专利名称：硅锗外延层的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体结构的形成方法，且特别是涉及以选择性外延成 长工艺形成硅锗外延层的方法。
背景技术：
当半导体集成电路进入深次微米(Deep Sub-Micron)的工艺时，元件的尺 寸逐渐缩小，使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。但是当元 件的尺寸再进一步缩小时，以金属氧化物半导体晶体管(MOS transistor)来 说，栅极和源极/漏极的阻值与寄生电容(parasitic capacitance)会随着增加，使 元件缩小化所带来的整体电路效能的提升受到阻碍。若元件尺寸再继续缩 小，整个元件的面积将会被源极/漏极的欧姆接触(ohmiccontact)占掉大部份， 也因此设下了集成电路集成度(integrity)的上限。
目前业界将硅锗外延层的选择性外延成长的工艺应用在半导体工艺上， 以克服上述的问题。这是因为锗原子的半径比硅原子的半径大，所以当锗原 子取代部份硅原子，进入硅的晶格(lattice)中时，整个晶格会因此而扭曲。在 电荷携带者的密度相同时，晶格扭曲的硅或硅锗合金(strained Si or strained SiGe)，和单晶硅比其来，其电子和空穴的移动性都大幅增加，分别增加5 和10倍左右，如此一来便能够降低元件阻值，使集成电路的集成度可以继 续提高，发展下一代甚至下二代的产品。
然而，若是硅锗外延层的均匀度不佳，将会造成图案负载效应(pattern loading effect)的问题，使得后续的工艺不易控制，而影响工艺的成品率。再 者，若对于硅锗外延层的选择性外延成长工艺的控制不当，容易在非预定处 生成硅锗外延层(即选择裕度小)，或是导致硅锗外延层的成长速度慢、产 量低等问题。尤有甚者，尚且会破坏金属氧化物半导体晶体管的绝缘间隙壁 界面。
因此，如何在兼顾硅锗外延层均匀度的要求下，同时又可以达到相当的 产量，并且维持良好的绝缘间隙壁界面，已经成为业界亟待解决的课题之一。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种硅锗外延层的制造方法，其可 兼顾硅锗外延层的均匀度及工艺的产量。
本发明的又一目的是提供一种硅锗外延层的制造方法，利用高温选择性 外延成长工艺与低温选择性外延成长工艺以形成硅锗外延层。
本发明提出一种硅锗外延层的制造方法，此方法包括先于第一条件下 进行第 一选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的 1%~20%。然后，于第二条件下进行一第二选择性外延成长工艺，其进行时 间占硅锗外延层总工艺时间99% 80%。其中，第一条件与第二条件包括温 度条件或压力条件，且第一、第二选择性外延成长各自所使用的反应气体至 少包括含硅气体与含锗气体。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，第一条件为一相对高压， 第二条件为一相对低压。于相对高压下进行的第一选择性外延成长工艺的压 力例如是大于等于10乇。于相对低压下进行的第一选择性外延成长工艺的 压力例如是小于等于5乇。
在上述硅锗外延层的制造方法的 一 实施例中，第 一条件为 一相对高温， 第二条件为一相对低温。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，于相对高温下进行的第一 选择性外延成长工艺的温度例如是介于700。C 900。C之间。而于相对低温下 进行的第二选择性外延成长工艺的温度例如是介于500。C 700。C之间。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，还包括于进行第一选择性 外延成长工艺之前，进行一预退火步骤。此外，于预退火步骤之后、第一选 择性外延成长工艺之前，更可以于基底上形成一垫层。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，反应气体还包括氯化氢， 氯化氢的流量介于50 200sccm之间。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，其中含硅气体包括硅甲 烷、硅乙烷或二氯硅甲烷。含硅气体的流量介于50 500sccm之间。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，含锗气体包括锗烷。含锗 气体的流量介于100 300sccm之间。
