专利名称：光刻装置和利用清洁气体的移动来减少污染的器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻装置和制造器件的方法。
背景技术：
光刻装置是将期望的图案施加到基底或基底的一部分上的一种装置。光刻装置可以用于例如制造平板显示器、集成电路(IC)和包括微细结构的其他器件。在常规的光刻装置中，构图部件或者可以称为掩模或中间掩模版，它可以用于产生相应于平板显示器(或其他器件)的一个单独层上的电路图案。该图案例如可以通过成像在涂敷于基底上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)而传递到(一部分)基底(例如玻璃板)上。
代替电路图案，构图部件可以用于产生其他图案，例如滤色器图案或点矩阵。代替掩模，构图部件包括具有单独可控元件阵列的构图阵列。与基于掩模的系统相比，在这种系统中可以更加快速和低成本地改变图案。
平板显示器基底可以是矩形形状。设计成曝光这种类型的基底的光刻装置可以提供曝光区，该曝光区覆盖了矩形基底的全宽度，或者覆盖了部分宽度(例如一半宽度)。可以在曝光区下方扫描基底，同时在投影光束下同步扫描掩模或中间掩模版。通过这种方式，将图案传递到基底上。如果曝光区覆盖了基底的全宽度，那么可以使用单次扫描完成曝光。如果曝光区覆盖了例如基底的一半宽度，就可以在第一次扫描之后横向移动基底，然后通常是执行另一扫描来曝光基底的其他部分。
一般地，单一的基底将包含被相继曝光的相邻靶部的网络。在扫描处理期间基底布置在基底曝光台或平台上。未曝光基底即那些还没有经过曝光的基底存储在存储装置或系统中。机械手将未曝光基底装载到曝光台上，并在此随后对它们进行曝光。曝光后，已曝光的基底由机械手送回到存储库中。
光刻装置包括将清洁气体分布到光刻装置中的清洁气体供给源。因为装置内的污染会导致成像误差，所以可以提供清洁气体以便保持装置内清洁的环境。在这些光刻装置中由清洁气体供给单元提供向下流动的清洁气体，所述清洁气体供给单元布置在光刻装置中。
在某些应用中，例如在平板显示器的制造中使用的基底相对较大。例如，它们的面积超过了1m2。已经发现由于相对较大的成像面积，微粒污染就成为一个问题。特别是对于未曝光基底成为一个问题。如上所述，清洁气体就是针对上面的问题。已经发现由于基底台的布置以及其和机械手的相互作用，清洁气体在曝光前不会有效地到达未曝光基底。这可能导致成像误差。此外，在其中基底和基底台相对大的应用中，另一个结果是基底台在装置的有限空间内的移动在装载和卸载基底中会用作一个泵，该泵可以将污染微粒“泵送”到未曝光基底上。此外，移动的机械手会产生伴流影响，以及在未曝光基底上方产生在压力下的区域，这也有可能产生污染的危险。
因此，需要的是一种减小光刻装置中污染危险的系统和方法。例如，期望的是减小未曝光基底的污染危险。
发明内容
在本发明的一个实施例中，提供一种光刻装置，其包括支撑基底的基底台和使基底相对基底台移动的基底搬运器。基底搬运器适合于在曝光之前和之后将基底装载到基底台上和从基底台上卸载基底。此外，清洁气体供给系统向布置有基底的至少一个位置提供清洁气体。清洁气体供给系统可移动地安装。
根据本发明的另一个实施例，提供一种光刻装置，包括将清洁气体供给到光刻装置中未曝光基底上的清洁气体供给系统。所述清洁气体供给系统布置在移动支撑件上，并向布置有未曝光基底的至少一个位置提供清洁气体。
根据本发明的又一个实施例，提供一种器件制造方法，包括以下步骤。将带图案的辐射光束投影到基底上。调节辐射光束。调制辐射光束的截面。在基底台上支撑基底。将已调制的辐射光束投影到基底的靶部上。使基底相对基底台移动，包括在曝光之前和之后将基底装载到基底台以及从基底台上卸载基底。向布置有基底的至少一个位置提供清洁气体，其中清洁气体由可移动安装的清洁气体系统提供。
下面参考附图详细描述本发明的其他实施例、特征和优点以及本发明各个实施例的结构和操作。
在此结合附图并构成说明书的一部分，这些附图和描述一起说明了本发明的一个或多个实施例，它们还可用于解释本发明的原理，以及使本领域技术人员能够理解和使用本发明。
图1和2示出了根据本发明的各个实施例的光刻装置。
图3示出了使用如图2所示的本发明的一个实施例将图案传递到基底的方式。
图4示出了根据本发明的一个实施例的光引擎的布置。
图5、6a-6g、7、8和9示出了根据本发明的各个实施例用于光刻装置的清洁气体供给系统的侧视图。
图10示出了根据本发明的一个实施例的清洁气体系统的细节。
现在将参考附图描述本发明。在图中，相似的参考数字表示相似或功能类似的元件。附加地，参考数字中最左边的数字可以确定其中参考数字第一次出现的附图。
具体实施例方式
尽管论述了具体的结构和布置，但是应该理解这仅仅是为了说明的目的。本领域技术人员应该认识到在不脱离本发明的精神和范围的条件下，可以使用其他结构和布置。对本领域技术人员来说显而易见的是还可以在各种其他应用中利用本发明。
图1示意性地表示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括照明系统IL、构图部件PD、基底台WT和投影系统PS。照明系统(照明器)IL配置成调节辐射光束B(例如UV辐射)。
构图部件PD(例如例如中间掩模版或掩模或单独可控元件阵列)调制投影光束。一般地，单独可控元件阵列的位置将相对投影系统PS固定。但是，它可以代替地与定位装置连接，该定位装置配置成根据某些参数精确定位单独可控元件阵列。
基底台WT构造成支撑基底(例如涂敷抗蚀剂的基底)W，并与配置成根据某些参数精确定位基底的定位装置PW连接；投影系统(例如折射投影透镜系统)PS配置成将由单独可控元件阵列调制的辐射光束投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。
照明系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。
这里使用的术语“构图部件”或“对比器件”应广义地解释为可以用于调制辐射光束的截面从而在基底靶部中形成图案的任何装置。该部件可以是静态构图部件(例如掩模或中间掩模版)或动态构图部件(例如可编程元件阵列)。为了简便起见，大部分描述都是关于动态构图部件，但是应该理解在不脱离本发明的范围的条件下也可以使用静态构图部件。
应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。类似地，最终在基底上形成的图案可以和在任何情况下在单独可控元件阵列上形成的图案不一致。这可以是在这种布置中的情况，其中在给定的时间间隔或给定的曝光次数中逐步形成在基底的每部分上形成的最终图案，在所述时间间隔中单独可控元件阵列和/或基底的相关位置会改变。
