专利名称：背栅极电压发生器电路、四端背栅极开关场效应晶体管及其充电和放电保护电路的制作方法
技术领域：
本发明通常涉及与如锂离子(Li-ion)二级电池的二级电池的充电和;改电 保护电路有关的技术，并且尤其涉及这样的技术，其通过在充电和放电路径 中仅仅提供单个四端背栅极开关FET,启用对二级电池被过充电、过放电、 ;故电过电流和充电过电流的 <呆护。
具体来说，本发明涉及背栅极电压发生器电路、由背栅极电压发生器电 路控制的四端背栅极开关FET(场效应晶体管)、利用四端背栅极开关FET的 二级电池的充电和放电保护电路、包含充电和放电保护电路的电池组以及使 用电池组的电子装置(如蜂窝电话)。
背景技术：
Li离子二级电池经常被用在近来已经流行的各种便携式电子装置(如蜂 窝电话、数字相机)、小尺寸、重量轻的音频装置(如便携式迷你盘单元) 以及游戏装置。Li离子二级电池包含当电池^皮过充电时形成金属Li沉积以 引起事故的风险，并且还具有问题当电池被过放电时，重复充电和放电使 用的次数^皮减少。
因此，传统上，两个保护开关(一个用于过放电保护，而另一个用于过 充电保护)被提供在二级电池和装置主体之间的充电和放电路径中，并且当 二级电池过充电到高于或等于预定电压或过放电到低于或等于预定电压时，
防止进一步过充电或过放电。
因此，传统的二级电池的充电和放电保护电路要求用于充电控制的充电 控制MOSFET(金属氧化物硅场效应晶体管)、和用于放电控制的放电控制 MOSFET作为保护开关，并且通过控制充电控制和放电控制MOSFET的栅 极电压实现对电池组的充电和放电保护。而且，传统上，充电控制MOSFET 和放电控制MOSFET中的每个是三端IC,并且背栅极电势等于源极电势。
因此，不需要控制背栅极电势。
充电控制MOSFET的源电极连接到电池组的负极端，而放电控制 MOSFET的源电极连接到电池单元的负极端。每个MOSFET的寄生二极管 的方向^皮固定。
日本公开专利申请No. 2006-121900公开了采用上述的用于充电控制和 放电控制的两个MOSFET的电池组。
图1是显示在日本公开专利申请No. 2006-121900中公开的电池组110 的电路图。
参照图1,电池组110包括充电和放电保护电路120、放电控制FETQl、 充电控制FETQ2、电池单元112、电容器C1、 C2和C3和电阻器rl和r2。
充电和放电保护电路120包括过充电检测器电路122、过放电检测器电 路127、过电流检测器电路125、延迟电路126a和126b、电平移位器123、 异常充电器检测器电路128、短路检测器电路124和n型FETQ3和Q4。
充电和放电保护电路120还包括VDD端，其通过电阻器r2与电池单 元112的正极端连接；VSS端，其连接到电池单元112的负极端；V-端，用 于检测放电过电流和充电过电流；Cout端，用于导通/截止控制充电电流的 充电控制MOSFET Q2; Dout端，用于导通/截止控制放电电流的放电控制 MOSFET Q1;以及用于测试短路的CT端。
Cout端和Dout端4皮防止同时截止;^文电控制MOSFET Ql和充电控制 MOSFET Q2。在过充电状态或在充电过电流状态，Cout端输出的输出电平 变为低以截止充电控制MOSFETQ2,由此防止充电，而Dout端的输出电平 变为高以导通it电控制MOSFET Ql,使得可能通过充电控制MOSFET Q2 的寄生二极管执行放电。
而且，在过放电状态、放电过电流状态以及短路状态，Dout端的输出电 平变为j氐以截止力文电控制MOSFET Ql,由此防止》文电，而Cout端输出的输 出电平变为高以导通充电控制MOSFET Q2,使得可能通过放电控制 MOSFET Ql的寄生二极管执行充电。
按照如上所述的传统技术，可能分开控制充电和放电，并且充电控制和 放电控制MOSFET的每个的寄生二极管的方向被固定。因此，可能相对容 易地提供保护。
然而，现在在市场上寻找成本低、节省空间的产品，并且与用于控制的两个传统的MOSFET相比，成本更低节省空间更大的产品能够通过形成具 有能够控制充电和放电的一个MOSFET的电池组而被开发。
发明内容
