专利名称：铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
技术领域：
本发明涉及半导体光电探测技术领域，尤其涉及
铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAlAs )耦合量子点红外探 测器及其制备方法。
背景技术：
红外探测器在夜间摄像、军事侦察、火灾预测、 采集火山和矿藏信息、癌症诊断和天文学研究等很多 领域具有很高的应用价值。目前广泛应用的红外探测 器是碲镉汞(HgCdTe )探测器和镓砷/铝镓砷 (GaAs/AlGaAs )量子阱红夕卜探湖!)器，InGaAs量子点红 外探测器的研究也在广泛开展。
InGaAs量子点红外探测器是利用InGaAs量子点导 带中电子吸收红外辐射光子后在子能级之间跃迁或者 子能级跃迁到连续态，这些光激发电子累积形成光电
流，从了探测出红外辐射源的信息。理论上量子点探 测器相对于量子阱探测器的优势在于1 .量子点外形 呈岛状，对垂直入射的红外辐射的敏感，因此量子点 红外探测器不需要制作表面光栅来耦合垂直入射光 波；2 .量子点中的载流子束缚在纳米量级的三维势阱
中，量子尺寸效应使得其中的子能级之间间隔很大， 量子点对注入电子的捕获率低于量子阱对注入电子的
捕获率，因此，量子点红外探测器的光电子增益较大； 3 .量子点中电子的热激活能高，导致量子点红外探
度被提高。但是目前 InGaAs量子点红外探测器的工作性能仍然低于碲镉汞 (HgCdTe)探测器以及GaAs/AlGaAs量子阱红外探测 器，其主要原因是1 .目前自组织生长的量子点密度 较低，均匀性不理想，这些都极大地限制了量子点红 外探测器对红外辐射的峰值吸收系数和光电流密度； 2 .量子点红外探测器中需要加入禁带宽度较大的 GaAlAs材料来降低其中的暗电流，提高量子点红外探 测器的探测率。因此增加量子点的密度和均匀性，抑 制暗电流将显著提高量子点红外探测器性能。
我们在GaAs上生长的InAlAs量子点的密度达至U 1011cm- 2量级，远高于直接生长在GaAs上的 InGaAs量子点的密度，而且具有很好的均匀性。利用InAlAs 量子点通过 GaAs 间隔层将应变场传递给 InGaAs量子点，这种垂直耦合效应将提高工nGaAs量子 点的密度和均匀性，相应地提高量子点红外探测器的 性能。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种InGaAs/InAlAs耦 合量子点红外探测器及其制备方法。该InGaAs/InAlAs 耦合量子点红外探测器一方面利用InGaAs量子点和 InAlAs量子点种子层之间的垂直耦合效应来增加 InGaAs量子点的密度并改善量子点的均匀性，相应地 提高量子点探测器对红外辐射的吸收系数和光电流密 度；另一方面利用InAlAs材料的禁带宽度大于GaAs 和InGaAs材料的禁带宽度的性质，降低I nGaA s / I n A 1 A s 耦合量子点红外探测器中的暗电流。
本发明 一 种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测 器，其特征在于，该探测器包括
一 GaAs衬底，该GaAs衬底作为铟镓砷/铟铝砷耦 合量子点红外探测器的载体；
一 n + GaAs下接触层，该n + GaAs下接触层生长在 GaAs衬底上，作为缓冲层消除半绝缘GaAs衬底引起的 界面缺陷；该n + GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；- 多周期光电流产生区，该多周期光电流产生区
生长在n + GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并
产生光电子；
—n + GaAs上接角虫层，该n + GaAs上接触层生长在
多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区
该n + GaAs上接触层中重掺杂Si原子；
—上电极，该上电极制作在n + GaAs上接触层上，
呈方框形，面积很小，几乎不影响红外辐射垂直入射
