专利名称：用作h-桥电路的功率半导体模块及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种作为H -挢电路的功率半导体模块，该H -桥电路由两 个半桥电路组成。为了这个目的，该功率半导体模块具有四个功率半导体 芯片。
io
背景技术：
文件US 5, 821, 618公开了一种功率半导体模块，该功率半导体模块 具有一绝缘外壳，在该外壳中多个金属安装板被排列在一个平面中并且彼 此电绝缘。整流器电桥(rectifier bridge)的半导体开关被导电地安装在该 金属安装板上。连接引线被电连接到半导体开关，至少一个连接引线被电 15连接到金属安装板。
所述功率半导体模块具有这些缺点，即多个连接引线作为引线引脚从
所述外壳伸出并远离外壳，并且在一端被单独地固定在该外壳中，因此存 在这些连接引线在机械负载的情况下从外壳脱落的风险，其危害该桥电路 的可靠性。
20 再者，在US 5, 821， 618已经公知的该H -桥电路的机械结构需要将 各种各样的功率半导体芯片装在一个专门的引线框架上。对于该已知的H-桥电路的机械结构，在这种情况下利用安装在彼此绝缘的引线安装板上的、 两个分离的、形式为功率半导体芯片的下侧开关(low-side switches)和一 对上侧开关(high-side switches)。为了这目的，该对上侧开关被安装在一
25中央引线安装板上，而该下侧开关被机械地和电学地固定在相对于该中央 引线安装板横向设置的两个引线安装板上。通过功率半导体芯片的栅电极 控制该H桥电路，伴随的结果是，为了专门应用，必须使用额外的外部驱 动电路，这是不利的。
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发明内容
本发明的一个目的是提供H -桥电路的改进的机械结构，其可以成本有 效地生产并可以承受更高的机械负荷。而且，本发明用于使该H -桥电路的 可靠性和该H -桥电路的可用性得到改进和扩展。
用独立的权利要求的主题的手段实现这目的。在从属权利要求中公开 5 了本发明的有益的改良。
本发明提供一种作为H -桥电路的功率半导体模块，其具有四个功率半 导体芯片和一半导体控制芯片。为了这个目的，这些半导体芯片布置在外 壳中一引线平面的三个互相分离的大面积引线芯片接触区域上。为了这个 目的，该引线平面具有设置在中央的引线芯片接触区，在其上布置该半导 10体控制芯片，以及相对于其横向布置的两个引线芯片接触区，在任何情况 下在这两个芯片接触区上布置作为下侧开关的n型沟道功率半导体芯片和 作为上侧开关的P型沟道功率半导体芯片。在这种情况下，所述n型沟道 功率半导体芯片共同电连接到地电势，P型沟道功率半导体芯片电连接到
分开的电压源。
15按照本发明的该功率半导体模块有下列好处，即，与现有技术比较， 其结果大大简化，因为包括n型沟道功率半导体芯片和P型沟道功率半导 体芯片的半桥设置在各自的横向引线芯片接触区上，并且这两个半桥由中 央引线芯片接触区上的中央半导体控制芯片控制，来实现全桥功能。同现 有技术比较，这个额外的半导体控制芯片显著地提高了功能性和该功率半
20导体模块的使用可能性。
由于该五个半导体芯片可以安装在单个弓战平面上，审腊得以简化，结果 是能利用便宜的引线框架。此外，因为提供了以大面积和机械方式固定到外壳 上、且可在不需要IW敏感的弓瞎弓脚的情况下^卜部访问的大面积弓战芯片
,,该功率半导^^块的可靠(4M少在IW性方面显著地MJl高。
25在一^发明的^i方案中，为了在该中央半导,制芯片和该四个在侧 向设置的功率半导体芯片之间的控制信号传输，在半导体芯片的顶部上的接触 区舰单独的接合导线^^接。根据本发明，繊髙了 H -桥电路的可控性， 并能使该H桥电路的使用范围变化更大。
除在该功率^，块内部的信号传输和向半导^^制芯片外的信号传输
30以外，还假设在功率半导体芯片的顶侧上的大面积接触区，ffi3t许多并联连接
的接合导线^至IJ，弓践平面上的大面积弓l线,区中相应的一个。
该多个接合导线使得可能在多个接合导线连接之间分配大面积,区的电 流负载，以便在功率半导体芯片的顶侧上和所述弓战接触区，传导待^^f述大
面积,区之间切换的电流，而不会发生热过载。