按照本发明的一个方面，提供了产生背栅极电压的背栅极电压发生器 电路，该背栅极电压对具有单个四端背栅极开关FET的充电和放电保护电路 的充电和放电路径执行导通/截止控制，并且按照如过充电、过放电、和过电 流的检测条件控制四端背栅极开关FET的寄生二极管的方向；由背栅极电压 发生器电路控制的四端背栅极开关FET;使用四端背栅极开关FET的二级 电池的充电和放电保护电路；包含该充电和放电保护电路的电池组；以及利 用该电池组的如窝电话的电子装置。
按照本发明的一个方面，提供了一种背栅极电压发生器电路，其产生用 于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET的背栅极电压，背栅极电压 发生器电路包括通过公共源电极串联连接的第一和第二 n型MOSFET，其中 在串联连接的第一和第二 n型MOSFET的公共源电极处的电压用作四端背 栅极开关MOSFET的背栅极电压，并且该背栅极电压被用作用于产生控制 第 一和第二 n型MOSFET的信号的参考电压。
按照本发明的一个方面，提供了如上所述用于由背栅极电压发生器电路 控制的充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET。
按照本发明的一个方面，提供了一种充电和放电保护电路，其通过检测 二级电池的过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，保护二级电池不被 过充电、过放电、》文电过电流和充电过电流，该充电和放电保护电路包括如 上所述用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET,作为用于在充电和 放电路径中提供的充电和放电控制的FET。
按照本发明的一个方面，提供了包括如上所述的充电和放电保护电路的 电池组。
按照本发明的一个方面，4是供了包括如上所述的电池组的电子装置。 所述电子装置的示例可以包括蜂窝电话、数字相机、音频装置和游戏装置。
因此，按照本发明的实施例，可能提供产生背栅极电压的背栅极电压 发生器电路，该背栅极电压对具有单个四端背栅极开关FET的充电和放电保
护电路的充电和放电路径执行导通/截止控制，并且按照如过充电、过放电、
和过电流的检测条件控制四端背栅极开关FET的寄生二极管的方向；由背栅 极电压发生器电路控制的四端背栅极开关FET;使用四端背栅极开关FET 的二级电池的充电和放电保护电路；包含该充电和放电保护电路的电池组； 以及利用该电池组的如蜂窝电话的电子装置。
本发明的其它目的、特征和优点在结合附图阅读时从下面的详细的描述 中将变得更清楚，在附图中
图1是显示传统的电池组的电路图2是显示按照本发明的实施例的、包括充电和放电保护电路的电池组 的示意性电^^图3是显示按照本发明的实施例、用于控制在充电和放电保护电路中提 供的四端背栅极开关FET的背栅极的背栅极电压发生器电路的电路图4是显示按照本发明的实施例、包含背栅极电压发生器电路的二级电 池保护IC的电池组的另 一个电if各图；以及
图5是显示用于图示按照本发明的实施例的各操作的每个操作序列的条 件的表。
具体实施例方式
参照附图对本发明的实施例给出描述。
图2是显示按照本发明的实施例的电池组20的示意性电路图，该电池 组20包括充电和放电保护电路1和四端背栅极开关FETM1。
参照图2,按照该实施例的充电和放电保护电路1包括VDD端，其通 过电阻器21与电池单元21的正极端连接；VSS端，其与电池单元21的负 ;f及端连"l妄；V-端，用于4佥测;故电过电流和充电过电流；BG端，用于控制四 端背栅极开关FETM1的背栅极电压，该BG端连接到四端背栅极开关FET Ml的背栅极；以及OUT端，用于对四端背栅极开关FET Ml执行导通/截 止控制，该OUT端连接到四端背栅极开关FET Ml的栅极端。充电和放电 保护电路1还可以包括用于缩短延迟时间的测试端。
如图2所示的电池组20按如下操作。(对于在每个操作的时间的条件，
参见图5。)
(a) 在正常状态(即平常状态)，OUT端的输出电平是高，BG端输出充电 和放电保护电路的V-电压，并且四端背栅极开关FETM1导通。在该状态， 充电和》文电都可扭J亍。
(b) 在过充电状态，OUT端的输出电平为低，BG端输出充电和放电保护 电路l的V-电压，并且四端背栅极开关FETM1截止以停止充电。此时，四 端背栅极开关FETM1的寄生二极管按这样的方向排列，其中电流从充电器 或负载(充电器/负载)30的负极端流动到电池单元21的负极端，并且可能执 4亍》文电。
