具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法

文档序号:7233611阅读:110来源:国知局

专利名称::具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法
技术领域
:本发明属于一种嵌入式射出成型(pre-molding)导线架条料的制造方法,尤指一种具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法。本发明所揭露的技术适用于表面黏着(surface-mountable)电子组件,例如,发光二极管。
背景技术
:如熟悉发光二极管
技术领域
者所熟知的,发光二极管是由一化合物半导体所组成,如GaAs、AlGaAs、GaN、InGaN或AlGalnP,作为一发射光源,发光二极管是一种可以发射各种有色光的半导体组件。在半导体技术突飞猛进的同时,近来具有高亮度及优异质量的发光二极管也已经量产,再者,白光及蓝光的制程技术也已经开发出来。从而,发光二极管可以广泛应用于显示器、下一代光源以及同类型的产品。此外,表面黏着发光二极管组件也已经被实际应用。为了扩展可以利用的面积以及降低成本,目前许多科技发展正尝试将电子组件制作成尽量小的结构尺寸,以及在固定的面积内布置更多的组件。例如,手机按键的背光源须要非常小尺寸的发光二极管。制造更密集排列的组件的技术是值得应用的,但使用传统已知的制程是很难达到在固定的面积制造非常密集排列的组件。图la至图lc显示传统嵌入式射出成型导线架条料的制造程序的上视图,如图la所示,藉由冲压金属薄板或金属薄片而形成一具有阵列组件区域22a的导线架条料10,此导线架条料10是用来放置发光二极管芯片(未显示)。各组件区域22a包括两金属部24a以及26a用以于其上放置发光二极管芯片、作为打线部以及外部电性连接导体,组件区域22a还包括两空白间隔区域28a。之后,于此导线架条料IO上电镀一具有高导电性及黏着性的金属层20,如图lb所示。藉由一嵌入式射出成型制程形成环绕导线架条料10的复数个呈现阵列状的嵌入式射出成型结构42a,此些嵌入式射出成型结构42a所环绕的区域是不包括用来作为外部引导电极的电极部,如图lc所示。此传统嵌入式射出成型导线架条料的制造程序是为一单一冷浇道制程,其方法是利用一注料口30以及多路的分支浇道32来完成。利用嵌入式射出成型制程形成的各嵌入式射出成型结构42a是具有一内凹处以放置合适芯片的多面体,内凹处中面对组件区域22a的表面呈开放状。图2显示详细的嵌入式射出成型结构42a以及所形成的组件区域22a,最终的组件区域22a包括一功能区48a、嵌入式射出成型结构42a、空白间隔区域28a以及两露出的外部电极44a和46a。功能区48a具有芯片接合部47a以及打线部49a。组件区域22a的外部电极44a和46a于后续的封装制程中将被折合以形成可黏着的电极结构。然而,此一传统嵌入式射出成型导线架条料的制程的缺点为低产量且会造成导线架和模造材料的浪费,上述缺点是起因于单一射出模造制程中分支浇道须要占用空间所造成的有效组件区域的松散排列。如图la至图lc所示,由于组件区域的密集度是受到单一射出模造制程的限制,使得此传统嵌入式射出成型制程是为低的大量生产效率。更甚者,采用此单一射出模造制程,组件实际占用的面积是非常少的,因此,明显降低珍贵材料的利用率。此外,又由于组件区域分布在不同位置,而注料口仅有一个,当工程塑料材料(模造材料)由注料口流动至组件区域时,离注料口较远的分支浇道中的工程塑料材料温度大幅下降,使工程塑料材料未及到达目的射出成型区域便有部分硬化在浇道中,使得射出成型半成品质量不佳,而造成不良的导线架成品。
发明内容本发明的目的是提供一种具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其藉由利用热浇道的多重的嵌入式射出成型制程的特征来达成密集组件布置,藉以大幅增加材料利用率以及大量生产效率。为达成上述目的,本发明提供一种具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,首先形成一具有阵列组件区域的导线架条料,各组件区域包括两金属部用以作为一芯片接合部、一打线部以及两外部电性连接导体。其次,于此导线架条料上电镀一具有高导电性及黏着性的金属层。