可调整膜式电阻器以及形成和调整膜式电阻器的方法

专利名称：可调整膜式电阻器以及形成和调整膜式电阻器的方法
技术领域：
本发明涉及膜式电阻器，特别涉及但不限于薄膜电阻器。本发明 亦涉及包含有多个膜式电阻器的集成电路，并且本发明还涉及用于形 成和调整膜式电阻器的方法，特别涉及但不限于用于在集成电路上形 成和调整薄膜电阻器的方法。
背景技术：
薄膜电阻器被普遍地用在集成电路中。 一般来说，多个薄膜电阻 器被形成于电绝缘衬底层上，该电绝缘衬底层一般为集成电路芯片上 形成的氧化物层。通常，薄膜电阻器被形成于衬底层上的特定区域中 以大体相互平行地延伸。希望薄膜电阻器被彼此之间靠近放置，这是因为两个重要原因第一，使集成电路芯片上被薄膜电阻器占据的区 域最小化，以最小化所需的整个棵片面积；第二，使薄膜电阻器上的 工艺偏差(process variation)的影响最小化，这种工艺偏差可能导致 失配和其它相关问题。然而，即使将薄膜电阻器彼此靠近放置也无法完全避免可能导致 相同芯片上以及不同芯片上电阻器的失配的工艺偏差的影响。因而， 必须在薄膜电阻器被形成于集成电路芯片上之后进行薄膜电阻器电 阻值的调整。因而，这要求为了便于薄膜电阻器电阻值的后续调整必 须在薄膜电阻器的形成期间预作准备。一种用于形成有助于后续调整的薄膜电阻器的方法要求，薄膜电 阻器被形成有侧向突出的调整片(tab),该调整片随后被调整以增加 电阻器的电阻值。这样的现有技术的薄膜电阻器如附图1中所示，并 用附图标记100表示。每个薄膜电阻器100被形成于电绝缘衬底101上，其一般由氧化物材料制成，诸如二氧化硅。薄膜电阻器可以是任 何合适材料，比如，硅铬，其可以被掺杂或者未掺杂。薄膜电阻器一般通过物理气相沉积(PVD )、化学气相沉积(CVD )或溅射来形成， 并且被沉积为一定深度，该深度维持恒定并取决于工艺。薄膜电阻器 的长度和宽度由电阻器的所需电阻值来规定。 一般来说，这样的薄膜 电阻器被沉积到深达100埃的深度。薄膜电阻器100在各个电接触焊 盘102和103的对之间延伸，并且每个薄膜电阻器100被配备有侧向 突出的调整片104，以便于调整薄膜电阻器100的电阻值。为了最小 化薄膜电阻器100之间的间隔，薄膜电阻器100被成对排列，让相邻 的一对调整片104彼此面对并被沿着薄膜电阻器100的相应的长度方 向交错地排列。薄膜电阻器100上的调整片104的作用是减小流经与调整片104 区域相邻的薄膜电阻器100的电流的电流密度，这样，调整片104的 调整提供了相对高的精度(resolution)的调整。每个薄膜电阻器100的调整通常通过逐渐地将调整狭槽 (timming slot) 105延伸到被调整薄膜电阻器100的调整片104中来 实现。调整狭槽105由激光束形成，并且通常被形成以与薄膜电阻器 100平行地延伸。由于事实上在与调整片104区域相邻的薄膜电阻器 100中电流密度被减少，所以可以实现相对宽的电阻值调整范围，以 及相对高的调整精度。虽然近些年来用于将激光束对准要被调整的调整片104的对准 技术已经被改进了 ，但是实际形成调整狭槽105的激光束的有效高能 光斑(active high energy spot)仍然较大，因此，要点是相邻薄膜电 阻器100的调整片之间间隔必须足以避免当激光束在薄膜电阻器100 之一的调整片104中形成调整狭槽105时损害相邻薄膜电阻器100的 任何危险。 一般来说，高能激光斑的直径是3到5微米量级。因此， 虽然薄膜电阻器之间的间隔可以通过排列薄膜电阻器100使相邻一对 电阻器的调整片104彼此面对而被稍微减少，但是，薄膜电阻器100 必须间隔开足够的距离以避免无意地调整与另一个其调整片104正在被调整的薄膜电阻器100相邻的薄膜电阻器100。一般来说， 一个薄膜电阻器100的调整片104和相邻薄膜电阻器 100之间的横向距离A应该至少为9微米，而相邻薄膜电阻器100的 调整片之间的纵向距离B应该为至少IO微米量级。另外，每个薄膜 电阻器100的调整片104离最近的电接触焊盘102或103的纵向距离 C应该为至少9微米。因此，虽然形成和调整薄膜电阻器的这种现有技术的方法提供了 较宽的调整范围以及较高的调整精度，但是它仍要求薄膜电阻器之间 较大的间隔，其反过来导致较大的棵片面积以容纳薄膜电阻器，并导 致薄膜电阻器之间的潜在失配。因此需要可以应对该问题的膜式电阻器。本发明关注于提供膜式电阻器，其可以被与相邻的膜式电阻器相 对靠近地放置，并且其可以随后被调整。本发明还关注于用于形成和调整这种膜式电阻器的方法；本发明还关注于提供集成电路，其包含多个形成于其上的膜式电阻器。 发明内容根据本发明，提供了一种膜式电阻器，包括由电阻性(electrically resistive )材料制成的电阻膜，该电阻膜 在第一端部和与之隔开的第二端部之间纵向延伸，并且具有在对置地 隔开的第一和第二侧边之间延伸的对置地隔开的第一和第二主表面， 该电阻膜适合于容纳第一和第二端部之间的电流，以及低阻抗元件，该低阻抗元件电耦合到电阻膜，与设置于第一和第 二端部之间的电阻膜的中间部分相邻，用以与电阻膜的中间部分平行 地导通电流以减小中间部分中电流的电流密度，以便于调整该中间部 分中的膜式电阻器的电阻值。在本发明的一个实施方案中，低阻抗元件在电阻膜的第一和第二 端部之间的方向上沿着中间部分的长度方向电耦合到电阻膜。优选 地，低阻抗元件沿着中间部分与电阻膜的第 一主表面相邻并且电耦合到电阻膜的第一主表面。有利地，低阻抗元件与中间部分相邻地与电 阻膜层压在一起。理想地，低阻抗元件与中间部分相邻地覆盖电阻膜的第一主表 面，并在电阻膜的被低阻抗元件所覆盖的整个区域上与电阻膜电耦 合。在本发明的一个实施方案中，低阻抗元件与电阻膜的第二侧边相 邻地电耦合到电阻膜。优选地，低阻抗元件在电阻膜的与该电阻膜的第 一侧边间隔开的 位置处电耦合到电阻膜上，并在位于低阻抗元件和第一侧边之间的中 间部分中限定可调整部分。有利地，膜式电阻器的电阻值可通过逐渐地在可调整部分中延伸 调整狭槽来调整。在本发明的一个实施方案中，第一横断边缘(transverse edge ) 在中间部分中以从电阻膜的第 一侧边到低阻抗元件的大致方向延伸， 第一横断边缘与第一侧边和低阻抗元件一起在可调整部分中限定了 第一可调整区域。优选地，膜式电阻器的电阻值可通过逐渐地在第一 可调整区域中延伸第一调整狭槽来调整。有利地，第一调整狭槽从第 一横断边缘延伸到第一可调整区域中。在本发明的另一个实施方案中，与第一横断边缘间隔开的第二横 断边缘在中间部分中以从电阻膜的第 一侧边到低阻抗元件的大致方 向延伸，第二横断边缘与第 一侧边和低阻抗元件在可调整部分中限定 了第二可调整区域。优选地，第二横断边缘设置于第一横断边缘和电 阻膜的第二端部之间。有利地，膜式电阻器的电阻值可通过逐渐地在 第二可调整区域中延伸第二调整狭槽来调整。优选地，第二调整狭槽 从第二横断边缘延伸到第二可调整区域中。