专利名称：一种半导体硅片的减薄制造工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术，特别是一种半导体硅片的减薄制造工艺。
背景技术：
现有的功率器件在做完正面后都要将背面减薄再做背面金属化，由于在减薄后还要将硅片做背面金属化及退火，因此硅片的厚度就不能太薄。如果太薄，在以后的加工过程中容易造成碎片，影响整个工序的成品率。
对于目前流行的各种便携式电子设备或仪器都正在向小型化和微型化及高可靠性方向发展，相应地要求电子元器件的体积要求也越来越苛刻，体积越小越好，厚度越薄越好，而性能越可靠越好。其中半导体器件中的硅片目前已经做得很薄，通常4英寸的硅片已做到150um左右、5英寸的硅片已做到180um左右、6英寸的硅片已做到220um左右，但还不能满足某些特殊使用的要求。在科学实践中，对于以贴片式使用的封装硅片的厚度已有小于120um的要求，对于IGBT等一些用单晶材料来加工的器件在做完正面后也需要将硅片减薄到100um以下，这种厚度的硅片，用现有常规的加工方法是很难达到要求的。因此，市场迫切需要一种既能确保加工成品率的同时又能将硅片厚度进一步减薄的加工方法。
发明内容
本发明的目的是要提供一种既能确保加工成品率的同时又能将硅片厚度进一步减薄的半导体硅片的减薄制造工艺。
本发明的半导体硅片的减薄制造工艺主要是先将二块硅片正面互粘、固定呈一体，然后用现有的常规减薄加工方法对互粘呈一体的硅片视作为一块加工处理，再对二个被加工背面分别进行金属化处理，最后将互粘呈一体的硅片放置于溶胶液中，经溶胶后自然分离，得到二块分立的超薄型硅片。
本发明的半导体硅片的减薄制造工艺流程主要如下 (1)首先对被加工的硅片进行正面金属化处理，再对二块硅片已进行过金属化处理的正面上分别涂粘合胶； (2)将二块硅片上已涂胶过的正面互相粘合呈一体的硅片； (3)将二块正面粘全在一起、呈一体硅片的二个背面利用常规的加工办法分别进行减薄加工处理； (4)对二块互相粘合呈一体状态下的二个被减薄加工过的背面分别进行金属化处理； (5)将上述已完成加工处理的二块互相粘合呈一体的硅片浸泡在与粘合胶相符的溶胶液中将胶溶解，二块硅片自然分离，获得二块厚度相当于原来一块的1/2加工后厚度的薄型硅片。
此外，所述的粘合胶为可溶性粘合胶，可以用市售的光刻胶充任；所述的溶胶液为粘合胶的相应溶解液。
基于上述构思的本发明的半导体硅片的减薄制造工艺，由于首先在二块硅片正常切割厚度的状态下加工并金属化处理正面，并在互相粘合呈一体的状态下利用常规加工方法进行背面的减薄和金属化处理，不仅使硅片的成品厚度可以减薄到以前的一半左右，彻底改变了以往不能加工出150um以下硅片的状况，而且将硅片原来的分散加工处理工序提前或集中完成，免除了现有技术的后道加工中有可能发生废品的状况；二块硅片在粘合状态下同时进行减薄和背面金属化处理，极大地提高了工作效率，与现有技术的加工方法相比，至少可提高30％；而且基本上完全利用现有的技术设施和加工手段，附加投入极少。由上可见，本发明的半导体硅片的减薄制造工艺与现有的同类制造工艺相比，具有无可比拟的技术先进性，极强的实用性和可贵的经济性，不仅是一种加工制造超薄型硅片的极具可操作性和行之有效的先进工艺，而且也可以借此用于非超薄型硅片的生产中，以降低废品率和进一步提高生产效率。
图1是本发明实施例的工艺流程框图； 图2是本发明实施例的制造工艺流程图。
图中 1.硅片 2.正面 3.背面 4.粘呈一体的硅片 5.粘合胶
具体实施例方式 下面结合附图及典型实施例对本发明作进一步说明。