在上述硅锗外延层制造方法的一实施例中，栅极结构两侧的基底还包括
一凹陷，且硅锗外延层形成于此凹陷中。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，此硅锗外延层用以作为P 型金属氧化物半导体晶体管的源/漏极。
本发明提出 一种硅锗外延层的制造方法，此方法例如是先进行一 高温选 择性外延成长工艺，其所形成的硅锗外延层厚度为预定形成的硅锗外延层总
厚度的23% 50%。然后，进行一低温选择性外延成长工艺，其所形成的硅 锗外延层的厚度为该总厚度的77%~50%。高、低温选择性外延成长各自所 用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，高温选择性外延成长工艺 的温度例如介于700。C 90(TC之间，低温选择性外延成长工艺的温度例如介 于50(TC 70(TC之间。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，还包括于进行高温选择性 外延成长工艺之前，进行一预退火步骤。此外，于预退火步骤之后、高温选 择性外延成长工艺之前，更可以于基底上形成一垫层。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，反应气体还包括氯化氢， 氯化氢的流量介于50 200sccm之间。
在上述硅锗外延层的制造方法的 一 实施例中，其中含硅气体包括硅曱 烷、硅乙烷或二氯硅曱烷。含硅气体的流量介于50 500sccm之间。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，含锗气体包括锗烷。含锗 气体的流量介于100 300sccm之间。
在上述硅锗外延层制造方法的一实施例中，栅极结构两侧的基底还包括 一凹陷，且硅锗外延层形成于此凹陷中。
在上述硅锗外延层的制造方法的一实施例中，此硅锗外延层用以作为P 型金属氧化物半导体晶体管的源/漏极。
高压与低压选择性外延成长工艺)而形成硅锗外延层，不但可以维持硅锗外 延层具有一定的均勻度，降低对于工艺成品率的影响，同时又兼具有成长速 度快，产量高的优点，解决了现有技术的问题。
为让本发明上述和其它目的、特征和优点更明显易懂，下文特举优选实 施例并配合附图，详细说明如下。
图1是本发明一实施例的硅锗外延层的制造流程图。
图2A 2B是本发明另 一实施例的硅锗外延层的制造流程剖面图。 图3是本发明又一实施例的硅锗外延层的制造流程剖面图。 图4是本发明再一实施例的硅锗外延层制造流程图。 简单符号说明
110、 120、 130、 140、 410、 420、 430、 440:步骤
200:基底
203:栅介电层
205:栅极
210:棚—及结构
215、 215，绝缘间隙壁
215a、 215c、 215a，、 215b，氧化硅层
215b、 215c，氮化石圭层
220:凹陷
230:硅锗外延层
230a:底部硅锗外延层
230b:顶部硅锗外延层
240:蚀刻终止层
具体实施例方式
第一实施例
图1是本发明一实施例的珪锗外延层的制造流程图。
请参照图1，先进行预退火(pre-annealing)步骤110，其温度例如是800。C 左右。然后，于基底上形成一层垫层(步骤120)。垫层的材料与基底相同， 例如是硅。
接着，进行高温选择性外延成长工艺，高温选择性外延成长工艺进行的 时间占硅锗外延层总工艺时间的1%~20%(步骤130)。在一实施例中，高温 选择性外延成长工艺进行的时间例如是占硅锗外延层总工艺时间的 1% 15%，优选是1% 10%，更佳是3% 6%。在一实施例中，高温选择性外 延成长工艺例如是进行约30秒。
此高温选择性外延成长工艺的温度例如是介于700。C 90(TC之间，优选 例如是介于750。C 850。C之间，或是以780。C左右的高温来进行外延的成长。
在高温选择性外延成长工艺中，所使用的反应气体至少包括含硅气体与 含锗气体。含硅气体例如是硅甲烷、硅乙烷或二氯硅甲烷，舍硅气体的流量 例如是介于5(K500sccm，优选例如是介于80 150sccm左右。含锗气体例如 是锗烷，其流量例如是介于100-3 OOsccm之间，优选例如是介于130 180sccm 之间。
此外，反应气体还可以包括氯化氢，用来加强膜层的均匀度，降低负载 效应。在一实施例中，氯化氬的流量例如介于50 200sccm之间，优选介于 110 150sccm之间。