5 —种可选的可能性在于，通过接合带将该功率半导体芯片的顶侧上的大面
积接触区 到所述引线平面上相应的大面积引线接触区。这种接合,决方 案优于多个接合导线，结果是带腊工艺简单化，尤其是因为接合导线连接的制
作是一系列的操作，这一系列操作可以iKl接合带组合以形^^个接合步骤。
在产生大面积电g的另一可能性中，有可能使用导体夹，其,导电粘
10合剂导电地3^接到功率半导体芯片的顶侧上的大面积接触区和所述弓l线平面上
的大面积,区。然而，这种解决方案!1^*准备好了相应地 跌制备的导体 夹，随后可以以制驗术的方式柳它们。该功率半导鹏^m具有引线，
作为底面上的表面安紛卜部接触^g在一平面内。
还有可能在该半导^块的两个彼此相对的边缘侧上提供36个边
15缘侧接触。与先有技术对比，其中各个引线引脚一端固定在一塑料外壳部件 (housing composition)中，以及另一端从该塑料外壳部倂申出，该纖侧接触 解决方案有下列好处，即鹏纖侧接触可以承受高得多的tW负荷，尤其当 它们仅仅构成遞IJ戶腿侧纖的、该半导鹏块的底面上的大面积外部接触的 延伸时。于是，它们被相应的大面积外部^MIWfe保雜。
20 相应地，该功率半导^^块的一^^方案具有36个ii^侧J^，具有 侧边,1到4以及33到36 (它们相对鹏置)的第1出端。第二输出端 具有侧边,15到18以及19到22，它们同样赃该半导條块的職区域 中刚好彼此相对。第一电源接线端具有iii^侧,29到32和第二电源接线端 具有ii^侧鄉ll到14，臓电源接线端體成电学上与输出端绝缘。最后，
25中央弓l线端具有接地端，其电^到ii^侧接触5到8和23到26。仅仅， 侧撤虫9、 11、 27和28形^信号外部端子，并S3i相应接合导线连接电连 接到半导WS制芯片。
ii型沟道功率半导体芯片和p型沟道功率半导体芯片,Ji^垂直MOS 技术的TFT晶体管。具有垂直的漂移路径的这样的TFT晶体管可用于相对高
30的电源电压，特别在几^T伏特左右。
根据该发明进一步优选的功率半导体模块的构i^rF侧开关，所述下侧
开关ilil鄉极接触和栅鹏鹏性且导电ife^接到相应弓战芯片接触区上的
相应输出端子。结果是，體在相对侧的它们的漏极是可自由达到并且可以通 过相应的接合带连接到所鄉的中央弓战芯片接触区域的地电势，结果是下侧
5开关Mil它们可自由达到的漏极接触经由连接元件并经由中央弓l线接触区,
接到臓接地端。
具有漏极接触的上侧开关粘性且导电ife3i接到相应的弓践芯片,区上的
相应的输出端。因此，上侧开关的设置在功率半导体芯片的相对侧上的源电极
和栅电极可自由达到。当所述栅电^M:接合导线连接方式^g到该中央半导
10條制芯片的接触区时，源电极的大面积接触区域经由接合带、粘性地并导电 it^到相应弓践外部mt的相应电源^E端子。
戶，半导体控制芯片的多个接触区il^合导线^方式电连接到上侧开 关的栅极,和该源极接触，以及连接到下侧开关的漏极接触，由此根据本发 明的功率半导淋莫块的应用可能性得到显著地扩展。
15 财卜，该半导体控制芯片的接触区ffi^合导^g方式一方面电雜到 地电势，另一方面电连接到该功率半导鹏块的信号外部接触。该功率半导体 模块可以ffia^f述信号外鹏触访问。船卜，该功率半导鹏块的不同的运用 是可以利用的。为了这目的，该功率半导鹏块的外部纖区域形成引线框架 的平面构造的引线板。
2o ^felk，该功率特#^^有由塑彬卜壳部件舰的外壳，所述功率半 导体芯片、半导体控制芯片、驗元件和外部接触^A其中，而留下在该功率 半导Wi块的底面和ii^侧上的外部,区^^^区,自由的。
—种用于妒多个作为H -桥电路的功率半导鹏块的方法，所述模块具 有四个功率，体芯片和一半导体控制芯片，具有以下方法步骤。
25 第1包括生产具有多个功率半导^^置的引线框架。在这些功率半 导^^块錢提供三个大面积弓践芯片,区、两个用于电源端的引线接触区 和四个用于控制信号端的弓战魏区。在这种情况下，提供第一大面积引线 芯片,区用于作为下侧开关的n型沟道功率半导体芯片和作为第一 的上 半桥的上侧开关的p型沟道功率半导体芯片。第二弓践芯片激妪为该H -桥
30电路的第二半桥的功率半导体芯片保留，以及为具有接 的半导條制芯片