在图1和图2中，本发明的半导体硅片的减薄制造工艺主要是先将二块硅片1-1和1-2正面2-1和2-2互粘、固定呈一体，然后用现有的常规减薄加工方法对互粘呈一体的硅片4视作为一块加工处理，再对二个被加工背面3-1和3-2分别进行金属化处理，最后将互粘呈一体的硅片4放置于溶胶液中，经溶胶后自然分离，得到二块分立的薄型硅片1。
本发明的半导体硅片的减薄制造工艺流程主要如下 (1)首先对被加工的硅片1-1和1-2进行正面金属化处理，再对二块硅片1-1和1-2已进行过金属化处理的正面2-1和2-2上分别涂粘合胶5； (2)将二块硅片1-1和1-2上已涂胶过的正面2-1和2-2互相粘合呈一体硅片4； (3)将二块正面2-1和2-2粘全在一起、呈一体硅片4的二个背面3-1和3-2利用常规的加工办法分别进行减薄加工处理； (4)对二块互相粘合呈一体状态下的二个被减薄加工过的背面3-1和3-2分别进行金属化处理； (5)将上述已完成加工处理的二块互相粘合呈一体硅片4浸泡在与粘合胶相符的溶胶液中将胶溶解，二块硅片1-2和1-2自然分离，获得二块薄型硅片成品1。
此外，所述的粘合胶(5)由市售的光刻胶充任；所述的溶胶液为光刻胶的相应溶解液。
权利要求
1.一种半导体硅片的减薄制造工艺，其特征在于工艺流程如下
(1)首先对被加工的硅片(1-1)和(1-2)进行正面金属化处理，再对二块硅片(1-1)和(1-2)已进行过金属化处理的正面(2-1)和(2-2)上分别涂粘合胶(5)；
(2)将二块硅片(1-1)和(1-2)上已涂胶过的正面(2-1)和(2-2)互相粘合呈一体硅片(4)；
(3)将二块正面(2-1)和(2-2)粘全在一起、呈一体硅片(4)的二个背面(3-1)和(3-2)利用常规的加工办法分别进行减薄加工处理；
(4)对二块互相粘合呈一体状态下的二个被减薄加工过的背面(3-1)和(3-2)分别进行金属化处理；
(5)将上述已完成加工处理的二块互相粘合呈一体硅片(4)浸泡在与粘合胶相符的溶胶液中将胶溶解，二块硅片(1-1)和(1-2)自然分离，获得二块薄型硅片(1)成品。
2.根据权利要求1所述的半导体硅片的减薄制造工艺，其特征在于所述的硅片(1)成品的厚度是在现有相同加工方法下加工的单片硅片厚度的一半。
3.根据权利要求1所述的半导体硅片的减薄制造工艺，其特征在于所述的粘合胶(5)为可溶性粘合胶。
4.根据权利要求1所述的半导体硅片的减薄制造工艺，其特征在于所述的粘合胶(5)可以用市售的光刻胶充任。
5.根据权利要求1所述的半导体硅片的减薄制造工艺，其特征在于所述的溶胶液为粘合胶(5)的相应溶解液。
全文摘要
本发明涉及一种半导体硅片的减薄制造工艺，先将二块硅片正面互粘呈一体，然后用现有的常规减薄加工方法对互粘呈一体的硅片视作为一块加工处理，对二个背面分别进行金属化处理后放置于溶胶液中，经溶胶后自然分离，得到二块分立的薄型硅片。由于可在二块硅片正常切割厚度的状态下先加工并金属化处理正面，后在互相粘合状态下利用常规加工方法进行背面的减薄和金属化处理，不仅使硅片的成品厚度可以减薄到现有加工方法中单块的一半厚度，彻底改变以往不能加工出150um以下硅片的状况，而且二块硅片在粘合状态下同时进行减薄和背面金属化处理，有利于提高工作效率和成品率，与现有技术的加工方法相比，至少可提高30％，且可充分利用现有的技术设施和加工手段，有很强的可操作性和实用性。
文档编号H01L21/02GK101101873SQ20071004280
公开日2008年1月9日 申请日期2007年6月27日 优先权日2007年6月27日
发明者新 王 申请人:上海华微科技有限公司