专利名称：有机电致发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光器件，特别是涉及一种具有铜金属阳极的有 机电致发光器件。
背景技术：
随着电子产品发展技术的进步及其日益广泛的应用，像是移动电话、PDA 及笔记本电脑的问市，使得与传统显示器相比具有较小体积及电力消耗特性的 平面显示器的需求与日俱增，成为目前最重要的电子应用产品之一。在平面显 示器当中，由于有机电致发光器件具有自发光、高亮度、广视角、高应答速度 及制造工艺容易等特性，使得有机电致发光器件无疑的将成为下一世代平面显 示器的最佳选择。
有机电致发光器件为使用有机层作为有源层(active layer)的发光二极管， 己渐渐使用于平面面板显示器(flat panel display)上。开发出具有高发光效率及 长使用寿命的有机电致发光器件是目前平面显示技术的主要趋势之一 。
一般而言，有机电致发光器件是以氧化铟锡(ITO)作为其阳极电极。近几 年，氧化铟锡(ITO)电极被普遍的运用在不同领域，例如液晶电视(LCDTV)、 无机电致发光器件(LED)、触控面板(TouchPanel)、太阳能电池、OLED 等领域，因此氧化铟锡(ITO)电极的需求大增。然而，氧化铟锡(ITO)成份之一 的贵重金属铟，由于在地球上的蓄藏量有限，未来将会有匮乏的危机。因此， 氧化铟锡(ITO)能够再使用几年也是个未知数。另一方面，贵重金属铟的价格 将会随着需求的增加，价格必定水涨船高，进而增加氧化铟锡(ITO)电极制造 成本，影响产品竞争力。再者，贵重金属铟是属于有毒物质，在环保意识抬头 的未来，必定会慎重考虑其可能的取代物与制造。
依据先前技术记载，可使用铬金属被用来取代氧化铟锡(ITO)作为阳极的 电极材料，虽然铬金属有硬度高、耐磨耗、反射能力佳、耐高温且耐大气腐蚀 等优点，然而其导电度不佳，会阻碍载子的注入。另外，也有使用银合金来取代氧化铟锡(ITO)作为阳极的电极材料的技术， 银合金内除了银之外，还有钯金属(Palladium; Pd)及铜金属(Copper; Cu)， 其重量比分别占98%、 1%、及1%,利用溅镀将银合金溅镀在基材上，不过其 需配合溅镀一层氧化铬(或镍、钼化钴、钯等金属空穴注入层)，因此在溅镀步 骤上较繁琐与复杂，而且也较费时。
因此，目前业界急需一种能代替氧化铟锡(ITO)作为有机电致发光器件阳 极的导电电极，以降低制造成本，且该导电电极必需同样具有高导电能力及较 低电阻等性质。
发明内容
综上所述，本发明所要解决的技术问题在于提出一种有机电致发光器件， 采用铜金属薄膜(或惨杂其它金属的铜金属薄膜)取代传统的氧化铟锡(ITO)电 极作为有机电致发光器件的阳极，利用金属铜的优秀的导电能力，可以制作比 传统电极更薄且电阻值更低的阳极，因而能获得效率更佳的有机电致发光器 件。
本发明所述的有机电致发光器件包含一衬底； 一下电极，形成于该衬底之 上； 一有机发光单元，形成于该下电极之上； 一上电极，形成于该有机发光单 元之上，其中，该下电极包含卯-100重量百分比的铜，以该下电极总重为基 准。根据本发明一较佳实施例，该下电极为完全由铜所组成的阳极电极。此外， 根据本发明另一较佳实施例，该下电极至少由90%的铜所组成，其它成份为锂、 镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、或上述组合，以构成一铜为主的合金。
以下通过数个实施例及比较实施例，以更进一步说明本发明的方法、特征 及优点，但并非用来限制本发明的范围，本发明的范围应以所附的权利要求范 围为准。
图1为本发明一较佳实施例所述的有机电致发光器件的剖面结构图； 图2为本发明另一较佳实施例所述的有机电致发光器件的剖面结构图； 图3显示了本发明比较实施例1及实施例1-3所述的有机电致发光器件其 电压与电流密度的关系图；图4显示了本发明比较实施例1及实施例1-3所述的有机电致发光器件其 电压与亮度的关系图5显示了本发明比较实施例2及实施例4-6所述的有机电致发光器件其 电压与电流密度的关系图6显示了本发明比较实施例2及实施例4-6所述的有机电致发光器件其 电压与亮度的关系图。
主要组件符号说明
有机电致发光器件 10; 基板 12;
下电极 14;
具有p型掺杂的空穴注入层 16;
空穴传输层 18;
发光层 20;
电子传输层 22;
具有n型掺杂的电子注入层 24;
有机发光单元 26; 空穴注入层 28;
以及，上电极~30。
具体实施例方式
本发明提供一种以铜金属薄膜取代传统的氧化铟锡(ITO)作为有机电致发
光器件的阳极的技术，由于铜具有优异的电导率和热导率，以及化学稳定性强、 抗张强度大、易熔接、具抗蚀性、可塑性、延展性等优点，因此铜金属薄膜以 溅镀方式除了可以制作比传统电极更薄且电阻值更低的阳极之外，也可轻易胜 任作为软性基材阳极所需的挠曲性，因此可将有机电致发光器件与铜基板作进 一步的结合。
请参照图1，显示本发明一较佳实施例所述的有机电致发光器件10的剖 面结构示意图，包括一衬底12，该衬底可为透明或不透明基板，例如玻璃、 或是塑料基板，若为塑料基板，可例如为PET (Polyethylene terephthalate)、PEN (Polyethylene N-phthalate) 、 PES (Polyethersulfone)、或PI (Polyimide)。