^第三中央引线,区。
在制作这样的弓l,架之后，该功率半导体芯片和该半导体控制芯片被应 用于所提供的引线框架的大面积引线芯片接触区。每种情况下在该五个半导 体芯片被固定且定位在该弓l线框架的功率半导^^,置之后，在半导体芯片 5接触区 卩弓l线接触区之间以及在半导体芯片接触区彼此之间自g元件。
最后，所述功率半导体芯片、半导体控制芯片、3i^元件和引线接触区然 后被封装到一塑料外壳部件中，而留下该弓战框架的弓l线端子的外部繊区域
是自由的。该引线框架然后能被分成单独的功率半导^块。
这方法有下列好处，艮p，多个功率半导術莫块可以在舰弓l线框架和多个
10引线模块^S的并行方法中同时地生产。这方法1^卜还有下列好处，即为制作
该引,架仅需一^F面金属板。为了这目的，优选构造由铜^#铜合金组成 的金属板。该构造可以MfflE印来实现，其具有批量生产的优点，或者经由湿 鄉刻实现，在其鹏中，於弓战板区域的鹏拥有便于将引线区域固定在 用于功率半导鹏块的塑料外壳的底面上的轮廓。构造这种金属棘形成弓l线
i5框架的另一可能性在于干法刻蚀，其可以用等离子^i^的手^ia行。用于 生产引线框架的#(戈方法，在于在辅助载体上电沉积该弓战框架结构，以及接
着从该辅助载体上分离或除去该引线框架，或者俯鄉助载体本身。
为了将该功率半导体芯片和半导体控制芯片应用到所提供的大面积弓践芯 片,区，戶腿半导体芯片可能是焊接鄉性接合在弓战芯片,区上。
20 为了在半导体控制芯片的,区鄉B弓践,区之间、以及在半导鹏制
芯片接触区和功率半导体芯片,区之间装配连接元件，可利用各种各样的方 法。最便宜的方法之一可能为包括制造齡导线连接的接合。另一方面，有利
的是，通过多引线接合^i^配接合夹或最终M31接合带的接合，在功率半 导体芯片接触区和弓I线,区之间制it3^元件。
25 每个所述方法具有它的优点和缺点，接合带装配是其中可以,连续制
造接合带连接的方法，而接合夹装配关系到以下事实，B卩，这类型的接合夹 要为針功率半导鹏^^别律隨和分别鹏当地安装。
将引,架分离成賴虫的功率半导鹏^i^lMH印方法实现。然而， 也可以用 |』法进行分离。
30
现在参照附图更详细地解释本发明。
图1显示根据本发明的H-桥电路的鉢电路亂
图2显示作为功率半导鹏块的根据图1的H -桥电路的示意性结构。
5
具体实駄式
图1示出了根据本发明的H -桥电路42的基本电路图，其由两个半桥电路 组成，并Silil半导体控制芯片IC连接以形成可控律啲H桥电路42。为了这 目的，齡半桥电路都具有作为下侧开关58的n型沟道功率半导体芯片Nl,
io臓芯片體在接地端50和上侧开关48之间，该上侧开关48具有连接到第 一电源电压VS1的p型沟道功率半导体芯片Pl。第一输出端0UT1在第一下 侧开关N1和第一上侧开关P1之间抽出。
在第一半桥的相对侧，第二半桥被设置为包括第二下侧开关59,其形成 为第二 n型沟道功率半导体芯片N2并fi^在接地端50和第二上侧开关49
15之间，紅侧开关49具有p型沟道功率特体芯片P2，其部雜接到第二电 压电源VS2。第二输出端OUT2出现在该下侧开关59和该上侧开关49之间。 舰电势50tM51^81施加到半导鹏制芯片IC。功率半导体芯片N1、 N2、 Pl和P2的栅电^131信号线82、 83、 84和85连接到半导鹏制芯片IC,并 且该半导WS制芯片IC通过信号线86和87连接到电源电压VS1和VS2。
20 图2示出了根据图1的H -桥电路42作为功率半导W莫块41的示意结构。 该功率半导鹏块41 ^^!166和68具有36个边缘侧接触1到36，边缘侧 撤虫1到18被體在纖侧66上，边缘侧接触19 - 36被體在ii^侧68上。 这^Z^侧鄉的一部鄉合以形成大面积引缴卜部鄉71到75，絲该功 率半导#^莫块41内部的引线平面80上形，成用于该H-桥电路的第一，的
25大面积弓战芯片接触区43和用于该H -桥电路的第二半桥的弓l线芯片,区 44。
在旨瞎形中，下侧开关58和59以^Si:侧开关48和49分别^H^M 弓l线芯片接触区43和44上。在这种情况下，下侧开关58和59形成为n型沟 道功率半导体芯片N1和N2，并Jilil^接驗^i3^占^^接，S31它们的 30源极和漏极分别导电地固定到大面积弓践芯片,区43和44上。与 照，
