专利名称：清洗方法、器件制造方法、清洗组件和装置、光刻装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于表面清洗(cleaning)的方法、器件制造方法、清洗组件、清洗装置以及光刻装置。
背景技术：
光刻装置是可在衬底、通常是衬底的目标部分上施加所需图案的机器。光刻装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可采用图案形成装置来产生将形成于IC的单个层上的电路图案，该图案形成装置也称为掩模或分划板。该图案可被转移到衬底(如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯、或者一个管芯的一部分)上。图案的转移通常借助于成像到设于衬底上的一层辐射敏感材料(光刻胶)上来实现。通常来说，单个衬底包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分，还包括所谓的扫描器，其中通过沿给定方向(“扫描”方向)由辐射束来扫描图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底来照射各目标部分。还可以通过将图案压印在衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底上。
尽管光刻装置通常在超净室内操作，并且常常用清洗空气进行吹洗，但是，确实会产生对装置的污染，并且根据污染的类型和位置而会导致不同的问题。例如，源于超净室内空气或者源于掩模的制造、运输和储存的掩模上的无机污染物可能导致投影光束的局部吸收，从而导致剂量误差和掩模特征的不正确成像，甚至将掩模印刷在空白区域上。衬底台上的微粒可使衬底失真畸变，从而导致已知为热点的局部聚焦错误。除了环境空气和掩模及衬底的制造等是污染源以外，污染源还包括在曝光过程中投影光束从衬底上溅射下来的光刻胶碎片，以及该装置的活动部件之间的机械接触，这可能导致微粒脱离接触面。
为了尽可能减小污染造成的误差，装置的敏感部件，例如掩模、掩模台以及衬底台、光学元件等等，要进行定期的清洗，例如通过人工来清洗。这通常比较耗时，例如要花两个或者多个小时来清洗衬底台，这会导致装置的非所需的停机时间，并且这必须要由熟练的工程师来完成。
发明内容
需要在例如光刻装置和/或光刻方法中改善清洗。要需要以简单且高效的方式来从某些表面和/或物体上除去污染。
根据一个实施例，提供了一种用于清洗表面的方法，所述方法包括提供污染物释放装置，其构造成且设置成将污染物从待清洗表面上至少部分地释放；以及提供污染物去除装置，其构造成且设置成用于捕获(capture)污染物，其中，所述污染物去除装置产生至少一个用于收集(trap)至少部分地被释放装置释放(liberated)的污染物的光阱(optical trap)。
根据一个实施例，提供了一种用于清洗表面的方法。该方法包括，利用污染物释放装置，将污染物从待清洗表面上至少部分地释放；以及利用污染物去除装置捕获被至少部分地释放的污染物，所述污染物去除装置产生至少一个用于收集被至少部分地释放的污染物的光阱。
另外，根据一个实施例，提供了一种用于清洗表面的方法，所述方法包括沿着所述表面移动至少一个光阱，以便至少部分地释放和/或捕获污染物微粒，而无需知道这些微粒的位置坐标。
另外，一个实施例提供了一种器件制造方法，包括将图案从图案形成装置转移到衬底上，其中，所述方法包括，产生至少一个光阱，用于以光学方式来释放、收集和/或捕获微粒。
另一实施例提供了一种用于清洗光学元件表面的方法，所述方法包括采用至少一个光阱来至少部分地释放和/或捕获位于光学元件表面上的污染物微粒。
另外一个实施例提供了一种用于清洗表面的组件，所述组件包括至少一个污染物释放装置，其构造成且设置成将污染物从待清洗表面上至少部分地释放；以及至少一个微粒收集装置，其构造成可产生至少一个光阱。
另外，一个实施例提供了一种清洗装置，所述清洗装置构造成用于产生至少一个光阱，并且用于使所述至少一个光阱和所述表面彼此相对地移动，用于至少部分地释放和/或捕获一个或多个可能存在于表面上的污染物微粒，而无需在释放和/或捕获微粒之前获得这些相应微粒的位置坐标。
根据另一实施例，提供了一种用于清洗表面的清洗装置，所述装置构造成用于产生至少一个光阱，用于使所述至少一个光阱沿着所述表面移动，使得所述至少一个光阱在某一清洗周期内到达所述表面的基本上每一部分，并且使得所述至少一个光阱能遇到可能存在于所述表面上的一个或多个污染物微粒。
根据一个实施例，一种组件包括至少一个光学元件，以及微粒收集装置，其构造成可产生至少一个光阱，所述组件构造成使得所述微粒收集装置可以利用所述光阱来清洗所述光学元件的至少一部分。
在一个实施例中，提供了一种光刻装置，其设置成用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，所述装置包括至少一个光阱发生器，其构造成可产生至少一个光阱，用于释放和/或捕获所述光刻装置中的微粒。
在另一实施例中，提供了一种光刻装置，其设置成用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，所述装置包括至少一个组件，所述组件包括至少一个污染物释放装置，其构造成且设置成将污染物从待清洗表面上至少部分地释放；以及至少一个微粒收集装置，其构造成可产生至少一个光阱。
下面将仅通过示例的方式并参考示意性附图来介绍本发明的实施例，在附图中对应的标号表示对应的部分，其中图1显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置；图2以侧视图显示了本发明的一个非限制性实施例；图3显示了图2所示实施例的细节Q，其中，光阱处于第一位置；图4类似于图3，并且显示了光阱处于第二位置；图5是一个备选实施例的类似于图3的详细视图；图6是沿着图5的剖面线VI-VI的剖视图；图7显示了一个非限制性的备选实施例；以及图8是图7的细节R的视图。
具体实施例方式
图1示意性地显示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置可设置成用于将来自图案形成装置的图案转移到衬底上，如下所述。
该装置包括构造成可调节辐射光束B(例如UV辐射或其它辐射)的照明系统(照明器)IL；构造成可支撑图案形成装置(例如掩模)MA的支撑结构(例如掩模台)MT，其与构造成可按照一定参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；构造成可固定衬底(例如涂覆有光刻胶的晶片)W的衬底台(例如晶片台)WT，其与构造成可按照一定参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；以及，构造成可将由图案形成装置MA施加给辐射光束B的图案投射在衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS。