理想地，第一和第二调整狭槽中的一个延伸到第一和第二可调整 区域中相应的一个中以粗调(coarse trimming )膜式电阻器的电阻值， 而第一和第二调整狭槽中的另一个延伸到第一和第二可调整区域中 相应的一个中以细调(fine trimming )膜式电阻器的电阻值。在本发明的一个实施方案中，电流密度在各个第一和第二可调整 区域中向着电阻膜的第一侧边以及第一和第二横断边缘中相应的一 个而逐渐地减小。优选地，电阻膜为伸长的电阻膜，该电阻膜在其第一和第二端部 之间纵向延伸。在本发明的一个实施方案中，低阻抗元件为伸长的低阻抗元件， 该低阻抗元件以平行于电阻膜的大致方向纵向延伸。有利地，低阻抗元件的各个对置的端部被整形以将其端部附近的电流集聚(current crowding)最小化。在本发明的一个实施方案中，低阻抗元件的各个对置的端部被斜 切(chamfer)，使得被设置为与电阻膜第二侧边相邻的低阻抗元件 的侧边比被设置为远离电阻膜的第二侧边的对置侧边长。在本发明的另 一个实施方案中，低阻抗元件比电阻膜更能耐受激 光调整束的切割效果(cutting effect)。在本发明的又一个实施方案中，低阻抗元件的电阻值低于电阻膜 的电阻值。在本发明的一个实施方案中，电阻膜为薄膜电阻器。在本发明的另 一个实施方案中， 一对低阻抗元件在与电阻膜的相 应的被间隔开的中间部分附近电耦合到电阻膜。优选地，低阻抗元件 中的一个和相应的中间部分被设置得与电阻膜的第一和第二端部中 的一个相邻，而低阻抗元件中的另 一个和相应的一个中间部分被设置 得与电阻膜的第一和第二端部中的另一个相邻。本发明亦提供一种复合膜式电阻器，包括一对根据前述权利要求 中任何一项所述的膜式电阻器，该一对膜式电阻器被各膜式电阻器的 低阻抗元件串联地电耦合。此外，本发明提供一种集成电路，包括电绝缘衬底层和形成于衬 底层上的根据本发明所述的膜式电阻器。本发明还提供一种集成电路，包括电绝缘衬底层和形成于衬底层 上的多个间隔开的根据本发明所述的膜式电阻器，电阻膜的第二主表面与衬底层相邻，电阻膜以每个电阻膜的第一侧边相邻但与相邻的电 阻膜的第二侧边间隔开的方式互相平行地延伸。本发明还提供一种用于形成和调整膜式电阻器的方法，该方法包括以下步骤在电绝缘衬底上形成由电阻性材料制成的电阻膜，该电阻膜在第 一端部和与该第一端部间隔开的第二端部之间延伸，并且具有在对置地隔开的第一和第二侧边之间延伸的对置地隔开的第一和第二主表 面，该电阻膜适合于容纳第一和第二端部之间的电流，将低阻抗元件电耦合到电阻膜，与设置于第 一和第二端部之间的 电阻膜的中间部分相邻，用以与电阻膜的中间部分平行地导通电流以 减小中间部分中电流的电流密度，以便于调整该中间部分中地膜式电 阻器的电阻值，以及通过使调整狹槽逐渐地延伸到电阻膜的中间部分中来调整膜式 电阻器的电阻值。在本发明的一个实施方案中，低阻抗元件在电阻膜的与该电阻膜 的第一侧边间隔开的位置处电耦合到电阻膜上，并在位于低阻抗元件 和第 一侧边之间的中间部分中限定可调整部分。在本发明的另一个实施方案中，在中间部分中形成第一横断边 缘，该第一横断边缘以从电阻膜的第一侧边到低阻抗元件的大致方向 延伸，第一横断边缘与第一侧边和低阻抗元件一起在可调整部分中限 定了第一可调整区域。优选地，通过逐渐地使第一调整狭槽在第一可 调整区域中延伸来调整第一可调整区域。有利地，第一调整狭槽从第 一横断边缘延伸到第一可调整区域中。理想地，第一调整狭槽在第一 可调整区域中与电阻膜的第 一侧边平行地逐渐地延伸。在本发明的另一个实施方案中，在中间部分中形成与第一横断边 缘间隔开的第二横断边缘，该第二横断边缘以从电阻膜的第一侧边到 低阻抗元件的大致方向延伸，第二横断边缘与第 一侧边和低阻抗元件 在可调整部分中限定了第二可调整区域。优选地，通过使第二调整狭 槽逐渐地在第二可调整区域中延伸来调整第二可调整区域。有利地，第二调整狭槽从第二横断边缘延伸到第一可调整区域中。理想地，第 二调整狭槽在第二可调整区域中与电阻膜的第一侧边平行地逐渐地 延伸。理想地，第一和第二调整狭槽中的一个延伸到第一和第二可调整 区域中相应的一个中以粗调膜式电阻器的电阻值，而第一和第二调整 狭槽中的另一个延伸到第一和第二可调整区域中相应的一个中以细 调膜式电阻器的电阻值。本发明的优点有很多。然而，本发明最重要的优点之一是本发明 提供了膜式电阻器，更确切地说是薄膜电阻器，其相比迄今所能放置 的已知薄膜晶体管而言可以被更靠近得多地放置于集成电路上，而不 损失电阻器所能被调整的精度。实际上，相比用迄今已知的膜式电阻 器实现的调整而言，根据本发明所述膜式电阻器的很多构造便于更高 精度的调整，而在膜式电阻器被构造用以便于分开粗调和细调的情况 中，可以实现特别高精度的调整。根据本发明所述的膜式电阻器还具 有相对宽的电阻值调整范围，并且这在被构造以便于分开粗调和细调 的膜式电阻器中尤其如此。由于事实上薄膜电阻器相比很多现有技术的薄膜电阻器而言可 以被放置得更靠近得多，所以可以显著地减小棵片面积。在低阻抗元 件覆盖膜式电阻器的电阻膜的情况中，可以特别明显地减小所需棵片 面积。此外，在低阻抗元件覆盖膜式电阻器的电阻膜，并且低阻抗元 件是由比电阻膜更能耐受激光调整束切割效果的材料制成的情况中， 薄膜电阻器相比其它可能的情况而言可以被彼此更靠近地放置。这通 过放置薄膜电阻器使得各薄膜电阻器的低阻抗元件相邻但是与中间 部分、即相邻的薄膜电阻器的可调整区域间隔开来实现。从而，当每 个薄膜电阻器正在被调整时，所引起的对相邻薄膜电阻器的损害危险 很少，哪怕激光调整束在调整期间没有被很精确地对准，这是因为相 邻薄膜电阻器与被调整的可调整区域相邻的部分是低阻抗元件，其比 电阻膜更能耐受激光调整束。因此，通过提供由比电阻膜更能耐受激 光调整束的材料制成的低阻抗元件，实现对棵片面积的进一步减少。另外，由于事实上薄膜电阻器可以被特别近地放置在一起，所以 在调整之前薄膜电阻器之间由工艺偏差导致的失配被显著降低，由此 使后续的调整要求最小化。另一个可通过本发明实现的优点是薄膜电阻器可以被更精确地匹配，因为它们可以以相似的取向被放置。换句话说，可以并优选地 放置各自薄膜电阻器，让每个薄膜电阻器的低阻抗元件与相邻薄膜电阻器的中间部分相邻。另外，通过这样彼此相关地(relative to each other )放置薄膜电阻器，设置用于调整薄膜电阻器的激光调整装置就 被显著简化了，因为通过彼此相关地以相同取向放置薄膜电阻器，并 以恒定间距(constant pitch)间隔开薄膜电阻器，所以设置用于后续 减薄薄膜电阻器的激光调整装置仅需引导激光调整束逐个薄膜电阻 器地等间距步进。本发明及其很多优点通过结合附图对其一些示例性优选实施方 案的下列描述，将对本领域技术人员变得明显。