用作上侧开关48和49的p型沟道功率半导体芯片Pl和P2，在所有情况下都 ^^它们的漏极接触区鹏大面积弓l线芯片接触区43和44上。
该两个大面积弓战芯片接触区43和44分别位于右边续侧65和Si^侧 67的，区域中，并且,有情况下都具有8个边缘侧接触，第一输出0UT1 5可以^Sii^侧65连接至这Ml^侧^，以，二输出OUT2可以在右边 缘侧67驗至鹏纖测,。为此，纖侦赎触1到4以及33到36可用 于具有外部,71的第一输出端OUTl，而边缘侧接触15到18和19到22 可用于具有外部,72的第二输出端OUT2。如已经JIS的，功率半导体芯 片Nl和Pl 、以及N2和P2分别地體在相关的大面积弓战芯片接触区43和 io 44上，并Mi^合带61到64连接到其它弓战接触区45、 46和47。
该功率半导体芯片N1、 N2、 P1和P2的可自由到达(freely accessible)顶 侧60具有大面积接触区54到57。在这种情况下，第一功率半导体芯片Nl通 过在顶部60上的鄉电极Dl、经由接合带61连接到该中央弓l线芯片接触区 45，该接触区45的一部分经由外部接触73的边缘侧接触5到8和23到26连 15接到地电势50。第二糊的第二下侧开关N2也借助于接合带62、经由中央引 线芯片接触区45、 Mil在顶部60上的鄉电极D2连接到该地电势50。
与自照，在第一半桥的第一 P型沟道功率半导体芯片Pl的顶部60上 的源电极S3, i!3i接合带63和外部接触74连接至嗨一电源电压VS1，而第 二 P型沟道功率半导体芯片P2通过在其顶部60上的，电极S4、经由接合 20带64和外部,75连接到第二电源电压VS2。图1中示出的驗线81到87， 在该功率半导体模块的结构中由接合导线53来实现。另外的接合导线连接53
之间。w 、 ^ B 附图标记表<image>image see original document page 13</image>
VS1电源
VS2电源
DlNl的漏极接触
D2N2的漏极接触
S3Pl的源极接触
S4P2的源极接触
OUT1第一输出端
OUT2第二输出端
权利要求
1、一种具有四个功率半导体芯片(N1、N2、P1、P2)和半导体控制芯片(IC)的、作为H-桥电路(42)的功率半导体模块，所述半导体芯片被设置在引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43，44，45)上，所述引线平面具有在中央设置的引线芯片接触区(45)，在其上设置所述半导体控制芯片(IC)；以及在两个在侧向设置的引线芯片接触区(43、44)，在其每个上设置n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)作为下侧开关(58，59)和p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)作为上侧开关(48，49)，并且所述n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)共同电连接到地电势(50)，且所述p型沟道功率半导体芯片(P1，P2)电连接到分开的供电电压源(VS1，VS2)。
2、 根据权利要求1的功率半导体模块，特征在于所述半导体芯片(Nl， N2, Pl， P2， IC)的顶部(52)上的接触区(51)通过各个接合导线(53)电连 接，用于在该中央半导体控制芯片(IC)和所述四个在侧向设置的功率半导15体芯片(N1， N2， Pl， P2)之间的控制信号传输。
3、 根据权利要求1或权利要求2的功率半导体模块，特征在于 在所述功率半导体芯片(Nl, N2， Pl, P2)的顶部(60)上的大面积接触区(54到57)，通过多条平行接合导线连接到所述引线平面(80)上的大 面积引线接触区(45到47)中相应的一个。 20
4、根据权利要求1或权利要求2的功率半导体模块，特征在于在所述功率半导体芯片(Nl, N2, Pl， P2)的顶部(60)上的大面积 接触区(54到57)，通过接合带(61到64)连接到所述引线平面(80)上的相应 的大面积引线接触区(45到47)。