接着， 一下电极14作为阳极形于该衬底12之上。在此，该下电极14可为完 全由铜所组成的阳极电极。此外，根据本发明另一较佳实施例，该下电极至少 由90%的铜所组成，其它成份为锂、镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、钼、 或上述组合，以构成一铜为主的合金，其中非铜的金属的总重量百分比不大于 10。该大体由铜所组成的下电极14的形成方法可为热蒸鍍、溅射或等离子体 强化式化学气相沉积方式。
接着，形成一有机发光单元26于该阳极(下电极14)之上。该有机发光 单元26至少包含一发光层20(light emitting layer),且更可包含一 p型掺杂的空 穴注入层16、 一空穴传输层18、 一电子传输层22、及一n型掺杂的电子注入 层24。该有机发光单元26的各膜层可分别为小分子有机电致发光材料或高分 子有机电致发光材料，若为小分子有机电致发光材料，可利用真空蒸镀方式形 成有机电致发光材料层；若为高分子有机电致发光材料，则可使用旋转涂布、 喷墨或网版印刷等方式形成有机电致发光材料层。此外，该发光层20可包含 一有机电致发光材料及一掺杂物(dopant)，熟悉本技术者可视所使用的有机电 致发光材料及所需的组件特性而改变所搭配的掺杂物的掺杂量。因此，掺杂物 的掺杂量的多寡非关本发明的特征，非为限制本发明范围的依据。该有机电致 发光材料可为荧光(fluorescence)发光材料。而在本发明的某些较佳实施例中， 该有机电致发光材料也可为磷光(phosphorescence)发光材料。值得注意的是， 该具有p型掺杂的空穴注入层16形成于该下电极14之上，该p型掺杂包含 F4-TCNQ(tetrafluro-tetracyano-quinodimethane)、 W03、 Mo03、或\^205;另夕卜， 该n型掺杂包含Li、 Cs、或Cs2C03。值得注意的是，该有机发光单元26也可 包含一空穴阻挡层。
最后，形成一上电极30作为透明阴极形成于该有机发光单元26上(例如 该具有n型掺杂的电子注入层24之上)，可为可注入电子于该有机发光单元的 材料(经由该电子注入层24)，例如为低功函数的透明阴极，像是包含铝、银、 镁或其合金或是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铝氧化物(AZO)、或 氧化锌(ZnO)，形成方法可例如为溅镀、电子束蒸镀、热蒸镀、或是化学气相 沉积。
在上述结构完成后，更可以利用一透明覆盖层来提高光的穿透率，该覆盖层可以为NPB (N,N'-Bis(naphthalen-l-yl)-N,N'-bis(pheny1)-benzidine) 、 Alq3 (Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum)等有机材茅斗，或是Sn02 (Tin oxide)、
Ti02 (Titanium oxide)等无机材料。
根据本发明另一较佳实施例，请参照图2，其中该有机发光单元26可还
包含一空穴注入层28，配置于该下电极14与该具有p型掺杂的空穴注入层16
之间，其中该空穴注入层28材料可为CuPc(Copper Phthalocyanine) 、2-TNATA (4，4',4"-Tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl- amino)triphenylamine ) 、 m-MTDATA (4，4',4"陽Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)triphenylamine )。
以下通过下列实施例及比较实施例来说明本发明所述具有有机色转换膜
层的有机电致发光器件，用以进一步阐明本发明的技术特征。
有机电致发光二极管的制备 比较实施例1:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡将己制作图样的ITO玻璃 衬底洗净。以氮气将基材吹干，然后UV-OZONE30分钟，接着在10-6torr的 压力下依序沉积p型掺杂的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、 n型掺杂的电子注入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，封装后获得该电 致发光器件(l)。以下列出各层的材料及厚度。
阳极厚度为150nm，材料为氧化铟锡(ITO)。
p型掺杂的空穴注入层厚度为 50nm ，材料为 NPB(N,N'-di-1 -naphthyl-N,N'-diphenyl-1 ， 1 '-biphenyl-1,1 '-biphenyl-4，4'-diamine)， p型掺杂为Mo03(molybdenumtrioxide)，两者的重量比为卯:IO。
空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20nm， 材料为Alq3 (tris (8勿droxyquinoline) aluminum)。 空穴阻挡层厚度为 10nm ，材料为 Bphen (4，7-diphenyl-1 ， 10-phenanthroline )。