附图1为俯视图，其显示了位于集成电路芯片的一部分上的现有 技术的薄膜电阻器，附图2为俯视图，其显示了根据本发明所述的集成电路的包含多 个同样根据本发明所述的薄膜电阻器部分，附图3为横截面侧部前视图，其显示了在附图2的线III-III方 向上截取的附图2的集成电路部分，附图4为横截面端视图，其显示了在附图2的线IV-IV上截取的 附图2的集成电路部分的一部分，附图5为俯视图，其显示了根据本发明所述的附图2集成电路的 薄膜电阻器之一，附图6为附图2的集成电路部分的俯视图，其显示了调整附图2 集成电路的薄膜电阻器之一的电阻值，附图7为俯视图，其显示了在薄膜电阻器电阻值被调整之后的附图2集成电路的薄膜电阻器之一，附图8为波形图，其显示了附图2集成电路的薄膜电阻器之一是 如何随着薄膜电阻器工艺的调整而增加的，附图9为波形图，其显示了在薄膜电阻器的电阻值一般调整期 间，附图2集成电路的薄膜电阻器之一的电阻值增加，附图10为俯视图，其显示了根据本发明另一个实施方案所述的 薄膜电阻器，附图11为横截面侧部正视图，其显示了在集成电路部分上所示 的附图IO的薄膜电阻器，附图12为与附图2相似的俯视图，其显示了根据本发明另一个 实施方案所述的集成电路包含多个同样根据本发明所述的复合薄膜 电阻器的部分，附图13为横截面侧部正视图，其显示了在附图12的线XIII-Xni 方向上截取的附图12的集成电路，附图14为横截面端部正视图，其显示了在附图12的线XIV-XIV 方向上截取的附图12的集成电路部分的部分，附图15为俯视图，其显示了附图12集成电路的薄膜电阻器之一，附图16为俯视图，其显示了根据本发明又一个实施方案所述的 薄膜电阻器，附图17为侧部正视图，其显示了集成电路部分上所示附图16 的薄膜电阻器，以及附图18为俯视图，其显示了根据本发明另一个实施方案所述的 薄膜电阻器。
具体实施方式
参考未按比例绘制的附图，先看附图2到7，显示了根据本发明 所述的一般用附图标记l表示的集成电路的一部分，包括内部形成了 集成电路l的部件(未显示)的硅制的衬底3。由二氧化硅制成的电 绝缘层4被形成于衬底3上；并且一般用附图标记5表示的多个同样根据本发明所述的薄膜电阻器被形成于绝缘层4上，并互相平行地延 伸。因为本发明涉及薄膜电阻器5，所以集成电路l的其它部件将不 被描述，但这样的部件将为本领域技术人员所共知，并将适用于具体 的集成电路。每个薄膜电阻器5包括由电阻性材料制成的伸长的电阻膜7，该 电阻膜7会在以下被更详细地描述，并且在第一端部8和第二端部9 之间纵向延伸。每个电阻膜7的第一端部8和第二端部9分别被电耦 合到第一和第二电接触焊盘10和11,并且每个电阻膜7容纳相应的 那对第一和第二接触焊盘10和ll之间的电流。每个电阻膜7具有分 别在对置地隔开的第一和第二侧边16和17之间延伸的第一或顶部主 表面14和与之对置地隔开的第二或底部主表面15。伸长的低阻抗元件20被形成于并被电耦合到第一和第二端部8 和9之间的每个薄膜电阻器5的电阻膜7的顶部主表面14上。每个 低阻抗元件20沿着电阻膜7的中间部分22延伸并限定电阻膜7的中 间部分22，并与相应的中间部分22平行地导通电流以减少中间部分 22中电流的电流密度，以便于调整该中间部分22中的薄膜电阻器5 的阻值，如下将被更详细地描述。每个薄膜电阻器5的低阻抗元件20 在相应的中间部分22的长度方向上延伸，并沿着和平行于相应的电 阻膜7的第二侧边17的纵向延伸，低阻抗元件20的第一侧边21与 电阻膜7的第二侧边17相合。每个低阻抗元件20被放置于相应的电 阻膜7上，其第二侧边23与电阻膜7的第一侧边16间隔开，以在低 阻抗元件20的第二侧边23和电阻膜7的第一侧边16之间在中间部 分22中限定可调整部分，如下所述。每个低阻抗元件20基本上被与 相应的电阻膜7层压在一起，并在电阻膜7的被低阻抗元件20覆盖 的整个区域上与电阻膜7电接触。因而，每个电阻膜7所导通的大多 数电流被中间部分22区域中的相应的低阻抗元件20承栽，并且中间 部分22中的电流密度明显分别比电阻膜7的分别延伸于中间部分22 与第一和第二端部8和9之间的第一和第二部分24和25中的电流密 度更小。间隔开的第一和第二横断边缘形成狭槽(transverse edge forming slot) 26和27分别从第一侧边16朝第二侧边17垂直地向内 延伸到每个薄膜电阻器5的中间部分22中的电阻膜7中，并终止于 相应的低阻抗元件20的第二侧边23附近。第一和第二横断边缘形成 狭槽26和27分别在电阻膜7中形成了第一和第二横断边缘28和29。 每个电阻膜7的第 一横断边缘28与电阻膜7的第 一侧边16和相应的 低阻抗元件20的第二侧边23 —起在中间部分22的可调整部分中限 定了第一可调整区域30。每个电阻膜7的第二横断边缘29与电阻膜 7的第 一侧边16和相应的低阻抗元件20的第二侧边23 —起同样在中 间部分22的可调整部分中限定了第二可调整区域31。第一和第二可 调整区域30和31具有被降低的电流密度，以便于薄膜电阻器5的粗 调和细调。附图5和7中的电流密度线32显示了在第一和第二可调 整区域30和31中电流密度的变化。在第一和第二可调整区域30和 31的每一个中，电流密度从相应的低阻抗元件20到中间部分22中的 电阻膜7的第一侧边16，朝着第一和第二横断边缘28和29中的相应 一个逐渐地减少。在本发明的该实施方案中，在第一可调整区域30中执行粗调， 而在第二可调整区域31中执行细调。通过分别将第一和第二调整狭 槽34和35平行于第一侧边16地并与第一侧边16间隔开地分别从第 一和第二横断边缘28和29逐渐地延伸到第一和第二可调整区域30 和31中来执行调整，见附图7。在本发明的该实施方案中，用激光调 整束来执行调整。首先，第一调整狭槽34从被调整的薄膜电阻器5 的中间部分22的第一横断边缘28逐渐地延伸到笫一可调整区域30 中，用以粗调薄膜电阻器5。通过将第一调整狭槽34逐渐地延伸到第 一可调整区域30中来持续调整第一可调整区域30，直到薄膜电阻器 5的电阻值增加到刚好低于所需电阻值的水平。在之后，通过将第二 调整狭槽35从第二横断边缘29逐渐地延伸到第二可调整区域31中 来执行细调。将第二调整狭槽35逐渐地延伸到第二可调整区域31中 直到薄膜电阻器5的电阻值达到所需电阻值为止。在本发明的该实施方案中，因为在每个薄膜电阻器5的第二可调 整区域31中执行细调，所以每个第二可调整区域31的从第二横断边 缘29朝向第二端部9的、由相应的低阻抗元件20从第二横断边缘29 朝向第二端部9的长度12决定的长度比第一可调整区域30从第一横 断边缘28朝向第一端部8的、由相应的低阻抗元件20从第一横断边 缘28朝向第一端部8的长度12所决定的长度。如下将述，这在第二 可调整区域31中提供了比在第一可调整区域30中更高精度的调整。由于事实上每个低阻抗元件20沿着中间部分22的长度方向电耦 合到相应的电阻膜7，所以第一和第二可调整区域30和31中的电流 密度朝向相应的第一和第二横断边缘28和29逐渐地降低。因而，当 第一调整狭槽34被逐渐地延伸到第一可调整区域30中时，随着第一 调整狭槽34的长度增加，由第一调整狭槽34长度每增加一个单位而 得到的薄膜电阻器5电阻值也增加。因而，当第一调整狭槽34逐渐 地延伸到第一可调整区域30中时，调整精度降低。然而，通过在第 一可调整区域30中持续粗调直到薄膜电阻器5的电阻值增加到刚好 低于所需电阻值，可以随后在电流密度最低的、朝向第二横断边缘29 的区域中的第二可调整区域31中执行细调，因为细调只需要少量增 加薄膜电阻器S的电阻值。 