最后,藉由一多重的嵌入式射出成型制程于各组件区域形成一嵌入式射出成型结构以环绕除了此些外部电性连接导体之外的该导线架条料其余部分,各嵌入式射出成型制程是每间隔一或多个组件区域来模造此导线架条料。为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,以下配合图式以及较佳实施例以说明本发明。图la至图lc显示传统嵌入式射出成型导线架条料的制造程序的上视图。图2显示详细的嵌入式射出成型结构以及所形成的组件区域的示意图。图3显示本发明的导线架条料的一实例。图4显示本发明的电镀后导线架条料的一实例。图5a、5b及图6显示本发明主要实施例的多重的嵌入式射出成型制程。图7显示本发明的完成嵌入式射出成型后的导线架条料的完整布局示意图。图8及图9显示本发明另一实施例的多重的嵌入式射出成型制程。图IO显示图8中的热浇道环绕设置有一供热装置。主要组件符号说明10、60导线架条料20、70电镀金属层22、22a组件区域24、24a金属部26、26a金属部80、90热浇道82、92分支浇道Al-A9、Bl-B6温度区28、28a空白间隔区域42嵌入式射出成型结构30注料口32分支浇道48、48a44、44a、46、46a47、47a49、49a具体实施例方式本发明所揭露一种具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,适用于表面黏着电子组件,例如,发光二极管。为了要在一固定的面积内布置最多数量的组件,縮小相邻组件的距离是值得应用的方法。于一导线架条料范围内要达成最小相邻组件的距离,是须要使用多重的嵌入式射出成型制程,而达到大幅增加材料利用率以及大量生产效率。图3中所显示的一具有阵列组件区域22的导线架条料60是以平面方式来举例说明,此导线架条料60是藉由冲压金属薄板或金属薄片而形成可以用来放置发光二极管芯片(未显示)。此导线架条料60为金属而由铁、铜、银、金、铝、镍、钯、铬或上述金属的合金中选用。各组件区域22包括两金属部24以及26用以于其上放置发光二极管芯片、作为打线部以及外部电性连接导体,组件区域22还包括两空白间隔区域28。其次,于此导线架条料60上电镀一具有高导电性及黏着性的金属层22,如图4所示。此电镀金属层70是由铜、银、金、镍、钯或上述金属的合金中选用。然后,藉由一多重的嵌入式射出成型制程形成环绕导线架条料60的阵列嵌入式射出成型结构42,此些嵌入式射出成型结构42所环绕的区域是不包括用来作为外部引导电极的电极部,如图5a所示。图5a中所举功能区外部电极芯片接合部打线部例说明的各嵌入式射出成型制程是每间隔一组件区域22来模造导线架条料60。因此,要完成每间隔一组件区域22的多重的嵌入式射出成型制程是须要两次嵌入式射出成型制程,例如,第一次嵌入式射出成型制程是先加工第一、三、五、七...等奇数排中的组件区域22,第二次嵌入式射出成型制程则接着加工第二、四、六、八...等偶数排中的组件区域22。完成嵌入式射出成型后的导线架条料60的完整布局如图7所示。嵌入式射出成型制程中所使用的模造材料是为不透明的塑料材料。为了提升嵌入式射出成型结构的质量以及有效地利用模造材料,本发明于嵌入式射出成型制程中采用热浇道。本发明的嵌入式射出成型制程为一种多重的嵌入式射出成型以及热浇道制程,如图5a所示,是使用热浇道80以及多路的分支浇道82来实现。再者,嵌入式射出成型制程的各热浇道80可以具有其自身的温度,如图6所示。图5a中的嵌入式射出成型制程使用9个热浇道80,而这9个热浇道80被分割成Al至A9等9个温度区。各温度区的制程温度范围是依照所选用的模造材料种类来决定,一般是介于150至400。C之间。如此藉由调整各热浇道的温度来操控制程温度范围,使得嵌入式射出成型的成品获得更好的良率。同样地,本发明的嵌入式射出成型制程所形成的嵌入式射出成型结构42,也是为具有一内凹处以放置合适芯片的多面体,内凹处中面对组件区域22的表面是幵着的。图5b显示详细的嵌入式射出成型结构42以及所形成的组件区域22,最终的组件区域22包括一功能区48、嵌入式射出成型结构42、空白间隔区域28以及两露出的外部电极44和46。功能区48具有芯片接合部47以及打线部49。组件区域22的外部电极44和46于后续的封装制程中将被折合以形成可黏着的电极结构。另一可选择的实施例,本发明的各嵌入式射出成型制程另一选择是每间隔二组件区域22来模造导线架条料60。因此,要完成每间隔二组件区域22的多重的嵌入式射出成型制程是须要三次嵌入式射出成型制程。