5、 根据权利要求1或权利要求2的功率半导体模块，特征在于25 在所述功率半导体芯片(Nl， N2， Pl ， P2)的顶部(60)上的大面积 接触区(54到57),通过导体夹连接到所述引线平面(80)上的相应的大面积 弓战接触区(45到47)。
6、 根据在前的权利要求之一的功率半导,块，特征在于 该功率半导体模块具有设置在一平面(80)上的引线作为该功率半导体30模块(41)底面上的可表面安装外部接触(71到79),其并入边缘侧(66到68) 的边缘侧接触(l-36)中。
7、 根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于该功率半导体 模块(41)包括36个边缘侧接触(1到36);第一输出端(OUTl)，其包括边 缘恻接触1到4和33到36;第二输出端(OUT2),其包括边缘侧接触15到 5 18和19到22;第一电源接线端(VS1),其包括边缘侧接触29到32;第二 电源接线端(VS2),其包括边缘侧接触11到14;以及接地端(50)，其包括 边缘侧接触5到8和23到26,而边缘侧接触9、 11、 27和28是信号外部 端子。
8、 根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于该功率半导体 io (41)包括FET晶体管作为功率半导体芯片(N1， N2, Pl, P2)。
9、 根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述下侧开关 (58， 59)通过它们的源极接触和栅极接触分别粘性且导电地连接到相应引 线芯片接触区(43和44)上的输出端(OUTl和OUT2)。
10、 根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述下侧开 15关(58， 59)通过它们的漏极接触(D1， D2)、经由连接元件(61， 62)和经由所述中央引线芯片接触区(45)电连接到接地端(50)。
11、 根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述上侧开 关(48, 49)通过它们的漏极接触分别粘性且导电地连接到相应弓I线芯片接 触区(43和44)上的输出端(0UT1和OUT2)。
12、根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于所述上侧开关(48， 49)通过它们的源极接触(S3， S4)、经由连接元#( 63， 64)，分 别粘性且导电地连接到相应引线外部接触(73和75)上的电源电压端(VS1和 VS2)。
13、 根据在前权利要求之一的功率半导模块，特征在于该半导体控制 25芯片(IC)的接触区(51)通过接合导线连接(53)连接到所述上侧开关的栅极接触和源极接触，以及连接到所述下侧开关的漏极接触。
14、 根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于该半导体控 制芯片(IC)的接触区(51)通过接合导线连接(53)连接到该功率半导体模块 (41)的信号外部接触(76到79)。
15、根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于该功率半导 体模块(41)的所述外部接触(71到79)是引线框的平面结构的引线板。
16、 根据在前权利要求之一的功率半导体模块，特征在于该功率半导 体模块(41)包括由塑料外壳部件组成的外壳，所述功率半导体芯片(Nl， N2, Pl， P2)、半导体控制芯片(IC)、连接元#(53, 61到64)和外部接5触(71到79)嵌入其中，而留下该功率半导体模块(41)的底面和边缘侧(65 到68)上的外部和边缘接触区域(1至36)是自由的。