到多周期光电流产生区，收集并输出多周期光电流产
生区产生的光电流信号；
—下电极，该下电极制作在n + GaAs下接触层上形
成的台阶的 一 侧，和上电极 一 起给多周期光电流产生
区施加偏压。
其中所述的n + GaAs下接触层、多周期光电流产生
区、n +GaAs上接触层是利用分子束外延或者金属有机
物化学气相外延方法生长的。
其中所述的多周期光电流产生区的每 一 周期包
括
一 InAlAs量子点，该InAlAs量子点最初生长在 n + GaAs下接触层上，从第二周期开始生长在前 一 周期 的GaAs上间隔层上；该InAlAs量子点作为种子层来 提高InGaAs量子点的面密度；该InAlAs量子点作为暗电流阻挡层降低InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探 测器中的暗电流 ，
一 GaAs下间隔层，该GaAs下间隔层生长在InAlAs 量子点上，其厚度决定了 InAlAs量子点和InGaAs量 子点的耦合强度，影响InGaAs量子点的密度和均匀性；
一 InGaAs量子点层，该InGaAs量子点层生长在 GaAs下间隔层上，其作用吸收红外辐射并产生光电子； 该InGaAs量子点层中掺杂施主Si原子提供电子到 InGaAs量子点层中的子能级上；
一 GaAs上间隔层，该GaAs上间隔层生长在InGaAs 量子点层上，作为势垒层限制着InGaAs量子点层中的 载流子。
其中所述的InGaAs量子点层中In组分为3 0 %至 1 0 0 %， In组分的变化会引起该InGaAs量子点层导 带中子能级间隔的变化，从而改变InGaAs/InAlAs耦 合量子点红外探测器的探测波长。
其中所述的多周期光电流产生区的周期数为l 0 至1 0 0 ，周期数目适度增加会增大其对红外辐射的 吸收并增强光电流信号强度。
本发明 一 种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测 器的制备方法，其特征在于，制备步骤如下
步骤1 :生长材料利用分子束外延或者金属有
机物化学气相外延方法在 GaAs衬底上依次生长一 n + GaAs下接触层、 一多周期光电流产生区、一n + GaAs
上接触层；
步骤2 :刻蚀在量子点探测器样品上in + G3A s上
接触层开始，利用光刻和湿法腐蚀工艺刻蚀，其深度
达到n + GaAs下接触层中，即在n + GaAs下接触层上刻
蚀形成 一 台阶；
步骤3 :在样品表面均匀地涂上光刻胶曝光后
分别在n + GaAs上接触层和台阶上形成上电极图形和下
电极图形，用于蒸镀上电极和下电极； 步骤4 :蒸镀电极材料利用溅射或者菡 、发方
法在样品表面蒸镀Au/Ge/Ni合金或者电极材料
步骤5 :去除光刻胶上沉积的电极材料利用丙
酮等有机溶剂浸泡并辅助超声清洗去除光刻胶上沉积
的电极材料，分别在n+ GaAs上接触层和台阶上保留
上电极和下电极；
步骤6 :清洗、烘干样品，完成铟镓砷/铟铝砷稱
合子点红外探测器的制作工艺。
其中所述的多周期光电流产生区的每周期包
括
一 InAlAs量子点，该InAlAs量子点最初生长在 n + GaAs下接触层上，从第二周期开始生长在前一周期的GaAs上间隔层上；该InAlAs量子点作为种子层来 提高InGaAs量子点的面密度；该InAlAs量子点作为 暗电流阻挡层降低铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探 测器中的暗电流；
一 GaAs下间隔层，该GaAs下间隔层生长在InAlAs 量子点上，其厚度决定了 InAlAs量子点和InGaAs量 子点的耦合强度，影响InGaAs量子点的密度和均匀性；
一 InGaAs量子点层，该InGaAs量子点层生长在 GaAs下间隔层上，其作用吸收红外辐射并产生光电子； 该 InGaAs量子点层中掺杂施主 Si原子提供电子到 InGaAs量子点层中的子能级上；
一 GaAs上间隔层，该GaAs上间隔层生长在InGaAs 量子点层上，作为势垒层限制着InGaAs量子点层中的 载流子。
其中所述的InGaAs量子点层中In组分为3 0 %至 1 0 0 %， In组分的变化会引起该InGaAs量子点层导 带中子能级间隔的变化，从而改变铟镓砷/铟铝砷耦合 量子点红外探测器的探测波长。