一旦延伸到第二可调整区域31中的第二 调整狭槽35相对地短于低阻抗元件20离第二横断边缘29的长度12， 就在电流密度相对低的第二可调整区域31中执行调整，因而细调的 精度可以相对地高。这会结合附图8和9进行更详细地描述。低阻抗元件20沿着相应的电阻膜7从第一和第二横断边缘28 和29分别朝着第一和第二端部8和9延伸得越长，与第一和第二横 断边缘28和29相邻的第一和笫二可调整区域30和31中电流密度就 会越低，因而在第一和第二可调整区域30和31的、分别与第一和第 二横断边缘28和29相邻的区域中将实现更高的调整精度。然而，在 进一步详细描述薄膜电阻器5的调整之前，将首先更详细地描述薄膜 电阻器5的电阻膜7和低阻抗元件20。每个薄膜电阻器5的电阻膜7，如上所述，是由电阻性材料制成的，该电阻性材料通常会由薄膜电阻器5的所需电阻值来决定。然而， 典型的电阻性材料为硅铬、镍铬和钛硅，其可以被掺杂或者未掺杂， 并且一般通过PVD或CVD工艺被沉积于绝缘层4上。形成电阻膜7 的材料被沉积到恒定深度tl，该深度由沉积工艺决定。 一般来说，材 料被沉积以形成深度tl达100埃的电阻膜7，更典型地，深度tl范 围为20到50埃。每个电阻膜7长度为L而宽度为wl,两者主要由 薄膜电阻器5的所需电阻值来规定。这样的电阻膜的宽度wl可以从 O.l微米到36微米任意改变，甚至更大，然而，这样的电阻膜的宽度 wl更典型地在l微米到36微米的范围内。每个薄膜电阻器5的低阻抗元件20的材料具有相对高的导电率， 并且一般地，比电阻膜7材料的导电率高数个数量级，使得流经薄膜 电阻器5的大多数电流被导通过相应的低阻抗元件20。在典型的优选 情况中，每个薄膜电阻器5的低阻抗元件20的导电性比电阻膜7的 导电性高两个量级。另外，低阻抗元件20的材料可以比电阻膜7更 能耐受激光调整束的切割效果，以允许薄膜电阻器5彼此更靠近地放 置，如下将述。适用于低阻抗元件20的、对激光调整束的切割效果 的耐受性比电阻膜材料的更高的材料为钛钨、氮化钛、钨、铝硅铜、 铝硅、铝铜、和铝。形成低阻抗元件的材料由PVD或CVD工艺直接 沉积到薄膜电阻器5的电阻膜7的顶部主表面14上。通过将低阻抗 元件20直接形成到相应的电阻膜7上，确保了每个低阻抗元件20和 相应的电阻膜7之间在电阻膜7被低阻抗元件20覆盖的整个区域上 的电接触。低阻抗元件20被沉积到恒定深度t2,该深度由沉积工艺决定。 每个低阻抗元件20长度为1而宽度为w2。每个低阻抗元件20的宽度 w2由所需的导电性以及相应电阻膜7的宽度wl来规定，以使相应的 第一和第二可调整区域30和31为足以允许调整的宽度w3。实际上， 为了形成具有足够宽度w3的第一和第二可调整区域30和31以便于 调整第一和第二可调整区域30和31,希望每个低阻抗元件的宽度w2 显著地小于相应的电阻膜7的宽度wl。另外，通过最小化每个低阻抗元件20的宽度w2，相应的电阻膜7的总宽度wl可以被最小化。 每个低阻抗元件20的长度1由所需的调整精度以及第 一和第二调整狭 槽34和35之间的间隔来规定。每个低阻抗元件20的从第一横断边 缘28沿着第一可调整区域30延伸的长度11，以及每个低阻抗元件20 的从第二横断边缘29沿着第二可调整区域31延伸的长度12均由所需 的调整精度规定，低阻抗元件20的长度11和12越长，调整精度将越 高并且调整范围将越大。在本发明的上述该实施方案中，因为在每个 薄膜电阻器5的第一可调整区域30中执行粗调，并在每个薄膜电阻 器5的第二可调整区域31中执行细调，所以每个低阻抗元件20的长 度12比其长度11更长。每个低阻抗元件20的端部33被整形以最小化端部33附近的相 应电阻膜7中的电流集聚。在本发明的该实施方案中，整形是通过从 低阻抗元件20的第一侧边21将每个低阻抗元件20的端部33彼此相 向地向内斜切来执行，其与相应的电阻膜7的第二侧边17相邻地朝 向低阻抗元件20的第二侧边23与低阻抗元件20的第一侧边21成约 45。角，尽管斜切角度可以在大于0。到小于90。的范围内。在薄膜电阻器5形成过程中的合适时刻通过本领域技术人员所 共知的合适的蚀刻工艺在薄膜电阻器5的电阻膜7中蚀刻第一和第二 横断边缘形成狭槽26和27。现在具体参考附图6,其显示了激光束的调整光斑(trim spot) 36被引导到薄膜电阻器5之一的电阻膜7的中间部分22上，用以对 其进行调整。调整光斑36具有高能中心光斑37，这是调整光斑36用 于切割各个第一和第二调整狭槽34和35的有效部分；而外侧低能光 晕38在高能中心光斑37的周围延伸。 一般来说，高能中心光斑37 的直径在3微米到5微米的范围内，而调整光斑36的光晕38的外径 为大约7.5微米。由高能中心光斑37形成的第一和第二调整狭槽34 和35的宽度w4也为大约3微米到5微米。通过大致平行于电阻膜7 的第一侧边16地从相应的第一和第二横断边缘28和29在大致纵向 方向上以0.1微米的增量步长(incremental step)，将第一和第二调整狭槽34和35分别逐渐地延伸到第一和第二可调整区域30和31中 来在第一和第二可调整区域30和31中执行调整。通过将第一和第二 调整狹槽34和35平行于相应电阻膜7的第一侧边16地延伸到第一 和第二可调整区域30和31中，可以最小化第一和第二可调整区域30 和31的宽度w3，并且因此可以最小化电阻膜7的宽度wl。在每个薄膜电阻器5的中间部分22中，第一和第二横断边缘形 成狭槽26和27在它们之间形成了聚焦区40，可以在要调整的薄膜电 阻器的第一和第二可调整区域30和31中分别形成第一和第二调整狭 槽34和35之前，将激光调整束的高能中心光斑37聚焦和对准在该 聚焦区40中。第一和第二横断边缘形成狭槽26和27应该被充分间 隔开，使得第一和第二横断边缘28和29之间的距离足以便于在开始 切割第一和第二调整狭槽34和35之前，将激光调整束聚焦于聚焦区 40中以及将激光调整束对准第一和第二可调整区域30和31。聚焦区 40对薄膜电阻器5的电阻值具有很小的影响或者没有影响，因而可以 在激光调整束聚焦期间被烧掉。在低阻抗元件20由比电阻膜7的材料更能耐受激光调整束切割 效果的材料制成，并且薄膜电阻器5与和薄膜电阻器5的第一和第二 可调整区域30和31相邻的每个薄膜电阻器5的低阻抗元件20相一 致地配置并取向的情况中，薄膜电阻器5可以被放置得相当靠近，而 在相邻的薄膜电阻器被调整时没有损害薄膜电阻器的风险。就算激光 调整束没有完全精确地对准正被调整的薄膜电阻器5的第一和第二可 调整区域30和31，并且激光调整束侵入了相邻的薄膜电阻器5，激 光调整束也将落在相邻的薄膜电阻器5的低阻抗元件20的相邻部分 上，而因为低阻抗元件20比电阻膜7的材料更能耐受激光调整束的 切割效果，所以不会对与正被调整的相邻薄膜电阻器5的第一和第二 可调整区域30和31相邻的薄膜电阻器5造成损害。