照明系统可包括用于对辐射进行引导、成形或控制的多种类型的光学部件，例如折射式、反射式、磁式、电磁式、静电式或其它类型的光学部件或其任意组合。
该支撑结构支撑，即支承了图案形成装置的重量。它以一定的方式固定住图案形成装置，这种方式取决于图案形成装置的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如图案形成装置是否固定在真空环境下。支撑结构可使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来固定住图案形成装置。支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的。支撑结构可保证图案形成装置可例如相对于投影系统处于所需的位置。用语“分划板”或“掩模”在本文中的任何使用可被视为与更通用的用语“图案形成装置”具有相同的含义。
这里所用的用语“图案形成装置”应被广义地解释为可用于为辐射光束的横截面施加一定图案以便在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。应当注意的是，例如如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征，那么施加于辐射光束中的图案可以不精确地对应于衬底目标部分中的所需图案。一般来说，施加于辐射光束中的图案将对应于待形成在目标部分内的器件如集成电路中的特定功能层。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的例子包括掩模、可编程的镜阵列和可编程的LCD面板。掩模在光刻领域中是众所周知的，其包括例如二元型、交变相移型和衰减相移型等掩模类型，还包括各种混合式掩模类型。可编程镜阵列的一个例子采用微型镜的矩阵设置，各反射镜可单独地倾斜以沿不同方向反射所入射的辐射光束。倾斜镜在被镜矩阵所反射的辐射光束中施加了图案。
这里所用的用语“投影系统”应被广义地理解为包括各种类型的投影系统，包括折射式、反射式、反射折射式、磁式、电磁式和静电式光学系统或其任意组合，这例如应根据所用的曝光辐射或其它因素如使用浸液或使用真空的情况来适当地确定。用语“投影透镜”在本文中的任何使用均应被视为与更通用的用语“投影系统”具有相同的含义。
如这里所述，此装置为透射型(例如采用了透射掩模)。或者，此装置也可以是反射型(例如采用了上述可编程镜阵列，或采用了反射掩模)。
光刻装置可以是具有两个(双级)或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的那种类型。在这种“多级”式机器中，附加的台可以并联地使用，或者可在一个或多个台上进行预备步骤而将一个或多个其它的台用于曝光。
光刻装置也可以是这样的类型，其中至少一部分衬底被具有较高折射率的液体如水覆盖，从而填充了投影系统和衬底之间的空间。浸液也可施加到光刻装置的其它空间内，例如掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是众所周知的，其用于增大投影系统的有效数值孔径。在本文中使用的用语“浸没”并不指例如衬底的结构必须完全浸入在液体中，而是仅指在曝光期间液体处于投影系统与衬底之间。
参见图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是单独的实体，例如在辐射源为准分子激光器时。在这种情况下，辐射源不应被视为形成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束传送系统BD从源SO传递到照明器IL中，光束传送系统BD例如包括适当的引导镜和/或光束扩展器。在其它情况下，该源可以是光刻装置的一个整体部分，例如在该源为水银灯时。源SO和照明器IL及光束传送系统BD(如果有的话)一起可称为辐射系统。
照明器IL可包括调节装置AD，其用于调节辐射光束的角强度分布。通常来说，至少可以调节照明器的光瞳面内的强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照明器IL可包括各种其它的器件，例如积分器IN和聚光器CO。照明器用来调节辐射光束，以使其在其横截面上具有所需的均匀性和强度分布。
辐射光束B入射在固定于支撑结构(例如掩模台MT)上的图案形成装置(例如掩模MA)上，并通过该图案形成装置而图案化。在穿过掩模MA后，辐射光束B通过投影系统PL，其将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉仪、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可精确地移动，以便例如将不同的目标部分C定位在辐射光束B的路径中。类似地，可用第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未清楚地示出)来相对于辐射光束B的路径对掩模MA进行精确的定位，例如在将掩模从掩模库中机械式地重新取出之后或者在扫描过程中。通常来说，借助于形成为第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可实现掩模台MT的运动。类似的，采用形成为第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块，可实现衬底台WT的运动。在采用分档器的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可只与短行程促动器相连，或被固定住。掩模MA和衬底W可采用掩模对准标记M1，M2和衬底对准标记P1，P2来对准。虽然衬底对准标记显示为占据了专用目标部分，然而它们可位于目标部分之间的空间内(它们称为划线路线对准标记)。类似的，在掩模MA上设置了超过一个管芯的情况下，掩模对准标记可位于管芯之间。
所述装置可用于至少一种下述模式中1.在步进模式中，掩模台MT和衬底台WT基本上保持静止，而施加到投影光束上的整个图案被一次性投影到目标部分C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动衬底台WT，使得不同的目标部分C被曝光。在步进模式中，曝光区域的最大尺寸限制了在单次静态曝光中所成像的目标部分C的大小。