一般地，在基底靶部上形成的图案与在靶部中形成的器件如集成电路或平板显示器的特殊功能层(例如平板显示器中的滤色器层或平板显示器中的薄膜晶体管层)相对应。这种构图部件的实例包括例如中间掩模版、可编程反射镜阵列、激光二极管阵列、发光二极管阵列、光栅光阀和LCD阵列。
构图部件的图案在电子装置(例如计算机)的辅助下进行编程，构图部件例如包括多个可编程元件(除了中间掩模版外，例如在上文中提到的所有器件)，在此构图部件可以共同地称为“对比器件”。在一个实例中，构图部件包括至少10个可编程元件，例如至少100个、至少1000个、至少10000个、至少100000个、至少1000000个或至少10000000个可编程元件。
可编程反射镜阵列包括具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理例如是反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。使用一个适当的空间滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光到达基底。按照这种方式，光束根据可寻址表面的定址图案而进行构图。
应该理解，作为一种替换方案，滤光器可以滤除衍射光，而保留非衍射光到达基底。
也可以以相应的方式使用衍射光学MEMS器件(微电子机械系统器件)阵列。在一个实例中，衍射光学MEMS器件包括多个反射条，该反射条相对彼此变形从而形成光栅，光栅将入射光反射为衍射光。
可编程反射镜阵列的另一个可替换实施例是利用微小反射镜的矩阵排列，通过施加适当的局部电场，或者通过使用压电致动装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，使得已寻址反射镜以与未寻址的反射镜不同的方向将入射的辐射光束反射；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置执行所需的矩阵定址。
另一个实例PD是可编程LCD阵列。
光刻装置包括一个或多个对比器件。例如，它可以具有多个单独可控元件阵列，每个可控元件可以彼此独立地进行控制。在这种布置中，一些或者所有单独可控元件阵列具有共同的照明系统(或部分照明系统)、用于单独可控元件阵列的共同的支撑结构和/或共同的投影系统(或部分投影系统)中的至少一个。
在一个实例中，例如图1中所示的实施例，基底W大体上为圆形，视需要地具有凹槽和/或沿其部分周边具有整平的边缘。在一个实例中，基底为多边形形状，例如矩形。
在其中基底大体上为圆形的实例中，包括多个实施例，其中基底直径为至少25mm，例如至少50mm、至少75mm、至少100mm、至少125mm、至少150mm、至少175mm、至少200mm、至少250mm、或至少300mm。在一个实例中，基底直径为至多500mm、至多400mm、至多350mm、至多300mm、至多250mm、至多200mm、至多150mm、至多100mm或至多75mm。
在其中基底为多边形例如矩形的实例中，包括多个实施例，其中基底的至少一边，例如至少2边或至少3边，的长度为至少5cm，例如至少25cm、至少50cm、至少100cm、至少150cm、至少200cm或至少250cm。
在一个实例中，基底的至少一边的长度为至多1000cm，例如至多750cm、至多500cm、至多350cm、至多250cm、至多150cm或至多75cm。
在一个实例中，基底W是晶片，例如半导体晶片。在一个实例中，晶片材料选自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP和InAs构成的组。在一个实例中，晶片是III/V族复合半导体晶片。在一个实例中，晶片是硅晶片。在一个实施例中，基底是陶瓷基底。在一个实例中，基底是玻璃基底。在一个实例中，基底是塑料基底。在一个实例中，基底是透明的(对于裸眼来说)。在一个实例中，基底是有色的。在一个实例中，基底没有颜色。
基底的厚度可以变化，在某种程度上，它取决于例如基底材料和/或基底尺寸。在一个实例中，厚度是至少50μm，例如至少100μm、至少200μm、至少300μm、至少400μm、至少500μm或至少600μm。在一个实例中，基底的厚度是至多5000μm，例如至多3500μm、至多2500μm、至多1750μm、至多1250μm、至多1000μm、至多800μm、至多600μm、至多500μm、至多400μm或至多300μm。
在曝光之前或之后，可以在例如涂布显影装置(通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在一个实例中，抗蚀剂层布置在基底上。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸液的使用或真空的使用。这里任何术语“投影镜头”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
投影系统将图案成像在单独可控元件阵列上，使得图案一致地形成在基底上。可替换地，投影系统可以成像辅助源，对于该辅助源单独可控元件阵列中的元件可用作光闸。在这方面，投影系统包括聚焦元件阵列，如微透镜阵列(即MLA)或菲涅耳透镜阵列，例如用于形成辅助源和将光点成像到基底上。在一个实例中，聚焦元件阵列(例如MLA)包括至少10个聚焦元件，例如至少100个聚焦元件、至少1000个聚焦元件、至少10000个聚焦元件、至少100000个聚焦元件或至少1000000个聚焦元件。在一个实例中，构图部件中单独可控元件的数量等于或大于聚焦元件阵列中聚焦元件的数量。在一个实例中，聚焦元件阵列中一个或多个(例如1000个或更多，大多数或者每一个)聚焦元件与单独可控元件阵列中的一个或多个单独可控元件光学相联，例如与单独可控元件阵列中的2个或多个单独可控元件相联，例如3个或多个、5个或多个、10个或多个、10个或多个、25个或多个、35个或多个，或者50个或多个。在一个实例中，例如通过使用一个或多个致动装置，MLA至少在朝向基底和背离基底的方向是可动的(例如使用致动装置)。能够使MLA朝向和背离基底移动例如可以允许在不移动基底的情况下调焦。
如这里图1和2所示出的，该装置是反射型(例如采用反射性单独可控元件阵列)。或者，该装置可以是透射型(例如采用透射性单独可控元件阵列)。
光刻装置可以具有两个(双平台)或者多个基底台。在这种“多平台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
光刻装置还可以是这样一种类型，其中至少部分基底由具有相对高的折射率的“浸液”如水覆盖，从而填充投影系统和基底之间的空间。浸液也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如应用于构图部件和投影系统之间。浸液技术在本领域中是公知的，其用于增加投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸液”不表示结构如基底必须浸没在液体中，而是表示液体在曝光期间位于投影系统和基底之间。