因此，通过形成 由比电阻膜7的材料更能耐受激光调整束切割效果的材料制成的低阻 抗元件20，薄膜电阻器5可以被放置得相对靠近，并且可以放置得比 低阻抗元件由不比电阻膜7的材料更能耐受激光调整束切割效果的材料制成的情况更靠近。然而，即使在低阻抗元件20不是由比电阻膜7 的材料更能耐受激光调整束切割效果的材料制成的情况中，根据本发 明所述的薄膜电阻器仍然可以比很多迄今已知的薄膜电阻器放置得 靠近的多。事实上，在实际中已经发现，在具有以R2R构造实现的14比特 7段DAC的集成电路中，其中电阻器被实现为具有由不比电阻膜更能 耐受激光调整束切割效果的材料制成的低阻抗元件的根据本发明所 述的薄膜电阻器，薄膜电阻器所需的棵片面积为400微米x273微米。 与此相比，使用如附图1中所示类型的现有技术调整片型薄膜电阻器 所需的的棵片面积为1,100微米x400微米。然而，通过用具有由比电 阻膜的材料更能耐受激光调整束切割效果的材料制成的低阻抗元件 的根据本发明所述的薄膜电阻器来实现DAC，薄膜电阻器所需的棵片 面积进一步减少到224微米xl81微米的面积。因而，通过使用具有由 比电阻膜的材料更能耐受激光调整束切割效果的材料制成的低阻抗 元件的根据本发明所述的薄膜电阻器所实现的棵片面积减少，为所需 的棵片面积带来非常显著的91%的减少。即使当低阻抗元件是由不比 电阻膜的材料更能耐受激光调整束切割效果的材料制成时，根据本发 明所述的薄膜电阻器也为所需棵片面积带来显著的75%的减少。现在参考附图8，所示为波形图A，其显示了随着第一调整狹槽 34的长度逐渐地在第一可调整区域30中的增加，第一调整狭槽34长 度每增加一个单位，薄膜电阻器5之一的电阻值是如何逐渐地增加的。 以欧姆为单位的电阻值在Y轴上标绘，而以微米为单位的第一调整狭 槽34的从第一横断边缘28到第一可调整区域30中的长度在X轴上 标绘。起初，对于第一调整狭槽34离第一横断边缘28的最初4微米， 第一调整狭槽34长度每增加一个单位而增加的薄膜电阻器5电阻值 相对要低。然而，在之后随着第一调整狭槽34的长度增加，由第一 调整狭槽34长度每增加一个单位所得到的电阻值增加以快得多的速 率逐渐地增加。因而，随着第一调整狭槽34离第一横断边缘28的长 度增加，第一调整狭槽34长度每增加一个单位，调整精度降低。然而，虽然第一调整狭槽34长度每增加一个单位，调整精度降低，但 是对于第一调整狭槽34的最初约4微米，调整精度相对要高。可是 之后，随着第一调整狭槽34的长度的增加，调整精度降低的速率更 快。因为低阻抗元件20沿着每个薄膜电阻器5的第二可调整区域31 延伸的部分的长度12大于低阻抗元件20沿着每个薄膜电阻器5的第 一可调整区域30延伸的部分的长度11，所以与由第一可调整区域30 中第一调整狭槽34离每个薄膜电阻器5的第一横断边缘的每单位长 度所实现的调整精度相比，逐个微米地，由第二可调整区域31中第 二调整狭槽35所实现的第二调整狭槽35离第二横断边缘29的每单 位长度调整精度更高。因此，通过使用第一调整狭槽34以通过将第一调整狭槽34向第 一可调整区域30中延伸将薄膜电阻器5电阻值增加到刚好低于所需 电阻值的水平的长度来粗调每个薄膜电阻器5，即使粗调需要将第一 调整狭槽34延伸大于6微米的长度，仍然可以通过将第一调整狭槽 34从第一横断边缘28延伸达约9微米到IO微米长度来实现粗调，见 附图8。在之后，可以通过将第二调整狭槽35从第二横断边缘29逐 渐地延伸到第二可调整区域31中来执行细调。如果粗调已经将薄膜 电阻器5电阻值增加到刚好低于所需电阻值，第二可调整区域31中 的细调应该在第二调整狭槽35长度的最初5微米内实现，由此使得 能用相对高的精度执行细调。现在参考附图9，波形B显示了在调整一个典型的薄膜电阻器5 期间电阻值的增加。波形B的Bl部分表示粗调，而波形B的B2部 分表示细调。通过将第一调整狭槽34逐渐地延伸到第一可调整区域 30中直到薄膜电阻器5电阻值刚好低于所需电阻值，来在第一可调整 区域30中执行薄膜电阻器5的初始粗调。在此情况下，第一调整狭 槽34被延伸到第一可调整区域30中几乎8微米的长度。然后执行细 调以使薄膜电阻器5的电阻值增加到所需电阻值。这通过将第二调整 狭槽35延伸到第二调整区域31中直到薄膜电阻器5的电阻值达到所需电阻值为止来实现。在该特定情况中，第二调整狭槽被延伸到第二可调整区域31中大约4微米的距离。如由波形B的B2部分可见，随着第二调整狭槽35的长度的增 加而由第二调整狭槽35长度每增加一个单位所得到的薄膜电阻器5 电阻值增加逐渐地增加。然而，随着第二调整狭槽35的长度增加而 由第二调整狭槽35的长度每增加一个单位所得到的薄膜电阻器5电 阻值增加速率显著低于随着第一调整狹槽34的长度增加而由第一调 整狭槽34长度每增加一个单位所得到的薄膜电阻器5电阻值的增加 速率。这起因于低阻抗元件20的从第二横断边缘29沿着第二可调整 区域31延伸的长度12大于低阻抗元件20的从第一横断边缘28沿着 第一可调整区域30延伸的长度11这一事实。由于事实上随着第二调 整狭槽35的长度增加而由第二调整狭槽35长度每增加一个单位所得 到的薄膜电阻器5电阻值增加速率低于随着第一调整狭槽34的长度 增加而使薄膜电阻器5电阻值增加的相应速率，所以第二可调整区域 31中提供了比在第一可调整区域30中更高的调整精度。现在参考附图lO和ll，显示了根据本发明另一个实施方案所述 的薄膜电阻器，用附图标记50表示。薄膜电阻器50与附图2到9中 所述的薄膜电阻器5相当类似，并且相似的部件由相同的附图标记标 识。薄膜电阻器50如附图11中所示位于绝缘层4上，与附图2到7 的集成电路ll的薄膜电阻器5相似。薄膜电阻器50和薄膜电阻器5 之间的主要区别在于电阻膜7的宽度在其从第一端部8到第二端部9 的长度方向上不是恒定的。从中间部分22延伸到第一端部8的电阻 膜7的第一部分24包含宽度为w，l的伸长的第一窄剩narrow strip) 51，该第一窄条51其从第一端部8延伸到同样属于第一部分24的并 终止于中间部分22中的第一宽部(wider portion) 52。第一宽部52 的宽度为wl,这与中间部分22的宽度相似。类似地，电阻膜7的第 二部分25包含第二窄条53，该第二窄条53从第二端部9延伸到终止 于中间部分22中的第二宽部54。第一和第二窄条51和53的宽度w，l 相似，并且分别在55和56处朝着相应的第一和第渐地增加，以防止当电流在第一和第二窄条51和53与相应的第一和 第二宽部52和54之间通过时电流集聚。窄条51和53的长度可以为 任意所需的长度，并且可以更长或更短，但一般长于相应的宽部52 和54，并且第一和第二窄条51和53的长度和宽度w，l都将由薄膜电 阻器50的所需的电阻值规定。第一和第二窄条51和53、第一和第二宽部52和54、以及电阻 膜7的中间部分22由PVD或CVD工艺同时形成为具有恒定厚度tl 的单个单片电阻膜7。低阻抗元件20由PVD或CVD工艺沉积于电 阻膜7的顶上，并在电阻膜7的第一和第二部分24和25之间延伸以 限定中间部分22，并且如参考附图2到9的薄膜电阻器5所述的那样 在其整个区域上被电耦合到电阻膜7的顶部主表面14。