2.在扫描模式中，掩模台MT和衬底台WT被同步地扫描，同时施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上(即单次动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向由投影系统PL的放大(缩小)和图像倒转特性来确定。在扫描模式中，曝光区域的最大尺寸限制了单次动态曝光中的目标部分的宽度(非扫描方向上)，而扫描运动的长度决定了目标部分的高度(扫描方向上)。
3.在另一模式中，掩模台MT基本上固定地夹持了可编程的图案形成装置，而衬底台WT在施加到投影光束上的图案被投影到目标部分C上时产生运动或扫描。在这种模式中通常采用了脉冲辐射源，可编程的图案形成装置根据需要在衬底台WT的各次运动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间进行更新。这种操作模式可容易地应用于采用了可编程的图案形成装置、例如上述类型的可编程镜阵列的无掩模式光刻技术。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变型，或者采用完全不同的使用模式。
图1-8示意性地显示了若干清洗机构10的细节及应用。例如，在一个实施例中，光刻装置可包括一个或多个清洗机构(或被称为清洗装置、清洗组件或清洗系统)10，用于清理一个或多个零部件或者其表面，或者用于清洗光刻装置中的零部件。在图1中，这种清洗机构10被示意性地显示为带有矩形10a、10b、10c。例如，光刻装置可包括一个或多个清洗机构10a，用于清洗图案形成装置(分划板、掩模)MA的表面的至少一部分。另外，该光刻装置可包括一个或多个清洗机构10b，用于清洗光刻装置的投影系统PS的表面的至少一部分，例如透镜或反射镜的至少一部分表面，这取决于所用的投影系统的类型。另外，作为一个示例，光刻装置可设有一个或多个清洗机构10c，用于清洗衬底W和/或衬底台WT的表面的至少一部分。另外，可以提供一个或多个清洗机构10，用于清洗光刻装置的不同部件，例如，用于清洗照明系统IL、调节装置AD、积分器IN、聚光器CO、辐射集光器、箔片阱和/或光刻装置的其它部件或部位的表面。
在另一实施例中，光刻装置的其中至少一个清洗机构10设置成可利用至少一个光阱，来释放、收集、捕获或以其它方式来操纵污染物，尤其是用于清洗表面。例如，清洗机构10可包括至少一个光阱发生器，其构造成可产生至少一个光阱，用于收集所述光刻装置中的微粒。用于这种清洗机构的非限制性示例如图2-8所示。
同样，例如，其中至少一个清洗机构10可包括或设有相应的用于清洗表面的组件，所述组件包括至少一个污染物释放装置，其可构造成且设置成利用电磁场将污染物从待清洗表面上(至少部分地)释放；以及至少一个微粒收集装置，其构造成可产生至少一个光阱。
在图2-4的实施例中，一个或多个光阱15可用于释放微粒，或者用于捕获和/或除去微粒。包括连同单独的污染物释放装置一起使用的一个或多个光阱的清洗系统/组件50的一个非限制性示例如图7-8所示。
这样的光阱对于本领域技术人员而言是已知的，因此在本说明书中不再详细描述。构造成可产生光阱的装置的一些示例是光学镊子(optical tweezer)和光学扳手(optical spanner)。例如，总览过去，已知应用了光阱和已知的用于产生这些光阱的装置，这可见出版物″Optical micromanipulation takes hold″，Kishan Dolakia和Peter Reece所著，发表于Nanotoday，2006年2月，Vol.1，nr 1(Elsevier)；以及″Lights，actionoptical tweezers″，由Justin E.Molloy和Miles J.Padgett所著，发表于Contemporary Physics 2002，Vol.43，nr.4，第241-258页(Taylor & Francis Ltd)，这两件出版物通过全文引用而完整地结合于本文中。
光阱以前主要应用于操纵生物材料，例如见US2002/0115164A1(Wang等人)。另外，已经通过实验表明，可通过将轨道角动量转移到微粒上，而在Laguerre-Gauss(LG)射束的射束腰部处可收集微粒，例如，可见K.Dholakia等人的论文“Optical tweezersthe nextgeneration”，Physics World，15，31(2002)，以及J.E.Molloy和M.Padgett的论文“Lights，actionoptical tweezers”，Contemp.Phys.43，241(2002)，这两件论文出版物通过全文引用而完整地结合于本文中。
对微米尺寸的硅石微粒和生物样本的操纵现在是例行的程序，可见W.M.Lee等人的“Optical steering of high and low indexmicroparticles by manipulating an off-axis optical vortex”，J.Opt.APureAppl.Opt.7，1(2005)，其通过全文引用而完整地结合于本文中。Bessel射束的“无衍射”性能已经用于收集主瓣以及许多旁瓣中的多个微粒，见D.McGloin和K.Dholakia的“Bessel beamsdiffraction in a newlight”，Contemporary Physics，46，15(2005)，以及V.Garces-Chavez，等人的“Optical levitation in a Bessel light beam”，Appl.Phys.Lett.，85，4001(2004)，以及K.Volke-Sepulveda等人的“Orbital angularmomentum of a high-order Bessel light beam”，J.Opt.BQuantumSemiclass.Opt.4，S82(2002)，所有这些出版物均通过全文引用而完整地结合于本文中。另外，已知对于在2D和3D上进行物体的大量传输而言，对这些射束模式进行多路复用，例如见US 6,858,833 B1(Curtis等人)。本发明的一个基本构思是，在污染物去除场合和/或例如在光刻技术领域中，施加一个或多个这样的光阱。