n型掺杂的电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (CesiumCarbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极:该透明电极为铝及银的叠层，第一层厚度为3nm，材料为铝(A1)， 第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。
接着，以PR650及Minolta LSI 10测量该电致发光器件(l)的光学特性。请 参照图3，显示该电致发光器件(l)的电压与电流密度的关系；请参照图4，显 示该电致发光器件(l)的电压与亮度的关系。
实施例1:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡一玻璃衬底洗净。以氮气将 基材吹干，然后UV-OZONE30分钟，接着在10-6torr的压力下依序沉积阳极、 p型掺杂的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、n型掺杂电子注
入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，封装后获得该电致发光器件p;)。
以下列出各层的材料及厚度。
阳极厚度为25nm，材料为铜(Copper)。
p 型掺杂的空穴注入层厚度为 50nm ，材料为 NPB(N，N'-di隱1 -naphthyl-N,N'-diphenyl-1,1 '-biphenyl-1,1 '-bipheny1-4,4'-diamine)， p型掺杂为Mo03(molybdenum trioxide)，两者的重量比为90:10。
空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20nm，材料为Alq3 (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum)。 空穴阻挡层厚度为 10nm ， 材料为 Bphen (4，7-diphenyl-1,10-phenanthroline)。
n型掺杂的电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (Cesium Carbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极:该透明电极为铝及银的叠层，第一层厚度为3nm，材料为铝(A1)， 第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。
透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。
接着，以PR650及Minolta LSI 10测量该电致发光器件(2)的光学特性。请 参照图3，显示该电致发光器件(2)的电压与电流密度的关系；请参照图4，显 示该电致发光器件(2)的电压与亮度的关系。
实施例2:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡一玻璃衬底洗净。以氮气将基材吹干，然后UV-OZONE 30分钟，接着在10-6torr的压力下依序沉积阳极、 p型掺杂的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、n型掺杂的电子 注入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，封装后获得该电致发光器件(3)。 以下列出各层的材料及厚度。
阳极厚度为50nm，材料为铜(Copper)。
p型掺杂的空穴注入层厚度为 50nm ，材料为 NPB(N，N'國di-1 -naphthyl-N,N'-diphenyl-1 ， 1 '-biphenyl-1,1 '-biphenyl-4,4'-diamine)， p型掺杂为Mo03(molybdenum trioxide)，两者的重量比为卯:10。
空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20nm， 材料为Alq3 (tris (8勿droxyquinoline) aluminum)。
空穴阻挡层厚度为 10nm ， 材料为 Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)。
n型掺杂的电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (Cesium Carbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极该透明电极为铝及银的叠层，第一层厚度为3nm，材料为铝(A1)， 第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。
透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。
接着，以PR650及Minolta LSI 10测量该电致发光器件(3)的光学特性。请 参照图3，显示该电致发光器件(3)的电压与电流密度的关系；请参照图4，显 示该电致发光器件(3)的电压与亮度的关系。