另外，薄膜电阻器50类似于薄膜电阻器5,并且对薄膜电阻器 50的调整同样相似，因此通过将第一调整狭槽从第一横断边缘28延 伸到第一可调整区域30中来执行粗调，并且通过将第二调整狭槽从 第二横断边缘29逐渐地延伸到第二可调整区域31中来执行细调。现在参考附图12到15,显示了同样根据本发明所述的集成电路 部分， 一般用附图标记60表示。集成电路60包含硅衬底61，其一 部分如附图13中所示；以及由二氧化硅制成的电绝缘层62，其位于 硅衬底61的顶上。多个同样根据本发明所述的复合薄膜电阻器，一 般用附图标记65表示，被形成于绝缘层62上，其中的三个复合薄膜 电阻器65如附图12中所示。每个复合薄膜电阻器65由一对同样根 据本发明所述的薄膜电阻器66a和66b形成，该一对薄膜电阻器66a 和66b在相应的第一和第二电接触焊盘67和68之间被串联地电耦合。 薄膜电阻器66有点类似于附图2到7中的薄膜电阻器5，并且相似的 部件由相同的附图标记标识。每个复合薄膜电阻器65的薄膜电阻器 66在相应的第一和第二电接触焊盘67和68之间，被低阻抗元件70 串联地电耦合，该低阻抗元件70形成每个复合薄膜电阻器65的薄膜 电阻器66的低阻抗元件20。薄膜电阻器66和附图2到7的薄膜电阻器5之间的主要区别在于每个薄膜电阻器66的低阻抗元件20,当被放置于每个电阻膜7的 第一和第二端部8和9之间时，被放置得与电阻膜7的第二端部9相 邻而不是与第二端部9间隔开。因而，在本发明的该实施方案中，每 个薄膜电阻器66的电阻膜7的第二端部9形成了中间部分22的第一 横断边缘28。每个薄膜电阻器66的中间部分22，虽然位于相应的电 阻膜7的第一和第二端部8和9之间，但被放置得与电阻膜7的第二 端部9相邻。因此，每个薄膜电阻器66只被提供了一个可调整区域， 即，第一可调整区域71，其与薄膜电阻器5的第一可调整区域30相 似，并且其被限定于电阻膜7的第一侧边16、第一横断边缘28、和 相应的中间部分22中的相应低阻抗元件20的第二侧边23之间。在此情况下，每个复合薄膜电阻器65的薄膜电阻器66a的第一 端部8耦合到相应的第一接触焊盘67，而每个复合薄膜电阻器65的 薄膜电阻器66b的第一端部8耦合到相应的第二接触焊盘68因为每个复合薄膜电阻器65的薄膜电阻器66a和66b中每个都 包含第一可调整区域71，所以可以通过在薄膜电阻器66a的第一可调 整区域71中执行粗调并在薄膜电阻器66b的第一可调整区域71中执 行细调来使复合薄膜电阻器65受到粗调和细调，反之亦可。用与参 考附图2到7的薄膜电阻器5所述的类似方式执行第一可调整区域71 的调整。在薄膜电阻器66a的第一可调整区域71要被用于粗调并且 薄膜电阻器66b的第一可调整区域71要被用于细调的情况中，通常， 低阻抗元件20的从薄膜电阻器66b的第二端部9沿着其第一可调整 区域71延伸的长度12会长于低阻抗元件20从薄膜电阻器66a的第二 端部9沿着其第一可调整区域71延伸的长度11,以在薄膜电阻器66b 中提供更高的调整精度。虽然薄膜电阻器66已被描述为形成复合薄膜电阻器65，但是将 对本领域技术人员显而易见的是每个薄膜电阻器66可以单独构成单 个薄膜电阻器，并且在此情况中，设想薄膜电阻器66的第一端部被 电耦合到第一接触焊盘，而薄膜电阻器66的第二端部通过薄膜电阻 器66的第二端部外延伸的低阻抗元件20部分被电耦合到第二接触焊盘。现在参考附图16和17，显示了根据本发明另一个实施方案所述 的薄膜电阻器80。薄膜电阻器80与附图2到7中所述的薄膜电阻器 5相当类似，并且相似的部件由相同的附图标记标识。薄膜电阻器80 如附图17中所示位于绝缘层4上，其与附图2到7的集成电路1相 似。在本发明的该实施方案中，薄膜电阻器80具有两个低阻抗元件， 即，第一低阻抗元件81和第二低阻抗元件82，这两者分别被放置于 位于第一和第二端部8和9中间的电阻膜7上。第一低阻抗元件81 被放置得与电阻膜7的第一端部8相邻，并且限定电阻膜7的第一中 间部分83,这与薄膜电阻器5的中间部分22相似。第二低阻抗元件 82被放置得与电阻膜7的第二端部9相邻，并且限定电阻膜7的第二 中间部分84，这同样与薄膜电阻器5的中间部分22相似。与第一横断边缘形成狭槽26相似的第一横断边缘形成狭槽85 延伸到第一中间部分83中以形成第一横断边缘28。第二横断边缘形 成狭槽86延伸到第二中间部分84中以形成第二横断边缘29。第一横 断边缘28与电阻膜7的第一侧边16和第一低阻抗元件81的第二侧 边23 —起限定了第一可调整区域87，而第二横断边缘29与电阻膜7 的第一侧边16和第二低阻抗元件82的第二侧边23 —起限定了第二 可调整区域88。第一和第二可调整区域87和88与薄膜电阻器5的第 一和第二可调整区域30和31相当类似，并且在本发明的该实施方案 中，第一低阻抗元件81从第一横断边缘28沿着第一可调整区域87 延伸长度11,该长度11短于第二低阻抗元件82从第二横断边缘29 沿着第二可调整区域88延伸的长度12。因此，第一可调整区域87适 合粗调薄膜电阻器80的电阻值，而第二可调整区域88适合细调薄膜 电阻器80的电阻值。第 一和第二横断边缘形成狭槽85和86与各自相邻的第 一和第二 端部8和9一起，分别限定了第一和第二聚焦区90和91，以便于在 将第一和第二调整狭槽34和35分别形成于第一和第二可调整区域87 和88之前聚焦激光调整束。薄膜电阻器80由第一和第二低阻抗元件81和82分别电耦合到 第一和第二接触焊盘10和11。，电阻膜7以及第一和第二低阻抗元件81和82是由与薄膜电阻 器5的电阻膜7和低阻抗元件20类似的材料并且由相似工艺形成。 第一和第二低阻抗元件81和82被直接沉积到电阻膜7上，并与电阻 膜7在电阻膜7分别被第一和第二低阻抗元件81和82覆盖的整个区 域上直接电接触。另外，薄膜电阻器80与薄膜电阻器5相似，并且薄膜电阻器80 电阻值的调整用与参考附图2到9所述的类似方式执行。通过将第一 调整狭槽34从第一横断边缘28逐渐地延伸到第一可调整区域87中 直到薄膜电阻器80的电阻值刚好低于所需电阻值，来执行薄膜电阻 器80的粗调，然后通过将第二调整狭槽35从第二横断边缘29逐渐 地延伸到第二可调整区域88中直到薄膜电阻器80的电阻值达到所需 电阻值为止，来执行薄膜电阻器80的细调。现在参考附图18，显示了根据本发明另一个实施方案所述的薄 膜电阻器95。薄膜电阻器95与附图2到7中所述的薄膜电阻器5相 当类似，并且相似的部件由相同的附图标记标识。薄膜电阻器95和 薄膜电阻器5之间的唯一区别在于中间部分22。在本发明的该实施方 案中，省略了中间部分22中形成横断边缘28和29的第一和第二横 断边缘形成狭槽26和27。因此，低阻抗元件20与电阻膜7的第一侧 边16 —起在中间部分22中限定了 一个可调整区域96。通过一开始将激光调整束聚焦在可调整区域96中低阻抗元件20 的端部33中间的位置，来执行薄膜电阻器95的调整。