利用光阱来收集污染物提供了优于现有技术污染物去除方法的许多优点。例如，在一个实施例中，在表面清洗方法中，至少一个光阱15可沿着所述表面移动，以便释放和/或捕获可能位于所述表面上或其附近的一个或多个污染物微粒，而无需在遇到微粒之前获得这些相应微粒的位置坐标。例如，一个或多个光阱15可沿着所述表面扫描，以用于释放、脱离和/或捕获或收集微粒25，并且例如进一步操纵或移动(去除)微粒25，如下所述。这种技术进展可采用新颖的光学方法，而提供了清洗且高效的非接触式的微粒去除方法，例如，这是通过产生多路复用的Laguerre-Gauss(LG)射束和Bessel射束阱来实现的，而无需初始检测微粒。另外，本发明的实施例包括，提供微粒去除方法及装置，其中，微粒可从表面上可靠地去除，尤其是不会损害或损坏所述表面。例如，在待清洗物体20是衬底W的情形下，光阱15的应用就可避免对衬底表面21的不希望有的干扰。在待清洗物体是光学元件如透镜、反射镜、滤镜、分划板或其它光学元件的情形下，表面21的至少一部分可通过光阱来进行清洗，而捕获有损于所述表面的所需的光学性能。
图2-4显示了清洗机构或清洗装置10的一个实施例，其例如可被应用于图1所示实施例的清洗机构10a、10b、10c上。清洗装置10构造成用于清洗物体20的表面21的至少一部分，例如衬底、分划板、光学元件或光刻装置一部分的表面21。待清洗表面21可具有本领域技术人员所清楚的各种不同的形状和形式，例如大致平坦的表面，具轮廓的表面，或具有一定浮凸的表面，和/或其它的表面类型。清洗装置10构造成用于产生至少一个光阱15，并且用于沿着表面15移动至少一个光阱15，以便释放和/或捕获可能存在于表面21上的一个或多个微粒25，尤其是无需在释放和/或捕获微粒之前获得这些相应微粒25的位置坐标。这如图2-4所示。
清洗机构或清洗装置10可以许多不同的方式构造而成，用于产生至少一个光阱15，这是本领域技术人员所清楚的。例如，装置10可以是本领域技术人员已知的光学镊子和光学扳手。清洗装置10可被称为污染物去除装置或微粒收集装置，其构造成且设置成用于捕获污染物25，并且/或者被称为污染物释放装置。
例如，在图2-4所示的实施例中，清洗装置10可设置成将至少一个激光辐射光束12在待清洗表面21上高度地聚焦成衍射受限制的光束点，以便在表面21上或其附近提供至少一个光阱15。在一个实施例中，清洗装置10可设有用于产生激光束12的激光器11，以及例如包括聚焦机构的光束控制器和/或调节器13，以及光学系统、透镜或透镜系统或者显微镜的(高数值孔径)物镜，用于将激光束12高度聚焦，以便在表面21上或其附近形成光阱(例如见图3)。例如，光阱15由高度聚焦的激光束12造成的光学梯度区域来提供，或者，在另一实施例中，由一个或多个LG模式的聚焦光束来提供，用于将轨道角动量转移到微粒上，如下所述。本领域技术人员已经知道，光学梯度区域会导致径向压力或光学梯度力，尤其是作用于电介质微粒物质上的光学梯度力，所述压力或者梯度力可收集微粒25。例如，高度聚焦的激光束12在焦平面(在表面21上或其附近)中可具有大约10微米或更小或者2微米或更小的光束宽度，例如为大约1微米的光束宽度。同样，例如，高度聚焦的激光束12可具有至少为所操纵的微粒25的尺寸(直径或平均尺寸)的光束宽度。在一个非限制性示例中，激光束12可具有为所操纵的微粒25的尺寸(直径或平均尺寸)的大约2至4倍的光束宽度。
在另一实施例中，清洗装置10可包括或可结合有清洗头，其安装成可从操作位置缩回，在操作位置，相应的激光束12可被引导至待清洗的物体20的表面21上，并且清洗头可到达非操作位置，在非操作位置，清洗头离开正道，并且例如不会阻挡曝光过程中所用的相应光刻装置的任何其它部件。
激光辐射可具有不同的波长，例如处于可见波长范围内，紫外线波长，红外线波长，或者其它的波长范围。激光束12可使得光阱15在激光束12的焦点处形成，使得激光辐射可与待释放和/或捕获的污染物微粒25相互作用，以便释放和/或捕获该污染物微粒。
而且，例如，在一个实施例中，清洗装置(或污染物去除装置，或释放装置)10可构造成产生所谓的Bessel射束或Laguerre-Gauss(LG)射束，或者其它合适的射束模式，其可拥有轨道角动量(OAM)，其中，轨道角动量可从光束12转移至污染物微粒上。例如，这种光束可导致微粒旋转或回转，其可促进从表面21上去除微粒25。提供这种光束模式的设置对于本领域技术人员而言是众所周知的(见以上文献)。例如，具有轨道角动量的光束12可全图解地产生，和/或利用了合适的光束模式转换器，合适的相位片，例如合适的螺旋形相位片，和/或其它的手段。例如，在图2中，光束控制器和/或调节器13可配置成将激光束12的入射激光辐射模式改变成具有所需轨道角动量的模式，以便提供光阱15，其可与微粒25相互作用，以便借助于微粒25的旋转或回转来释放微粒25。在这种情况下，清洗装置10可作为污染物释放装置，其可借助于光阱15通过使微粒25回转或盘旋，而使微粒25脱离待清洗的表面。
另外，在一个非限制性示例中，可通过使另外的激光脉冲随同收集光束一起传播以便热激活附着的微粒，这样来执行污染物的释放，这样例如可弱化范德华力相互作用，这种范德华力在例如位于电介质表面或者金属表面上的二氧化硅微粒和/或其它污染物和表面(如下所述)上的情形下可能会存在。因此，收集光束可本身以脉冲模式来操作，以便起动冲击波引发的微粒释放以及提供同时收集。
在一个实施例中，清洗装置10还可构造成用于使至少一个光阱15沿着表面21移动，使得至少一个光阱15(图2-4中显示了一个)在某一清洗周期内大致到达表面21的每一部分，并且使得至少一个光阱15可遇到和释放和/或捕获可能存在于表面21上的一个或多个微粒25。这样，表面21的基本上每一部分，尤其是整个表面21，都可以有效的方式得到清洗。
例如，在一个实施例中，表面21可相对于收集装置10移动。同样，例如，收集装置10可相对于表面21移动。另外，如图2所示，收集装置可构造成用于改变射出的收集光束12的方向，以便扫描表面21之上的聚焦区域(其提供了光阱15)。光束控制器和/或调节器13可配置成提供这样的光束转向，这是例如采用合适的光学元件例如可位于光束12路径中的一个或多个可调的或可动的光束转向反射镜(未示出)来进行的。
在图2-4所示的实施例的使用过程中，表面21或其一部分可被清洗，其中，清洗装置10，11，13在表面21处或其上方产生光阱15。在这里，激光器11可产生合适的激光束12，并且光束控制器和/或调节器13可控制或者调节激光束12，以便提供在表面21处或其附近的所需位置产生光阱15的状态。
优选的是，光阱15和表面21彼此相对地移动，使得光阱15可扫描该表面，以便释放和/或捕获可能位于表面21上的微粒25。其中光阱15沿着或相对于表面21移动的扫描方向如图中的箭头SC所示，并且表面21相对于清洗装置10的等同的选择性运动由双箭头SCS表示。这样，一个或多个污染物微粒25可被释放和/或收集，而无需提前知道表面21上的这些微粒25的精确位置坐标。