其中所述的多周期光电流产生区的周期数为1 0 至1 0 0 ，周期数目适度增加会增大其对红外辐射的
吸收并增强光电流信号强度。
其中所述的步骤1中的多周期光电流产生区中的
InAlAs量子点和InGaAs量子点都是在外延生长过程中 自组织形成量子点。
其中所述的步骤5中形成的上电极是面积很小的 方框形电极，不仅使红外辐射通过n + GaAs上接触层垂 直入射到多周期光电流产生区，而且收集和输出多周 期光电流产生区产生的光电流信号。
本发明技术方案的有益效果是通过InGaAs量子 点和 InAlAs量子点种子层的垂直耦合效应来增加 InGaAs量子点的密度、均匀性和高宽比，实现提高量 子点探测器对红外辐射的吸收系数和光电流密度；而 且InAlAs量子点禾中子层也降低了 InGaAs/InAlAs稱合 量子点红外探测器的暗电流。
为进 一 步说明本发明的具体技术内容，以下结合 附图详细说明如后，其中
图1是本发明的 InGaAs/InAlAs耦合量子点红外 探测器的截面结构示意图2是本发明的InGaAs/InAlAs耦合量子点红外 探测器的俯视结构示意图。
具体实施例方式
下面本发明将结合附图，对本发明的各个组成部 分的作用和实施方案进行详细描述。
如图1所示的InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探 测器，包括GaAs衬底1 0 、 n + GaAs下接触层2 0 、由 InAlAs量子点3 1 、 GaAs下间隔层3 2 、 InGaAs量子 点3 3禾卩GaAs上间隔层3 4组成的多周期光电流产生 区3 0 ， n + GaAs上接触层4 0、以及上电极5 0禾口下 电极5 1。其特征在于，其中
GaAs衬底1 0是InGaAs/InAlAs稱合量子点红夕卜 探测器的载体。
n + GaAs下接触层2 0是直接生长GaAs衬底1 0 上，该n + GaAs下接触层2 0的厚度通常大于1 0 Qnm， 作为缓冲层避免衬底引起的界面缺陷对 InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器的影响；该 n + GaAs下接触层2 O中重掺杂施主Si原子提高其导电 性；利用光刻和湿法腐蚀工艺在该n + GaAs下接触层2 0上刻蚀出方框形台阶2 1阵列，用于蒸镀下电极5 1。如图1和图2所示，每个台阶2 l围着一个独立 的InGaAs/InAl As耦合量子点红外探测器管芯。
多周期光电流产生区3 0的每一周期包括InAlAs 量子点3 1 、 GaAs下间隔层3 2 、 InGaAs量子点3 3和GaAs上间隔层3 4 。多周期光电流产生区3 0的周 期数为1 0至1 Q Q ，周期数目增加会增大其对红外 辐射的吸收并增强光电流信号强度。
其中，InAlAs量子点3 1在第 一 周期中是生长在 n+ GaAs下接触层2 0上，在随后的周期中是生长在前 —周期的GaAs上间隔层3 4上，其密度达到1 0 1 1 cm- 2量级，远高于直接生长在GaAs上的InGaAs量子 点3 3的密度，而且InAlAs量子点3 1具有很好的均 匀性。该InAlAs量子点3 1通过GaAs下间隔层3 2 将应变场传递给InGaAs量子点3 3 ，这种垂直耦合效 应提高了 InGaAs量子点3 3的密度和均匀性。
GaAs下间隔层3 2生长在InAlAs量子点3 1上， 其厚度决定了 InAlAs量子点3 1和InGaAs量子点3 3的耦合强度，影响InGaAs量子点3 3的密度和均匀 性。
InGaAs量子点3 3 生长在GaAs下间隔层3 2 上，InGaAs量子点3 3中In和Ga的比例的变化影响 着InGaAs量子点3 3中子能级的能量和间隔，即通过 改变 InGaAs 量子点3 3中 I n禾Q Ga 的比例使 InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器的探测波长分 布在8- 1 4|im之间的大气窗口内。InGaAs量子点3 3中掺杂施主Si原子提供电子到其中的子能级上。 GaAs上间隔层3 4主要起到势垒和缓冲应力作 用。该GaAs上间隔层3 4的厚度为3 0至5 0 nm就 能够有效地限制住InGaAs量子点3 3中的电子，降低 InGaAs量子点3 3中电子受热辅助隧穿而形成的暗电 流，而且避免了由于多周期光电流产生区3 0中因晶 格失配产生的应力累积而引起的缺陷。该GaAs上间隔 层3 4的厚度太薄就不能起到势垒和缓冲应力作用， 太厚会降低光电子穿越多周期光电流产生区3 0的几 率，影响了光电流信号的强度。