再次参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。在一个实施例中，辐射源提供的辐射的波长为至少5nm，例如至少10nm、至少50nm、至少100nm、至少150nm、至少175nm、至少200nm、至少250nm、至少275nm、至少300nm、至少325nm、至少350nm或至少360nm。在一个实施例中，由辐射源SO提供的辐射的波长为至多450nm，例如至多425nm、至多375nm、至多360nm、至多325nm、至多275nm、至多250nm、至多225nm、至多200nm或至多175nm。在一个实施例中，辐射具有的波长包括436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm和/或126nm。在一个实施例中，辐射包括大约为365nm或大约355nm的波长。在一个实施例中，辐射包括宽频带的波长，例如包括365、405和436nm。可以使用355nm的激光源。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照明器IL，所述光束输送系统例如包括合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照明器IL，如果需要连同光束输送系统BD一起可以称作辐射系统。
照明器IL包括调节装置AD，用于调节辐射光束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照明器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照明器可以用于调节辐射光束，以使辐射光束在其横截面上具有期望的均匀度和强度分布。照明器IL或与其相联的附加部件也可以布置成将辐射光束分成多个子光束，该子光束例如每个都能够与单独可控元件阵列中的一个或多个单独可控元件相联。例如可以使用二维衍射光栅将辐射光束分成多个子光束。在该描述中，术语“辐射的光束”和“辐射光束”包括但不限于其中光束包括多个这种辐射子光束的情况。
辐射光束B入射到构图部件PD(如单独可控元件阵列)上，并由构图部件进行调制。由构图部件PD反射之后，辐射光束B通过投影系统PS，该投影系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。在定位装置PW和位置传感器IF2(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器等等)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在辐射光束B的光路中定位不同的靶部C。在使用定位装置的地方，可以使用单独可控元件阵列的定位装置，从而例如在扫描期间精确校正构图部件PD相对光束B的光路的位置。
在一个实施例中，利用长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)可以实现基底台WT的移动，其中图1中未明确示出长行程模块和短行程模块。在一个实施例中，该装置中仅有短行程模块用于移动基底台WT。也可以使用类似的系统定位单独可控元件阵列。应该理解，投影光束B可替换地/附加地是可移动的，同时目标台和/或单独可控元件阵列具有固定的位置，从而提供所需的相关运动。这种布置有助于限制装置的尺寸。作为另一种替换方案，该方案例如能够应用于平板显示器的制造、基底台WT的定位，并且能够固定投影系统PS，基底W布置成相对基底台WT移动。例如，基底台WT具有一个系统，该系统用于以大体上不变的速度在基底上方扫描基底W。
如图1所示，辐射光束B可以通过分束器BS引向构图部件PD，该分束器配置成使得辐射首先由分束器反射，然后指向构图部件PD。应该认识到辐射光束B也可以不使用分束器而指向构图部件。在一个实施例中，辐射光束以0至90°之间的角度θ指向构图部件，所述角度例如在5至85°之间、在15至75°之间、在25至65°之间或者在35至55°之间(图1中示出的实施例为90°)。构图部件PD调制辐射光束B，并使其反射回分束器BS，该分束器将调制过的光束传输到投影系统PS。但是应该理解，可以使用可替换的布置使辐射光束B指向构图部件PD，然后指向投影系统PS。特别地，如果使用透射性构图部件，可以不需要例如如图1所示的布置。
所示的装置可以按照几种模式使用1.在步进模式中，单独可控元件阵列和基底基本保持不动，而赋予辐射光束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光区的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C时，同步扫描单独可控元件阵列和基底(即单次动态曝光)。基底相对于单独可控元件阵列的速度和方向通过投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光区的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在脉冲模式中，单独可控元件阵列基本保持不动，使用脉冲辐射源将整个图案投影到基底W的靶部C上。基底台WT以基本不变的速度移动，使得投影光束B扫描横过基底W的线。在辐射系统的脉冲之间根据需要更新单独可控元件阵列上的图案，所述脉冲可以定时成在基底W上所需的位置处曝光连续的靶部C。因此，投影光束B可以在基底W上方扫描以曝光用于基底条的整个图案。重复该处理，直到整个基底W逐行曝光。
4.在连续扫描模式，其基本上与脉冲模式相同，除了相对调制过的辐射光束B以大体上不变的速度扫描基底，然后当投影光束B扫描过基底W并使其曝光时更新单独可控元件阵列上的图案。可以使用大体上不变的辐射源或脉冲辐射源，并使其与单独可控元件阵列上的图案的更新同步。
5.在像素网格成像模式中，其可以使用图2的光刻装置执行，通过随后对由光点发生器形成的光点曝光，可以在基底W上形成图案，所述光点指向构图部件PD。已曝光的光点具有大体上相同的形状。光点以大体上网格的方式印刷在基底W上。在一个实例中，光点尺寸大于印刷的像素网格的节距，但是远小于曝光光点网格。通过改变印刷光点的强度，可以获得图案。可以在曝光闪光之间改变光点上的强度分布。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。
