专利名称：一种多晶硅还原炉用变压器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种变压器，特别是一种多晶硅还原炉用变压器。
技术背景
目前工业生产中的还原炉用变压器结构是，三相变压器， 一次侧和二 次侧均采用三角形或星形连接，通过改变一次侧线圈匝数来满足二次侧输 出电压的变化，这种结构不能适应多晶硅还原炉用变压器对漏抗的需要。 发明内容
本实用新型的目的是提供一种可满足多晶硅还原炉变压器的漏抗需要 的多晶硅还原炉用变压器。本实用新型的技术方案是， 一种多晶硅还原炉 用变压器，包括一次绕组和二次绕组，其特征在于二次绕组中有三个以 上的抽头。本实用新型与现有技术比较能满足变压器各档对漏抗的不同需 求的优点。
-
图1是本实用新型的主视图，图2是图1的俯视图。
具体实施方式
结合以上附图对本实用新型作详细说明，本实用新型和现有的抽头变 压器的结构在铁芯3，油箱5，变压器油4相同，只是一次绕组2的三相绕
组均不抽头，对二次绕组1的A、 B、 C三相线圈按还原炉在还原过程中对 电压的要求设置多个抽头，本实用新型二次绕组抽头数为每相4个，二次 绕组抽头在壳体外装有套管7，套管6内有一次绕组接线。本实用新型由 于在二次绕组侧抽头变压，因而可以实现变压器各档对漏抗的不同需求。
权利要求1、一种多晶硅还原炉用变压器，包括一次绕组和二次绕组，其特征在于二次绕组中有三个以上的抽头。
专利摘要本实用新型公开了一种多晶硅还原炉用变压器，涉及一种变压器，本实用新型的目的是提供一种可满足多晶硅还原炉变压器的漏抗需要的多晶硅还原炉用变压器。本实用新型的技术方案是，一种多晶硅还原炉用变压器，包括一次绕组和二次绕组，二次绕组中有三个以上的抽头。本实用新型用于变压器。
文档编号H01F29/02GK201251998SQ20082014929
公开日2009年6月3日 申请日期2008年9月11日 优先权日2008年9月11日
发明者王艳芬, 龙 郑, 陈继荣, 马清丽 申请人:龙 郑