之后，进行一低温选择性外延成长工艺(步骤140),其进行的时间占硅 锗外延层总工艺时间99% 80%。在一实施例中，低温选择性外延成长工艺 进行的时间例如是占硅锗外延层总工艺时间的99% 85%,优选是99% 90%, 更佳是97% 94%。在一实施例中，低温选择性外延成长工艺例如是进行约 700~800秒。
此低温选择性外延成长工艺的温度例如是介于50(TC 70(TC之间，优选 例如是介于600°C~700°C，或是以65CTC左右的温度进行之。
低温选择性外延成长工艺中，至少会使用含硅气体与含锗气体这两种反 应气体。含硅气体例如是硅曱烷、硅乙烷或二氯硅曱烷，含硅气体的流量例 如是介于50 500sccm，优选例如是80 150sccm左右。含锗气体例如是锗烷， 其流量例如是介于100 300sccm之间，优选例如是介于130 180sccm之间。
此外，反应气体还可以包括氯化氢，用来加强膜层的均匀度，降低负载 效应。在一实施例中，氯化氢的流量例如是介于50 200sccm之间，优选是 介于110 150sccm。
值得一提的是，高温选择性外延成长工艺与低温选择性外延成长工艺可 以是使用相同的反应气体，也可以是使用不同的反应气体来进行的。
另外，特别注意的是，由于本发明主要是在形成硅锗外延层，因此，关 于预退火步骤(步骤110)与垫层的形成(步骤120)可以视工艺的需求而 择定之。
上述步骤130与步骤140是以选择性外延成长工艺进行的时间来说明， 在另一实施例中，也可以从硅锗外延层所形成的厚度来说明上述工艺步骤。
亦即，先进行的高温选择性外延成长工艺，其所形成的硅锗外延层的厚度为
预定形成的硅锗外延层总厚度的23%~50%。后进行的低温选择性外延成长
工艺，所形成的硅锗外延层的厚度则为预定形成的硅锗外延层总厚度的
77% 50%。
上述硅锗外延层的制造方法中，先利用高温选择性外延成长工艺形成底 部的硅锗外延层，再以低温选择性外延成长工艺，于基底上形成顶部的硅锗 外延层。如此一来，既可以提高选择性外延成长工艺的选择裕度，又能够增 加工艺的产量。此外，本发明提出的制造方法还可以维持绝缘间隙壁的界面 保持良好，并且兼顾硅锗外延层的均匀度，而降低图案负载效应(pattem loading effect)的影响。第二实施例
图2A至图2B是绘示本发明另一实施例的一种硅锗外延层的制造流程 剖面图。
请参照图2A，本发明提出的硅锗外延层的制造方法可应用于PMOS晶 体管的工艺。在基底200中形成隔离结构201，再于基底200上形成栅极结 构210。其中，基底200例如是硅基底，隔离结构201例如是氧化硅浅沟槽 隔离结构。栅极结构210由下而上例如包括栅介电层203与栅极205。栅介 电层203的材料例如是氧化硅，栅极205的材料例如是掺杂多晶硅、金属、 金属硅化物或其它导体。硅锗外延层至少预定形成于栅极结构210两侧的基 底200上。
在一实施例中，栅极结构210两側还可具有绝缘间隙壁215,其可为单 层的绝缘材料如氧化硅，或是多层的绝缘材料。在一实施例中，绝缘间隙壁 215由栅极结构210往外可以是一层氧化硅层215a、 一层氮化硅层215b与 一层氧化硅层215c的组合(如图2A所示)。
请参照图3，在一实施例中，绝缘间隙壁215也可以是由一层氧化硅层 215a，、 一层氧化硅层215b，与一层氮化硅层215c，组合而成。
在形成栅极结构210之后，在栅极结构205两侧的基底200中形成凹陷 220 (如图2A所示)。
请继续参照图2A,硅锗外延层将设于凹陷220之中，其制造方法例如 是先进行一预退火步骤，预退火步骤的温度例如是在800。C左右，进行的时 间例如是120秒左右。然后，于基底上形成一层垫层(未绘示)，垫层的材
料是与基底相同的材料，例如是硅。垫层的形成方法例如是以化学气相沉积
法进行20~30秒。
由于本发明主要是在形成硅锗外延层，因此，关于预退火步骤或是垫层 的形成与否可以视工艺的需求而定。
接着，请参照图2B,进行高温选择性外延成长工艺，此高温选择性外 延成长工艺的温度例如是介于700。C 900。C之间，优选例如是介于 750。C 850。C之间，或是以780。C左右的高温来进行外延的成长。高温选择性 外延成长工艺例如是进行约30秒。高温选择性外延成长工艺所形成的底部 硅锗外延层230a的厚度约为预定形成的硅锗外延层总厚度的23% 50%。在 一实施例中，底部硅锗外延层230a例如是300-600埃之间。