n + GaAs上接触层4 0起到蒸镀上电极5 0并保护 量子点探测器中光电流产生区3 0的作用，该n + GaAs 上接触层4 0中掺杂施主Si原子提高其导电性能；
上电极5 0和下电极5 1分别与n + GaAs上接触层 4 0和n + GaAs下接触层2 0上的台阶2 l形成欧姆接 触，从而提高施加偏压和输出光电流信号的效果；
在 InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器的上电 极5 0禾卩下电极5 1上压焊金属引线后，将 InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器放置在杜瓦瓶 中，并将金属引线连接到杜瓦瓶的输入/输出电极上来 实现施加偏压和采集光电流信号。InGaAs/工nAlAs耦合 量子点红外探测器在杜瓦瓶中维持在7 7 K或者更低 温度下工作，这将尽可能地降低由热激发和热辅助隧 穿而产生的暗电流，提高 InGaAs/InAlAs耦合量子点 红外探测器的探测率等性能。
请再参阅图1禾B图2所示，本发明的 InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器的制备方法，制 备步骤如下
步骤l:生长材料利用分子束外延或者金属有机物化学气相外延方法在GaAs衬底1 0上依次生长一 n + GaAs下接触层2 0 、 一多周期光电流产生区3 0 、 一 n + GaAs上接触层4 0;其中多周期光电流产生区3 0包括InAlAs量子点3 1 、GaAs下间隔层3 2 、InGaAs 量子点3 3禾卩Ga A s上间隔层3 4 。 I n A1A s量子点3 1 和InGaAs量子点3 3是在外延生长过程中，由于 InAlAs禾fl InGaAs材料与 GaAs的晶格失配引起的 Stranski-Krastanow(S-K)模式的自组织形成的；
步骤2 :刻蚀在量子点探测器样品上n + GaAs上 接触层4 0开始，利用光刻和湿法腐蚀工艺周期性地 刻蚀，其深度达至!J n + GaAs下接触层2 0中，即在n + GaAs 下接触层2 0上刻蚀形成 一 台阶2 1 ;
步骤3 :在样品表面均匀地涂上光刻胶，曝光、 显影后分别在n + GaAs上接触层4 0和台阶2 1上形成 上电极图形和下电极图形；
步骤4 :蒸镀电极材料利用溅射或者热蒸发方
法在样品表面蒸镀Au/Ge/Ni合金或者其它电极材料；
步骤5 :去除光刻胶上沉积的电极材料利用丙 酮等有机溶剂浸泡并辅助超声清洗去除光刻胶上沉积
的电极材料，分别在n + GaAs上接触层4 0和台阶2 1 上形成的上电极5 0和下电极5 1 ;
步骤6:清洗、烘干样品，完成 InGaAs/InAlAs 耦合量子点红外探测器的制作工艺。
在具体实施案例中将说明利用InGaAs/InAlAs耦 合量子点红外探测器实现探测红外辐射信号的工作过 程。本发明的InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器 实现探测红外辐射信号的工作过程如下将 InGaAs/工nAlAs耦合量子点红外探测器放置在杜瓦瓶 中，通过金属引线把InGaAs/InAlAs耦合量子点红外 探测器的上电极5 0和下电极5 1连接到杜瓦瓶的输
入/输出电极上；给杜瓦瓶抽真空后注入液氮，使 InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器的工作温度维 持在7 7 K附近 ，将测试系统连接在杜瓦瓶的输入/输 出电极上来实现施加偏压和采集光电流信号；红外辐 射信号垂直于图1所示的InGaAs/InAlAs耦合量子点 红外探测器的n + GaAs上接触层4 0入射到多周期光电 流产生区3 0，被其中的InGaAs量子点3 3中束缚在 子能级上的电子吸收后跃迁到更高的子能级上，或跃