实施例3:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡一玻璃衬底洗净。以氮气将 基材吹干，然后UV-OZONE 30分钟，接着于10-6torr的压力下依序沉积阳极、 p型惨杂之空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、n型掺杂之电子 注入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，封装后获致该电致发光器件(4)。 以下系列出各层之材料及厚度。
阳极厚度为100nm，材料为铜(Copper)。
p型掺杂的空穴注入层厚度为50nm ， 材料为 NPB(N,N'誦di-1 -naphthyl-N,N'-diphenyl-1 ， 1 '-biphenyl-1,1 '-biphenyl-4，4'-diamine)，p型掺杂为Mo03(molybdenum trioxide)，两者的重量比为90:10。 空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20nm，材料为Alq3 (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum)。
空穴阻挡层厚度为 lOnm ， 材料为 Bphen (4，7-diphenyl-1 ， 10-phenanthroline )。
n型掺杂的电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (Cesium Carbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极该透明电极为铝及银的叠层，第一层厚度为3nm，材料为铝(A1)， 第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。
透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。接着，以PR650及MinoltaLS110测量该电致发光器件(4)的光学特性。请 参照图3，显示该电致发光器件(4)的电压与电流密度的关系；请参照图4，显 示该电致发光器件(4)的电压与亮度的关系。
由图3及图4结果可以确认当铜金属薄膜厚度为100nm时，有机电致发 光器件的特性比以ITO为阳极时还要优异。
比较实施例2:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡将已制作图样的ITO玻璃 衬底洗净。以氮气将基材吹干，然后UV-OZONE30分钟，接着在10-6torr的 压力下依序沉积空穴注入层、p型掺杂的空穴注入层、空穴传输层、发光层、 空穴阻挡层、n型掺杂的电子注入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，， 封装后获得该电致发光器件(5)。以下列出各层的材料及厚度。 阳极厚度为150nm，材料为氧化铟锡(ITO)。 空穴注入层厚度为10nm，材料为CuPc(copperphthalocyanine)。 p型掺杂的空穴注入层厚度为30nm ，材料为 NPB(N，N'-di-1画naphthyl画N，N'-diphenyl-1,1 '-biphenyl-1,1 '-biphenyl-4,4'-diamine)， p型掺杂为Mo03(molybdenum trioxide)，两者的重量比为90:10。 空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20腦，材料为Alq3 (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum)。 空穴阻挡层厚度为 10nm ， 材料为 Bphen(4，7-diphenyl-1 ， 10-phenanthroline)。
n型掺杂的电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (CesiumCarbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极:该透明电极为铝及银的叠层，第一层厚度为3nm，材料为铝(Al)， 第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。
透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。
接着，以PR650及Minolta LSI 10测量该电致发光器件(5)的光学特性。请 参照图5，显示该电致发光器件(5)的电压与电流密度的关系；请参照图6，显 示该电致发光器件(5)的电压与亮度的关系。
实施例4:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡一玻璃衬底洗净。以氮气将 基材吹干，然后UV-OZONE30分钟，接着在10-6torr的压力下依序沉积阳极、 空穴注入层、p型掺杂的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、ti 型掺杂的电子注入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，封装后获得该电致 发光器件(6)。以下列出各层的材料及厚度。