(c) 在过放电状态，OUT端的输出电平为低，BG端输出充电和放电保护 电路1的VSS电压，并且四端背栅极开关FETM1截止以停止放电。此时， 四端背栅极开关FETM1的寄生二极管处于这样的方向，其中电流从电池单 元21的负极端流动到充电器/负载30的负极端，并且可能^l行充电。
(d) 在放电过电流状态，OUT端的输出电平为低，BG端输出充电和放电 保护电路1的VSS电压，并且四端背栅极开关FETM1截止以停止放电。此 时，四端背栅极开关FETM1的寄生二极管处于这样的方向，其中电流从电 池单元21的负极端流动到充电器/负载30的负极端，并且可能执行充电。
(e) 在充电过电流状态，OUT端的输出电平为低，BG端输出充电和放电 保护电路1的V-电压，并且四端背栅极开关FETM1截止以停止充电。此时， 四端背栅极开关FETM1的寄生二极管处于这样的方向，其中电流从充电器 /负载30的负极端流动到电池单元21的负极端，并且可能执行放电。
图3是显示用于产生控制四端背栅极开关FETM1的背栅极的背栅极电 压的背栅极电压发生器电路14的电路图。该背栅极电压发生器电路14包含 在充电和》文电保护电路1中。
背4册极电压发生器电^各14包括n型MOSFET M10和n型MOSFET M20，它们中的一个被选择用于背栅极电压。背栅极电压发生器电路14还 包括反相器INV1和反相器INV2。 N型MOSFET M10和M20的连接(公 共源电极)还连接到反相器INV1和反相器INV2中的每个，使得n型MOSFET M10和M20中的每个的栅极电压利用背栅极电压作为基准输入。
在正常状态(平常状态)，当低电平信号被作为控制信号Sc输入时，控制 信号Sc通过反相器INVl反相，使得高电平信号被输入到n型MOSFETM10
的栅极。同时，该反相的信号进一步通过反相器INV2被反相，使得低电平 信号被输入到n型MOSFET M20的栅极。
此时，n型MOSFET Ml0导通，而n型MOSFET M20截止。此时，因 为四端背栅极开关FET Ml导通，所以在电池单元21的负极端的电压、在 充电器/负载30的负极端的电压、和通过图2的电阻器R22的V-电压几乎相 同。因此，没有电流流过n型MOSFETM20的寄生二极管。
在过充电状态，低电平信号被输入为控制信号Sc,使得高电平信号被输 入到n型MOSFET M10的栅极，而低电平信号被输入到n型MOSFET M20 的栅才及。此时，n型MOSFET M10导通，而n型MOSFET M20截止。此时， 四端背栅极开关FET Ml截止。
紧接在过充电的检测之前，电池单元21已经利用高于电池单元21的电 压的充电器电压充电。因此，在防止充电的同时，在VSS电压和V-电压之 间的关系变为"VSS>V-"。因此，方向是相反的，使得没有电流流过n型 MOSFET M20的寄生二极管。
在过放电状态，高电平信号被输入为控制信号Sc,使得低电平信号被输 入到n型MOSFET M10的棚-极，而高电平信号4皮输入到n型MOSFET M20 的栅极。此时，n型MOSFET M10截止，而n型MOSFET M20导通。此时， 四端背栅极开关FET M1截止。
紧接在过放电的检测之前，因为电池组20连接到负载30,所以电池单 元21已经被放电。在充电被防止的同时，在充电和放电保护电路l内，V-电势被拉高到VDD电平，使得在VSS电压和V-电压之间的关系变为 "VSS<V-"。因此，方向相反，使得没有电流流过n型MOSFET M10的寄 生二极管。
在放电过电流状态，高电平信号被作为控制信号Sc输入，使得低电平 信号一皮输入到n型MOSFET M10的栅极，并且高电平信号被输入到n型 MOSFET M20的栅极。此时，n型MOSFET M10截止，而n型MOSFET M20 导通。此时，四端背4册^及开关FET M1截止。
紧接在放电过电流的检测之前，因为电池组20连接到负载30,所以电 池单元21已经放电。在防止放电的同时，放电3各径丟失，使得在VSS电压 和V-电压之间的关系变为"VSS<V-"。因此，方向相反，使得没有电流流过 n型MOSFET M10的寄生二极管。