另外，如上所述，所产生的光阱15可适用于将轨道角动量转移至位于表面21上的微粒25上，其尤其适用于促进从表面21上释放(例如解吸附)微粒25。因此，微粒可被有效地释放，例如通过光阱15来去除，或者以不同的方式去除，例如通过将合适的流体流施加到表面上，或者通过施加厚度例如可弱化任何范德华力结合的单层的合适流体。
在图3中，微粒25位于表面21上。优选的是，微粒的位置不被清洗装置10所知。然而，清洗装置确实朝着微粒25来扫描表面21之上的光阱15，例如偶尔会这样。因此，光阱15可遇到微粒25，以便与微粒25相互作用，从表面21上收集微粒并去除微粒25，如图4所示。这里，微粒去除可包括，(在垂直于该表面的方向上)将微粒25从表面21上提升起来，和/或相对于表面21移动微粒25，例如沿着表面21移动微粒25。同样，优选的是，光阱可将轨道角动量转移至微粒，以便有助于从表面21上去除微粒25。另外，Bessel射束已知能够捕获横向远离射束中心的微粒。
另外，作为一个示例，在使用过程中，在光阱15的中心与表面之间的距离可保持与待收集微粒25的平均半径或其它尺寸大致相同的值。同样，可施加在收集中心与表面21之间的其它距离，这取决于待去除微粒的尺寸和类型，以及光阱的尺寸，这是本领域技术人员已知的。在一个实施例中，在光阱15的中心与表面21之间的距离d可变化，例如通过改变表面21与清洗装置10之间的距离。例如，距离d的一个或多个小变化可用于起初去除或脱离或拾取位于表面21上的微粒25。作为一个非限制性示例，在收集中心与表面21之间的距离d可处于与微粒25的尺寸(例如微粒直径或垂直于表面21测得的微粒高度)大致相同的尺度上。
清洗装置10还可构造成将光阱15移动至远离待清理表面21的区域，例如在移动至微粒去除区域31。例如，微粒去除区域31可朝向光阱15移动，以便接受所捕获的微粒，例如在待清洗微粒25相对于清洗装置10移动(在方向SCS上)的情形下。作为一个示例，清洗装置10可操纵每一个光阱15，使光阱15移动通过微粒捕获区域，和/或“打开”或取消光阱15，以便释放或传输可能被捕获在光阱15中的任何微粒25。微粒去除区域31可配置成从微粒去除区域31接受这些微粒25，捕获并保持这些微粒25，和/或进一步去除这些微粒。作为一个非限制性示例，在图2中，在微粒去除区域31设有泵送装置或抽吸管线30，以便从一个或多个光阱15中接受微粒，在所述的表面扫描之后，以便将这些微粒25从微粒去除区域31泵送走或抽吸掉(如箭头A1所示)，并且用于例如选择性地进一步去除这些微粒(如箭头A2所示)。这些微粒捕获区域31和微粒去除装置30可以各种不同的方式构造成，这是本领域技术人员可以理解的。
如上所述，在一个实施例中，可应用一个以上的光阱15来对表面21进行清洗。这如图5-6中的实施例示意性地所示。尤其是，图5-6的实施例不同于图2-4中的实施例之处在于，清洗装置10提供了多个光阱15。例如，清洗装置10可构造成用于产生多路复用的光束阱，优选是多路复用的LG射束或Bessel射束阱。阱的多路复用是本领域技术人员已知的。可采用一个或多个激光束源来执行多路复用。例如，可通过应用多个相干光束的干涉，而以简单的方式来提供多路复用的光阱(如图5所示)。这些多个相干光束可提供非常大量的收集部位15，例如二维或三维的至少100或至少1000个收集部位。另外，可应用全息照相，以用于形成多个光阱(例如见所述的US6858833)。例如，多路复用可通过全息光栅、空间光调制器，通过金属或硅衬底上的微相位片，通过多个螺旋相位片或多路复用的旋转三棱镜来执行。这样，表面21就可被迅速地清洗，其中，较大量的光阱15可同时到达不同的表面，以便释放和/或捕获微粒。如图6所示，例如，可以应用不同的扫描方向SC1，SC2，以便相对于表面21来扫描光阱，例如两个正交的扫描方向SC1，SC2或者不同的方向。
图7-8显示了组件50的一个实施例，其与图2-6所示实施例的不同之处在于，除了污染物收集装置10以外，还提供了单独的污染物释放装置40。这里，污染物释放装置40和污染物收集装置10可以不同的方式来设置，并且例如可彼此集成在一起，可以是单独的件，和/或可以不同地布置。组件50尤其构造成可释放一个或多个微粒，而无需施加或使用一个或多个用于该用途的光阱15，其中，一个或多个光阱15仍然用于(至少部分地)捕获和/或去除释放的微粒25。这里，微粒25的释放可包括，解除微粒和表面21之间的结合或作用力(例如粘合力，吸附力)，同时需要或不需要微粒25相对于表面21移动。因此，释放的或至少部分地释放的污染物仍然可位于待清洗表面或者与之相接触。而且，释放的微粒可从该表面是去除，但仍然离该表面一段较短距离。例如，如下所述，污染物释放装置40可构造成产生一个或多个用于释放微粒的微粒释放装置40，并且收集装置10构造成产生一个或多个单独的收集光束12。然而，释放装置40也可构造成以不同的方式将微粒从表面21上释放，例如采用不同的释放技术，例如对该表面施加电磁场(例如电场或磁场)，这取决于待释放的微粒25的类型。
例如，图7、8所示清洗组件可包括至少一个污染物释放装置40，其构造成可弱化污染物与表面之间的结合作用，以及至少一个所述的微粒收集装置10，其构造成可产生至少一个光阱15。作为一个示例，另外，微粒收集装置10可通过光学镊子和/或光学扳手来提供。另外，例如，污染物释放装置40可构造成通过对表面21和/或污染物施加下列中的至少一种来处理该表面21(和污染物)流体、液体、等离子体、冷等离子体、电磁场、辐射束、粒子束。例如，在这里，冷等离子体处理可提供低能量的处理，以及低损耗的方法，其中，(交流电，AC)的电磁场和化学相互作用可结合或组合起来，以便弱化污染物与表面之间的结合作用力。
例如，污染物释放装置40可构造成用于减小或破坏污染物微粒25与待清洗物体20的表面21之间的作用力。在另一实施例中，污染物释放装置40可包括激光器42，其将用于释放微粒的激光辐射束41引导至待清洗物体的表面21上，优选用于消融(ablate)或热脱离其上的污染物25。这些激光器42对于本领域技术人员而言是已知的，并且可以不同的方式构造而成。优选的是，微粒释放不会导致相应污染物微粒的损坏。因此，优选的是，激光清洗强度低于所处理的污染物微粒的损坏阈值，优选使得表面不会被激光损坏。例如，污染物释放装置40可包括干式激光清洗装置或湿式激光清洗装置。激光清洗是可用于去除至少一部分短暂微粒的其中一个特定方法。这种由污染物释放装置40提供的激光清洗可基于静电位或动电位，其也被称为在微粒与沉积有微粒25的表面21之间的界面能量或物理结合。界面能量相对于微粒直径与微粒同表面接触直径之比的倒数成比例。干式激光清洗是可将激光辐射束引向表面21的激光清洗类型之一，其例如可被引导至特定的微粒。激光湿式清洗是由污染物释放装置40提供的对表面21进行清洗的另一方法，其可结合干式激光清洗技术，但在表面21上使用了液体界面，以便至少部分地减轻干式激光清洗可能造成的损害，并且另外还允许去除微粒，而无需完全将激光能量耗散在微粒中。在另一实施例中，在这种情况下，收集装置10可构造成收集由(激光器)释放装置40从表面上释放的微粒25，见图8。