阳极厚度为25nm，材料为Cu(Copper)，掺杂为Al (Aluminum)，两 者的重量比为90:10(Cu:Al)。
空穴注入层厚度为10nm，材料为CuPc(c叩perphthalocyanine)。
p型惨杂的空穴注入层厚度为30nm ，材料为 NPB(N,N'-di-1 -naphthyl-N，N'-diphenyl-1 ， l'-biphenyl画1,1 '-biphenyl-4,4'-diamine)， p型掺杂为Mo03(molybdenum trioxide)，两者的重量比为90:10。
空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20nm，材料为Alq3 (tris (8隱hydroxyquinoline) aluminum)。 空穴阻挡层厚度为 10nm ， 材料为 Bphen (4,7-diphenyl匿1,10画phenanthroline)。
n型掺杂的电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (Cesium Carbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极:该透明电极为铝及银的叠层，第一层厚度为3nm，材料为铝(A1)， 第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。
接着，以PR650及Minolta LSI 10测量该电致发光器件(6)的光学特性。请 参照图5，显示该电致发光器件(6)的电压与电流密度的关系；请参照图6，显 示该电致发光器件(6)的电压与亮度的关系。
实施例5:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡一玻璃衬底洗净。以氮气将 基材吹干，然后UV-OZONE 30分钟，接着在10-6torr的压力下依序沉积阳极、 空穴注入层、p型掺杂的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、n 型掺杂的电子注入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，封装后获得该电致 发光器件C0。以下列出各层的材料及厚度。
阳极厚度为50nm，材料为Cu(Copper)，惨杂为Al (Aluminum)，两 者的重量比为90:10(Cu:Al)。
空穴注入层厚度为10nm，材料为CuPc(copperphthalocyanine)。
p型掺杂的空穴注入层厚度为 30nm ，材料为 NPB(N,N'-di-1 -naphthyl-N,N'-diphenyl-1 ， 1 '-biphenyl-1,1 '-biphenyl-4，4'-diamine)， p型惨杂为Mo03(molybdenum trioxide)，两者的重量比为90:10。
空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20nm，材料系为Alq3 (tris (8-hydroxyquinoline) aluminum)。 空穴阻挡层厚度为 10nm ， 材料为 Bphen (4 ，7-diphenyU 1 ， 10画phenanthroline)。
n型掺杂的电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (Cesium Carbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极:该透明电极为铝及银的迭层，第一层厚度为3nm，材料为铝(A1)， 第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。
透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。
接着，以PR650及Minolta LSI 10测量该电致发光器件(7)的光学特性。请 参照图5，显示该电致发光器件(7)的电压与电流密度的关系；请参照图6，显 示该电致发光器件(7)的电压与亮度的关系。实施例6:
使用中性清洁剂、丙酮、及乙醇以超音波振荡一玻璃衬底洗净。以氮气将 基材吹干，然后UV-OZONE 30分钟，接着在10-6torr的压力下依序沉积阳极、 空穴注入层、p型掺杂的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、n 型掺杂的电子注入层、透明电极、透明覆盖层于该衬底上，封装后获得该电致 发光器件(8)。以下列出各层的材料及厚度。
阳极厚度为100nm，材料为Cu(Copper)，掺杂为Al (Aluminum)，两 者的重量比为90:10(Cu:Al)。
空穴注入层厚度为10nm，材料为CuPc(copperphthalocyanine)。