在光刻法中，在基底的抗蚀剂层上曝光图案。然后使抗蚀剂显影。随后，在基底上执行附加的处理步骤。这些随后的处理步骤对基底每部分的作用取决于抗蚀剂的曝光。特别地，可以调整这些处理，使得接收超过给定剂量阀值的辐射剂量的基底的各个部分不同地相应于接收低于给定剂量阀值的辐射剂量的基底的各个部分。例如，在蚀刻处理中，接收超过阀值的辐射剂量的基底区域由显影的抗蚀剂层保护而不被蚀刻。但是，在后曝光显影中，去除了接收低于阀值的辐射剂量的抗蚀剂部分，因此这些区域不受保护而被蚀刻。从而，可以蚀刻期望的图案。特别地，构图部件中单独可控元件设定成使得透射到图案特征中基底区域上的辐射具有足够高的强度，即在曝光期间该区域可接收超过剂量阀值的辐射剂量。通过设定相应的单独可控元件以提供零或非常低的辐射强度，基底上的其他区域可接收低于剂量阀值的辐射剂量。
实际上，处于图案特征边缘的辐射剂量不会突然从给定的最大剂量变化到零剂量，即使单独可控元件设定成在特征边界的一侧提供最大辐射强度，而在另一侧提供最小辐射强度。相反，由于衍射效应，辐射剂量的水平在过渡区逐渐减小。最终由显影的抗蚀剂形成的图案特征的边界位置由接收的剂量下降到低于辐射剂量阀值的位置确定。通过将单独可控元件设定在最大或最小强度水平以及设定在最大和最小强度水平之间，可以精确控制在过渡区上辐射剂量迅速下降的曲线以及图案特征边界的精确位置，所述单独可控元件可向基底上多个点提供辐射，这些点在图案特征边界上或附近。通常将其称为“灰度级调节”(grayscaling)。
灰度级调节可以更好地控制图案特征边界的位置，这在光刻系统中是可能的，其中由给定单独可控元件提供给基底的辐射强度可以仅设定为两个值(也就是最大值和最小值)。在一个实施例中，将至少三个不同的辐射强度值投影到基底上，所述至少三个不同的辐射强度值例如是至少4个辐射强度值、至少8个辐射强度值、至少16个辐射强度值、至少32个辐射强度值、至少64个辐射强度值、至少128个辐射强度值或至少256个辐射强度值。
应该理解，可以为了附加的或可替换的目的将灰度级调节用于上述情况。例如，可以调节在曝光之后对基底的处理，从而根据所接收的辐射剂量水平，存在超过两种的基底区域的电位响应。例如，接收低于第一阀值的辐射剂量的基底部分以第一方式响应；接收高于第一阀值但低于第二阀值的辐射剂量的基底部分以第二方式响应；以及接收高于第二阀值的辐射剂量的基底部分以第三方式响应。因此，灰度级调节可以用于在基底上提供具有超过两个期望剂量水平的辐射剂量曲线。在一个实施例中，辐射剂量曲线具有至少2个期望剂量水平，例如至少3个期望剂量水平、至少4个期望剂量水平、至少6个期望剂量水平或至少8个期望剂量水平。
还应该理解，可以利用多种方法控制辐射剂量曲线，所述方法不同于如上所述的通过仅仅控制在基底的每一点上接收的辐射强度的方法。例如，在基底的每一点上接收的辐射剂量可替换地或附加地可以通过控制所述点的曝光持续时间进行控制。作为另一个实例，基底上的每个点可以在多个连续的曝光中潜在地接收辐射。因此可替换地或附加地，通过使用选定子组的所述多个连续曝光曝光所述点，可以控制每个点接收的辐射剂量。
为了在基底上形成所需的图案，有必要将构图部件中的每个单独可控元件在曝光处理期间设定在每个平台上所需的状态。因此必须将表示所需状态的控制信号传输给每个单独可控元件。在一个实例中，光刻装置包括产生控制信号的控制器。以限定矢量的形式例如GDSII把要在基底上形成的图案提供给光刻装置。为了将设计信息转换成每个单独可控元件的控制信号，控制器包括一个或多个数据操作设备，每个数据操作设备配置成执行对表示图案的数据流的处理步骤。这些数据操作设备可以共同地称为“数据通路”。
数据通路的数据操作设备可以配置成执行一个或多个下列功能将基于矢量的设计信息转换成位案数据；将位案数据转换成所需/所需的辐射剂量图(也就是基底上所需的辐射剂量曲线)；将所需的辐射剂量图转换成每个单独可控元件的所需辐射强度值；以及将每个单独可控元件的所需辐射强度值转换成相应的控制信号。
图2示出了根据本发明的装置的布置，其可以用于例如平板显示器的制造。相应于如图1所示元件的那些元件用相同的参考数字表示。此外，对各个实施例的以上描述，例如基底的各种结构、对比器件、MLA、辐射光束等等仍然可以适用。
图2示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置的布置。该实施例可以用于例如平板显示器的制造。相应于如图1所示元件的那些元件用相同的参考数字表示。此外，对各个实施例的以上描述，例如基底的各种结构、对比器件、MLA、辐射光束等等仍然可以适用。
如图2所示，投影系统PS包括扩束器，该扩束器包括两个透镜L1、L2。第一透镜L1布置成接收调制的辐射光束B，并将其透过孔径光阑AS中的小孔聚焦。另一个透镜AL可以设置在小孔中。然后使辐射光束B发散并利用第二透镜L2(例如物镜)聚焦。
投影系统PS还包括透镜阵列MLA，其布置成接收扩展调制的辐射B。不同部分的调制辐射光束B相应于构图部件PD中的一个或多个单独可控元件，它们通过透镜阵列MLA中相应的不同透镜。每个透镜ML将调制的辐射光束B的相应部分聚焦到位于基底W上的点。通过这种方式将辐射光点S的阵列曝光到基底W上。应该理解，尽管仅仅示出了所示透镜阵列14中的八个透镜ML，但是透镜阵列可以包括数以千计的透镜(同样可以使用单独可控元件阵列作为构图部件PD)。
图3示意性地示出了根据本发明的一个实施例如何使用图2的系统在基底W上产生图案。实心圆表示由投影系统PS中的透镜阵列MLA投影到基底上的光点S的阵列。使基底相对投影系统在Y方向移动，同时在基底上进行一系列曝光。空心圆表示之前已经在基底上曝光过的光点曝光SE。如所示出的，由投影系统PS中的透镜阵列投影到基底上的每个光点可以使基底W上的一行R光点曝光。通过由每个光点S曝光的所有行R的光点曝光SE的总和，可以产生基底的全部图案。如上所述，这种布置可以共同地称为“像素网格成像”。
可以看出，辐射光点S的阵列以角度θ相对基底W(与X和Y方向平行放置的基底边缘)布置。这样做可以使得当沿扫描方向(Y方向)移动基底时，每个辐射光点将在基底的不同区域上通过，由此允许整个基底由辐射光点15的阵列覆盖。在一个实施例中，角度θ是至多20°、10°，例如至多5°、至多3°、至多1°、至多0.5°、至多0.25°、至多0.10°、至多0.05°或至多0.01°。在一个实施例中，角度θ是至少0.0001°。
图4示意性地示出了根据本发明的一个实施例如何使用多个光引擎在单次扫描中曝光整个平板显示器的基底W。在一个实例中，利用八个光引擎(未示出)产生所示出的八个辐射光点S的阵列31，该阵列以两行32、33的方式布置成‘棋盘’结构，使得辐射光点S的一个阵列边缘与辐射光点15的相邻阵列的边缘略微重叠(沿扫描方向Y)。在一个实例中，光引擎以至少3行例如4行或5行的方式布置。在该实例中，一个辐射带扫过基底W的宽度，从而在单次扫描中执行对整个基底的曝光。应该理解，可以使用任何合适数量的光引擎。在一个实例中，光引擎的数量是至少1个，例如至少2个、至少4个、至少8个、至少10个、至少12个、至少14个或至少17个。在一个实例中，光引擎的数量小于40个，例如小于30个或小于20个。