例如，污染物释放装置40可构造成将微粒释放光束41以预定的入射角度引导至表面21上。而且，污染物释放装置40可包括光束扫描装置，其构造且设置成可改变微粒释放装置扫描待清洗表面的角度。可以提供活动的反射镜或其它转向装置(未示出)，并且可沿着表面21对微粒释放光束进行快速扫描。
微粒释放光束41可被引导至待清洗表面上，并且可通过消融、燃烧和热效应的组合而从其上面释放污染物。污染物可主要被汽化掉和燃烧掉，如果有氧气存在的话。汽化的污染物可有助于去除未汽化的较重污染物，并且还可通过从微粒释放光束41中继续吸收能量而转变成等离子体。无机污染物，主要是微粒，从激光束41中快速吸收能量，由此产生的热膨胀导致将微粒从表面上脱离的冲击波。所述微粒还可接受消融和/或升华处理。为了优化激光释放处理，微粒释放光束41的波长可选择成可被预期的微粒最大程度地吸收。而且，激光器可适于改变激光束41的波长。脉冲的微粒释放光束41尤其可以较短的脉冲长度来实施，例如小于100毫微秒，优选小于10毫微秒。对于脉冲源，热冲击波是显著的。而且，随后脉冲冲击在汽化或脱离的污染物上可产生等离子体和进一步的冲击波，这有助于脱离污染物。光量开关激光器42可用于产生高功率的短激光脉冲。因此，可与收集光束成一直线的脉冲式释放光束可用于将微粒从表面上脱去，这是通过在微粒附近引入激光冲击波来克服范德华-伦敦引力来进行的。一旦微粒脱去，收集光束就可收集和去除微粒。
而且，为了保护待清洗物体20上的精密薄膜，可以使用极化的激光束41，其中极化平面位于入射平面内。微粒释放光束41然后以小于针对所关注表面21和/或薄膜的布儒斯特角的入射角度而被引导至待清洗表面21上。这样，就使待清洗表面21中对微粒释放光束41的吸收最小化，因此也使表面21及其上面的薄膜的降解尽可能减轻。
(用于释放微粒的)激光束41可以各种方式引导至表面21上的预定位置，这是本领域技术人员可以理解的，例如，通过移动表面21，移动激光源42和/或通过提供合适的激光束转向。污染物释放装置40可用于执行受污染的元件区域的完全扫掠，在这里污染是比较严重的，并且可连在污染物检测器上，并且仅仅用于清洗那些已检测到污染的位置。在后一情形下，激光触发器可借助于合适的控制系统而连接在定位装置上，以便能够用激光仅仅清洗表面21上的那些所需位置。
如图7-8所示，组件50可构造成用于使得至少一个光阱15相对于待清洗表面21移动，以便捕获该表面21上或者其附近的微粒。在这里，污染物释放装置40可构造成并设置成随后对待清洗物体的不同部分进行处理，以便从那些部分释放污染物，如上所述。收集装置10可构造成使至少一个光阱15相对于待清洗物体移动(如以上实施例所述)，微粒收集装置构造成可使至少一个光阱相对于所述表面(包括有一部分)移动，所述这一部分是由污染物释放装置40处理的，并且/或者，所述微粒收集装置的所述移动是在所述这一部分由污染物释放装置40处理之后进行的。
在图7-8的实施例的使用过程中，污染物释放装置40可用于将微粒25从待清洗表面上释放掉。例如，污染物释放装置40可处理一个或多个表面21，以便释放污染物。在这里，例如，激光器42可以预定的方式或随意的方式或不同的方式，来扫描激光束41。优选的是，清洗装置的微粒释放操作是可以这样来实现的，即，在释放相应的微粒之前，无需获得所述微粒25的位置坐标。或者，微粒检测器(未示出)可设置成用于检测将要从待清洗表面21上去除的微粒25，其中，清洗装置的微粒释放操作是使用微粒检测器检测到的微粒25的位置坐标来实现的。
在使用过程中，污染物去除装置10产生至少一个光阱15，其用于收集由释放装置(见图8)释放的污染物。例如，在激光器42已经处理表面部分之前、期间或之后，所述至少一个光阱15可移动至将由污染物释放装置40来处理的表面部分或其附近，以便捕获污染物微粒。
至少一个光阱的产生可与图2-6所示实施例如上所述的方法相同或者相类似，其采用了一个或多个激光束12。在一个实施例中，图7的组件50可包括仅仅一个激光源，以便提供主激光束，以及光束分束器，用于将主激光束分成一个或多个用于释放微粒的微粒释放光束41，以及一个或多个用于提供光阱15的收集光束12。在一个实施例中，提供了单独的激光源，用于单独地产生光束12、41。
例如，在使用过程中，光阱15可位于其中释放装置40的激光束41引向表面21的表面分段附近，或者距离该表面分段一段预定的距离。例如，收集装置10所产生的微粒收集光束12的扫描方向SC可与微粒释放光束41的扫描方向SCL相同(见图8)，和/或微粒收集光束12可被引导成跟随微粒释放光束41。微粒收集光束12相对于微粒释放光束41(的运动)的运动也可以不同的方式来执行，例如利用在光束运动、入射角或其它光束参数之间的某些(不同的)关联性。收集光束12的操作不必与微粒释放光束41的操作相关联。例如，表面21或其一部分可首先由微粒释放光束41进行处理，以便松动或释放微粒25，之后，一个或多个光阱15用于收集(和去除)被松动或释放的微粒25。而且，如上所述，所述至少一个光阱15可沿着表面21移动，以便捕获可能位于表面21上或其附近的一个或多个释放的污染物微粒，在这种情形下，在捕获相应的微粒之前，需要或不需要获得获得所述微粒25的位置坐标。而且，在一个实施例中，所述至少一个光阱15可沿着表面21移动，使得所述至少一个光阱15在某一清洗周期内基本上到达表面21的每一个部分，并且使得所述至少一个光阱可遇到可能存在于所述表面21上的一个或多个污染物微粒。而且，在本实施例中，所述至少一个光阱可从至少第一位置(例如待清洗表面21附近)移动至第二表面(例如上述去除区域A1)，以便传输被光阱收集的微粒和/或将微粒脱离表面21。
在一个实施例中，提供了一种器件制造方法，例如光刻方法，所述方法包括，将图案从图案形成装置转移到衬底上(例如见图1)。所述方法还可包括，产生至少一个光阱15，用于以光学方式来收集微粒，例如如同或类似于如上所述或如图1-8所示的微粒收集。例如，所述方法可包括，移动光阱15，以便移动光学式地收集的微粒。在另一实施例中，将被光学式地收集的微粒25可位于图案形成装置MA上或者其附近，和/或衬底W上或者其附近，其中，所述至少一个光阱分别在图案形成装置MA上或者其附近产生，在衬底W上或者其附近产生，用于收集微粒25。在另一实施例中，所述方法可包括利用投影系统(例如图1所示)将图案化的辐射光束投射在衬底上，其中，将被光学式收集的微粒可位于投影系统PL的至少一部分上或者其附近，并且，其中，在相应的投影系统部分上或者其附近产生用于收集微粒的至少一个光阱15。
