专利名称：大功率小封装三极管的制作方法
技术领域：
本新型涉及一种半导体电器元件，特别是涉及一种大功率小封装三极管。
背景技术：
三极管是电器中的重要元件，应用十分广泛。但由于目前国内的节能 灯、充电器、电源、家用电器中使用的大功率三极管发热量大，直接影响 了电器的稳定和使用寿命，常用的方法是增大塑封体的体积，以增大散热 面积，提高散热性能，保证三极管正常工作。但塑封体过大，不仅增大了 三极管的体积，增加了成本，而且不适宜于要求功率大，体积小的场合， 限制了大功率三极管的应用范围。 发明内容
本实用新型的发明目的是针对现有技术的不足，提供一种功率大，封 装体积小，散热效率高，工作可靠，使用寿命长的大功率小封装三极管。
本实用新型的发明目的通过下述技术方案实现
一种大功率小封装三极管，包括芯片、引线框架，金属引线、引脚与 塑封体，所述引线框架上部自生一块散热片、其下部自生一个集电极引脚， 芯片通过焊接层固定在引线框架上；发射极引脚、基极引脚通过金属引线 分别与芯片相连，所述封装体采用环氧树脂。
所述芯片为双极性晶体管或肖特基二极管芯片；所述金属引线为铝硅 线或金丝或铜丝。
由于本实用新型采用了上述结构，明显地提高了电器元件的导电性能， 塑封体采用环氧树脂，提高了三极管的散热效率，所以在功率相同的情况
下，减少了塑封体的体积30-60%，从而减小了三极管的体积，三极管的 成本也随之降低30~50%,由于本实用新型结构紧凑，增加了应用范围，符 合电子元器件微型化的趋势，广泛用作节能灯、充电器、电源、家用电器 中的重要元器件。
图l是大功率小封装三极管的结构示意图； 图2为图1的A-A剖视图； 图3是大功率小封装三极管的内部结构图； 图4是图3的左^f见图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步描ii。
由:图l和图2所知，本实用新型包括散热片1*引线框架2、芯片3、 引线5、塑封体6、发射极引脚7、集电极引脚8、基极引脚9、焊接层IO。 所述引线框架2的上部自生散热片1、下部自生集电极引脚8，即散热片1、 引线框架2和集电极引脚8是一个整体。在引线框架2上用焊接层10固定 一个芯片3,芯片3可采用双极性晶体管或肖特基二极管芯片。芯片3上有 2个压焊区4，发射极引脚7和基极引脚9通过金属引线5分别与芯片3上 的压焊区4相连，金属引线5可采用铝硅线或金丝或铜丝。用塑封体6将 上述结构封装起来，就制成了大功率小封装三极管。其塑封体6采用环氧 树脂，散热性能好。图3、图4表示了本实用新型的内部结构图。
权利要求1、一种大功率小封装三极管，包括芯片、引线框架、金属引线、引脚与塑封体，其特征在于所述引线框架(2)上部自生一块散热片(1)、其下部自生一个集电极引脚(8)，芯片(3)通过焊接层(10)固定在引线框架(2)上；发射极引脚(7)、基极引脚(9)通过金属引线(5)分别与芯片(3)相连，所述封装体(6)采用环氧树脂。
2、 根据权利要求l所述的大功率小封装三极管，其特征在于所述芯 片(3)为双极性晶体管或肖特基二极管芯片。
3、 根据权利要求1或2所述的大功率小封装三极管，其特征在于所 述金属引线(5)为铝硅线或金丝或铜丝。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率小封装三极管，它包括引线框架、芯片、金属引线、引脚与塑封体，所述引线框架上部自生一块散热片，其下部自生一个集电极引脚，芯片通过焊接层固定在引线框架上，发射极引脚，基极引脚通过金属引线分别与芯片相连，所述封装体采用环氧树脂。本实用新型具有功率大、体积小、节约材料、成本低、使用寿命长、工作可靠的特点，广泛用作节能灯、充电器、电源、家用电器中的重要电器元件。
文档编号H01L23/36GK201185187SQ200820062550
公开日2009年1月21日 申请日期2008年3月15日 优先权日2008年3月15日
发明者陈耿鑫 申请人:四川立泰电子有限公司