在高温选择性外延成长工艺中，所使用的反应气体至少包括含硅气体与 含锗气体。在一实施例中，含硅气体例如是硅曱烷、硅乙烷或二氯硅曱烷， 含硅气体的流量例如是介于50 500sccm,优选例如是介于80 150sccm左右。 含锗气体例如是锗烷，其流量例如是介于100 300sccm之间，优选例如是介 于130 180sccm之间。
此外，反应气体还可以包括氯化氢，用来加强膜层的均匀度，降低负载 效应。在一实施例中，氯化氢流量例如介于50 200sccm之间，优选是介于 110 150sccm之间。
在一实施例中，高温选择性外延成长工艺所使用的含硅气体为二氯硅曱 烷，流量是120sccm,含锗气体为锗烷，流量例如是160sccm，氯化氢气体 的流量例如是140sccm，而工艺进行中，反应气体的压力例如是15torr。
之后，请参照图2B,进行一低温选择性外延成长工艺(步骤140)，其 温度例如约500。C 700。C,优选约60(TC 700。C，更佳约650°C。低温选择 性外延成长工艺所形成的顶部硅锗外延层230b的厚度约为预定形成的硅锗 外延层总厚度的77% 50%。在一实施例中，顶部硅锗外延层230b的厚度例 如约600 1000埃。含底部、顶部硅锗外延层230a、 230b的硅锗外延层230 总厚度例如约1200 1300埃。低温选择性外延成长工艺的时间例如约 700 800秒。
低温选择性外延成长工艺至少使用含硅气体与含锗气体，前者例如是硅 曱烷、硅乙烷或二氯硅曱烷，流量例如约50 500sccm,优选约80 150sccm; 后者例如是锗烷，其流量例如约100 300sccm,优选约130 180sccm。此外，反应气体还可以包括氯化氬，用来加强膜层的均匀度，降低负载
效应。在一实施例中，氯化氢的流量例如是介于50 200sccm之间，优选是 介于110 150sccm。
在一实施例中，低温选择性外延成长工艺所使用的舍硅气体为硅甲烷， 流量是136sccm,含锗气体为锗烷，流量是265sccm,氯化氢气体的流量例 如是115sccm ，而工艺进行中的压力例如是1 Otorr。
上述实施例是以高温与低温选择性外延成长工艺所形成的硅锗外延层 厚度来说明，在另一实施例中，也可以从外延成长工艺进行的时间来说明。 如同第 一实施例中所述，高温选择性外延成长工艺进行的时间可以占硅锗外 延层总工艺时间的1% 20%,而低温选择性外延成长工艺进行的时间可以是 占硅锗外延层总工艺时间的99% 80%。
另外，选择性外延成长工艺进行的时间与其所欲形成的厚度相关，而此 厚度随着工艺世代(generation)而有所不同，且底部硅锗外延层230a与顶部 硅锗外延层230b的厚度也不尽相同，其端视元件的设计与需求而定。
另外，值得一提的是，高温选择性外延成长工艺与低温选择性外延成长 工艺可以是使用相同的反应气体，也可以是使用不同的反应气体来进行的。
形成硅锗外延层230之后，更可以于硅锗外延层230中掺杂P型掺杂物， 如硼或铟，以形成PMOS晶体管。另外，在基底200上还可以形成蚀刻终止 层240，其材料例如是氮化硅，形成方法例如是化学气相沉积法。蚀刻终止 层240例如是作为后续蚀刻接触窗(未绘示)的蚀刻终止层，且还可以兼具 有高压缩应力(compressive stress),而能够达到提高P型金属氧化物半导体晶 体管的驱动电流的效果。
由于高温选择性外延成长工艺的选择裕度大、成长速度快，可以在栅极 结构210两侧的基底200上快速地形成底部硅锗外延层230a，进而提高产量。 而且，高温选择性外延成长工艺还能维持绝缘间隙壁215的界面不受破坏。
另夕卜，以低温选^H"生外延成长工艺形成顶部硅锗外延层230b，则可以兼 顾硅锗外延层230的均匀度，而降低图案负载效应(pattern loading effect)的影 响。如此一来，可以使得后续工艺的控制较为容易，同时亦提高了工艺的成
O漆
口O午o
第三实施例
图4是绘示本发明再一实施例的一种硅锗外延层的制造流程步骤图。 请参照图4,本实施例的硅锗外延层例如是在基底上形成此硅锗外延层。
先对基底进行一表面处理步骤(步骤410)，如预清洗或气体扩散。然后，进 行一预退火步骤(步骤420 ),预退火的温度例如是在80(TC左右。
接着，进行高压选捧性工艺，髙压择性外延成长工艺进行的时间占硅锗 外延层总工艺时间的1%~20% (步骤430),优选例如是8% 17%。