在充电过电流状态，低电平信号被输入为控制信号Sc，使得高电平信号
被输入到n型MOSFET M10的栅极，而低电平信号被输入到n型MOSFET M20的栅极。此时，n型MOSFETM10导通，而n型MOSFETM20截止。 此时，四端背4册极开关FETM1截止。
紧接在充电过电流的检测之前，电池单元21已经利用高于电池单元21 的充电器电压充电。因此，在防止充电的同时，在VSS电压和V-电压之间 的关系变为"VSS>V-"。因此，方向是相反的，使得没有电流流过n型MOSFET M20的寄生二极管。
图4是显示按照本发明的实施例、包含二级电池保护IC的电池组20的 另一个电路图，该二级电池保护IC包含背栅极电压发生器电路14。在图4 中，与图2所示的那些相同的元件由相同的参考标号引用。
参照图4，电池组20包括充电和放电保护电路(具有IC配置的保护IC) 1、为n型MOSFET的四端背栅极开关FETMl、电池单元(二级电池)21 、电 容器C21、电阻器R21和R22、正极侧端22和负极侧端23。充电器/负载30 在充电时是充电器，或在放电时是负载设备，如蜂窝电话、数字相机、音频 装置或游戏装置。
保护IC1包括过充电检测器电路2、过放电检测器电路3、充电过电 流检测器电路4、第一放电过电流检测器电路5、第二放电过电流检测器电 路6、延迟时间产生器电路7、短路电路8、'电平移位器9、异常充电器检测 器电路10、逻辑电路11、背栅极电压发生器电路14(参照图3详细描述)、 以及四端n型MOSFET Ml。延迟时间产生器电路7包括计数器12和振荡 器电路13。
保护IC 1还包括充电和放电控制端OUT,用于控制四端n型MOSFET Ml的栅极电压；背栅极控制端BG,用于控制四端n型MOSFET Ml的背 栅极电压；以及电流4企测端V-,用于通过将充电/放电电流转换为电压一全测 充电/放电电流。尽管在图4中被省略，但是与如图1所示的传统的短路检测 器电路124相同的短路检测器电路可以被提供，以便在检测短路时输入检测 信号到延迟时间产生器电路7，由此使得在检测短路时也可能执行保护控制。
电平移位器9输出施加给四端n型MOSFETM1的4册极的用于充电和放 电控制的栅极信号、和输入给背栅极电压发生器电路14的控制信号Sc。控 制信号Sc在正常状态、过充电检测和充电过电流4企测时为高，而在过放电;险测和放电过电流检测时为低。背栅极电压发生器电路14具有参照图3详 细描述的配置。
过充电检测器电路2、过放电检测器电路3、充电过电流检测器电路4、 第 一放电过电流检测器电路5和第二放电过电流检测器电路6的输出被输入 到延迟时间产生器电路7。这些输出信号的每个由延迟时间产生器电路7延 迟预定的延迟时间以便被输出到逻辑电路11,并且随后在电平移位器9中被 转换为参考电压。来自电平移位器9的信号直接被施加到四端n型MOSFET Ml的栅极。来自电平移位器9的控制信号Sc被输入到背栅极电压发生器电 路14以生成背栅极信号(BG)，并且生成的背栅极信号(BG)被施加到四端n 型MOSFET Ml的背4册才及。由此，对四端n型MOSFET Ml进行导通/截止 控制，并且如上所述控制四端n型MOSFET Ml的寄生二才及管的方向。
上述的预定延迟时间在所有输入信号中不是均匀的，并且基于检测的内 容采用预定值。延迟时间的细节在许多专利文献中被描述，并且公知。因此，
对其描述^:省略。
图5显示按照本发明的实施例的上述操作。图5显示了在正常(常规)时、 在过充电的检测时、在过放电的检测时、在放电过电流的检测时和在充电过 电流的检测时的操作序列的每个中，控制信号Sc、 BG输出、端电压、寄生 二极管的方向、充电和放电的可执行性、四端背栅极开关n型MOSFET Ml 的栅极信号、以及四端背栅极开关n型MOSFET Ml的导通/截止的条件的 简要列表。
通过将具有上述配置的背栅极电压发生器电路14构建成充电和放电保 护电路1,使用四端背栅极开关MOSFET的电池组能够被实现。
而且，因此实现的电池组能够被施加到广泛范围的电子装置(如蜂窝电 话、数字相机)、音频装置(如小尺寸、重量轻的便携式迷你盘单元)、和近 年来已经普及的游戏装置。