完成嵌入式射出成型后的导线架条料60的完整布局如图7所示。本实施例的另一种多重的嵌入式射出成型制程显示于图8,本实施例的各嵌入式射出成型制程是使用热浇道90以及多路的分支浇道92来实现,如图8所示。同样地,嵌入式射出成型制程的各热浇道90可以具有其自身的温度,如图9所示。图8中的嵌入式射出成型制程使用6个热浇道90,而这6个热浇道90被分割成Bl至B6等6个温度区。各热浇道90外围可环绕设置有一供热装置93以便维持分支浇道92在一特定温度范围内,供热装置93能供给热量使热浇道90内的工程塑料材料不至于因为温度场分布不均,使工程塑料材料未及到达目的射出成型区域便有部分硬化在浇道中,使得射出成型半成品质量不佳,而造成不良的导线架成品。与传统的方法比较,本发明具有以下优点,首先,本发明的实施例是藉由冲压金属薄板或金属薄片而形成导线架条料,制程简单且成本低廉。其次,由于可获得最大的组件密集度,因此可大幅增加材料利用率以及大量生产效率。最后,由于可分别操控各热浇道的温度,因此可提升成品的良率。权利要求1、一种具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,适用于发光二极管,包括下列步骤形成一具有阵列组件区域的导线架条料,该各组件区域包括两金属部用以作为一芯片接合部、一打线部以及两外部电性连接导体;以及藉由一多重的嵌入式射出成型制程于该各组件区域形成一嵌入式射出成型结构以环绕除了该等外部电性连接导体之外的该导线架条料其余部分,该各嵌入式射出成型制程是每间隔一或多个组件区域来模造该导线架条料。2、如权利要求1所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于更包括,于该导线架条料上电镀一具有高导电性及黏着性的金属层。3、如权利要求1所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于该导线架条料为金属而由铁、铜、银、金、铝、镍、钯、铬或上述金属的合金中选用。4、如权利要求1所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于形成该阵列组件区域的方法是使用冲压制程来冲压该导线架条料。5、如权利要求2所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于该电镀金属层是由铜、银、金、镍、钯或上述金属的合金中选用。6、如权利要求1所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于该嵌入式射出成型制程中所使用的模造材料为不透明的塑料材料。7、如权利要求1所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于该形成嵌入式射出成型结构的步骤,更包括于该嵌入式射出成型制程中采用热浇道。8、如权利要求7所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于该等热浇道可以分割成不同温度区。9、如权利要求8所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于该各温度区的制程温度范围是介于150至400'c之间。10、如权利要求7所述的具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,其特征在于该热浇道连接一供热装置来维持热浇道的温度。全文摘要一种具有密集组件的嵌入式射出成型导线架条料的制造方法,首先形成一具有阵列组件区域的导线架条料,各组件区域包括两金属部用以作为一芯片接合部、一打线部以及两外部电性连接导体。其次,于此导线架条料上电镀一具有高导电性及黏着性的金属层。最后,藉由一多重的嵌入式射出成型制程于各组件区域形成一嵌入式射出成型结构以环绕除了此些外部电性连接导体之外的该导线架条料其余部分,各嵌入式射出成型制程是每间隔一或多个组件区域来模造此导线架条料。文档编号H01L33/00GK101359703SQ200710135878公开日2009年2月4日申请日期2007年7月30日优先权日2007年7月30日发明者陈朝雄申请人:顺德工业股份有限公司
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