此高压选择性外延成长工艺的压力例如是大于或等于lO乇(torr),温度 例如是650。C。其所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。含硅气 体例如是硅曱烷、硅乙烷或二氯硅甲烷，含硅气体的流量例如是介于50 500sccm，优选例如是介于50 150sccm左右。含锗气体例如是锗烷，其流量 例如是介于100 300sccm之间，优选例如是介于150 250sccm之间。
此外，反应气体还可以包括氯化氢，其流量例如是介于50 200sccm之 间，优选是介于100 200sccm之间。
继而，进行低压选择性工艺，低压择性外延成长工艺进行的时间占硅锗 外延层总工艺时间的99%~80% (步骤440 ),优选例如是92% 83%。
此低压选择性外延成长工艺的压力例如是小于或等于5乇(torr)，温度例 如是650。C。其所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。含硅气体 例如是硅曱烷、硅乙烷或二氯硅甲烷，含硅气体的流量例如是介于50 500sccm,优选例如是介于50 150sccm左右。含锗气体例如是锗烷，其流量 例如是介于100 300sccm之间，优选例如是介于150 250sccm之间。
反应气体同样还可以包括氯化氢，其流量例如是介于50 200sccm之间， 优选是介于100 200sccm之间。
在一实施例中，例如是以高压选择性外延成长工艺形成100 200埃的硅 锗外延层，然后再以低压选择性外延成长工艺形成1000 1100埃的硅锗外延 层。
由于高压选择性外延成长工艺的选择裕度大，对于表面质量的敏感度较 低，可以先快速地形成底部的硅锗外延层。之后再进行低压选择性外延成长 工艺，来降低负载效应产生的影响，进而提高膜层的均匀度。
本实施例所形成的硅锗外延层的剖面示意图，可以参照第二实施例中图 2A至图2B,以及图3。当然，本实施例提出的方法可以用在其它需要形成 硅锗外延层的工艺中，并不以P型金属氧化物半导体晶体管的工艺为限。
值得一提的是，在一实施例中，若是基底表面是洁净的，则于预退火的
步骤之后，更可以是直接进行低压选择性外延成长工艺，例如以低于或等于 5乇的低压，形成硅锗外延层。此种方式同样可以达到降低负载效应的效果。 虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领 域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因 此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种硅锗外延层的制造方法，该方法包括于第一条件下进行第一选择性外延成长工艺，其进行时间占该硅锗外延层的总工艺时间的1％～20％；以及于第二条件下进行第二选择性外延成长工艺，其进行时间占该硅锗外延层的总工艺时间的99％～80％，其中，该第一条件与该第二条件包括温度条件或压力条件，且该第一选择性外延成长工艺与该第二选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。
2. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该第一条件为相 对高压，该第二条件为相对低压。
3. 如权利要求2所述的硅锗外延层的制造方法，其中于该相对高压下 进行的该第一选择性外延成长工艺的压力大于等于10乇。
4. 如权利要求2所述的硅锗外延层的制造方法，其中于该相对低压下 进行的该第一选择性外延成长工艺的压力小于等于5乇。
5. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该第一条件为相 对高温，该第二条件为相对低温。
6. 如权利要求5所述的硅锗外延层的制造方法，其中于该相对高温下 进行的该第一选择性外延成长工艺的温度介于70(TC 90(TC之间。
7. 如权利要求5所述的硅锗外延层的制造方法，其中于该相对低温下 进行的该第二选择性外延成长工艺的温度介于500。C 70(TC之间。
8. 如权利要求5所述的硅锗外延层的制造方法，还包括于进行该第一 选择性外延成长工艺之前，进行预退火步骤。
9. 如权利要求5所述的硅锗外延层的制造方法，还包括于该预退火步 骤之后、该第一选择性外延成长工艺之前，于该基底上形成垫层。
10. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该反应气体还包 括氯化氬。