为了便于薄膜 电阻器95的粗调和细调，应该在从低阻抗元件20的端部33之间的 中点偏离的位置处执行激光调整束的聚焦。比如，在由点划线97表 示的位置处，其更靠近低阻抗元件20的端部33a而不是低阻抗元件 的端部33b。然后，通过将第一调整狭槽34在可调整区域96中从点 划线97按箭头D的方向朝着端部33a前移，来执行粗调，直到薄膜 电阻器95的电阻值刚好低于所需电阻值。通过将第二调整狭槽35在可调整区域96中从点划线97按箭头E的方向朝着端部33b前移，来 执行细调，直到薄膜电阻器95的电阻值达到所需电阻值为止。另外，薄膜电阻器95及其调整与参考附图2到9所述的薄膜电 阻器5相似。虽然参考附图2到9、附图10和11、附图12到15、附图16和 17以及附图18所述的薄膜电阻器的低阻抗元件已被描述为覆盖相应 的电阻膜，但是在某些情况中，设想低阻抗元件可以被放置于电阻膜 的一侧并与其相邻，尽管将低阻抗元件覆盖在电阻膜上的优点是薄膜 电阻器所需的棵片面积被最小化。另外，在低阻抗元件是由比电阻膜 的材料更能耐受激光调整束切割效果的材料制成的情况中，可以实现 棵片面积的进一步减少，因为薄膜电阻器可以被放置得彼此更靠近。虽然参考附图2到9、附图lO和ll、附图12到15以及附图16 和17所述的薄膜电阻器已被描述为通过将各自的第一和第二横断边 缘形成狭槽从第 一侧边延伸到电阻膜中而形成第 一和第二横断边缘， 但是在某些情况中，设想被第一和第二横断边缘形成狭槽以及低阻抗 元件所界定的电阻膜的整个区域可以通过蚀刻或其它方式来去除。然 而，通过第一和笫二横断边缘形成狭槽来形成第一和第二横断边缘的 优点是，当第一和第二横断边缘通过相应的第一和第二横断边缘形成 狭槽来形成，而不是通过完全去除被第一和第二横断边缘形成狭槽以 及低阻抗元件所界定的电阻膜部分来形成时，可以得到更加精确和可 靠的横断边缘。虽然根据本发明所述的薄膜电阻器已经被描述为被形成于由特 定材料制成的集成电路上，但是薄膜电阻器可以被形成于任意集成电 路上，或者甚至任意其它合适衬底上。不必说，虽然已经描述了薄膜 电阻器和低阻抗元件的宽度和厚度的特定范围以及材料类型，但是可 以选用任何其它合适的宽度、厚度和材料来形成电阻膜和低阻抗元 件。另外，虽然根据本发明所述的膜式电阻器已被描述为薄膜电阻 器，但是膜式电阻器可以为厚膜电阻器，其可以被形成于集成电路上，或者甚至可以是那种形成于印刷电路板上的、或其它基材上的类型。部附近的电流集聚，虽然这是优选的，但不是必须的；此外，低阻抗 元件的端部可以用别的方式整形以避免电流集聚，比如，它们可以通 过切成圆角而被倒圆。不必说，参考附图2到9、附图10和11、以及附图16和17所 述的每个薄膜电阻器的粗调可以在第二可调整区域中执行而细调可 以在第一可调整区域中执行。虽然低阻抗元件已经被描述为被放置在电阻膜上让每个低阻抗 元件的第一侧边与相应电阻膜的第二侧边相合，虽然这是优选的，但 不是必须的。比如，低阻抗元件可以被放置于电阻膜上让每个低阻抗 元件的第一侧边与相应电阻膜的第二侧边间隔开。然而，通过放置低 阻抗元件让每个低阻抗元件的第一侧边与相应电阻膜的第二侧边相 合，在电阻膜的第 一侧边和低阻抗元件的第二侧边之间所限定的可调 整区域或区域们的宽度被最大化，由此最小化中间部分处或者其部分 所需的电阻膜的宽度。然而，设想在某些情况中，每个薄膜电阻器的 低阻抗元件可以被放置于相应的电阻膜的第 一和第二侧边之间。在此 情况中，可调整区域可以被配备于低阻抗元件的各自对边上，位于低 阻抗元件和相应电阻膜的第一侧边与低阻抗元件和相应电阻膜的第 二侧边之间。虽然参考附图2到7以及附图10和11所述的薄膜电阻器的低阻 抗元件已经被描述为，沿着第一可调整区域延伸的低阻抗元件部分的 长度短于沿着第二可调整区域延伸的低阻抗元件部分的长度，但是在 某些情况中，设想沿着第一可调整区域延伸的低阻抗元件部分的长度 可以为与沿着第二可调整区域延伸的低阻抗元件部分的长度相似。在 此情况中，在第一和第二可调整区域的每一个中所能实现的调整精度 将相当类似。然而，通过在第一可调整区域中的粗调期间将薄膜电阻 器的电阻值增加到刚好低于所需电阻值的水平，在第二可调整区域中 相对短的第二调整狭槽应该足以将薄膜电阻器的电阻值增加到所需水平，因而第二可调整区域中的细调将在与第二横断边缘相邻的区域中用相对高的精度执行。同样地，在参考附图12到15以及附图16 和17所述的薄膜电阻器中，各自的低阻抗元件的长度可以相当类似。
权利要求
1.一种膜式电阻器，包括由电阻性材料制成的电阻膜，该电阻膜在第一端部和与之隔开的第二端部之间纵向延伸，并且具有在对置地隔开的第一和第二侧边之间延伸的对置地隔开的第一和第二主表面，该电阻膜适合于容纳第一和第二端部之间的电流，以及低阻抗元件，该低阻抗元件电耦合到电阻膜，与设置于第一和第二端部之间的电阻膜的中间部分相邻，用以与电阻膜的中间部分平行地导通电流以减小中间部分中电流的电流密度，以便于调整该中间部分中的膜式电阻器的电阻值。
2. 根据权利要求1所述的膜式电阻器，其中，低阻抗元件在电阻 膜的第一和第二端部之间的方向上沿着中间部分的长度方向电耦合 到电阻膜。
3. 根据权利要求1或2所述的膜式电阻器，其中，低阻抗元件沿 着中间部分与电阻膜的第 一主表面相邻并且电耦合到电阻膜的第一 主表面。
4. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低 阻抗元件与中间部分相邻地与电阻膜层压在一起。
5. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低 阻抗元件与中间部分相邻地覆盖电阻膜的第 一主表面，并在电阻膜的 被低阻抗元件所覆盖的整个区域上与电阻膜电耦合。
6. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低 阻抗元件与电阻膜的第二侧边相邻地电耦合到电阻膜。
7. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低阻 抗元件在电阻膜的与该电阻膜的第一侧边间隔开的位置处电耦合到 电阻膜上，并在位于低阻抗元件和第一侧边之间的中间部分中限定可 调整部分。
8. 根据权利要求7所述的膜式电阻器，其中，膜式电阻器的电阻值可通过逐渐地在可调整部分中延伸调整狭槽来调整。
9. 根据权利要求7或8中所述的膜式电阻器，其中，第一横断边 缘在中间部分中以从电阻膜的第一侧边到低阻抗元件的大致方向延 伸，第一横断边缘与第一侧边和低阻抗元件一起在可调整部分中限定 了第一可调整区域。
10. 根据权利要求9所述的膜式电阻器，其中，膜式电阻器的电 阻值可通过逐渐地在第一可调整区域中延伸第一调整狹槽来调整。
11. 根据权利要求10所述的膜式电阻器，其中，第一调整狹槽从 第一横断边缘延伸到第一可调整区域中。
12. 根据权利要求9到11的任一所述的膜式电阻器，其中，与第 一横断边缘间隔开的第二横断边缘在中间部分中以从电阻膜的第一 侧边到低阻抗元件的大致方向延伸，第二横断边缘与第一侧边和低阻 抗元件在可调整部分中限定了第二可调整区域。