迁出到连续态中；这些吸收红外辐射而跃迁产生的电 子受到上电极5Q和下电极51所施加的偏压驱动， 汇集成光电流从上电极5 0输出；通过改变上电极5
0和下电极5 1之间的偏压调节 InGaAs/InAlAs耦合 量子点探测器的探测波长。
权利要求
1. 一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，其特征在于，该探测器包括一GaAs衬底，该GaAs衬底作为铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器的载体；一n+GaAs下接触层，该n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，作为缓冲层消除半绝缘GaAs衬底引起的界面缺陷；该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区，该多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层，该n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极，该上电极制作在n+GaAs上接触层上，呈方框形，面积很小，几乎不影响红外辐射垂直入射到多周期光电流产生区，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极，该下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。
2 .根据权利要求1所述的铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，其特征在于，其中所述的n + GaAs下 接触层、多周期光电流产生区、n + GaAs上接触层是利 用分子束外延或者金属有机物化学气相外延方法生长 的。
3 .根据权利要求1所述的铟镓砷/铟铝砷耦合量 子点红外探测器，其特征在于，其中所述的多周期光 电流产生区的每 一 周期包括一 InAlAs量子点，该InAlAs量子点最初生长在 n + GaAs下接触层上，从第二周期开始生长在前 一 周期 的GaAs上间隔层上；该InAlAs量子点作为种子层来 提高InGaAs量子点的面密度；该InAlAs量子点作为 暗电流阻挡层降低InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探 测器中的暗电流；一 GaAs下间隔层，该GaAs下间隔层生长在InAlAs 量子点上，其厚度决定了 InAlAs量子点和InGaAs量 子点的耦合强度，影响InGaAs量子点的密度和均匀性；一 InGaAs量子点层，该InGaAs量子点层生长在 GaAs下间隔层上，其作用吸收红外辐射并产生光电子； 该 InGaAs量子点层中掺杂施主 Si原子提供电子到 InGaAs量子点层中的子能级上；一 GaAs上间隔层，该GaAs上间隔层生长在InGaAs 量子点层上，作为势垒层限制着InGaAs量子点层中的 载流子。
4 .根据权利要求3所述的铟镓砷/铟铝砷耦合量 子点红外探测器，其特征在于，其中所述的InGaAs量 子点层中In组分为3 Q %至1 0 0 %， In组分的变化会 引起该InGaAs量子点层导带中子能级间隔的变化，从 而改变InGaAs/InAlAs耦合量子点红外探测器的探测 波长。
5 .根据权利要求1所述的铟镓砷/铟铝砷耦合量 子点红外探测器，其特征在于，其中所述的多周期光 电流产生区的周期数为1 0至1 0 0 ，周期数目适度 增加会增大其对红外辐射的吸收并增强光电流信号强 度。