p 型掺杂的空穴注入层厚度为 30nm ，材料为 NPB(N，N'-di-1 -naphthy l-N,N'-diphenyl-1,1 '-biphenyl-1 ， 1'-biphenyl-4，4'-diamine)， p型掺杂为Mo03(molybdenum trioxide)，两者的重量比为90:10。
空穴传输层厚度为20nm，材料为NPB。
发光层厚度为20nm，材料为Alq3(tris (8-hydroxyquinoline) aluminum)。
空穴阻挡层厚度为 10nm , 材料为 Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)。
n型掺杂的恶电子注入层厚度为20nm，材料为Bphen， n型掺杂为Cs2C03 (Cesium Carbonate)，两者的重量比为90:10。
透明电极该透明电极系为铝及银的叠层，第一层厚度为3nm，材料为铝 (Al)，第二层厚度为20nm，材料为银(Ag)。
透明覆盖层厚度为50nm，材料为NPB。
接着，以PR650及Minolta LSI 10测量该电致发光器件(8)的光学特性。请 参照图5，显示该电致发光器件(8)的电压与电流密度的关系；请参照图6，显 示该电致发光器件(8)的电压与亮度的关系。
由图5及图6结果可以确认当铜铝合金薄膜厚度为100nm时，有机电致 发光器件的特性比以ITO为阳极时还要优异。
从上述结果可以证实，铜金属薄膜是可以取代传统的ITO电极作为有机 电致发光器件的阳极，比传统电极更薄且电阻值更低的阳极，可以获得效率更 佳的有机电致发光器件。
当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变型，但 这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
权利要求
1、一种有机电致发光器件，其特征在于，包含一衬底；一下电极，形成于该衬底之上；一有机发光单元，形成于该下电极之上；一上电极，形成于该有机发光单元之上，其中，该下电极包含90-100重量百分比的铜，以该下电极总重为基准。
2、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，该衬底为玻 璃基板。
3、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，该衬底为塑 料基板。
4、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，该下电极由 铜组成。
5、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，该下电极为 铜掺杂锂、镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、或上述组合的合金，其 中掺杂物的重量百分比不大于10。
6、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，该有机发光 单元包含小分子有机电激发光材料、高分子有机电激发光材料、或是其叠层。
7、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，该有机发光 单元包含一具有p型掺杂的空穴注入层，其中该具有p型掺杂的空穴注入层 形成于该下电极之上。
8、 根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，该p型掺杂 包含F4-TCNQ、 W03、 Mo03、或￥205。
9、 根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，该有机发光 单元包含一空穴注入层，配置于该下电极与该具有p型掺杂的空穴注入层之 间。
10、 根据权利要求l所述的有机电致发光器件，其特征在于，该有机发 光单元包含一具有n型掺杂的电子注入层，与该上电极接触。
11、 根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，该n型掺杂包含Li、 Cs、或CS2C03。
12、 根据权利要求l所述的有机电致发光器件，其特征在于，该上电极 为一透明电极。
13、 根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，该透明电 极包含铝、银、镁或其合金。
14、 根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，该透明电 极包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌铝氧化物、或氧化锌。
全文摘要
本发明提供一有机电致发光器件，其中该电致发光器件包含一衬底；一下电极，形成于该衬底之上；一有机发光单元，形成于该下电极之上；一上电极，形成于该有机发光单元之上，其中，该下电极包含90-100重量百分比的铜，以该下电极总重为基准。
文档编号H01L51/50GK101593813SQ20081009826
公开日2009年12月2日 申请日期2008年5月28日 优先权日2008年5月28日
发明者曾美榕, 朱妙采, 林显光, 谢添寿 申请人:财团法人工业技术研究院