的组合物进行清洗，由表四可知，研磨垫A成功地研磨完1200片晶圆，而研磨垫B能研磨的晶圆片数则只有400片。相较于比较例8，实施例2成功地将研磨垫的使用寿命延长了足足有三倍之多，显然实施例2对于研磨垫上残留物具有较佳的去除能力，因此各残留物不易累积在该研磨垫A上，于是该研磨垫A可研磨更多晶圆。
c.研磨垫上残留物成分分析—对上述经研磨垫寿命测试完的研磨垫A、B分别进行残留物成分分析，分析结果如表五所示。
表五
如表五中所示，当已完成“研磨垫寿命测试”的研磨垫A与B，分别以各清洗组合物清洗后所得的残留物成分看来，研磨垫A上并没有表面活性剂的残留，因此显然地，实施例2在先前的多次清洗过程中，已将表面活性剂完全去除，但是研磨垫B仍然被各清洗组合物洗出不少表面活性剂，就表示比较例8的组合物并未能于清洗过程中确实去除表面活性剂，所以清洁效果不佳，另一方面，就同一研磨垫的BTA去除能力而言，实施例1-3也显然优于比较例8、10、11。
通过以上说明以及各项测试的证实，可知本发明水性清洗组合物并不具有腐蚀性，挥发性低而不会散发恶臭，符合环境保护的诉求，所以对环境、人员及产品等各层面都没有负面影响，当然可供须执行晶圆抛光程序的相关业者安心使用，又，和目前广被采用的清洁液相比，本发明水性清洗组合物也具有更优异的清洁效果，并可确实大大地延长研磨垫的使用寿命，此外，本发明水性清洗组合物的配制方式也十分简单，并不需以特殊或价格甚高的化学用品为成分，也不必通过特制设备来操作才能使用，所以本发明水性清洗组合物确实符合产业界各层面的需求，而可进一步地，可维持晶圆的研磨品质，提升人员工作效益，而有助于业者降低耗材、设备、工时等各项成本，确实达到本发明的创作目的。
权利要求
1.一种用于化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物，其特征在于，具有一介于7至14之间的pH值并包含下列组份一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％的有机二质子酸；一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％的有机碱，该有机碱在水性介质下可解离出四级胺离子；以及一与该有机二质子酸及有机碱合计含量为100重量％的水性介质。
2.根据权利要求1所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是选自于以下所构成的群组草酸、柠檬酸、丙二酸、戊二酸、DL-苹果酸、琥珀酸、酒石酸，以及此等的一组合。
3.根据权利要求2所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是草酸。
4.根据权利要求2所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是柠檬酸。
5.根据权利要求2所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是琥珀酸。
6.根据权利要求2所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是戊二酸。
7.根据权利要求2所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机二质子酸是DL-苹果酸。
8.根据权利要求1所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机二质子酸的含量为0.1～5重量％。
9.根据权利要求8所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机二质子酸的含量为0.1～2重量％。
10.根据权利要求1所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机碱是选自于以下所构成的群组氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵，以及此等的一组合。
11.根据权利要求10所述的水性清洗组合物，其特征在于，该有机碱是氢氧化四甲基铵。
12.根据权利要求1所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机碱的含量为0.1～5重量％。
13.根据权利要求12所述的水性清洗组合物，其特征在于，以该组合物的总重计，该有机酸的含量为0.1～2重量％。
14.根据权利要求1所述的水性清洗组合物，其特征在于，是具有一介于10至14之间的pH值。
15.根据权利要求1所述的水性清洗组合物，其特征在于，该水性介质为水。
全文摘要
本发明是一种用于化学机械平坦化的研磨垫的水性清洗组合物，其具有一介于7至14之间的pH值并包含一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％的有机二质子酸、一以该组合物的总重计含量为0.1～20重量％且在水性介质下可解离出四级胺离子的有机碱，以及一与该有机二质子酸及有机碱合计含量为100重量％的水性介质，该水性清洗组合物不具腐蚀性与挥发性，配制方式简单，清洁效果佳而可倍增研磨垫的使用寿命，有助于业者降低耗材，设备，工时等各项成本，极富商业潜力。
文档编号H01L21/304GK101037645SQ20061005853
公开日2007年9月19日 申请日期2006年3月14日 优先权日2006年3月14日
发明者侯惠芳, 刘文政, 陈彦良, 陈瑞清 申请人:长兴开发科技股份有限公司