按照本发明的 一个方面，提供了产生用于充电和放电控制的四端背栅极 开关MOSFET的背栅极电压的背栅极电压发生器电路，背栅极电压发生器 电路包括通过公共源电极串联连接的第一和第二n型MOSFET,其中在串联 连接的第一和第二 n型MOSFET的公共源电极处的电压用作四端背栅极开 关MOSFET的背栅极电压，并且该背栅极电压被用作用于产生控制第一和 第二n型MOSFET的信号的参考电压。
按照本发明的一个方面，如上所述，提供了用于由背栅极电压发生器电
路控制的充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET。
按照本发明的一个方面，提供了充电和放电保护电路，其通过检测二级 电池的过充电、过》文电、；故电过电流和充电过电流，保护二级电池不纟皮过充 电、过ii电、放电过电流和充电过电流，该充电和放电保护电路包括如上所 述的用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET，用作在充电和放电路 径中提供的充电和放电控制的FET。
按照本发明的一个方面，提供了包括如上所述的充电和放电保护电路的 电池组。
按照本发明的一个方面，提供了包括如上所述的电池组的电子装置。 所述电子装置的示例可以包括蜂窝电话、数字相机、音频装置和游戏装置。
如上所述的背栅极电压发生器电路还可以包括第 一反相器，向该第 一反 相器输入从二级电池的过充电、过放电、放电过电流和充电过电流的检测信 号之一产生的控制信号；第二反相器，向其输入第一反相器的输出，其中第 一反相器的输出可以被输入到第一 n型MOSFET的栅极，第二反相器的输 出可以被输入到第二 n型MOSFET的栅极，并且背栅极电压可以被用作第 一反相器和第二反相器的每个的接地侧参考电势。
因此，按照本发明的实施例，可能提供产生背栅极电压的背栅极电压 发生器电路，该背栅极电压对具有单个四端背栅极开关FET的充电和放电保 护电路的充电和放电路径执行导通/截止控制，并且按照如过充电、过放电、 和过电流的检测条件控制四端背栅极开关FET的寄生二极管的方向；由背栅 极电压发生器电路控制的四端背栅极开关FET;使用四端背栅极开关FET 的二级电池的充电和放电保护电路；包含该充电和放电保护电路的电池组； 以及利用该电池组的如蜂窝电话的电子装置。
而且，可能产生用于背栅极控制的输出，而不引起由于n型MOS晶体 管的寄生二极管导致的不必要的电流流过。
本发明不局限于具体公开的实施例，并且可以进行变化和修改，而不背 离本发明的范围。
本申请基于2006年9月19日提交的日本优先权专利申请No. 2006-251999,其整个内容通过引用在此并入。
权利要求
1.一种背栅极电压发生器电路，其产生用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET的背栅极电压，该背栅极电压发生器电路包括通过公共源电极串联连接的第一和第二n型MOSFET，其中在串联连接的第一和第二n型MOSFET的公共源电极处的电压，用作四端背栅极开关MOSFET的背栅极电压，并且该背栅极电压被用作用于产生控制第一和第二n型MOSFET的信号的参考电压。
2. 如权利要求1所述的背栅极电压发生器电路，还包括 第一反相器，向该第一反相器输入从二级电池的过充电、过放电、放电过电流和充电过电流的检测信号之一产生的控制信号；以及 第二反相器，向其输入第一反相器的输出， 其中第 一反相器的输出被输入到第一 n型MOSFET的栅极， 第二反相器的输出被输入到第二 n型MOSFET的栅极，并且 背栅极电压被用作第一反相器和第二反相器的每个的接地侧参考电势。
3. —种四端背栅极开关MOSFET,用于由如权利要求1所述的背栅极电 压发生器电路控制的充电和放电控制。
4. 一种充电和放电保护电路，其通过检测二级电池的过充电、过放电、 放电过电流和充电过电流，保护二级电池不被过充电、过放电、放电过电流 和充电过电流，该充电和放电保护电路包括用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET,作为在充电和放电路 径中提供的用于充电和放电控制的FET,该四端背栅极开关MOSFET由如 权利要求1所述的背栅极电压发生器电路控制。