每个光引擎包括如上所述的单独照明系统IL、构图部件PD和投影系统PS。但是应该理解，两个或多个光引擎可以共用照明系统、构图部件和投影系统中的一个或多个的至少一部分。
数据通路配置成向每个光引擎提供控制数据顺序，所述控制数据顺序适合于产生由该光引擎曝光的所需剂量图案的一部分。每个控制数据顺序可从用户限定的所要求剂量图案的一个部分(多个部分)导出。通常该导出处理包括光栅化步骤(例如，将基于矢量的图案定义转换成位图表示)和/或解压步骤，可以在线(即大体上实时)执行上述步骤中的一个或两个，同时使基底曝光。通常不可能直接从整个所要求剂量图案的原始(即未压缩的)位图表示产生控制数据，因为该表示太大以至于不能以容易存取和节省成本的方式进行存储。
因此光刻装置的性能取决于数据操作设备执行其各自计算(例如光栅化、解压等等)的速度。为此，由于典型剂量图案所需计算的数值范围，在一个实例中数据操作设备可以由专用的计算硬件构成，并使所述计算硬件对涉及的计算类型进行优化。例如，可以使用包括现场可编程门阵列的大规模平行处理系统。
所要求剂量图案的复杂性可以从图案的一个区域相当大地变化到另一个区域，其通常不是预先知道的。实际上，期望的是光刻装置的用户在选择剂量图案时应该具有完全的自由度。在一个实例中，对图案的选择应该不会影响光刻处理的速度。
如上所述，在一个实例中，可以在多个光引擎之间划分构图处理，可以为每个光引擎提供数据操作设备，以便平行地为每个数据操作设备产生控制数据顺序。
图5示出了用于本发明的一个实施例的光刻装置的清洁气体供给系统的侧视图表示。根据一个实施例，提供一种清洁气体供给系统FU，IP，OP，用于向基底W，UW，EW提供清洁气体。所提供的清洁气体包括但不限于空气或氮气。基底W可以是已曝光的基底EW、未曝光基底UW或部分曝光的基底中的任何一个。
在所有附图中，已曝光的基底部分用竖直的条表示，未曝光基底部分用锯齿形条表示。
在一个实例中，清洁气体供给系统FU、IP、OP配置成位于可动支撑件LT、UT上，和配置成向布置有基底W、UW、EW的至少一个位置L提供清洁气体G。通过这种方式，改进装置内的清洁气体。特别地，清洁气体被供给到在常规的装置中供给不足的区域。
图5显示了其上布置有基底台WT的框架SF，在WT和SF之间例如是空气轴承AB的结构。此外，提供一计量框架(未示出)，其包括具有透镜的投影系统。计量框架安装在平台框架SF上。为了防止振动通过底座BF传输到基底台WT，在框架SF和底座BF的基底台WT之间布置隔振系统VIS。布置有基底W的位置L包括基底台WT上的位置和基底搬运器LT、UT中的位置。基底搬运器LT、UT配置成使基底W、UW、EW相对基底台WT移动，基底搬运器LT、UT适合于在曝光之前和之后将基底LT装载到基底台WT上和从基底台WT上卸载基底UT。
基底搬运器UT、LT包括装载台LT和卸载台UT中的至少一个。基底搬运器还包括输送装置，用于促进将基底输送到卸载台和装载台。基底搬运器还包括e形销EP，用于分别在卸载台LT和装载台UT上支撑基底。
在一个实例中，清洁气体供给系统FU、IP、OP布置在装载台LT上方，以便在未曝光基底的热预调节的过程中向未曝光基底供给清洁气体。
在另一个实例中，如图5所示，清洁气体供给系统FU布置在卸载台UT下方，以便在对基底台WT上的基底UW执行扫描和曝光中至少一个的过程中向未曝光基底UW供给清洁气体。通过这种方式，可以产生过压，以防止空中的微粒到达特别是未曝光的基底。这可以通过对目标产生相对低的冲击的代价来实现。此外，可以在装置中布置基底W、UW、EW的位置处产生调节的环境。可以控制调节环境的位置以便提高利用装置中的清洁气体的效率。通过这种方式，某些特定区域例如其中布置有未曝光基底的环境可以以改进的方式进行调节。通过这种方式，可以获得改进特殊污染的性能，这样就可以获得改进的用户收益和改进的所有权成本。这在许多装置中都是特别期望的，这些装置布置成生产具有大的成像面积的器件，例如平板显示器。在平板显示器的制造过程中，平板显示器和集成电路(FPD/IC)的比率是大约(500×400mm2)/(26×32mm2)，该比率等于大约240。但是，该比率可以从大约0.1变化到大约1000。
如所述的，清洁气体供给系统FU、IP、OP配置成向布置有基底的至少一个位置L供给清洁气体G。参考图10示出和描述清洁气体供给系统的进一步细节。
在一个实例中，清洁气体供给系统FU、IP、OP可移动地安装。在一个实例中，清洁气体供给系统FU、IP、OP安装在基底搬运器LT、UT上。此外，清洁气体供给系统FU、IP、OP可以和基底搬运器LT、UT一起移动。基底搬运器包括装载台LT和卸载台UT中的至少一个。
在一个实例中，清洁气体供给系统FU、IP、OP安装在基底搬运器LT的上侧US。特别地，安装在装载台LT的上侧US。
清洁气体供给系统配置成将清洁气体G朝装载台和卸载台UT中至少一个上的位置L引导，所述位置布置有基底。在如图5所示的实施例中，没有示出的基底处于装载台LT上的位置L。但是，如参考图6a至6g的示例性顺序所描述的，在循环期间，将基底输送到该位置用于装载到基底台WT上。装载台LT布置成将基底装载到基底台WT上。卸载台UT布置成从基底台WT上卸载基底。
在另一个实例中，清洁气体供给系统FU、IP、OP安装在基底搬运器UT的下侧UNS。特别地，安装在卸载台UT的下侧UNS，并布置成将清洁气体朝基底台WT上的位置引导，所述位置布置有基底UW。
在一个实例中，可以提供支撑件SU用于将清洁气体供给系统FU、IP、OP可支撑地安装在基底搬运器LT、UT上。该支撑件由任何适于支撑清洁气体供给系统的材料构成。例如，它可以是金属结构，如钢。特别地，支撑件配置成将清洁气体供给系统可支撑地安装在装载台LT和卸载台UT中的至少一个上。
在图5所示的实施例中，用于过滤器单元FU的支撑件SU布置在装载台上。此外，第二过滤器单元布置在卸载台的下侧UNS。清洁气体供给系统是常规的系统。它包括过滤器单元FU。该过滤器单元包括气体入口和清洁气体出口。过滤器单元FU吸入气体并对其过滤。已过滤的气体通常具有的温度是大约23摄氏度+/-0.2摄氏度。已过滤的气体作为清洁气体由出口输出。清洁气体是滤除微粒的气体。在一个实例中，平板显示器制造的临界微粒大于或等于大约0.5μm。在一个实例中，平板显示器制造中的清洁气体是ISO 14644二级。
在一个实例中，从入口吸入的气体可以从外部环境吸入。可替换地，可以使其循环。过滤器单元FU可移动地安装在基底搬运器上。如在图6至12中更加详细看到的，基底搬运器可沿大体上垂直于一平面的方向移动，所述平面中的一个位置布置有基底。