17、 一种制造多个作为H-桥电路(42)的功率半导体模块(41)的方法， 所述功率半导体模块(41)具有四个功率半导体芯片(N1， N2, Pl， P2) 和半导体控制芯片(IC),该方法具有以下方法步骤io -制作具有多个功率半导体模块位置的引线框架，三个大面积引线芯片 接触区(43到4》和用于电源端(VS1 ， VS2)的两个引线接触区(46， 4乃以 及用于控制信号端的四个引线接触区(76到79)被设置在这些功率半导#^ 块位置，第一大面积引线芯片接触区(43)提供用于第一半桥的作为下侧开 关(58)的n型沟道功率半导体芯片(Nl)和作为上侧开关(48)的P沟道功15率半导体芯片(Pl)，以及第二引线芯片接触区(44)提供用于该H-桥电路的 第二半桥的功率半导体芯片(N2， P2),并且第三引线接触区(45)提供用于 具有接地端(55)的半导体控制芯片(IC);-将所述功率半导体(Nl ， N2， Pl, P2)和半导体控制芯片(IC)应用 于所提供的弓战框架的大面积弓战接触区(43， 44);M -在所述半导体芯片(Nl， N2， Pl， P2， IC)的接触区(51, 54-57) 和所述引线接触区(46， 47)之间，以及在所述半导体芯片(N1, N2， Pl、 P2， IC)彼此之间的接触区(51)之间，装配连接元件(53， 61到64);-将所述功率半导体芯片(Nl， N2， Pl， P2)和所述连接元^(53， 61 到64)，以及该引线接触区(43到47)封装到塑料外壳部件中，同时，述25弓l线框架的引线端的外部接触区域保持自由；-将该引线框架分离成单独的功率半导#^块(41)。
18、 根据权利要求17的方法，特征在于结构化优选为平面铜板的金属 板，来制造引线框架。
19、 根据权利要求18的方法，特征在于压印该平面金属板来进行结构30 化。
20、 根据权利要求18的方法，特征在于对该平面金属板进行湿法或干 法蚀刻，以进行结构化。
21、 根据权利要求17的方法，特征在于为了制造引线框架，在辅助载 体上电沉积该弓I线框架结构，并且随后将该弓I线框架结构从该辅助载体分
22、 根据权利要求17到21之一的方法，特征在于，在将所述功率半 导体芯片(Nl, N2， Pl P2)和半导体控制芯片(IC)应用到所提供的大面积 引线芯片接触区(43至45)的过程中，所述芯片被焊接或粘性接合在所述 弓战接触区(43到45)上。io
23、根据权利要求17到22之一的方法，特征在于，在该半导体控制 芯片(IC)的接触区(51)和所述引线接触区(45)之间、以及在该半导体控制 芯片(IC)的接触区(51)和所述功率半导体芯片(N1， N2, Pl, P2)的接触 区(51)之间装配连接元件(53)的鹏中，制作接合导线连接(53)。
24、 根据权利要求17到23之一的方法，特征在于15 在所述功率半导体芯片(N1， N2， Pl ， P2)的接触区(54至57)和 所述引线接触区(45到47)之间装配连接元件(61到64)的过程中，釆用多个 接合导线连接或接合夹，优选接合带(61到64)。
25、 根据权利要求17到24之一的方法，特征在于采用压印方法将该 引线框架分离成单独的功率半导体模块(41)。20
26、根据权利要求17的方法，特征在于釆用蚀刻法将该引线框架分离 成单独的功率半导体模块(41)。
全文摘要
本发明涉及具有四个功率半导体芯片(N1，N2，P1，P2)和一半导体控制芯片(IC)的作为H桥电路(42)的功率半导体模块(41)，及制造该功率半导体模块(41)的方法。半导体芯片(N1，N2，P1，P2，IC)设置在一引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43到45)上。半导体控制芯片(IC)设置于在中央设置的引线芯片接触区(45)上。作为下侧开关(58，59)的n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)以及作为上侧开关(48，49)的P型沟道功率半导体芯片(P1，P2)在任何情况下都被设置在两个侧向设置的引线芯片接触区(43，44)上。n型沟道功率半导体芯片(N1，N2)共同处于地电势(50)且P型沟道功率半导体芯片(P1，P2)电连接到分开的电源电压(VS1，VS2)。
文档编号H01L21/60GK101114642SQ200710129219
公开日2008年1月30日 申请日期2007年4月26日 优先权日2006年4月27日
发明者R·桑德 申请人:英飞凌科技奥地利股份公司