例如，待去除的污染可包括各种类型的污染物微粒25，其可具有各种不同的尺寸和形状，并且可包括各种不同材料。作为一个示例，在光刻技术中，污染可包括电介质微粒，金属微粒，掩模上的无机污染物，衬底台上的微粒，在曝光过程中由投影光束从衬底上溅射下来的光刻胶碎片，以及光刻装置的可动部件之间的机械接触(这可能导致微粒从接触面上脱离)，和/或其它污染。如上所述的清洗方法和装置可以时间上高效的方式来合乎需要地减小污染造成的光刻误差。
从上文中可知，如下所述，对辐射光束基本物理性能的理解的进一步进展已经导致了有效的光学收集方法，例如基于辐射光束的Laguerre-Gauss(LG)模式的“光学镊子”和“光学扳手”，以及所谓的Bessel射束的特有“传播不变”的性能。多个研究组织(如上所述)已经显示，直径若干微米的微粒，以及大生物分子如染色体，可在聚焦区域(光束腰部)附近被收集和被精确地操控。从上文中可知，如下所述，其它方面显示，通过使用空间光调制器、全息光栅、具有收集所用性能的辐射光束可以被二维或三维地多路复用。从上文中可知，如下所述，例如从图1-8中可知，光学收集技术可具有优势地用于除去光刻元件和系统中的微粒，以及/或者用于其它领域中。
例如，在一个实施例中，Bessel射束的光场和LG模式的OAM可用于收集微粒25。这些微粒可提供较高的微粒释放和/或收集作用力。这些射束的高度多路复用型式可用于从每一光束腰部收集并去除多个微粒25，如同多个光学镊子一样。多路复用可通过全息光栅、空间光调制器，通过金属或硅衬底上的微相位片，通过多个螺旋相位片和/或多路复用的旋转三棱镜来执行，或者可以不同的方式来执行。与OAM相关的扭矩可用于除去沉积在表面21，例如硅晶片表面、分划板、光学元件表面上的电介质微粒和金属微粒。这些微粒25可通过范德华力与表面21相结合，并且可通过“光学扫描器”的动作来去除。应用了多路复用的一个实施例可允许除去粒度为纳米级至微米级的微粒25，而无需知道微粒25的位置。随着待清洗微粒移动通过激光场，微粒就被捕获(例如见图3-8)。
例如，在光刻投影装置的生成循环过程中，可以检测和/或清理元件表面21上的污染。例如，当检测到在衬底台的支承面上存在污染时，在卸载衬底与将另一衬底装载到衬底台上之间，可以使用至少一个光阱15，来对衬底台进行清洗。类似地，在制备元件的过程中，可以执行对污染的清洗和/或检测。例如，在对准过程中，可例如在曝光位置或在对准位置执行清洗和/或检测，这例如在预对准装置或单独的对准工位上进行。
作为附加或作为备选，由光阱15本身执行的总体超声波搅动或局部超声波搅动，可提供克服范德华-伦敦引力的手段，使得有助于由光阱15执行的光学收集，并将微粒从表面21上去除。
本发明并不限于这样所述的光刻技术或光刻工具。可以利用本发明来对许多不同的物体和/或表面进行清洗。例如，本发明可以应用于修改工艺中，例如在用于修复或重构光学元件如分划板的方法中，或者用于修复衬底如半导体衬底的表面的方法中。
虽然在本文中具体地参考了IC制造中的光刻装置的使用，然而应当理解，这里所介绍的光刻装置还可具有其它应用，例如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域的技术人员可以理解，在这种替代性应用的上下文中，用语“晶片”或“管芯”在这里的任何使用分别被视为与更通用的用语“衬底”或“目标区域”具有相同的含义。这里所指的衬底可在曝光前或曝光后例如在轨道(一种通常在衬底上施加光刻胶层并对暴露出来的光刻胶层进行显影的工具)或度量和/或检查工具中进行加工。在适当之处，本公开可应用于这些和其它衬底加工工具中。另外，衬底可被不止一次地加工，例如以形成多层IC，因此这里所用的用语“衬底”也可指已经包含有多层已加工的层的衬底。
尽管在上文中已具体引用了本发明的实施例在光刻法范围中的应用，然而可以理解，本发明可用于其它应用中，例如压印光刻法，基于电子束的方法，其中该范围并不限于光刻法。在压印光刻法中，图案形成装置中的外形限定了衬底上所形成的图案。图案形成装置的外形可压在提供至衬底的一层光刻胶上，通过施加电磁辐射、热量、压力或它们的组合来受光刻胶固化。在光刻胶固化之后，将图案形成装置从光刻胶上移开，从而在光刻胶中形成图案。
这里所用的用语“辐射”和“光束”旨在包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如波长为大约365，355，248，193，157或126纳米)和远紫外线(EUV)辐射(例如波长为5-20纳米)，以及粒子束如离子束或电子束。
用语“透镜”在允许之处可指多种光学部件中的任意一种或其组合，包括折射式、反射式、磁式、电磁式和静电式光学部件。
虽然在上文中已经描述了本发明的特定实施例，然而可以理解，本发明可通过不同于上述的方式来实施。例如在适当之处，本发明可采用含有一个或多个描述了上述方法的机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者存储有这种计算机程序的数据存储介质(如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
另外，例如，微粒的释放可涉及部分释放。微粒释放可包括，弱化污染物微粒与待清洗表面之间的结合。
这些描述是示例性而非限制性的。因此，对本领域的技术人员来说很明显，在不脱离所附权利要求的范围的前提下，可以对本发明进行修改。
权利要求