在常规的光刻装置中，已经发现在卸载装置下方的容积中和在通常是大约45秒的曝光期间在基底台的基底上会形成一个特殊的问题区域。卸载台UT的下侧通常距离基底表面大约40mm。在常规的光刻装置中，在卸载台下面布置的未曝光基底上方没有提供直接的清洁气体。如上所述，通过本发明的至少一个实施例，即通过提供布置在卸载台UT下方的清洁气体供给系统可以解决这个问题。已经发现这种布置减小了对未曝光基底的污染，因此增加了成像质量。
在常规的光刻装置中，在装载台LT上的未曝光基底上方的区域是另一个特殊的问题区域。由于基底搬运器沿Z方向移动，因此就会减小和增大装载台上未曝光基底上方的容积，也就是使该容积发生变化。由于Z方向的移动，会在装置中形成气流，从而导致空气中微粒的污染危险。由于基底台的移动会进一步增大污染的危险。这些问题在用于制造平板显示器的装置中会进一步加剧，在所述装置中基底、基底台和基底搬运器的尺寸相对较大。根据本发明的一个实施例，在装载台上方提供清洁气体系统可以解决这个问题，所述清洁气体系统进一步布置成和基底搬运器一起移动。
图6a至6g示出了根据本发明的一个实施例的清洁气体供给顺序的侧视图表示。在如图5和6a至6g所示的实施例中，提供装载台LT和卸载台UT，用于提供装载或卸载的特定功能。但是，在可替换的实施例中，可以使用非专用的工作台。例如，不管装载台和卸载台描述为哪一个，都取决于顺序的步骤。这样在顺序中的一个步骤处，在图5和6a至6g中最上面示出的工作台可以指定为装载台，而在顺序的另一个步骤处，同一工作台可指定为卸载台。在示出的这种实施例中，装载台和卸载台的结构大体上相同，并如使用在顺序中特定步骤处的工作台的功能所表示的。在如图6a至6g表示的顺序中，装置部件相应于参考图5示出和描述的那些部件。在图6a、6b中，示出了在投影系统PS中的灯，其用于显示在使这些部件顺序排列期间进行曝光。
图6a示出了顺序的步骤1。图6a示出了在开始位置支撑位于投影系统PS如扫描装置下方的未曝光基底UW1的基底台WT。基底台WT在扫描装置下方沿箭头A指示的方向移动，由此辐照基底W。在进行扫描的同时，通过机械手(未示出)将之前已经曝光的基底EW沿箭头B指示的方向卸载。在对未曝光基底进行曝光时，过滤器单元FU2将清洁气体引导到基底上。
图6b示出了顺序的步骤2。图6b示出了基底台WT继续沿箭头A指示的方向移动，使得基底UW1继续被扫描。在继续扫描的同时，通过机械手(未示出)将另一个未曝光的基底UW2装载到装载台LT上。在装载期间和装载时，过滤器单元FU1将清洁气体朝另一个未曝光基底UW2引导。这样，减小了未曝光晶片污染的危险。在图6a和6b中，e形销机构有利于分别将基底装载到装载台上和从卸载台上卸载基底。
图6c示出了顺序的步骤3。图6c示出了位于其最“端部”位置处的基底台WT，使得基底UW2的整个表面都完全被扫描。应该注意，现在未曝光基底UW1已经表示为已曝光基底EW1。这样可以为基底搬运器LT、UT形成足够的空间，以使其沿箭头C指示的方向下降到扫描水平，清洁气体供给系统FU1、FU2布置在所述基底搬运器上。
图6d示出了顺序的步骤4。图6d示出了基底搬运器LT、UT位于一个位置，使得卸载台已经向下移动，而大体上与其上布置有已曝光基底EW1的基底台WT的上表面平齐。当处于该位置时，已曝光基底EW1从基底台WT上沿箭头D指示的方向卸载到卸载台UT上。
图6e示出了顺序的步骤5。当已曝光基底EW1位于卸载台UT上时，基底搬运器进一步沿箭头E指示的方向向下移动，直到装载台LT的上表面大体上与基底台WT的上表面平齐。当这两个上表面大体上平齐时，将在步骤2中装载到装载台LT上的第二未曝光基底UW2装载到基底台WT上，随后在此使其曝光。卸载台UT布置成使第二未曝光基底UW2沿箭头F指示的方向移动。
图6f示出了顺序的步骤6。当未曝光基底UW2已经装载到基底台WT上时，基底台WT等候在交换位置，同时基底搬运器沿箭头H显示的向上的方向移动。为了减小第二未曝光基底UW2被污染的危险，过滤器单元FU3布置成将清洁气体引导到未曝光基底的表面上，同时使基底保持在交换位置，以及向上移动基底搬运器。使基底搬运器向上移动，直到当未曝光基底移动到曝光位置时，布置在卸载台UT下侧上的过滤器单元FU2处于能够将清洁气体引导到未曝光基底上的位置。
图6g示出了顺序的步骤7。当如图6f所示，使基底搬运器向上移动时，通过沿箭头I的方向移动基底台使基底台WT移动到曝光位置。为了进一步减小还未曝光的基底UW2被污染的危险，过滤器单元FU2布置成将清洁气体引导到基底上，同时使基底台移动到曝光位置。通过这种方式，进一步减小污染的危险。在步骤7之后，顺序返回到步骤1，如图6a所示。重复以上顺序。
图7示出了根据本发明的另一个实施例用于光刻装置的清洁气体供给系统的侧视图表示。特别地，图7示出了包括装载台LT的基底搬运器的细节。基底搬运器还包括机械手RO，用于将基底布置在装载台或卸载台上或者从装载台或卸载台上卸下基底。机械手RO由控制电路CO控制。
在图7中，机械手RO布置成将基底W放置在装载台LT上。为了保持基底周围清洁的环境，在装载台LT和卸载台UT中的至少一个和机械手RO之间提供阀VA。所述阀VA布置成选择性地允许机械手达到装载台和卸载台中的至少一个。在图7中，阀VA处于闭合位置。为了允许机械手RO达到装载台，例如可以向上或向下移动阀VA。换句话说，装载台和卸载台LT、UT可以看作是可用阀VA封闭的盒子。所述阀可以结合另一个阀，后者可以隔离光刻装置与清洁室，即切断与基底处理涂布显影装置的干涉。在一个实施例中，过滤器单元FU1、FU2和阀VA配置成围绕基底提供清洁气体环境。
利用至少一个密封SE可以进一步改进在光刻装置中围绕基底的环境10的清洁度。可以在装载台LT和卸载台UT中的至少一个和阀VA之间提供密封SE。所述密封配置成使其中布置有基底的环境与外部环境密封。这可以通过在相对外部环境布置有基底的环境中形成过压力实现。利用过滤器单元FU1和阀VA之间的间隙可以形成密封SE。可以在装载台LT和其上安装有过滤器单元FU1的支撑件SU之间提供另一个密封。例如，所述密封包括在支撑件SU中形成的间隙，所述支撑件将清洁气体供给系统支撑在基底搬运器上。
清洁气体供给系统配置成向其中布置有基底的环境供给气体。在图7中，气体由过滤器单元FU1供给。气体如箭头G所指示的流动。间隙的尺寸形成为使得气体从环境10受控地泄露到外部20。通过允许一定量的气体逸出环境，可防止来自外部20可能被污染的气体进入环境10。
在一个实施例中，密封配置成允许清洁气体从其中布置有基底的环境泄露，并防止外部环境的气体进入其中布置有基底的环境。例如，密封包括一个间隙，其尺寸形成为使得布置有基底的环境中的气体优选在间隙中具有层流。为了获得层流，雷诺数可以不超过取决于几何形状的临界值。可以利用等式(1)按常规的方式计算雷诺数Re=ρDVμ]]>其中Re是雷诺数，rho是流体密度，D是通常距离，V是流体速度，muμ是流体粘度。间隙中气体的速度是大约1.5米每秒。为了在间隙中获得层流，间隙是大约15毫米。如果流动太慢，气体可能从外部渗入。此外，如果流动太快，间隙中的流动可能变成紊流，这也会增大不清洁气体进入环境10的危险。