11. 如权利要求10所述的硅锗外延层的制造方法，其中该氯化氢的流 量介于50 200sccm之间。
12. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该含硅气体包括硅甲烷、硅乙烷或二氯硅曱烷。
13. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该含硅气体的流量介于50 500sccm之间。
14. 如杈利要求1所速的硅锗外延层的制造方法，其中该舍锗气休包括错坑。
15. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该含锗气体的流 量介于100 300sccm之间。
16. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该基底还包括凹 陷，且该硅锗外延层形成于该凹陷中。
17. 如权利要求1所述的硅锗外延层的制造方法，其中该硅锗外延层用 以做为P型金属氧化物半导体晶体管的源/漏极。
18. —种硅锗外延层的制造方法，该方法包括进行高温选择性外延成长工艺，其所形成的硅锗外延层厚度为预定的该 硅锗外延层总厚度的23% 50%;以及进行低温选择性外延成长工艺，其所形成的该硅锗外延层厚度为预定的 该硅锗外延层总厚度的77% 50%,且该高温选择性外延成长工艺与该低温 选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。
19. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该高温选择性 外延成长工艺的温度介于700℃ 900℃之间。
20. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该低温选择性 外延成长工艺的温度介于500℃ 700℃之间。
21. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，还包括于进行该高 温选择性外延成长工艺之前，进行预退火步骤。
22. 如权利要求21所述的硅锗外延层的制造方法，还包括于该预退火 步骤之后、该高温选择性外延成长工艺之前，于该基底上形成垫层。
23. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该反应气体还 包括氯化氢。
24. 如权利要求23所述的硅锗外延层的制造方法，其中氯化氢的流量 介于50 200sccm之间。
25. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该含硅气体包 括硅曱烷、硅乙烷或二氯硅甲烷。
26. 如权利要求18所述的珪锗外延层的制造方法，其中该含硅气体的流量介于50 500sccm之间。
27. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该含锗气体包 括锗烷。
28. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该含锗气体的 流量介于100 300sccm之间。
29. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该基底还包括 凹陷，且该硅锗外延层形成于该凹陷中。
30. 如权利要求18所述的硅锗外延层的制造方法，其中该硅锗外延层 用以作为P型金属氧化物半导体晶体管的源/漏极。
全文摘要
本发明提出一种硅锗外延层的制造方法。此方法包括先于第一条件下进行第一选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的1％～20％。然后，于第二条件下进行一第二选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的99％～80％。其中，第一条件与第二条件包括温度条件或压力条件，且第一选择性外延成长工艺与第二选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。
文档编号H01L21/02GK101170060SQ20061013209
公开日2008年4月30日 申请日期2006年10月24日 优先权日2006年10月24日
发明者唐力原, 廖晋毅, 施泓林, 江日舜, 简金城, 范铭棋, 蒋天福 申请人:联华电子股份有限公司