1.一种用于清洗表面的方法，所述方法包括利用污染物释放装置将污染物从所述表面上至少部分地释放；以及利用污染物去除装置来捕获已被至少部分地释放的所述污染物，所述污染物去除装置产生至少一个用于收集已被至少部分地释放的污染物的光阱。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置构造成通过对所述表面和污染物施加流体、液体、等离子体、电磁场、辐射束和粒子束中的至少一种来处理所述表面和污染物。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置包括激光器，其将用于释放微粒的辐射束引导至待清洗表面上，以便至少消融和/或热脱离其上的污染物。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱通过光学镊子和/或光学扳手来形成。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物去除装置产生至少一个聚焦的激光辐射束，以便提供所述至少一个光阱。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置和/或所述污染物去除装置构造成将轨道角动量转移到所述污染物上。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置和所述污染物去除装置由同一清洗装置提供，所述清洗装置构造成可产生至少一个光阱，以便将轨道角动量转移到至少一个污染物上，并捕获至少一个污染物。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱沿着所述表面移动，而无需事先获得和/或获得所述表面上的污染物微粒的位置坐标。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱沿着所述表面移动，使得所述至少一个光阱在某一清洗周期内到达所述表面的基本上每一部分，并且使得所述至少一个光阱能遇到可能存在于所述表面上或其附近的一个或多个污染物微粒。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述污染物释放装置对所述表面的一个或多个部分进行处理，以便至少部分地释放污染物，其中，所述至少一个光阱移动至已由所述污染物释放装置处理过的每个表面部分上或其附近，以便捕获所述被至少部分地释放的污染物。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其特征在于，所述至少一个光阱从至少第一位置移动至第二位置，以便传输被所述光阱收集的微粒，和/或使微粒移动脱离所述表面。
12.一种用于清洗表面的方法，所述方法包括沿着所述表面移动至少一个光阱，以便至少部分地释放和/或捕获污染物微粒，而无需知道这些微粒的位置坐标。
13.一种器件制造方法，包括将图案从图案形成装置转移到衬底上；和产生至少一个光阱，以便以光学方式来释放、收集和/或捕获微粒。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述微粒定位在所述图案形成装置上或其附近，并且/或者定位在所述衬底上或其附近，并且，所述至少一个光阱分别地在所述图案形成装置上或其附近形成并且/或者在所述衬底上或其附近形成。
15.根据权利要求13或14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括利用投影系统将图案化的辐射束投射到所述衬底上，其中，所述微粒定位在所述投影系统的一部分上或其附近，并且，所述至少一个光阱在所述投影系统的所述部分上或其附近形成。
16.一种用于清洗光学元件的表面的方法，所述方法包括利用至少一个光阱来至少部分地释放和/或捕获位于所述光学元件表面上的污染物微粒。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述光学元件选自透镜、反射镜元件、分划板、照明系统、调节器、积分器、聚光器、辐射集光器、箔片阱和滤光器。
18.一种用于清洗表面的组件，所述组件包括至少一个污染物释放装置，其构造成且设置成将污染物从所述待清洗表面上至少部分地释放；以及至少一个微粒收集装置，其构造成可产生至少一个光阱。
19.根据权利要求18所述的组件，其特征在于，所述收集装置构造成用于收集由所述释放装置从所述表面上至少部分地释放的微粒。
20.根据权利要求18或19所述的组件，其特征在于，所述释放装置构造成用于减小或断开污染物微粒与所述表面之间的作用力，和/或用于利用电磁场和/或超声搅动来消融并从所述表面上热脱离污染物。
21.根据权利要求18或19所述的组件，其特征在于，所述释放装置包括干式激光清洗装置或湿式激光清洗装置。
22.根据权利要求18至21中任一项所述的组件，其特征在于，所述组件构造成用于移动所述至少一个光阱或所述待清洗表面，或者使这二者彼此相对地移动。
23.根据权利要求18至22中任一项所述的组件，其特征在于，所述释放装置构造成并设置成随后对所述表面的各部分进行处理，以便从所述部分上至少部分地释放污染物，其中，所述收集装置构造成用于使所述至少一个光阱移动至将由和/或已由所述释放装置处理的所述表面的至少一部分。
24.根据权利要求18至23中任一项所述的组件，其特征在于，所述至少一个光阱通过光学镊子和/或光学扳手来形成。
25.根据权利要求18至23中任一项所述的组件，其特征在于，所述收集装置设置成用于将至少一个激光辐射束聚焦到所述待清洗表面上或其附近，以便在所述表面上或其附近提供至少一个光阱。
26.一种设置成用于将图案从图案形成装置转移到衬底上的光刻装置，所述光刻装置包括至少一个如权利要求18至25中任一项所述的组件。
27.一种用于对表面进行清洗的清洗装置，所述清洗装置构造成可产生至少一个光阱，并且用于使所述至少一个光阱或所述表面或者这二者彼此相对地移动，以便至少部分地释放和/或捕获一个或多个存在于所述表面上的污染物，而无需在释放和/或捕获微粒之前事先获得和/或获得这些微粒的位置坐标。
28.一种用于清洗表面的清洗装置，所述清洗装置构造成用于产生至少一个光阱，并且用于使所述至少一个光阱沿着所述表面移动，使得所述至少一个光阱在某一清洗周期内到达所述表面的基本上每一部分，并且使得所述至少一个光阱可遇到存在于所述表面上的一个或多个污染物微粒。
29.一种组件，包括至少一个光学元件，以及构造成可产生至少一个光阱的微粒收集装置，所述组件构造成使得所述微粒收集装置可利用所述光阱来清洗所述光学元件的至少一部分。
30.一种光刻装置，其设置成用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，所述光刻装置包括至少一个光阱发生器，所述至少一个光阱发生器构造成可产生至少一个光阱，以用于释放和/或捕获所述光刻装置中的微粒。
全文摘要
本发明的一个实施例提供了一种用于清洗表面的方法。所述方法包括，利用污染物释放装置将污染物从待清洗表面上至少部分地释放，以及利用污染物去除装置来捕获已被至少部分地释放的污染物，所述污染物去除装置产生至少一个用于收集已被至少部分地释放的污染物的光阱。本发明的实施例还提供了器件制造方法、用于清洗光学元件表面的方法、清洗组件、清洗装置以及光刻装置。
文档编号H01L21/027GK101063830SQ200710102969
公开日2007年10月31日 申请日期2007年4月27日 优先权日2006年4月28日
发明者M·辛格 申请人:Asml荷兰有限公司