在图7中，示出了两个密封。在一个实施例中，这些密封具有同样的间隙尺寸。通过这种方式，可以获得均匀的流动。在可替换的实施例中，这些间隙具有不同的尺寸。其遵循等式(1)，即如果增大间隙尺寸，则增大离开过滤器单元FU的气体速度，以便保持层流。
图8示出了根据本发明的又一个实施例用于光刻装置的清洁气体供给系统的侧视图表示。特别地，图8示出了基底搬运器的细节，包括卸载台UT，在卸载台下侧上安装有过滤器单元FU2。卸载台UT可为过滤器单元FU2提供牢固和稳定的安装位置。
如图8所示，基底台布置成沿箭头A指示的方向执行扫描移动。在如图8所示的实施例中，当基底台WT在投影系统PS下方移动时，密封也同时移动。通过在基底台WT上相对紧靠基底例如距离基底大约15-25毫米地布置过滤器单元FU2，可以形成移动的密封。这种布置可以在基底32的前缘和过滤器单元30的前缘之间形成密封。特别地，密封SE的位置相对基底台WT移动。当基底台WT沿扫描方向移动时，通过布置在基底台上基底的前缘32和清洁气体供给系统FU可以形成相对基底台WT的移动密封SE。过滤器单元FU2的下侧前缘30也可以成形为使得进一步有利于保持环境10的密封。
在一个实例中，在图8所示实施例中的间隙尺寸是大约15至25毫米。根据基底台WT的速度，可以改变来自过滤器单元FU2的气流G。根据是在扫描期间还是在空转行程期间移动基底台WT，可以以不同的速度使其移动。例如，扫描速度相对较低，其速度可以是大约50-100毫米每秒。但是，空转行程速度相对较快，其速度例如可以是大约1米每秒。在空转行程期间，例如为了保持密封，间隙中层流的气流比空转行程的速度更大。
图9示出了根据本发明的又一个实施例用于光刻装置的清洁气体供给系统的侧视图表示。特别地，图9示出了基底搬运器的细节，所述基底搬运器包括其中安装有过滤器单元FU1的装载台LT、卸载台UT、以及构造成允许将来自过滤器单元FU1的清洁气体朝布置在卸载台UT上的已曝光基底EW引导的阀。这样，在该实施例中，尽管特别地围绕已曝光基底EW没有提供小型的主动环境，但是阀可以用于将来自过滤器单元FU1的清洁气体输送到已曝光基底EW上方。可以按照参考图7描述的方式操作阀VA。但是此外，该阀具有凹槽40，使得离开过滤器单元FU1的已过滤气体G可以通过装载台LT，从而达到已曝光基底EW。在一个实例中，阀构造成允许来自安装于装载台LT上的过滤器单元FU1的气体被引导到布置在卸载台上的基底EW。此外，阀VA包括气体可以通过的凹槽40，从而围绕装载台传输，并将气体引导到卸载台。
提供多个密封SE1、SE2、SE3以包围环境10。在过滤器单元FU1和阀VA之间提供第一密封SE1。在装载台LT和支撑件SU之间提供第二密封，支撑件上安装有过滤器单元FU1。在卸载台UT和基底搬运器的壁部WA之间提供第三密封SE3。这些密封可以按照上面参考图7描述的方式进行构造。这些密封都是一样的，以便形成均匀的流动。但是，这不是必须的。
图10示出了根据本发明的一个实施例的清洁气体供给系统的细节。所述清洁气体供给系统包括用于过滤气体的过滤器单元FU、用于对已过滤气体进行热调节的热交换器HE、用于控制气体流速的风扇单元FA以及用于化学过滤所述气体的化学过滤器CF中的至少一个。例如，气体从外部环境吸入到入口阀IN。在气体通过风扇单元FA之前，最初对其进行化学过滤。气体也可以在通过过滤器单元FU之前进行热调节。根据情况可以改变对气体进行过滤、热调节、使其通过风扇的顺序。在一个实例中，热交换器HE可以布置在过滤器单元FU的上游或下游。
在图10所示的实施例中，清洁气体供给系统的单元FU、HE、FA、CF都作为可动单元安装在布置于装载台LT上的支撑件SU上。在可替换的实施例中，热交换器HE、风扇单元FA和化学过滤器CF中的至少一个相对过滤器单元远距离布置。例如，布置在光刻装置中的其他位置。
在一个实例中，过滤器单元FU可动地安装在装载台上，而热交换器HE、风扇单元FA和化学过滤器CF布置在其他位置。在另一个实施例中，过滤器单元FU和热交换器HE可动地安装在装载台LT上，而风扇单元FA和化学过滤器CF布置在其他位置。在又一个实施例中，过滤器单元FU、热交换器HE和风扇单元FA可动地安装在装载台LT上，而化学过滤器CF布置在其他位置。在其中这些单元中的至少一个布置在其他位置的实施例中，提供一供给元件以便从远距离布置的一个单元或多个单元向可动安装的一个单元或多个单元供给气体。通过将清洁气体供给系统的各个单元布置在可动装载台LT上或者装置中，可以根据每个特殊装置使光刻装置中有限空间的利用效率最优化。
尽管可以在本申请中具体参考使用该光刻装置制造特定器件(例如集成电路或平板显示器)，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用。这些应用包括但不限于制造集成电路、集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头、微电子机械器件(MEMS)等等。此外，例如在平板显示器中，本装置可以用于辅助各个层的形成，所述层例如是薄膜晶体管层和/或滤色器层。
尽管在上面可以具体参考在本申请的光学光刻法过程中使用本发明的实施例，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的外形限定了在基底上形成的图案。构图部件的外形还可以挤压到施加于基底上的抗蚀剂层中，并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个顺序的描述了上面所公开的方法的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
尽管上面已经描述了本发明的各种实施例，但是应该理解，它们仅仅是作为实例而不是作为限制提供的。对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的条件下，可以进行各种形式和细节上的变化。因此，本发明的宽度和范围并不受任何一个上述示例性实施例的限制，而仅受后面的权利要求及其等同物的限制。
应该理解，详细的说明部分不包括发明概述和摘要部分可以用于解释权利要求。发明概述和摘要部分可以列出一个或多个，但是如由本发明人设想的本发明的所有示例性实施例并不都是为了以任何方式限制本发明和随附的权利要求。
权利要求