5. —种电池组，包括充电和;改电保护电路，其通过检测二级电池的过充电、过放电、放电过 电流和充电过电流，保护二级电池不净皮过充电、过》文电、放电过电流和充电 过电流，该充电和放电保护电路包括用于充电和放电控制的四端背栅极开 关MOSFET，作为在充电和放电路径中提供的用于充电和放电控制的FET, 该四端背栅极开关MOSFET由如权利要求1所述的背栅极电压发生器电路 控制。
6. —种电子装置，包括 电池组，该电池组包括充电和放电保护电路，该充电和放电保护电路通过斗企测二级电池的过充电、过^:电、放电过电流和充电过电流，保护二级电池不^皮过充电、过放电、；改电过电流和充电过电流，该充电和》文电^[呆护电路 包括用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET,作为在充电和放电 路径中提供的用于充电和放电控制的FET，该四端背栅极开关MOSFET由 如权利要求1所述的背栅极电压发生器电路控制。
7. —种蜂窝电话，包括电池组，该电池组包括充电和放电保护电路，该充电和放电保护电路通 过斗企测二级电池的过充电、过;^文电、放电过电流和充电过电流，保护二级电 池不被过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，该充电和放电保护电路 包括用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET ，作为在充电和放电 路径中提供的用于充电和放电控制的FET,该四端背栅极开关MOSFET由 如权利要求1所述的背栅极电压发生器电路控制。
8. —种数字照相机，包括电池组，该电池组包括充电和;故电保护电i 各，该充电和放电保护电路通 过检测二级电池的过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，保护二级电 池不被过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，该充电和放电保护电路 包括用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET,作为在充电和放电 路径中提供的用于充电和放电控制的FET,该四端背栅极开关MOSFET由 如权利要求1所述的背栅极电压发生器电路控制。
9. 一种音频装置，包括电池组，该电池组包括充电和》文电保护电路，该充电和放电保护电路通 过4企测二级电池的过充电、过放电、；改电过电流和充电过电流，保护二级电 池不被过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，该充电和放电保护电路 包括用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET,作为在充电和放电 路径中提供的用于充电和放电控制的FET，该四端背栅极开关MOSFET由 如权利要求1所述的背栅极电压发生器电路控制。
10. —种游戏装置，包括电池组，该电池组包括充电和放电保护电路，该充电和;改电保护电路通 过检测二级电池的过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，保护二级电 池不被过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，该充电和放电保护电路 包括用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET,作为在充电和放电 路径中提供的用于充电和放电控制的FET,该四端背栅极开关MOSFET由 如权利要求1所述的背栅极电压发生器电路控制。
全文摘要
公开了一种背栅极电压发生器电路，其产生用于充电和放电控制的四端背栅极开关MOSFET的背栅极电压。该背栅极电压发生器电路包括通过公共源电极串联连接的第一和第二n型MOSFET。串联连接的第一和第二n型MOSFET的公共源电极处的电压用作四端背栅极开关MOSFET的背栅极电压，并且该背栅极电压被用作用于产生控制第一和第二n型MOSFET的信号的参考电压。
文档编号H01M10/44GK101356706SQ20078000137
公开日2009年1月28日 申请日期2007年8月14日 优先权日2006年9月19日
发明者后藤智幸 申请人:株式会社理光