6 . —种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器的 制备方法，其特征在于，制备步骤如下步骤1 :生长材料利用分子束外延或者金属有 机物化学气相外延方法在GaAs衬底上依次生长一 n + GaAs下接触层、 一 多周期光电流产生区、一 n + GaAs 上接触层；步骤2 :刻蚀在量子点探测器样品上n + GaAs上 接触层开始，利用光刻和湿法腐蚀工艺刻蚀，其深度达至ij n + GaAs下接触层中，即在n + GaAs下接触层上刻蚀形成 一 台步骤 3在样品表面均匀地涂上光刻胶，曝光后分别在n + GaAs上接触层和台阶上形成上电极图形和下电极图形，用于蒸镀上电极和下电极；步骤4:蒸镀电极材料利用溅射或者发方法在样品表面蒸镀Au/Ge/Ni合金或者电极材料；步骤5:去除光刻胶上沉积的电极材料:利用丙酮等有机溶剂浸泡并辅助超声清洗去除光刻胶上沉积的电极材料分别在n+ GaAs上接触层和台阶上保留上电极和下电极；步骤6清洗、烘干样品，完成铟镓砷/铟铝砷稱合子点红外探测器的制作工艺。
7 .根据权利要求6所述的铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器的制备方法，其特征在于，其中所述的多周期光电流产生区的每一周期包括一 InAlAs量子点，该InAlAs量子点最初生长在 n + GaAs下接触层上，从第二周期开始生长在前一周期 的GaAs上间隔层上；该InAlAs量子点作为种子层来 提高InGaAs量子点的面密度；该InAlAs量子点作为 暗电流阻挡层降低铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探 测器中的暗电流；一 GaAs下间隔层，该GaAs下间隔层生长在InAlAs 量子点上，其厚度决定了 InAlAs量子点和InGaAs量 子点的耦合强度，影响InGaAs量子点的密度和均匀性；一 InGaAs量子点层，该InGaAs量子点层生长在 GaAs下间隔层上，其作用吸收红外辐射并产生光电子； 该InGaAs量子点层中掺杂施主Si原子提供电子到 InGaAs量子点层中的子能级上；一 GaAs上间隔层，该GaAs上间隔层生长在InGaAs 量子点层上，作为势垒层限制着InGaAs量子点层中的 载流子。
8 .根据权利要求6所述的铟镓砷/铟铝砷耦合量 子点红外探测器的制备方法，其特征在于，其中所述 的 InGaAs量子点层中 In组分为3 0 °/。至1 0 0 %， In 组分的变化会引起该InGaAs量子点层导带中子能级间 隔的变化，从而改变铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探 测器的探测波长。
9.根据权利要求6所述的铟镓砷/铟铝砷稱合子点、红外探测器的制备方法，其特征在于，苴 z 、中所述的多周期光电流产生区的周期数为1 0至100，周期数百适度增加会增大其对红外辐射的吸收并增强光电流信号强度。
10.根据权利要求6所述的铟镓砷/铟辛吕砷孝禺合量子点红外探测器的制备方法，其特征在于，其中所述的步骤l中的多周期光电流产生区中的InAlAs量子 点和InGaAs量子点都是在外延生长过程中自组织形成 量子点。
11.根据权利要求6所述的铟镓砷/铟铝砷耦合 量子点红外探测器的制备方法，其特征在于，其中所 述的步骤5中形成的上电极是面积很小的方框形电 极，不仅使红外辐射通过n + GaAs上接触层垂直入射到 多周期光电流产生区，而且收集和输出多周期光电流 产生区产生的光电流信号。
全文摘要
一种铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器，包括一GaAs衬底；一n+GaAs下接触层生长在GaAs衬底上，该n+GaAs下接触层中重掺杂施主Si原子；一多周期光电流产生区生长在n+GaAs下接触层上，其作用是吸收红外辐射并产生光电子；一n+GaAs上接触层生长在多周期光电流产生区上，保护多周期光电流产生区；该n+GaAs上接触层中重掺杂Si原子；一上电极制作在n+GaAs上接触层上，收集并输出多周期光电流产生区产生的光电流信号；一下电极制作在n+GaAs下接触层上形成的台阶的一侧，和上电极一起给多周期光电流产生区施加偏压。
文档编号H01L31/101GK101207163SQ20061016553
公开日2008年6月25日 申请日期2006年12月21日 优先权日2006年12月21日
发明者杨晓杰, 明 种, 苏艳梅, 陈良惠, 马文全 申请人:中国科学院半导体研究所