1.一种光刻装置，包括支撑基底的基底台；使基底相对基底台移动的基底搬运器，所述基底搬运器适合于在曝光之前和之后将基底装载到基底台上和从基底台上卸载基底，以及向布置有基底的至少一个位置提供清洁气体的清洁气体供给系统，其中清洁气体供给系统可移动地安装。
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统安装在基底搬运器上。
3.根据权利要求1所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统和基底搬运器一起移动。
4.根据权利要求1所述的光刻装置，其中基底搬运器包括装载台和卸载台中的至少一个。
5.根据权利要求4所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统安装在基底搬运器的上侧，并将清洁气体朝布置有基底的装载台和卸载台中至少一个上的位置引导。
6.根据权利要求1所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统安装在基底搬运器的下侧，并将清洁气体朝布置有基底的基底台上的位置引导。
7.根据权利要求4所述的光刻装置，还包括将清洁气体供给系统可支撑地安装在基底搬运器上的支撑件。
8.根据权利要求7所述的光刻装置，其中支撑件可支撑地将清洁气体供给系统安装在装载台和卸载台中的至少一个上。
9.根据权利要求1所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统包括具有气体入口和清洁气体出口的过滤器单元，其中所述过滤器单元可动地安装在基底搬运器上。
10.根据权利要求9所述的光刻装置，其中过滤器单元是微粒过滤器单元和化学过滤器单元中的至少一个。
11.根据权利要求1所述的光刻装置，其中基底搬运器沿大体上垂直于一平面的方向移动，在所述平面中的一个位置布置有基底。
12.根据权利要求4所述的光刻装置，其中基底搬运器包括机械手，用于将基底布置在装载台和卸载台至少一个上和从装载台和卸载台至少一个上卸下基底。
13.根据权利要求12所述的光刻装置，还包括布置装载台和卸载台中的至少一个和机械手之间的阀，所述阀选择性地允许机械手达到装载台和卸载台中的至少一个。
14.根据权利要求13所述的光刻装置，还包括布置在装载台和卸载台中的至少一个和所述阀之间的密封，所述密封使其中布置有基底的环境与外部环境密封。
15.根据权利要求14所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统向其中布置有基底的环境提供气体。
16.根据权利要求15所述的光刻装置，其中所述密封允许清洁气体从其中布置有基底的环境泄漏，和防止气体从外部环境进入其中布置有基底的环境。
17.根据权利要求16所述的光刻装置，其中通过在相对外部环境的环境中产生过压形成所述密封。
18.根据权利要求16所述的光刻装置，其中所述密封包括间隙，其尺寸形成为使得其中布置有基底的环境中的气体在间隙中具有层流。
19.根据权利要求14所述的光刻装置，其中所述密封的位置相对基底台移动。
20.根据权利要求19所述的光刻装置，其中在基底台的扫描移动期间，由布置在基底台上的基底前缘和清洁气体供给系统形成移动的密封。
21.根据权利要求14所述的光刻装置，其中所述密封包括形成在支撑件中的间隙，所述支撑件将清洁气体供给系统支撑在基底搬运器上。
22.根据权利要求1所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统包括用于过滤气体的过滤器单元、用于热调节气体的热交换器、用于确定气体流动的风扇单元和用于化学过滤气体的化学过滤器中的至少一个。
23.根据权利要求22所述的光刻装置，其中热交换器、风扇单元和化学过滤器中的至少一个相对过滤器单元远距离布置。
24.根据权利要求23所述的光刻装置，其中热交换器、风扇单元和化学过滤器中的至少一个布置在光刻装置中。
25.根据权利要求1所述的光刻装置，其中所述装置还包括调节辐射光束的照明系统；调制辐射光束的构图部件；以及将调制的辐射光束投影到基底靶部的投影系统。
26.一种光刻装置，包括未曝光基底；和向未曝光基底供给清洁气体的清洁气体供给系统，其中清洁气体供给系统配置成布置在移动支撑件上，和配置成向布置有未曝光基底的至少一个位置供给清洁气体。
27.根据权利要求26所述的光刻装置，还包括构造成支撑至少一个未曝光基底或至少一个其他基底的基底台，和使至少一个未曝光基底或至少一个其他基底相对基底台移动的基底搬运器，所述基底搬运器适合于在曝光之前和之后将至少一个未曝光基底或至少一个其他基底装载到基底台上和从基底台上卸载至少一个未曝光基底或至少一个其他基底，其中基底搬运器包括装载台和卸载台中的至少一个。
28.根据权利要求27所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统布置在装载台上方，以便在未曝光基底的热预调节期间向未曝光基底供给清洁气体。
29.根据权利要求30所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统布置在卸载台下方，以便在基底台上未曝光基底的扫描和曝光至少之一的过程中向未曝光基底供给清洁气体。
30.根据权利要求26所述的光刻装置，其中清洁气体供给系统包括过滤器和阀，它们提供围绕基底的清洁气体环境。
31.根据权利要求30所述的光刻装置，其中所述阀构造成允许从安装在装载台上的清洁气体供给系统将气体引导到布置在卸载台上的至少一个未曝光基底或至少一个其他基底。
32.根据权利要求31所述的光刻装置，其中所述阀包括气体通过的凹槽，以使气体围绕装载台通过，将气体引导到卸载台。
33.一种器件制造方法，包括调节辐射光束；调制辐射光束；在基底台上支撑基底；将已调制的辐射光束投影到基底的靶部上，使基底相对基底台移动，包括在曝光之前和之后将基底装载到基底台以及从基底台上卸载基底；以及向布置有基底的至少一个位置提供清洁气体，其中清洁气体由可移动安装的清洁气体系统提供。
34.根据权利要求33所述的方法制造的平板显示器。
35.根据权利要求33所述的方法制造的集成电路器件。
全文摘要
一种光刻装置包括支撑基底的基底台和使基底相对基底台移动的基底搬运器。基底搬运器适合于在曝光之前和之后将基底装载到基底台上和从基底台上卸载基底。此外，清洁气体供给系统向布置有基底的至少一个位置提供清洁气体。清洁气体供给系统可移动地安装。利用所述光刻装置的器件制造方法可以用于制造平板显示器和集成电路器件中的至少一个。
文档编号H01L21/00GK1892434SQ20061009967
公开日2007年1月10日 申请日期2006年6月28日 优先权日2005年6月29日
发明者B·A·J·鲁蒂克休斯, P·R·巴特雷, W·J·博西, M·K·斯塔芬加, T·哈林克 申请人:Asml荷兰有限公司