13. 根据权利要求12所述的膜式电阻器，其中，第二横断边缘设置于第一横断边缘和电阻膜的第二端部之间。
14. 根据权利要求12或13所述的膜式电阻器，其中，膜式电阻 器的电阻值可通过逐渐地在第二可调整区域中延伸第二调整狭槽来 调整。
15. 根据权利要求14所述的膜式电阻器，其中，第二调整狭槽从 第二横断边缘延伸到第二可调整区域中。
16. 根据权利要求14或15所述的膜式电阻器，其中，第一和第 二调整狭槽中的一个延伸到第一和第二可调整区域中相应的一个中 以粗调膜式电阻器的电阻值，而第 一和第二调整狭槽中的另 一个延伸 到第一和第二可调整区域中相应的一个中以细调膜式电阻器的电阻 值。
17. 根据权利要求12到16的任一所述的膜式电阻器，其中，电 流密度在各个第一和第二可调整区域中向着电阻膜的第一侧边以及 第一和第二横断边缘中相应的一个而逐渐地减小。
18. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，电阻膜为伸长的电阻膜，该电阻膜在其第一和第二端部之间纵向延伸。
19. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低 阻抗元件为伸长的低阻抗元件，该低阻抗元件以平行于电阻膜的大致 方向纵向延伸。
20. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低 阻抗元件的各个对置的端部被整形以将其端部附近的电流集聚最小 化。
21. 根据权利要求20所述的膜式电阻器，其中，低阻抗元件的各 个对置的端部被斜切，使得被设置为与电阻膜第二侧边相邻的低阻抗 元件的侧边比被设置为远离电阻膜的第二侧边的对置侧边长。
22. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低 阻抗元件比电阻膜更能耐受激光调整束的切割效果。
23. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，低 阻抗元件的电阻值低于电阻膜的电阻值。
24. 根据前述权利要求中任何一项所述的膜式电阻器，其中，电 阻膜为薄膜电阻器。
25. 根据任何前述权利要求所述的膜式电阻器，其中， 一对低阻膜。
26. 根据权利要求25所述的膜式电阻器，其中，低阻抗元件中的 一个和相应的中间部分被设置得与电阻膜的第一和第二端部中的一 个相邻，而低阻抗元件中的另一个和相应的一个中间部分被设置得与 电阻膜的第一和第二端部中的另一个相邻。
27. —种复合膜式电阻器，包括一对根据前迷权利要求中任何一 项所述的膜式电阻器，该一对膜式电阻器被各膜式电阻器的低阻抗元 件串联地电耦合。
28. —种集成电路，包括电绝缘村底层和形成于衬底层上的根据 权利要求1到26中的任何一项所述的膜式电阻器。
29. —种集成电路，包括电绝缘衬底层和形成于衬底层上的多个间隔开的根据权利要求1到26中的任一项所述的膜式电阻器，电阻 膜的第二主表面与衬底层相邻，电阻膜以每个电阻膜的第 一侧边相邻 但与相邻的电阻膜的第二侧边间隔开的方式互相平行地延伸。
30. —种用于形成和调整膜式电阻器的方法，该方法包括以下步在电绝缘衬底上形成由电阻性材料制成的电阻膜，该电阻膜在第 一端部和与该第一端部间隔开的第二端部之间延伸，并且具有在对置地隔开的第一和第二侧边之间延伸的对置地隔开的第一和第二主表 面，该电阻膜适合于容纳第一和第二端部之间的电流，将低阻抗元件电耦合到电阻膜，与设置于第 一和第二端部之间的 电阻膜的中间部分相邻，用以与电阻膜的中间部分平行地导通电流以 减小中间部分中电流的电流密度，以便于调整该中间部分中的膜式电 阻器的电阻值，以及通过使调整狭槽逐渐地延伸到电阻膜的中间部分中来调整膜式 电阻器的电阻值。
31. 根据权利要求30所述的方法，其中，低阻抗元件在电阻膜的 与该电阻膜的第 一侧边间隔开的位置处电耦合到电阻膜上，并在位于 低阻抗元件和第 一侧边之间的中间部分中限定可调整部分。
32. 根据权利要求31所述的方法，其中，在中间部分中形成第一 横断边缘，该第 一横断边缘以从电阻膜的第 一侧边到低阻抗元件的大 致方向延伸，第一横断边缘与第一侧边和低阻抗元件一起在可调整部 分中限定了第一可调整区域。
33. 根据权利要求32所述的方法，其中，通过逐渐地使第一调整 狭槽在第一可调整区域中延伸来调整第一可调整区域。
34. 根据权利要求33所述的方法，其中，第一调整狭槽从第一横 断边缘延伸到第一可调整区域中。
35. 根据权利要求33或34所述的方法，其中，第一调整狭槽在 第 一可调整区域中与电阻膜的第一侧边平行地逐渐地延伸。
36. 根据权利要求32到35中的任何一项所述的方法，其中，在中间部分中形成与第一横断边缘间隔开的第二横断边缘，该第二横断 边缘以从电阻膜的第 一侧边到低阻抗元件的大致方向延伸，第二横断 边缘与第一侧边和低阻抗元件在可调整部分中限定了第二可调整区域。
37. 根据权利要求36所述的方法，其中，通过使第二调整狭槽逐 渐地在第二可调整区域中延伸来调整第二可调整区域。
38. 根据权利要求37中所述的方法，其中，第二调整狭槽从第二 横断边缘延伸到第二可调整区域中。
39. 根据权利要求37或38所述的方法，其中，第二调整狭槽在 第二可调整区域中与电阻膜的第 一侧边平行地逐渐地延伸。
40. 根据权利要求37到39中的任何一项所述的方法，其中，第 一和第二调整狭槽中的一个延伸到第一和第二可调整区域中相应的一个中以粗调膜式电阻器的电阻值，而第一和第二调整狭槽中的另一个延伸到第一和第二可调整区域中相应的一个中以细调膜式电阻器的电阻值。
全文摘要
集成电路的薄膜电阻器(5)包含在电接触焊盘(10，11)之间延伸的、伸长的电阻膜(7)。低阻抗元件(20)覆盖了并被电耦合到电阻膜(7)的中间部分(22)中与电阻膜(7)的第二侧边(17)相邻的部分，用以与中间部分(22)平行地导通电流，以及用以减少中间部分(22)中的电流密度。通过将从第一侧边(16)延伸到电阻膜(7)中的第一和第二狭槽(26，27)间隔开所形成的第一和第二横断边缘(28，29)，其与电阻膜(7)的第一侧边(16)和低阻抗元件(20)一起在中间部分(22)中限定了第一和第二可调整区域(30，31)。通过逐渐地将第一调整狭槽(34)从第一横断边缘(28)延伸到第一可调整区域(30)中来进行薄膜电阻器(5)的粗调(coarse trimming)，并通过将第二调整狭槽(35)从第二横断边缘(29)延伸到第二可调整区域(31)中来进行薄膜电阻器(5)的细调(fine trimming)。
文档编号H01C17/24GK101223611SQ200680025736
公开日2008年7月16日 申请日期2006年9月14日 优先权日2005年9月20日
发明者伯纳尔德·P.·斯坦森, 帕特里克·M.·马克吉尼斯 申请人:阿纳洛格装置公司